SiCの結晶欠陥がショットキー障壁ダイオード特性に及ぼす影響と特性改善に関する研究

Description

京都大学 / 0048 / 新制・課程博士 / 博士(工学) / 甲第20379号 / 工博第4316号 / 新制||工||1669(附属図書館) / 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 / (主査)教授 木本 恒暢, 教授 山田 啓文, 准教授 浅野 卓 / 学位規則第4条第1項該当 / Doctor of Philosophy (Engineering) / Kyoto University / DGAM

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1. http://hdl.handle.net/2433/225604
2. 14301甲第20379号
3. 10.14989/doctor.k20379
4. 14301

Tags

SiC

ダイオード

エピタキシャル成長

積層欠陥

転位

表面ラフネス

500

Additional Fields

Identifer	oai:union.ndltd.org:kyoto-u.ac.jp/oai:repository.kulib.kyoto-u.ac.jp:2433/225604
Date	23 March 2017
Creators	藤原, 広和
Contributors	木本, 恒暢, 山田, 啓文, 浅野, 卓, Fujiwara, Hirokazu, フジワラ, ヒロカズ
Publisher	京都大学 (Kyoto University), 京都大学
Source Sets	Kyoto University
Language	Japanese
Detected Language	Japanese
Type	doctoral thesis, Thesis or Dissertation
Format	application/pdf
Rights	学位規則第9条第2項により要約公開