O mineral columbita-tantalita (muitas vezes chamado simplesmente columbita,para Nb>Ta,ou tantalita,paraNb<Ta) é uma solução sólida do tipo AB206 (A=Fe,Co,Mn,Mg, Ni e B=Ta, Nb), pertencente ao grupo espacial Pbcn (estruturaortorrômbica).Na fase ordenada o sistema apresenta uma superestrutura do tipo a-Pb02. Relacionados com este sistema temos os minerais wodginita, com a fórmula genérica ABC20s (A=Mn, Fe2+B= Sn, Ti, Fe3+,Ta e C=Ta, Nb), e ixiolita M02 (M=Mn, Sn, Fe, Ta, Nb) que é uma subestrutura da columbita. Fenômenos de ordem-desordem envolvendo estes minerais ainda apresentam questões em aberto. Sabe-se, por exemplo, que o ordenamento dos cátions na estrutura M02 é possível se a célula unitária for aumentada: triplicando-a tem-se a estabilização da estrutura AB206 quadruplicando-a tem-se a estrutura ABC2Os. Todavia, não se sabe se a ocorrência de uma ou outra rota depende de fatores geoquímicos ou de fatores cristaloquímicos. Evolução térmica e fenômenos de ordem-desordem, investigados em uma manganotantalitanatural parcialmente ordenada (Mn,Fe)(Ta,Nb)206e em uma ferrocolumbita sintética Fe(Nb,Tah06, são relatados na presente dissertação. As amostras foram caracterizadas com o uso da difração de raios-X (DRX), através de refinamento estrutural com o programa FullProf. As propriedades químicas e magnéticas foram investigadas com o uso da EspectroscopiaMõssbauer (EM) Tratamento térmico em ar na amostra natural parcialmente ordenada leva a diferentes resultados dependendo da forma da amostra. Para amostra em pó a transformação manganotantalita-wodginita foi observada, com pequenas contribuições de (Fe,Mn)(Nb,Ta)04 e (Nb,TahOs. Para um fragmento de cristal o tratamento térmico produz a mistura de quatro fases, sendo a maior contribuição devido ao ordenamento da fase (Mn,Fe)(Ta,Nb)206 presente no interior do cristal. (Mn,Fe)(Ta,Nbh06 presente na superficie do cristal oxida-se, como no caso observado na amostra em pó. O tratamento térmico em ar, aplicado na ferrocolumbita sintética, gerou a transformação ferrocolumbita-ixiolita.

Cette dissertation fait une analyse dialectique du Roman L heure de l étoile , ayant pour objectif comprendre la façon par laquelle le plan esthétique du livre masque une réalité brésilienne donnée. On a verifié que l oeuvre est mouvementée dans sa totalité par l ambiguïté de temps et de discours multiples, et par une tension qui se fonde dans l idée de l ordre et dans la construction du désordre. Ainsi, il est défendu que l ambiguïté et les tensions, présentées dans le roman, représentent artistiquement des péculiarités du Brésil du régime militaire. En raison de tout cela, cette recherche se constitue à partir du concept de réduction structurelle, de résistance et d inachevé. / Fundação de Amparo a Pesquisa do Estado de Alagoas / Esta dissertação faz uma análise dialética do romance A hora da estrela e tem o objetivo de entender como o plano estético do livro mimetiza uma dada realidade brasileira. Verificamos que a obra é movida na sua totalidade pela ambiguidade de tempos e discursos múltiplos, e por uma tensão que se funda na ideia de ordem e na construção da desordem. Assim, tem-se defendido que a ambiguidade e as tensões, apresentadas no romance, representam artisticamente peculiaridades do Brasil do regime militar. Em face disso, esta pesquisa se constitui a partir do conceito de redução estrutural, de resistência e de inacabado.

In this work we study the wave-packet dynamics in a two-channel Anderson model with correlated diagonal disorder. To impose correlations in the disorder distribution we construct the on-site energy landscape following both symmetry and antisymmetric rules.The dynamics of an initially localized wave packet is investigated by solving numerically the time-dependent Schrödinger equation. Our numerical data show that symmetric cross correlations have a small impact on the degree of localization of the one-particle eigenstates. In contrast, antisymmetric correlations lead to an effective reduction of the degree of disorder, specially in the strong coupling regime, thus resulting in a substantial increase of the wave-packet spread. A finite size scaling analysis shows that antisymmetric cross correlations, in spite of weakening the localization, do not promote ballistic transport.Theoretical explanations to the effect of cross-correlations in the wave-packet dynamics are provided. / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior / Neste trabalho de mestrado, foi estudada a dinâmica eletrônica em um modelo de Anderson com desordem diagonal correlacionada numa geometria do tipo cadeia dupla. Para impôr as correlações na distribuição de desordem, construímos as energias on-site a partir de regras de simetria e antissimetria entre as cadeias. A dinâmica de um pacote de onda inicialmente localizado foi investigado por meio da resolução numérica da equação de Schrödinger dependente do tempo. Nossos dados numéricos mostram que as correlações cruzadas simétricas têm pouco efeito sobre as propriedades de localização dos auto estados de uma partícula. Entretanto, as correlações antissimétricas levam efetiva-mente a uma redução da largura da desordem, especialmente no regime de acoplamento forte, resultando assim num aumento substancial da propagação do pacote de onda. Uma análise de tamanho nito mostra que a presença de correlações antissimétricas, apesar de enfraquecer a localização, não promove transporte balístico. Apresentamos também uma análise analítica que explica o efeito de correlações cruzadas na dinâmica eletrônica.

Made available in DSpace on 2016-06-02T20:15:16Z (GMT). No. of bitstreams: 1 TeseVEEC.pdf: 1596360 bytes, checksum: a1bc2433298a824834d595326d99a608 (MD5) Previous issue date: 2005-03-22 / Financiadora de Estudos e Projetos / In the present work, the localization properties of the single-particle and collective excitations subjected to a random potential in the AlGaAsSi alloys and in the intentionally disordered GaAs/AlGaAs:Si superlattices (SL s)were investigated by magnetoresistance and Raman scattering. As it is well known, the fluctuations of the eletronic potential, which occur in doped SL s and alloys destroy the translational invariance giving rise to a spatial coherence length of the elementary excitations and, as consequence, cause the breakdown of the Raman selection rules leading to the broadening and assymetry of the Raman lines. The analysis of the shape of the spectral lines allows one to determine the coherence lengths of the elementary excitations involved in the Raman process and thus, to study their localization properties. It was shown that the Landau damping determines the localization lengths of the collective plasmon-like excitations in bulk AlGaAs alloy. Meanwhile the localization lengths of both,the single-particle and collective excitations are limited by disorder in the intentionally disordered superlattices. The localization lengths of the plasmon-like excitations obtained by Raman Spectroscopy was compared with the phase-breaking lengths measured by Magnetoresistance. We had verified that in superlattices the localization length of the individual electron was found to be considerably larger than localization length corresponding to the collective excitations. This suggests that the effect of disorder has weaker influence on the electrons than on their collective motion and that the interaction, which gives rise to the collective effects, increase the localization. / Neste trabalho, as propriedades de localização das excitações de uma partícula e das excitações sujeitas a um potencial aleatório em ligas AlGaAs:Si e em superredes intencionalmente desordenadas GaAs/AlGaAs:Si (SL s) foram investigadas por magnetoresistência e espalhamento Raman. Como é bem sabido, as flutuações do potencial eletrônico, que ocorrem em SL s e ligas dopadas destroem a invariância translacional permitindo o aparecimento de um comprimento de localização espacial das excitações elementares e, como consequência, causando a relaxação das regras de seleção o que provoca a largura e assimetria das linhas Raman. A análise da forma das linhas espectrais permite determinar os comprimentos de localização das excitações elementares envolvidas no processo Raman e assim, estudar suas propriedades de localização. No caso das ligas AlGaAs:Si, mostrou-se que o amortecimento de Landau determina os comprimentos de localização das excitações coletivas tipo plasmon. Entretanto, nas SL s intencionalmente desordenadas, as propriedades de localização tanto das excitações de uma partícula quanto das excitações coletivas são limitadas pela desordem. Os comprimentos de localização das excitações tipo plasmon obtidos por espectroscopia Raman foram comparados com os comprimentos de coerência de fase do elétron medidos por magnetoresistência. Verificamos que em superredes o comprimento de localização das excitações de uma partícula é consideravelmente maior que o comprimento de localização das excitações coletivas. Isto sugere que o efeito da desordem é mais fraco para os elétrons do que para os movimentos coletivos e que a interação permite que os efeitos coletivos aumentem a localização.

Made available in DSpace on 2016-06-02T20:34:23Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3386.pdf: 7975175 bytes, checksum: 569defaa13852080fc5ba602a971eb47 (MD5) Previous issue date: 2009-08-07 / Financiadora de Estudos e Projetos / This work have as aim, the synthesis of ceramic powders of Ba(ZrxTi1¡x)O3 (x = 0, 0.25, 0.50, 0.75 and 1) by the polymeric precursor method and investigate the degree of structural order-disorder of these systems by different characterization techniques, such as: thermogravimetric analysis (TA), differential thermal analysis (DTA), X-ray diffraction (XRD), Raman spectroscopy, infrared vibrational spectroscopy, X-ray absorption near edge structure (XANES), extended X-ray absorption fine structure (EXAFS), electron paramagnetic resonance (EPR) spectroscopy, ultraviolet visible (UV-vis) absorption spectroscopy and photoluminescence (PL) measurements. The techniques of TA and DTA indicated a large mass loss of the precursors and that the increase in concentration of Zr in the lattice of the systems raises the crystallization temperature. The XRD patterns and Raman spectra showed that the powders of BaTiO3 have tetragonal structure and other systems have cubic structure. The infrared spectra showed a shift toward regions of higher wave number, with the substitution of Ti by Zr in the lattice. XANES spectra evidenced the presence of local clusters [TiO5]/[TiO6] and [ZrO5]/[ZrO6]. Moreover, there is a reduction in the displacement of Ti atom is outside of the center of the octahedron due to the increasing concentration of Zr in BaTiO3 lattice. With the EXAFS spectrum of BaZrO3 was possible to determine the approximate coordination number for the Zr clusters. The results obtained by EPR technique indicate that in the BaZrO3 with structural defects are possible the presence of species with electrons of unpaired spins. The absorption spectra in the UV-vis showed the presence of intermediate electronic levels between the valence band and conduction band in the powders with structural order-disorder, while the crystalline powders do not have the presence of these levels. Through the analysis of PL emission spectra was possible to verify the presence of order-disorder structural at medium range is fundamental for these systems have this property. Also, it was noted that the replacement of Ti by Zr in BaTiO3 lattice promotes a considerable increase in the PL intensity and different maximum emission in the visible (red, orange, yellow, green and blue). Moreover, models based on symmetry breaking among the Ti and/or Zr clusters are presented to explain the PL wide band and dual wide band for the ceramic powders. All the wide band models are proposed based on the presence of defects or symmetry breaking into lattice of these materials that promotes favorable conditions for the PL emission at room temperature before the excitation process. / Este trabalho tem como objetivo, a síntese de pós cerâmicos de Ba(ZrxTi1¡x)O3 com (x = 0; 0,25; 0,50; 0,75 e 1) pelo método dos precursores poliméricos e investigar o grau de ordem-desordem estrutural destes sistemas por diferentes técnicas de caracterização, tais como: análise termogravimétrica (AT), análise termogravimétrica diferencial (ATD), difração de raios-X (DRX), espectroscopia Raman, espectroscopia vibracional na região do infravermelho, estrutura próximo a borda de absorção de raios-X (XANES), estrutura fina de absorção de raios-X estendida (EXAFS), espectroscopia de ressonância paramagnética eletrônica (EPR), espectroscopia óptica de absorção de ultravioleta-visível (UV-vis) e fotoluminescência (FL). As técnicas de AT e ATD indicaram uma grande perda de massa dos precursores e que o aumento na concentração de Zr na rede dos sistemas eleva a temperatura de cristalização. Os padrões de DRX e espectros Raman mostraram que os pós de BaTiO3 apresentam estrutura tetragonal e os outros sistemas tem estrutura cúbica. Os espectros de infravermelho indicaram um deslocamento para regiões de maior número de onda, com a substituição de Ti por Zr na rede. Os espectros de XANES evidenciaram localmente a presença de clusters [TiO5]/[TiO6] e [ZrO5]/[ZrO6]. Além disso, ocorre uma redução no deslocamento do átomo de Ti está para fora do centro do octaedro devido o aumento da concentração de Zr na rede BaTiO3. Com o espectro de EXAFS do BaZrO3 foi possível determinar o número de coordenação aproximado xv xvi para os clusters de Zr. Os resultados obtidos pela técnica de EPR indicam que nos pós de BaZrO3 com defeitos estruturais existe uma possível presença de espécies que apresentam elétrons com spins desemparelhados. Os espectros de absorção no UV-vis mostraram a presença de níveis eletrônicos intermediários entre a banda de valência e a banda de condução nos pós com ordem-desordem estrutural, enquanto os pós cristalinos não temos a precença destes níveis. Por meio das análises dos espectros de emissão fotoluminescente foi possível verificar que a presença de ordem-desordem estrutural a média distância é fundamental para estes sistemas apresentem esta propriedade. Também, foi notado que a substituição de Ti por Zr na rede do BaTiO3 promove um aumento considerável na intensidade de FL e diferentes máximos de emissão na região do vísivel (vermelho, laranja, amarelo, verde e azul). Além disso, modelos baseados na quebra de simetria entre os clusters de Ti e/ou Zr são apresentados para explicar a FL de banda larga e dupla banda larga para os pós cerâmicos. Todos os modelos de banda larga são propostos baseados na presença de defeitos ou quebra de simetria na rede destes materiais que promovem condições favoráveis para a emissão de FL a temperatura ambiente antes do processo de excitação.

O mineral columbita-tantalita (muitas vezes chamado simplesmente columbita,para Nb>Ta,ou tantalita,paraNb<Ta) é uma solução sólida do tipo AB206 (A=Fe,Co,Mn,Mg, Ni e B=Ta, Nb), pertencente ao grupo espacial Pbcn (estruturaortorrômbica).Na fase ordenada o sistema apresenta uma superestrutura do tipo a-Pb02. Relacionados com este sistema temos os minerais wodginita, com a fórmula genérica ABC20s (A=Mn, Fe2+B= Sn, Ti, Fe3+,Ta e C=Ta, Nb), e ixiolita M02 (M=Mn, Sn, Fe, Ta, Nb) que é uma subestrutura da columbita. Fenômenos de ordem-desordem envolvendo estes minerais ainda apresentam questões em aberto. Sabe-se, por exemplo, que o ordenamento dos cátions na estrutura M02 é possível se a célula unitária for aumentada: triplicando-a tem-se a estabilização da estrutura AB206 quadruplicando-a tem-se a estrutura ABC2Os. Todavia, não se sabe se a ocorrência de uma ou outra rota depende de fatores geoquímicos ou de fatores cristaloquímicos. Evolução térmica e fenômenos de ordem-desordem, investigados em uma manganotantalitanatural parcialmente ordenada (Mn,Fe)(Ta,Nb)206e em uma ferrocolumbita sintética Fe(Nb,Tah06, são relatados na presente dissertação. As amostras foram caracterizadas com o uso da difração de raios-X (DRX), através de refinamento estrutural com o programa FullProf. As propriedades químicas e magnéticas foram investigadas com o uso da EspectroscopiaMõssbauer (EM) Tratamento térmico em ar na amostra natural parcialmente ordenada leva a diferentes resultados dependendo da forma da amostra. Para amostra em pó a transformação manganotantalita-wodginita foi observada, com pequenas contribuições de (Fe,Mn)(Nb,Ta)04 e (Nb,TahOs. Para um fragmento de cristal o tratamento térmico produz a mistura de quatro fases, sendo a maior contribuição devido ao ordenamento da fase (Mn,Fe)(Ta,Nb)206 presente no interior do cristal. (Mn,Fe)(Ta,Nbh06 presente na superficie do cristal oxida-se, como no caso observado na amostra em pó. O tratamento térmico em ar, aplicado na ferrocolumbita sintética, gerou a transformação ferrocolumbita-ixiolita.

Submitted by Jonas Pereira de Souza Júnior (jonas.psj@hotmail.com) on 2018-04-23T20:57:44Z No. of bitstreams: 1 dissertação final.pdf: 1689877 bytes, checksum: db5dec7519f11508f805cbffc672e4fd (MD5) / Approved for entry into archive by Alexandra Maria Donadon Lusser Segali null (alexmar@fcav.unesp.br) on 2018-04-25T12:46:15Z (GMT) No. of bitstreams: 1 souzajunior_jps_me_jabo.pdf: 1689877 bytes, checksum: db5dec7519f11508f805cbffc672e4fd (MD5) / Made available in DSpace on 2018-04-25T12:46:15Z (GMT). No. of bitstreams: 1 souzajunior_jps_me_jabo.pdf: 1689877 bytes, checksum: db5dec7519f11508f805cbffc672e4fd (MD5) Previous issue date: 2018-02-28 / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES) / A deficiência de boro é um fator limitante na produção do algodoeiro, mas o excesso pode induzir à toxicidade. Nas duas desordens nutricionais de boro, o acréscimo de silício, via foliar ou radicular, pode aliviar esses efeitos, mas essas informações não são conhecidas nas plantas de algodão. Objetivou-se (a) inicialmente, verificar a fonte e a concentração de Si aplicada via foliar que resulta em maior acúmulo do elemento nas plantas de algodão; (b) definir a concentração crítica do boro na solução nutritiva que induz à deficiência e à toxicidade do micronutriente nas plantas de algodão, e (c) verificar o efeito do silício, aplicado via foliar e radicular, como agente mitigador dos efeitos deletérios da deficiência e da toxicidade de boro no algodoeiro. Foram desenvolvidos três experimentos em plantas de algodão transgênico cultivados em sistema semi-hidropônico em casa de vegetação. O primeiro experimento foi com concentrações de Si via foliar em diferentes fontes do elemento. O segundo experimento foi com concentrações de B na solução nutritiva. Com os resultados destes experimentos, obtiveram-se a concentração foliar de Si e a fonte mais adequada, e a concentração de B na solução nutritiva, que induz a suficiência, deficiência e toxicidade. Diante destes resultados, realizou-se o terceiro experimento, onde foram avaliados Si aplicado via foliar e radicular, e o controle (sem Si) em plantas de algodão sob deficiência, suficiência e toxicidade de B. A aplicação foliar de Si é viável agronomicamente para o algodoeiro, pois incrementou o acúmulo de Si, o teor de clorofila e a eficiência quântica do fosossistema II, favorecendo a produção de matéria seca, destacando-se o Si aplicado na forma de silicato de sódio e potássio estabilizado com sorbiol, na concentração de 0,8 g L-1 de Si. O nível crítico de B na solução nutritiva por deficiência e toxicidade, associado à diminuição de 25% da produção de massa seca de plantas de algodão, foi 33,7 e 130,5 µmol L-1 de B, respectivamente. O silício mitiga desordem nutricional de boro em algodoeiro, destacando aplicação foliar e radicular para aliviar os efeitos deletérios de deficiência e toxicidade de B, respectivamente. / Boron deficiency is a limiting factor for cotton production, but boron excess may induce toxicity. In the two nutritional disorders of boron, the addition of silicon by leaf or root application can alleviate these effects but this information is unknown in cotton plants. The objective of this study was to (a) initially verify the source and concentration of Si applied in the leaf that results in greater accumulation of the element in the cotton plants; (b) define the critical concentration of boron in the nutrient solution that induces the deficiency and toxicity of the micronutrient, and (c) to verify the effect of silicon, applied by leaf and root, as a mitigating agent of the deleterious effects of boron deficiency and toxicity in cotton. Three experiments were carried out on cotton plants cultivated in a soilless growing system. The first experiment was with concentrations of Si by leaf application with different sources of the element. The second experiment was with concentrations of B in the nutrient solution. With the results of these experiments, we got the more adequate Si foliar source and concentration; and the concentration of B in nutrition solution that induces to sufficiency, deficiency and toxicity. The third experiment was done to verify the effects of apply silicon by leaf and root and control (without Si) in cotton plants under deficiency, sufficiency and toxicity of B. The application of Si is viable for cotton, since it increased the accumulation of Si, the chlorophyll content and the quantum efficiency of the photosystem II, favoring the dry matter production, emphasizing Si applied in the form of sodium and potassium silicate stabilized with sorbitol at the concentration of 0,8 g L-1 of Si. The critical level of B in the nutrient solution due to deficiency and toxicity, associated with a 25% decrease in dry matter yield of cotton plants, was 33.7 and 130.5 µmol L-1 of B, respectively. Silicon mitigates nutritional disorder of boron in cotton highlighting leaf and root application to alleviate the deleterious effects of B deficiency and toxicity, respectively.

Made available in DSpace on 2014-12-17T15:14:50Z (GMT). No. of bitstreams: 1 ErlaniaLO.pdf: 3072440 bytes, checksum: c231266f91625a857dc874cab6600510 (MD5) Previous issue date: 2008-12-29 / Conselho Nacional de Desenvolvimento Cient?fico e Tecnol?gico / We have used ab initio calculations to investigate the electronic structure of SiGe based nanocrystals (NC s). This work is divided in three parts. In the first one, we focus the excitonic properties of Si(core)/Ge(shell) and Ge(core)/Si(shell) nanocrystals. We also estimate the changes induced by the effect of strain the electronic structure. We show that Ge/Si (Si/Ge) NC s exhibits type II confinement in the conduction (valence) band. The estimated potential barriers for electrons and holes are 0.16 eV (0.34 eV) and 0.64 eV (0.62 eV) for Si/Ge (Ge/Si) NC s. In contradiction to the expected long recombination lifetimes in type II systems, we found that the recombination lifetime of Ge/Si NC s (&#964;R = 13.39&#956;s) is more than one order of magnitude faster than in Si/Ge NC s (&#964;R = 191.84&#956;s). In the second part, we investigate alloyed Si1&#8722;xGex NC s in which Ge atoms are randomly positioned. We show that the optical gaps and electron-hole binding energies decrease linearly with x, while the exciton exchange energy increases with x due to the increase of the spatial extent of the electron and hole wave functions. This also increases the electron-hole wave functions overlap, leading to recombination lifetimes that are very sensitive to the Ge content. Finally, we investigate the radiative transitions in Pand B-doped Si nanocrystals. Our NC sizes range between 1.4 and 1.8 nm of diameters. Using a three-levels model, we show that the radiative lifetimes and oscillator strengths of the transitions between the conduction and the impurity bands, as well as the transitions between the impurity and the valence bands are strongly affected by the impurity position. On the other hand, the direct conduction-to-valence band decay is practically unchanged due to the presence of the impurity / Neste trabalho, utilizamos c?lculos ab-initios para investigar a estrutura eletr?nica de nanocristais (NC s) baseado em SiGe. Para tal, dividimos o mesmo em tr?s partes. Na primeira parte, investigamos as propriedades excit?nicas dos NC s de SiGe ordenados em estruturas do tipo core-shell ( Si[core]/Ge[shell ] e Ge[core]/Si[shell ]). Tamb?m estimamos as modifica??es induzidas pelo efeito do strain na estrutura eletr?nica. Com isso, mostramos que NC s Ge/Si (Si/Ge) exibe confinamento tipo II na banda de condu??o (val?ncia). A barreira de potencial estimada para os el?trons e os buracos s?o 0,16 eV (0,34 eV) e 0,64 eV (0,62 eV) para NC s de Si/Ge (Ge/Si). Em contradi??o com o esperado longo tempo de vida da recombina??o em sistemas do tipo II, verificamos que o tempo de vida da recombina??o nos NC s Ge/Si (&#964;R = 13.39&#956;s) ? mais de uma ordem de grandeza mais r?pido do que nos NC s de Si/Ge (&#964;R = 191.84&#956;s). Na segunda parte, investigamos NC s de Si1&#8722;xGex em que ?tomos de Ge s?o aleatoriamente posicionados. Desta forma, verificamos que o gap ?ptico e a energia de liga??o do par el?tron-buraco diminue linearmente com x, enquanto a energia de troca do exciton aumenta com x, devido o aumento da extens?o espacial da fun??o de onda dos el?trons e dos buracos. Isso tamb?m aumenta a superposi??o da fun??o de onda el?tron-buraco, fazendo com que o tempo de vida da recombina??o seja muito sens?vel ? fra??o molar x Ge. Finalmente, investigamos as transi??es radiativas nos NC?s de Si dopados com e Boro (B) e F?sforo (P). O tamanho dos nossos NC s variam entre 1.4 nm e 1.8 nm. Usando um modelo de tr?s n?veis, mostramos que o tempo de vida radiativo e a for?ca de oscilador entre a transi??o da banda de condu??o e o n?vel da impureza, como tamb?m a transi??o entre o n?vel da impureza e a banda de val?ncia s?o afetados pela posi??o da impureza no nanocristal de Si. Por outro lado, o decaimento direto da banda de condu??o para a de val?ncia n?o muda com presen?a da impureza

Made available in DSpace on 2014-06-11T19:29:49Z (GMT). No. of bitstreams: 0 Previous issue date: 2004-09-10Bitstream added on 2014-06-13T18:59:40Z : No. of bitstreams: 1 martins_ao_me_sjrp.pdf: 479694 bytes, checksum: 624f51fac6555f94f41a08507be543c2 (MD5) / Este trabalho desenvolve uma análise sobre a plurissignificação dos signos ideográficos na obra Lavoura arcaica a partir da proposição de algumas hipóteses que justificam por que a pontuação pode na relação com a palavra-, ser a figurativização do próprio desconcerto que o livro tematiza. Partindo do princípio de que o caráter flutuante que cerca o uso da pontuação favorece o trabalho com a modalidade semiótica de significação, aquela da ordem dos impulsos, a reflexão apresenta alguns exames de casos por meio dos quais é possível observar que os signos ideográficos acabam por reger o ritmo, a melodia, a falha, o silêncio e a contração da linguagem, enquanto os signos fonográficos são regidos pelo simbólico. A partir, então, da tensão entre palavra e pontuação, a análise passa a abordar relações entre instinto/razão, afeto/lei, analógico/digital, pessoal/social, processo/julgamento. / Cette étude traite l'analyse de la plurisignification des signes idéographiques dans l'oeuvre Lavoura arcaica à partir des propositions de certaines hypothèses qui justifient pourquoi la ponctuation peut être dans sa relation avec le mot - la figurativisation du désordre même que le livre développe. En partant du principe que le caractère flottant (ou indécis), qui entoure l'usage de la ponctutation, favorise le rapport avec la modalité sémiotique de la signification, celle de l'ordre des impulsions, la réflexion présente alors quelques examens de cas au moyen desquels il est possible d'observer que les signes idéographiques finissent par conduire (ou mener) le rythme, la mélodie, l'imperfection, le silence et la contraction du langage, alors que les signes phonographiques sont menés (ou conduits) par la symbolique. Ainsi, à partir de la tension existant entre le mot et la ponctuation, l'analyse commence à aborder les relations entre l'instinct et la raison, l'affect et la loi, l'analogique et le numérique, le personnel et le social, le processus et le jugement.

Lipídios em solução aquosa formam uma variedade de estruturas diferentes que incluem monocamadas de surfactantes na interface água-ar, conhecidas como monocamadas de Langmuir, como também vesículas unilamelares ou plurilamelares no interior da solução. Sob variação de temperatura, estas estruturas apresentam diferentes fases, observadas através de calorimetria ou variação isotérmica de pressão lateral. Entre as fases apresentadas por estas estruturas, as duas mais importantes se diferenciam pela ordem das cadeias lipídicas. Entendemos que do ponto de vista das fases termodinâmicas, simplificado e qualitativo, monocamadas de Langmuir e bicamadas lipídicas constituem o mesmo sistema físico sob vínculos diferentes. Neste trabalho, desenvolvemos um modelo estatístico para o estudo da transição ordem-desordem destes sistemas, que inclui flutuações de densidade, estas ausentes no modelo de Doniach, de 1980, a base para muitos estudos teóricos para transições de fase de sistemas lipídicos. Flutuações de densidade são fundamentais na descrição de vesículas lipídicas carregadas, compostas de surfactante cuja cabeça polar se dissocia em água. O estudo em laboratório das propriedades térmicas e estruturais de membranas artificiais de lipídios carregados _e relativamente recente, e foi desenvolvido em grande parte no Laboratório de Biofísica do IFUSP. Tais membranas apresentam comportamento distinto das membranas neutras, notoriamente influenciado pela concentração de sal na solução. Isto motivou o desenvolvimento de uma segunda versão do modelo, na qual passamos a descrever a cabeça polar do lipídio em termos de um par de cargas opostas, sendo que a camada lipídica foi acoplada ao modelo primitivo restrito na rede, que desempenha o papel da solução salina. O primeiro modelo foi estudado por aproximação de campo médio e por simulações de Monte Carlo, e o segundo modelo foi investigado apenas através de simulações numéricas. O estudo do modelo carregado foi precedido por uma investigação criteriosa das técnicas de simulação de sistemas com interação Coulombiana, resultando no desenvolvimento de uma metodologia adequada a condições de contorno não isotrópicas e com custo computacional reduzido. Os modelos estatísticos propostos por nós levaram a dois resultados importantes. O modelo para camadas lipídicas neutras é, até hoje, o único modelo estatístico que descreve tanto a transição gel-fluido de bicamadas lipídicas, como a transição líquido condensado - líquido expandido\" de monocamadas de Langmuir, além de descrever também a transição líquido expandido gás na interface água-ar. O modelo para camadas lipídicas que se dissociam em água reproduz a variação abrupta na dissociação, concomitante com a transição ordem-desordem, propriedade que permite interpretar estudos experimentais relativos à condutividade das soluções lipídicas correspondentes. / Lipids in aqueous solution form a variety of different structures which include monolayers of surfactants at the water-air interface, known as Langmuir monolayers, as well as unilamellar or plurilamellar vesicles within the solution. Under temperature variation, these structures display different phases, observed through calorimetry or isothermal variation of lateral pressure. Among the phases presented by these structures, the two most important differ in the order of the lipid chains. From the point of view of the thermodynamic phases, our understanding is that Langmuir monolayers and lipid bilayers constitute the same physical system under different constraints. In this work, we develop a statistical model for the order - disorder transition of lipid bilayers which adds density fluctuations to Doniach\'s 1980 model, which has been considered the basis for many theoretical studies for lipid systems phase transitions. Density fluctuations are essential in the description of the properties of charged vesicles in solution, which consist of surfactants whose polar head dissociates in water. The study in the laboratory of thermal and structural properties of artificial charged lipid membranes is relatively new, and was developed largely in the IFUSP Laboratory of Biophysics. Such membranes exhibit distinct behavior if compared to neutral membranes, notoriously influenced by the solution salt concentration. The experimental investigations motivated us to develop a second model, in which we describe the polar headgroups through a pair of opposite charges. The lipid layer is attached to the lattice restricted primitive model, which plays the role of the saline solution. The first model was studied both through a mean-field approximation as well as through Monte Carlo simulations, whereas the second model was investigated only through numerical simulations. The study of the charged model was preceded by a thorough investigation of the simulation techniques for Coulomb interaction systems, leading to the development of a methodology suitable for non isotropic boundary conditions and with reduced computational cost. The statistical models proposed by us led to two important results. To our knowledge, our model for neutral lipid layers is the only statistical model which, aside from describing simultaneously both the gel-fluid transition of lipid bilayers and the condensed liquid - expanded liquid transition of Langmuir monolayers, also describes the gas- expanded liquid transition at the air-water interface. The model for lipid layers that dissociate in water reproduces the abrupt change in dissociation, concomitant with the order-disorder transition, a property that allows us to interpret experimental studies related to conductivity of the corresponding lipid solutions.