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Diseño de un amplificador operacional de transconductancia para la adquisición de señales de electroencefalogramaVillacorta Minaya, Héctor Luis 09 May 2011 (has links)
En el presente trabajo de tesis, se desarrolla el diseño de un amplificador operacional de transconductancia (OTA), bloque constitutivo de todos los sistemas integrados e implantables de adquisición de señales biomédicas, en este caso las señales del EEG, que se encuentrar en el rango de 0 – 100Hz. / Tesis
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Introducción a la Electrónica (EL23), ciclo 2013-1Cieza Dávila, Javier 03 1900 (has links)
Material de trabajo del curso Introducción a la Electrónica (EL23), que corresponde al ciclo 2013-1. Este material presenta los conceptos básicos de la electricidad y la electrónica de una manera simple y práctica.
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Diseño de un amplificador operacional clase AB en tecnología CMOSCastillo Messa, Luis Enrique del 21 February 2012 (has links)
En el presente trabajo de tesis, se desarrolla el diseño de un amplificador operacional
- bloque fundamental en sistemas integrados en chip - en base a dispositivos
de una tecnología CMOS cuya longitud de canal mínima es 0,35 μm. El diseño se
orienta al uso del amplificador como buffer de salida en canales de acondicionamiento
de señales médicas. Con la finalidad de aprovechar al máximo la tensión
de alimentación disponible se eligió una etapa de salida del tipo rail to rail. Para
conducir las cargas externas de manera eficiente y minimizando efectos de distorsión de cruce por cero se adoptó un esquema clase AB para la operación de la
etapa de salida.
El procedimiento de diseño propuesto permite analizar conjuntamente especificaciones
de consumo, ruido, ancho de banda y offset de tal forma que para
un conjunto de valores de esas especificaciones, es posible determinar si es posible
o no alcanzarlas, y en el caso afirmativo, calcular las dimensiones de los
transistores y capacitores y las corrientes de polarización. Este procedimiento de
diseño está basado en el modelo del transistor MOSFET conocido como Advanced
Compact Mosfet (ACM), el cual posee ecuaciones que son válidas en todos los
regímenes de inversión del transistor.
De acuerdo con los resultados de simulación, el circuito alcanza las siguientes especificaciones
en el caso típico de parámetros tecnológicos a 27oC: Margen de fase
de 83o con una carga capacitiva de 50pF, frecuencia de ganancia unitaria 650KHz,
consumo de corriente de 13 μA, ruido rms de 67 μV. La desviación estándar del
offset referido a la entrada es de 3mV. El voltaje de alimentación nominal será de
3,3V, sin embargo el desempeño del circuito fue comprobado también con una
tensión mínima de 2,7V. / Tesis
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Introducción a la electrónica y las telecomunicaciones: material de trabajo para el laboratorio 2009-1Cieza Dávila, Javier 23 June 2009 (has links)
Manual y guía de laboratorio que abarca los temas de electrónica, telecomunicaciones y redes de comunicaciones.
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Diseño de un amplificador operacional de transconductancia para la adquisición de señales de electroencefalogramaVillacorta Minaya, Héctor Luis 09 May 2011 (has links)
En el presente trabajo de tesis, se desarrolla el diseño de un amplificador operacional de transconductancia (OTA), bloque constitutivo de todos los sistemas integrados e implantables de adquisición de señales biomédicas, en este caso las señales del EEG, que se encuentrar en el rango de 0 – 100Hz.
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Diseño de un amplificador operacional clase AB en tecnología CMOSCastillo Messa, Luis Enrique del 21 February 2012 (has links)
En el presente trabajo de tesis, se desarrolla el diseño de un amplificador operacional
- bloque fundamental en sistemas integrados en chip - en base a dispositivos
de una tecnología CMOS cuya longitud de canal mínima es 0,35 μm. El diseño se
orienta al uso del amplificador como buffer de salida en canales de acondicionamiento
de señales médicas. Con la finalidad de aprovechar al máximo la tensión
de alimentación disponible se eligió una etapa de salida del tipo rail to rail. Para
conducir las cargas externas de manera eficiente y minimizando efectos de distorsión de cruce por cero se adoptó un esquema clase AB para la operación de la
etapa de salida.
El procedimiento de diseño propuesto permite analizar conjuntamente especificaciones
de consumo, ruido, ancho de banda y offset de tal forma que para
un conjunto de valores de esas especificaciones, es posible determinar si es posible
o no alcanzarlas, y en el caso afirmativo, calcular las dimensiones de los
transistores y capacitores y las corrientes de polarización. Este procedimiento de
diseño está basado en el modelo del transistor MOSFET conocido como Advanced
Compact Mosfet (ACM), el cual posee ecuaciones que son válidas en todos los
regímenes de inversión del transistor.
De acuerdo con los resultados de simulación, el circuito alcanza las siguientes especificaciones
en el caso típico de parámetros tecnológicos a 27oC: Margen de fase
de 83o con una carga capacitiva de 50pF, frecuencia de ganancia unitaria 650KHz,
consumo de corriente de 13 μA, ruido rms de 67 μV. La desviación estándar del
offset referido a la entrada es de 3mV. El voltaje de alimentación nominal será de
3,3V, sin embargo el desempeño del circuito fue comprobado también con una
tensión mínima de 2,7V.
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