<p>I uppsatsen har två geografiböcker för gymnasiet studerats. Fokus för undersökningen har varit böckernas framställning av "de andra", i det här fallet representerat av periferin, u-länder eller tredje världen, beroende på vilket uttryck som väljs att användas. De två undersökta böckerna, Geo- guiden och Geografi- människan, resurserna, miljön, brukar främst begreppen u-land och i-land för att beskriva världens fattiga respektive rika länder. Även begreppet NIC-land förekommer i böckerna men inte i samma utsträckning. Geografi- människan, resurserna, miljön presenterar även begreppen centrum- periferi, vilka dock inte används i särskilt hög grad. I böckerna saknas en sammanhållen förklaring till begreppet u-land. Däremot ges kriterier för vad ett u-land är löpande i texten. Exempel på sådana kriterier är hög befolkningsökning, brist på teknologi och låg utvecklingsgrad, där framför allt utvecklingsgraden framhålls. Begreppen NIC-länder och centrum - periferi förklaras, till skillnad från u-land, för läsaren om än inte särskilt uttömmande. Författarna till de två geografiböckerna har svårigheter att klarlägga för läsaren var u-länderna finns. Antingen hemfaller de till grova generaliseringar genom att peka ut hela kontinenter eller så får enskilda stater, som t ex Kenya, Indien, Kina och Mali, tjäna som exempel och representanter för alla u-länder. Författarna till de båda böckerna tycks dock mena att hela Afrika, Central- och Sydamerika samt Asien (utom Japan) består av u-länder. Mot dessa områden ställs Nordamerika, Europa och Japan. Eftersom författarna till de båda böckerna aldrig presenterar exakt vilka stater som bör betraktas som u-länder, används begreppet ofta generaliserande, som om dessa länder vore en egen avgränsad grupp. Detta till trots att både Geo- guiden och Geografi- människan, resurserna, miljön presenterar en diskussion om de stora skillnaderna mellan olika u-länder. Orientalismens polarisering mellan ”vi” och ”dom” genomsyrar läroböckerna. Detta märks i språkbruk, i bilder och till och med i böckernas disposition. Föreställningen om u-länder som outvecklade och eftersatta betonas och kontrasteras med i-ländernas modernitet och teknologi. Även evolutionismens stadietänkande finns i böckerna. Användandet av begreppet NIC-land, ett stadium mellan i-land och u-land, kan ses som ett exempel på detta. Trots att författarna är påverkade av evolutionismen är det dock ändå orientalismen som dominerar. Detta visar sig bland annat i att den viktigaste avskiljaren mellan fattiga och rika, u-länder och i-länder som presenteras i läroböckerna varken är ekonomi, teknik eller utveckling, utan orientalismens gräns mellan ”oss” och ”de andra”.</p>

<p>I de flesta I-länder är sjukvårdssystemen uppbyggda så att de på ett eller annat sätt ska kunna hjälpa alla medborgare, oavsett inkomst. Sjukförsäkringar finns för att kostsamma sjukvårdsbehandlingar ska kunna bli tillgängliga för fler människor och till rimliga kostnader. Inkomsttransfereringar mellan försäkringstagarna gör detta möjligt. U-landssituationen är i de flesta fall den omvända, eftersom individernas inkomst avgör om de kan finansiera sjukvård eller en sjukförsäkring.</p><p>Denna uppsats är en litteraturstudie av sjukförsäkringssituationen i Indien. Framför allt studeras låginkomsttagarnas och de fattigas situation och olika valmöjligheter beträffande finansiering av sjukvård.</p><p>Studien visar att det i U-länder, som Indien, är svårt att öka incitamenten för att köpa en sjukförsäkring för de allra fattigaste på grund av att eventuellt tillgängligt kapital i första hand måste gå till väsentliga ting som mat. Däremot så kan incitamenten för att köpa sjukförsäkring öka för låginkomsttagare om informationen är bra och försäkringspremien är tillräckligt låg.</p>

I uppsatsen har två geografiböcker för gymnasiet studerats. Fokus för undersökningen har varit böckernas framställning av "de andra", i det här fallet representerat av periferin, u-länder eller tredje världen, beroende på vilket uttryck som väljs att användas. De två undersökta böckerna, Geo- guiden och Geografi- människan, resurserna, miljön, brukar främst begreppen u-land och i-land för att beskriva världens fattiga respektive rika länder. Även begreppet NIC-land förekommer i böckerna men inte i samma utsträckning. Geografi- människan, resurserna, miljön presenterar även begreppen centrum- periferi, vilka dock inte används i särskilt hög grad. I böckerna saknas en sammanhållen förklaring till begreppet u-land. Däremot ges kriterier för vad ett u-land är löpande i texten. Exempel på sådana kriterier är hög befolkningsökning, brist på teknologi och låg utvecklingsgrad, där framför allt utvecklingsgraden framhålls. Begreppen NIC-länder och centrum - periferi förklaras, till skillnad från u-land, för läsaren om än inte särskilt uttömmande. Författarna till de två geografiböckerna har svårigheter att klarlägga för läsaren var u-länderna finns. Antingen hemfaller de till grova generaliseringar genom att peka ut hela kontinenter eller så får enskilda stater, som t ex Kenya, Indien, Kina och Mali, tjäna som exempel och representanter för alla u-länder. Författarna till de båda böckerna tycks dock mena att hela Afrika, Central- och Sydamerika samt Asien (utom Japan) består av u-länder. Mot dessa områden ställs Nordamerika, Europa och Japan. Eftersom författarna till de båda böckerna aldrig presenterar exakt vilka stater som bör betraktas som u-länder, används begreppet ofta generaliserande, som om dessa länder vore en egen avgränsad grupp. Detta till trots att både Geo- guiden och Geografi- människan, resurserna, miljön presenterar en diskussion om de stora skillnaderna mellan olika u-länder. Orientalismens polarisering mellan ”vi” och ”dom” genomsyrar läroböckerna. Detta märks i språkbruk, i bilder och till och med i böckernas disposition. Föreställningen om u-länder som outvecklade och eftersatta betonas och kontrasteras med i-ländernas modernitet och teknologi. Även evolutionismens stadietänkande finns i böckerna. Användandet av begreppet NIC-land, ett stadium mellan i-land och u-land, kan ses som ett exempel på detta. Trots att författarna är påverkade av evolutionismen är det dock ändå orientalismen som dominerar. Detta visar sig bland annat i att den viktigaste avskiljaren mellan fattiga och rika, u-länder och i-länder som presenteras i läroböckerna varken är ekonomi, teknik eller utveckling, utan orientalismens gräns mellan ”oss” och ”de andra”.

I de flesta I-länder är sjukvårdssystemen uppbyggda så att de på ett eller annat sätt ska kunna hjälpa alla medborgare, oavsett inkomst. Sjukförsäkringar finns för att kostsamma sjukvårdsbehandlingar ska kunna bli tillgängliga för fler människor och till rimliga kostnader. Inkomsttransfereringar mellan försäkringstagarna gör detta möjligt. U-landssituationen är i de flesta fall den omvända, eftersom individernas inkomst avgör om de kan finansiera sjukvård eller en sjukförsäkring. Denna uppsats är en litteraturstudie av sjukförsäkringssituationen i Indien. Framför allt studeras låginkomsttagarnas och de fattigas situation och olika valmöjligheter beträffande finansiering av sjukvård. Studien visar att det i U-länder, som Indien, är svårt att öka incitamenten för att köpa en sjukförsäkring för de allra fattigaste på grund av att eventuellt tillgängligt kapital i första hand måste gå till väsentliga ting som mat. Däremot så kan incitamenten för att köpa sjukförsäkring öka för låginkomsttagare om informationen är bra och försäkringspremien är tillräckligt låg.

This study on the neutron-induced fission of 234U was carried out at the 7 MV Van de Graaff accelerator of IRMM in Belgium. A Twin Frisch-Grid Ionization Chamber (TFGIC) was used to study 234U(n,f) between En = 0.2 and 5.0 MeV. The reaction is important for fission modelling of the second-chance fission in 235U(n,f). The fission fragment (FF) angular-, energy and mass distributions were determined using the 2E-method highlighting especially the region of the vibrational resonance at En = 0.77 MeV. The experiment used both conventional analogue and modern digital acquisition systems in parallel. Several advantages were found in the digital case, especially a successful pile-up correction. The shielding limitations of the Frisch-grid, called "grid-inefficiency", result in an angular-dependent energy signal. The correction of this effect has been a long-standing debate and a solution was recently proposed using the Ramo-Shockley theorem. Theoretical predictions from the latter were tested and verified in this work using two different grids. Also the neutron-emission corrections as a function of excitation energy were investigated. Neutron corrections are crucial for the determination of FF masses. Recent theoretical considerations attribute the enhancement of neutron emission to the heavier fragments exclusively, contrary to the average increase assumed earlier. Both methods were compared and the impact of the neutron multiplicities was assessed. The effects found are significant and highlight the importance of further experimental and theoretical investigation. In this work, the strong angular anisotropy of 234U(n,f ) was confirmed. In addition, and quite surprisingly, the mass distribution was found to be angular-dependent and correlated to the vibrational resonances. The anisotropy found in the mass distribution was consistent with an anisotropy in the total kinetic energy (TKE), also correlated to the resonances. The experimental data were parametrized assuming fission modes based on the Multi-Modal Random Neck-Rupture model. The resonance showed an increased yield from the Standard-1 fission mode and a consistent increased TKE. The discovered correlation between the vibrational resonances and the angular-dependent mass distributions for the asymmetric fission modes may imply different outer fission-barrier heights for the two standard modes.

Currently, there are two main methodologies for the calculation of the electronic structure and properties of crystalline solids. Known as the Hartree-Fock Method (HF) and the Density Functional Theory (DFT) methods, they are based on two different theories for the numerical solution of the many electron Schrödinger equation. Unfortunately, in highly correlated electron systems like transition metal complexes, both the HF and DFT methods have severe shortcomings. In some cases they fail to provide the correct description of the electronic structure. <p>In general, the HF method overestimates the energy band gap due to the neglect of electron correlation effects and the incorrect description of electron interactions in the unoccupied orbitals. In contrast, even though electron correlation effects are implicitly included in the density functional, DFT often underestimates the band gap due to the improper treatment of the electron self-interaction. <p> To amend these problems, two approaches have been proposed. The deficiency in the HF scheme can be corrected using a hybrid method which adds exchange correlation energy borrowed from DFT to help reduce the band gap energy and bring the predictions in better agreement with experiment. To improve DFT, the LDA+U approach, which uses a model Hubbard-like Hamiltonian including an on-site repulsion parameter U, can be employed. This method is a convenient semi-quantitative way to efficiently calculate the band gap of insulators and semiconductors.<p> In this thesis, the electronic structure of YTiO₃ under pressure is investigated using the aforementioned approaches. The performance and reliability of these methods will be examined, compared and discussed.

Currently, there are two main methodologies for the calculation of the electronic structure and properties of crystalline solids. Known as the Hartree-Fock Method (HF) and the Density Functional Theory (DFT) methods, they are based on two different theories for the numerical solution of the many electron Schrödinger equation. Unfortunately, in highly correlated electron systems like transition metal complexes, both the HF and DFT methods have severe shortcomings. In some cases they fail to provide the correct description of the electronic structure. <p>In general, the HF method overestimates the energy band gap due to the neglect of electron correlation effects and the incorrect description of electron interactions in the unoccupied orbitals. In contrast, even though electron correlation effects are implicitly included in the density functional, DFT often underestimates the band gap due to the improper treatment of the electron self-interaction. <p> To amend these problems, two approaches have been proposed. The deficiency in the HF scheme can be corrected using a hybrid method which adds exchange correlation energy borrowed from DFT to help reduce the band gap energy and bring the predictions in better agreement with experiment. To improve DFT, the LDA+U approach, which uses a model Hubbard-like Hamiltonian including an on-site repulsion parameter U, can be employed. This method is a convenient semi-quantitative way to efficiently calculate the band gap of insulators and semiconductors.<p> In this thesis, the electronic structure of YTiO₃ under pressure is investigated using the aforementioned approaches. The performance and reliability of these methods will be examined, compared and discussed.

Uranium-Molybdenum (U-Mo) alloys are of interest to the nuclear engineering community for their potential use as reactor fuel. The addition of molybdenum serves to stabilize the gamma phase of uranium, as well as increasing the melting point of the fuel. Thermal properties of U-Mo alloys have not been fully characterized, especially within the area of partial phase decomposition of the gamma phase of the alloy. Additional data was acquired through this research to expand the characterization data set for U-Mo alloys. The U-Mo alloys used for this research were acquired from the Idaho National Laboratory and consisted of three alloys of nominal 7, 10, and 13 percent molybdenum by weight. The sample pins were formed by vacuum induction melt casting. Once the three sample pins were fabricated and sent to the Fuel Cycle and Materials Laboratory at Texas A&M University, the pins were homogenized and sectioned for heat treatment. Several heat treatments were performed on the samples to induce varying degrees of phase decomposition, and the samples were subsequently sectioned for phase verification and thermal analysis. An Electron Probe Microanalyzer with wavelength dispersive spectroscopy was used to observe the phases in the samples as well as to characterize each phase. The density of each sample was determined using Archimedes method. Finally, a light flash analyzer was used to determine thermal diffusivity of the samples up to 300 degrees C as well as to estimate the thermal conductivity. For U-10Mo, thermal diffusivity increased with increasing phase decomposition from gamma to alpha +U2Mo while U-7Mo saw a flattening of the thermal diffusivity curve with increased phase decomposition.

None

In this study, a thermodynamic model was built to apply to discuss the defect structure of GaAs epitaxial film grown on Si substrate by MBE, and it was specially focus on the GaAs/Si growth process. . It includes the initial layer, thermal treatment, epitaxial growth, n-type doping and the high temperature thermal annealing. The defect concentrations were calculated in thermal equilibrium. The result of simulation shows that defect concentration is dependent on the growth parameters such as the substrate temperature, V/III ratio and the input reactant pressure. For the GaAs/Si epitaxial process, the buffer layer was grown at low temperature with a slow growth rate but better the film. On the result of simulations, it shows that the defect concentrations decrease very slowly as the growth temperature below 450¢J. So the substrate temperature selected for the initial film growth could be above 450oC. The defect structure of epitaxial layer grown pseudo-morphically at low temperature(~300¢J) was beyond our calculation. The re-crystallization of epitaxial layer and the redistribution of defects were occurred during the thermal annealing process. The defect structure of GaAs epilayer were simulated as a function of arsenics pressure in the annealing process. It is expected that the Ga-rich GaAs epilayer is obtained, and the AsGa is not the dominant defect in the epilayer since AsGa is a deep energy level defect. After the buffer layer was grown, the growth temperature of GaAs epilayer could be simulated by thermodynamic analysis, and the results were obtained at 450¢J~630¢J. It is important to determine the growth windows of GaAs epilayer by the thermodynamic analysis, and the results of simulation were verified by several reports. The Si-doped GaAs layers are processed by thermal annealed under an arsenic overpressure. For the Si-doped level estimated to be 1018cm-3, the annealing temperature and As4 overpressure used in simulation were at 1000¢J and 10-3 ~ 10 atm, respectively. An n-type GaAs epilayer with dominant defects SiGa and SiAs were obtained under the annealing condition. For electrical characterization of GaAs epilayer, it was found that free carrier concentration, ion-scattering mobility and neutral-scattering mobility at room temperature were relate to the defect structure of GaAs epilayer, and the nature doping of GaAs epilayer grown by MBE is usually p-type. The free carrier concentration and total mobility of GaAs epilayer are about 1015cm-3 and 300 cm2/sec-V, respectively. The result of thermodynamic analysis and calculation are very close to the data reported. Typically, it is of course, as being with any theoretical analysis, often a shortage of relevant data in which to quantify the predictions. However, the calculation of thermodynamic framework and the analysis of electrical characterization could help to decrease the minimum number of experiments needed to get the most useful data.