Made available in DSpace on 2014-06-12T18:06:02Z (GMT). No. of bitstreams: 2 arquivo7706_1.pdf: 4398603 bytes, checksum: d74b114090b5b810416ae5b75e62aabb (MD5) license.txt: 1748 bytes, checksum: 8a4605be74aa9ea9d79846c1fba20a33 (MD5) Previous issue date: 2007 / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior / A dinâmica de um circuito composto por Resistor, Indutor e Diodo conectados em série e alimentados por uma fonte de tensão senoidal pode apresentar uma rica variedade de fenômenos não-lineares, a depender dos parâmetros envolvidos, com bifurcações entre regimes de oscilações periódicas e caóticas. Esta dissertação contém estudo experimental e numérico do circuito Resistor-Indutor-Diodo (RLD), forçado por uma tensão externa harmônica, cuja amplitude, freqüência ou deslocamento do zero (offset) atuam como parâmetros de controle da dinâmica. Numericamente fizemos simulação de alguns modelos propostos para o diodo, elemento responsável pela nãolinearidade do circuito. Experimentalmente verificamos a biestabilidade (histerese) entre diferentes atratores, a tangência característica da intermitência tipo I em bifurcações de janelas periódicas e a multidimensionalidade do atrator. Também foram observados cascata de dobramento de período, escadas (staircases), adiçãde período com auto-replicação, saltos (hopping), crise interior e evidências de um fenômeno antes não visto na literatura, a saber: oscilações na estrutura fina da média com a chegada da bifurcação tangente em janelas periódicas, previstas inicialmente em modelos matemáticos de mapas unidimensionais. Uma breve descrição da instrumentação de controle e aquisição também é apresentada

Este trabalho teve como objetivo o desenvolvimento de sistemas dosimétricos baseados em diodos especiais de Si, resistentes a danos de radiação, para monitoração online de processos de irradiação com elétrons de 1,5 MeV de energia e para dosimetria relativa e escaneamento de feixe de elétrons clínicos dentro de uma faixa de energia de 6 a 21 MeV. Os diodos utilizados foram produzidos pelos métodos de fusão zonal padrão (FZ), Czochralski em presença de um campo magnético (MCz) e crescimento Epitaxial (EPI). Para utilizar os diodos como detectores, eles foram fixados em uma base de alumina permitindo a ligação dos eletrodos de polarização e de extração de sinais. Após a montagem na base, cada diodo foi fixado em uma sonda acrílica preta dotada de uma janela de Mylar® aluminizado e de conector do tipo LEMO®. Com os dispositivos operando em modo fotovoltaico, a integração dos sinais de corrente em função do tempo de irradiação permitiu obter a carga produzida no volume sensível de cada diodo irradiado. O acelerador de elétrons utilizado para as irradiações de doses altas foi o DC 1500/25/4 - JOB 188 de 1,5 MeV instalado no Centro de Tecnologia das Radiações do IPEN/CNEN-SP. Foram estudados o perfil da corrente em função do tempo de exposição, a repetibilidade de resposta, a sensibilidade em função da dose absorvida e a curva resposta de cada dispositivo. Foi observada uma queda na sensibilidade mais acentuada para o diodo MCz do que para o diodo FZ e uma boa repetibilidade nos dois casos. Ainda, o aumento da carga com a dose absorvida obedeceu a uma função polinomial de segunda ordem. Na caracterização do diodo EPI, ele exibiu melhor repetibilidade que a obtida por dosímetros CTA, rotineiramente aplicados em processamento por radiação. Os resultados acima descritos indicam a potencial utilização desses diodos de Si resistentes a danos de radiação em dosimetria online para aplicações envolvendo elevadas doses. Para as irradiações de doses baixas foram utilizados os Aceleradores Lineares KD2 e Primus, ambos fabricados pela Siemens e instalados no Hospital Sírio-Libanês. A resposta dos diodos foi avaliada para energias de 6 a 21 MeV. Foram estudados: a repetibilidade de resposta, a curva dose-resposta em função da dose absorvida, a sensibilidade em carga com a energia do feixe de elétrons, a porcentagem de dose profunda (PDP) e o perfil transversal de dose. Apesar da resposta dos diodos FZ, MCz e EPI serem levemente dependentes da energia do feixe de elétrons, a resposta dosimétrica, em todo o intervalo de energia de feixe estudado, mostrou-se linear. Ainda, em relação aos diodos epitaxiais, os dispositivos estudados mostraram excelente acordo com simulações de Monte Carlo e medições realizadas com MatriXX®, demonstrando que os dispositivos podem ser usados como dosímetros em elétrons radioterápicos para escaneamento de varredura de feixe, mapeamento de distribuições de dose de feixes, monitoramento rotineiro da constância do fator calibração e dosimetria relativa. / This work had the aim of the development of dosimetric systems based on Si special diodes, resistant to radiation damage to online monitoring of irradiation processing using 1.5 MeV electrons energy and for relative dosimetry and clinical electron beam scanning within an energy range of 6 MeV up to 21 MeV. The diodes used were produced by Float Zone standard (FZ), Magnetic Czochralski (MCz) and epitaxy growth (EPI) methods. In order to use the diodes as detectors, they were fixed on alumina base to allow the connection of the polarization electrodes and the signals extraction. After the diode assembly on the base, each one was housed in a black acrylic probe with aluminized Mylar® window and LEMO® connector. With the devices operating in photovoltaic mode, the integration of the current signals as a function of irradiation time allowed obtain the charge produced in the sensitive volume of each diode irradiated. The electron accelerator used for high doses irradiation was the DC 1500/25/4 JOB 188 of the 1.5 MeV installed at the Radiation Technology Center of the IPEN/CNEN-SP. The current profile as function of exposure time, the response repeatability, the sensitivity as function of absorbed dose and the dose response curve were studied for each device. In comparison to FZ diode, we observed a greater decrease in the sensitivity for MCz diode, and good repeatability in both cases. Also, the increasing of the charge with the absorbed dose was well fitted by a second order polynomial function. In the EPI diode characterization, this one exhibited repeatability better than CTA dosimeters applied routinely in radiation processing. The above results indicate the potential use of these radiation hardness Si diodes in online dosimetry to high doses applications. For low doses irradiation were used the linear accelerators KD2 and Primus, both manufactured by Siemens and located at Sirio-Libanês Hospital. The diodes responses were evaluated for electron beams within the energy range of 6 MeV up to 21 MeV. The following studies were carried out: the short-term repeatability, the dose-response curve as a function of absorbed dose, the charge sensitivity as function of electron beam energy, the percentage depth dose (PPD) and the dose transversal profile. Despite the response of the diodes FZ, MCz and EPI be slightly dependent on the electron beam energy, the dosimetric response was linear in all electron beam energy range studied. In addition to this, the EPI devices showed excellent agreement with simulation performed with Monte Carlo code and the measurements performed with MatriXX®, confirming that the devices can be used as dosimeters in radiotherapy for scanning purposes, dose distribution mapping, constancy monitoring of calibration factor and relative dosimetry.

Este trabalho teve como objetivo o desenvolvimento de sistemas dosimétricos baseados em diodos especiais de Si, resistentes a danos de radiação, para monitoração online de processos de irradiação com elétrons de 1,5 MeV de energia e para dosimetria relativa e escaneamento de feixe de elétrons clínicos dentro de uma faixa de energia de 6 a 21 MeV. Os diodos utilizados foram produzidos pelos métodos de fusão zonal padrão (FZ), Czochralski em presença de um campo magnético (MCz) e crescimento Epitaxial (EPI). Para utilizar os diodos como detectores, eles foram fixados em uma base de alumina permitindo a ligação dos eletrodos de polarização e de extração de sinais. Após a montagem na base, cada diodo foi fixado em uma sonda acrílica preta dotada de uma janela de Mylar® aluminizado e de conector do tipo LEMO®. Com os dispositivos operando em modo fotovoltaico, a integração dos sinais de corrente em função do tempo de irradiação permitiu obter a carga produzida no volume sensível de cada diodo irradiado. O acelerador de elétrons utilizado para as irradiações de doses altas foi o DC 1500/25/4 - JOB 188 de 1,5 MeV instalado no Centro de Tecnologia das Radiações do IPEN/CNEN-SP. Foram estudados o perfil da corrente em função do tempo de exposição, a repetibilidade de resposta, a sensibilidade em função da dose absorvida e a curva resposta de cada dispositivo. Foi observada uma queda na sensibilidade mais acentuada para o diodo MCz do que para o diodo FZ e uma boa repetibilidade nos dois casos. Ainda, o aumento da carga com a dose absorvida obedeceu a uma função polinomial de segunda ordem. Na caracterização do diodo EPI, ele exibiu melhor repetibilidade que a obtida por dosímetros CTA, rotineiramente aplicados em processamento por radiação. Os resultados acima descritos indicam a potencial utilização desses diodos de Si resistentes a danos de radiação em dosimetria online para aplicações envolvendo elevadas doses. Para as irradiações de doses baixas foram utilizados os Aceleradores Lineares KD2 e Primus, ambos fabricados pela Siemens e instalados no Hospital Sírio-Libanês. A resposta dos diodos foi avaliada para energias de 6 a 21 MeV. Foram estudados: a repetibilidade de resposta, a curva dose-resposta em função da dose absorvida, a sensibilidade em carga com a energia do feixe de elétrons, a porcentagem de dose profunda (PDP) e o perfil transversal de dose. Apesar da resposta dos diodos FZ, MCz e EPI serem levemente dependentes da energia do feixe de elétrons, a resposta dosimétrica, em todo o intervalo de energia de feixe estudado, mostrou-se linear. Ainda, em relação aos diodos epitaxiais, os dispositivos estudados mostraram excelente acordo com simulações de Monte Carlo e medições realizadas com MatriXX®, demonstrando que os dispositivos podem ser usados como dosímetros em elétrons radioterápicos para escaneamento de varredura de feixe, mapeamento de distribuições de dose de feixes, monitoramento rotineiro da constância do fator calibração e dosimetria relativa. / This work had the aim of the development of dosimetric systems based on Si special diodes, resistant to radiation damage to online monitoring of irradiation processing using 1.5 MeV electrons energy and for relative dosimetry and clinical electron beam scanning within an energy range of 6 MeV up to 21 MeV. The diodes used were produced by Float Zone standard (FZ), Magnetic Czochralski (MCz) and epitaxy growth (EPI) methods. In order to use the diodes as detectors, they were fixed on alumina base to allow the connection of the polarization electrodes and the signals extraction. After the diode assembly on the base, each one was housed in a black acrylic probe with aluminized Mylar® window and LEMO® connector. With the devices operating in photovoltaic mode, the integration of the current signals as a function of irradiation time allowed obtain the charge produced in the sensitive volume of each diode irradiated. The electron accelerator used for high doses irradiation was the DC 1500/25/4 JOB 188 of the 1.5 MeV installed at the Radiation Technology Center of the IPEN/CNEN-SP. The current profile as function of exposure time, the response repeatability, the sensitivity as function of absorbed dose and the dose response curve were studied for each device. In comparison to FZ diode, we observed a greater decrease in the sensitivity for MCz diode, and good repeatability in both cases. Also, the increasing of the charge with the absorbed dose was well fitted by a second order polynomial function. In the EPI diode characterization, this one exhibited repeatability better than CTA dosimeters applied routinely in radiation processing. The above results indicate the potential use of these radiation hardness Si diodes in online dosimetry to high doses applications. For low doses irradiation were used the linear accelerators KD2 and Primus, both manufactured by Siemens and located at Sirio-Libanês Hospital. The diodes responses were evaluated for electron beams within the energy range of 6 MeV up to 21 MeV. The following studies were carried out: the short-term repeatability, the dose-response curve as a function of absorbed dose, the charge sensitivity as function of electron beam energy, the percentage depth dose (PPD) and the dose transversal profile. Despite the response of the diodes FZ, MCz and EPI be slightly dependent on the electron beam energy, the dosimetric response was linear in all electron beam energy range studied. In addition to this, the EPI devices showed excellent agreement with simulation performed with Monte Carlo code and the measurements performed with MatriXX®, confirming that the devices can be used as dosimeters in radiotherapy for scanning purposes, dose distribution mapping, constancy monitoring of calibration factor and relative dosimetry.

Submitted by RAQUEL GALVAO BEZERRA (raquelgbezerra@gmail.com) on 2018-08-20T03:48:26Z No. of bitstreams: 1 Dissertação Corrigida Pela Banca Pós Defesa.pdf: 818740 bytes, checksum: a1ecb695e00e0b5ca1cb59e7fb07b2dd (MD5) / Approved for entry into archive by Sulamita Selma C Colnago null (sulamita@btu.unesp.br) on 2018-08-20T18:10:40Z (GMT) No. of bitstreams: 1 bezerra_rg_me_bot.pdf: 818740 bytes, checksum: a1ecb695e00e0b5ca1cb59e7fb07b2dd (MD5) / Made available in DSpace on 2018-08-20T18:10:40Z (GMT). No. of bitstreams: 1 bezerra_rg_me_bot.pdf: 818740 bytes, checksum: a1ecb695e00e0b5ca1cb59e7fb07b2dd (MD5) Previous issue date: 2018-07-17 / Objetivo: estabelecer valores-padrão para a aplicação do laser de diodo verde para o tratamento da triquíase menor e maior, assim como avaliar a taxa de sucesso com o tratamento realizado. Método: estudo prospectivo, com intervenção, realizado nos anos de 2016 e 2017, envolvendo portadores de triquíase com até 10 cílios alterados por pálpebra e que foram submetidos ao tratamento de termoablação dos cílios utilizando o laser de diodo Zeiss Visulas 532s com emissão de luz verde com comprimento de onda de 532nm. Os parâmetros utilizados foram definidos empiricamente, com tempo de aplicação de 200 ms, mira de 50 μm, intervalo de 150 a 200 ms, potência de 600 a 750 mW. O número de tiros aplicados foi definido pela a profundidade de ablação de 2,5 mm para cílios na pálpebra superior e 1,5 mm para os da pálpebra inferior. Os pacientes foram seguidos por até 15 meses, com reavaliações a cada 3 ou 4 meses. Dados demográficos, características da triquíase, bem como a taxa de sucesso no tratamento foram analisados estatisticamente. Resultados: Noventa e oito pacientes, 130 olhos, 135 pálpebras acometidas e 337 cílios triquiáticos foram estudados. A média de idade dos pacientes foi de 72,1 ± 12,3 anos, a maioria do sexo masculino (54,1%), da raça branca (98%), com triquíase menor (91,8%), unilateral (67,3%), sendo o olho direito (54,6%) e a pálpebra inferior (85,9%) os mais acometidos. A causa mais comum da triquíase foi a blefarite (64,3%), seguida de causas idiopáticas (15,3%). Não houve significância estatística na comparação das variáveis idade, sexo, raça, olho acometido e etiologia com a presença ou quantidade de cílios triquiáticos (p>0,05). Houve perda de seguimento em 11,2% dos pacientes. Utilizando os parâmetros citados, do total que permaneceu até o final do estudo, 69% obtiveram cura com 1 sessão, 13,8% com 2 e 1,1% com 3 ou 4 sessões. Considerando apenas os indivíduos que concluíram o tratamento e excluindo os que perderam seguimento, a taxa de cura foi de 85%. Houve redução de 2,5 para 0,7 cílios triquiáticos por pálpebra com apenas 1 sessão (p<0,001) e o número médio de tiros por cílio foi de 60,7. Pacientes submetidos a tratamentos prévios e com etiologia idiopática tiveram as maiores taxas de cura, 98,1% e 91,7% respectivamente. Conclusão: a termoablação com laser de diodo, usando os parâmetros observados neste estudo, é efetiva, apresentando altas taxas de cura no tratamento da triquíase. / Purpose: to establish standard parameters for laser application as well as to evaluate the success rate of treatment of minor and major trichiasis using green diode laser. Method: a prospective study with intervention, was carried out in the years 2016 and 2017, involving trichiasis carriers with up to 10 misdirected lashes per eyelid that were submitted to the thermoablation treatment of the misdirected lashes using Zeiss Visulas 532s diode laser with green light emission with wavelength of 532nm. The parameters used were empirically defined, with an application time of 200 ms, 50 μm size, range of 150 to 200 ms and power of 600 to 750 mW. The number of shots applied was defined by the depth of ablation of 2.5 mm for upper eyelid lashes and 1.5 mm for lower eyelid lashes. The patients were followed for up 15 months, with revaluations every 3 or 4 months. Demographic data, trichiasis characteristics, as well as the success rate with treatment were statistically analyzed. Results: ninety eight patients, 130 eyes, 135 affected eyelids and 337 trichiatic eyelashes were studied. The mean age was 72.1 ± 12.3 years old, the majority male (54.1%), Caucasian (98%), with minor trichiasis (91,8%) unilateral (67,3%), being the right eye (54,6%) and the lower eyelid (85,9%) the most affected. The most common etiology was blepharitis (64.3%), followed by idiopathic causes (15.3%). There was no statistical significance in the comparison of age, gender, race, affected eye, and etiology with the presence or quantity of the trichiatic eyelashes (p>0,05). Around 11.2% of patients lost follow-up. Using the mentioned parameters, of the total remaining until the end of study, 69% of patients achieving cure with 1 session, 13.8% with 2 and 1.1% with 3 or 4 sessions. Considering only the individuals who completed the treatment and excluding those who lost follow-up, the cure rate was 85%. There was a reduction of 2.5 to 0.7 trichiatic eyelashes per eyelid with only 1 session (p<0,001) e the average number of shots per eyelash was 60.7. Patients submitted to previous treatments and with idiopathic etiology had the highest cure rates, 98.1% and 91.7%, respectively. Conclusion: thermoablation with diode laser, using the parameters observed in this study, is effective, with high cure rates in the treatment of trichiasis.

Submitted by Danielle Karla Martins Silva (danielle.martins@ufpe.br) on 2015-03-06T13:44:32Z No. of bitstreams: 2 Wendson A S Barbosa - Dissertação de Mestrado 2012.pdf: 3141709 bytes, checksum: 6bbb54bc2a5292e64045fab6e35604c8 (MD5) license_rdf: 1232 bytes, checksum: 66e71c371cc565284e70f40736c94386 (MD5) / Made available in DSpace on 2015-03-06T13:44:32Z (GMT). No. of bitstreams: 2 Wendson A S Barbosa - Dissertação de Mestrado 2012.pdf: 3141709 bytes, checksum: 6bbb54bc2a5292e64045fab6e35604c8 (MD5) license_rdf: 1232 bytes, checksum: 66e71c371cc565284e70f40736c94386 (MD5) Previous issue date: 2012 / Capes / Os lasers de semicondutor são conhecidos desde a década de 60. Sua dinâmica não-linear e comportamento caótico tem sido estudado adicionando mais um grau de liberdade às duas equações de taxa que descrevem a dinâmica desses tipos de lasers. Essa adição do grau de liberdade extra pode ser feita, por exemplo, através de uma injeção de luz externa no laser, uma realimentação ótica, modulação na perda ou através de uma modulação na corrente de bombeio. Nessa dissertação é feita primeiramente uma revisão sobre semicondutores abordando pontos como, por exemplo, o funcionamento de uma junção p-n. Em seguida descrevemos a caracterização do efeito laser nos semicondutores através das equações de Maxwell levando em conta a interação do campo eletromagnético com o meio material dentro da cavidade ressonante, o que resulta nas equações de taxa que descrevem toda a dinâmica do laser de semicondutor. Por fim, é feito um estudo, com simulações numéricas usando a linguagem de programação C++ e método de integração Runge-Kutta de 4ª ordem, das instabilidades na intensidade do laser operando no regime mono-modo com corrente de injeção modulada por uma frequência da ordem da frequência das oscilações de relaxação. Variando a amplitude ou a frequência da modulação é possível obter uma rota para o caos através de uma série de dobramentos de períodos que podem ser vistos nos diagramas de bifurcações calculados numericamente. Também é destacada a importância da saturação do ganho e da emissão espontânea no aparecimento ou não do comportamento caótico.

Orientador: Silvana Artioli Schellini / Resumo: Objetivo: estabelecer valores-padrão para a aplicação do laser de diodo verde para o tratamento da triquíase menor e maior, assim como avaliar a taxa de sucesso com o tratamento realizado. Método: estudo prospectivo, com intervenção, realizado nos anos de 2016 e 2017, envolvendo portadores de triquíase com até 10 cílios alterados por pálpebra e que foram submetidos ao tratamento de termoablação dos cílios utilizando o laser de diodo Zeiss Visulas 532s com emissão de luz verde com comprimento de onda de 532nm. Os parâmetros utilizados foram definidos empiricamente, com tempo de aplicação de 200 ms, mira de 50 μm, intervalo de 150 a 200 ms, potência de 600 a 750 mW. O número de tiros aplicados foi definido pela a profundidade de ablação de 2,5 mm para cílios na pálpebra superior e 1,5 mm para os da pálpebra inferior. Os pacientes foram seguidos por até 15 meses, com reavaliações a cada 3 ou 4 meses. Dados demográficos, características da triquíase, bem como a taxa de sucesso no tratamento foram analisados estatisticamente. Resultados: Noventa e oito pacientes, 130 olhos, 135 pálpebras acometidas e 337 cílios triquiáticos foram estudados. A média de idade dos pacientes foi de 72,1 ± 12,3 anos, a maioria do sexo masculino (54,1%), da raça branca (98%), com triquíase menor (91,8%), unilateral (67,3%), sendo o olho direito (54,6%) e a pálpebra inferior (85,9%) os mais acometidos. A causa mais comum da triquíase foi a blefarite (64,3%), seguida de causas idiopáticas (15,3%). Não hou... (Resumo completo, clicar acesso eletrônico abaixo) / Abstract: Purpose: to establish standard parameters for laser application as well as to evaluate the success rate of treatment of minor and major trichiasis using green diode laser. Method: a prospective study with intervention, was carried out in the years 2016 and 2017, involving trichiasis carriers with up to 10 misdirected lashes per eyelid that were submitted to the thermoablation treatment of the misdirected lashes using Zeiss Visulas 532s diode laser with green light emission with wavelength of 532nm. The parameters used were empirically defined, with an application time of 200 ms, 50 μm size, range of 150 to 200 ms and power of 600 to 750 mW. The number of shots applied was defined by the depth of ablation of 2.5 mm for upper eyelid lashes and 1.5 mm for lower eyelid lashes. The patients were followed for up 15 months, with revaluations every 3 or 4 months. Demographic data, trichiasis characteristics, as well as the success rate with treatment were statistically analyzed. Results: ninety eight patients, 130 eyes, 135 affected eyelids and 337 trichiatic eyelashes were studied. The mean age was 72.1 ± 12.3 years old, the majority male (54.1%), Caucasian (98%), with minor trichiasis (91,8%) unilateral (67,3%), being the right eye (54,6%) and the lower eyelid (85,9%) the most affected. The most common etiology was blepharitis (64.3%), followed by idiopathic causes (15.3%). There was no statistical significance in the comparison of age, gender, race, affected eye, and etiology with... (Complete abstract click electronic access below) / Mestre

O bronzeamento, por ser interpretado por muitos como sinônimo de beleza e saúde, tem contribuído para exacerbar os efeitos cumulativos do sol tanto na epiderme quanto na derme. Sendo assim, tem-se aumentado a busca por tratamentos eficazes à fim de reduzir os sinais do envelhecimento extrínseco. Baseando-se neste fato, o presente trabalho apresentou como objetivo comparar duas modalidades terapêuticas, sendo elas o LED e o LASER para o tratamento do fotoenvelhecimento induzido em camundongos BALB-c. Para a realização do experimento foram utilizados, inicialmente, 40 animais sendo estes divididos em quatro grupos: grupo controle (irradiado com lâmpada isenta de RUV), grupo UV (submetido à exposição à RUV e sem tratamento), grupo UV+LED (submetido à exposição à RUV e tratados com LED) e grupo UV+LASER (submetido à exposição à RUV e tratados com LASER). A avaliação da histomorfometria foi realizada através de imagens capturadas e avaliadas por sistema de captura de imagens. Através dos resultados da análise concluiu-se que o protocolo adotado foi capaz de induzir o processo de fotoenvelhecimento sendo possível evidenciar hiperceratose, hipergranulose, acantose e espongiose na camada epidérmica. Na derme observou-se redução no número de fibras colágenas, aumento na quantidade de substância fundamental amorfa (SFA), do infiltrado inflamatório e no número de fibrócitos/fibroblastos. O LED demonstrou melhores resultados no tratamento da pele fotoenvelhecida visto que apresentou efeitos satisfatórios tanto na derme quanto na epiderme. Já o LASER foi capaz de agir de forma significativa apenas na derme.

Este trabalho apresenta a fabricação e a caracterização elétrica de contatos Al/Ti/Ni(Pt)Si sobre junções rasas N+P com aproximadamente 0,2 ìm de profundidade, sendo que o monosiliceto de níquel foi formado a partir da estrutura Ni(30nm)/Pt(1,5nm)/Si. O comportamento elétrico dos diodos obtidos no melhor processo foi adequado, com as seguintes médias e desvios padrões: corrente reversa por unidade de área de 33,8nA/cm2 ±12,3 nA/cm2 e corrente reversa por unidade de perímetro de 654pA/cm ±229pA/cm para tensão reversa de -5V, a resistência reversa dos diodos quadrados de 268,9G? ±97,7G? e a resistência reversa dos diodos serpentinas de 35,5G? ±11,5G?, a tensão de início de condução resultou entre 0,55V e 0,56V, a resistência série em condução de 4,7? ±1,3?, fator de idealidade de 1,15 ±0,03, e corrente de saturação de 1,1x10-11A para diodos quadrados (300ìm x 300ìm). O menor valor de resistividade do filme de (Ni(Pt)Si) resultou 25ì?cm e a resistência de folha de 3,13 ?/? foram obtidas após a formação do mono-siliceto de níquel na temperatura de 600 ºC durante 120 segundos. As estruturas Kelvin apresentaram resistividade de contato de 15,0ì?.cm2 ±3,3ì?.cm2 e comportamento ôhmico estável para diversos níveis de corrente. Após uma extensa análise sobre modelagem de contato, foi elaborado um programa computacional desenvolvido em MATLAB, baseado em um método bem conhecido, isto é, uma malha de resistores tridimensional, que analisa os efeitos do fenômeno de concentração das linhas de corrente lateral no contato. Este programa foi aplicado em contatos com siliceto de níquel, onde foram observadas reduções de até 32% na resistividade real do contato. / This work presents the fabrication and electrical characterization of Al/Ti/Ni(Pt)Si contacts having the nickel monosilicide formed from Ni(30nm)/Pt(1.5nm)/Si structure on shallow N+P junctions with about 0.2 ìm of depth. The diodes? electrical behavior achieved at the best process was considered good, with the following average and standard deviations: area diode leakage current of 33.8nA/cm2 ±12.3nA/cm2 and periphery diode leakage current of 654pA/cm ±229pA/cm for reverse voltage of -5V, the square diode reverse resistance of 268.9G? ±97.7G? and serpentine diode reverse resistance of 35.5G? ±11.5G?, forwardbias voltage between 0.55V and 0.56V, forward series resistance of 4.7? ±1.3?, ideality factor of 1.15 ±0.03, and reverse saturation current of 1.1x10-11A for square diodes (300ìm x 300ìm). The lowest film resistivity value (Ni(Pt)Si) of 25ì?cm and sheet resistance of 3.13 ?/? were obtained for the formation of nickel monosilicide under temperature of 600ºC for 120 seconds. The cross-bridge Kelvin resistors presented contact resistivity of 15.0 ì?.cm2 ±3.3 ì?.cm2 and stable ohmic behavior for several electrical current levels. After extensive analysis about contact modeling, a computer program was elaborated in MATLAB, based on a well-known three-dimensional resistor network, which analyses the lateral current crowding effects on contact. This program was applied for contacts with nickel silicide, where a decrease up to 32% at the real contact resistivity was observed.

A terapia laser é um excelente procedimento clínico coadjuvante no tratamento endodôntico pela sua capacidade de promoção e melhoria da limpeza e da desinfecção do sistema endodôntico, porém existem poucos estudos sobre a possível utilização desta nova tecnologia nas situações clínicas de desobturação. O objetivo deste estudo foi avaliar in vitro o uso do laser de diodo (810nm, no modo contínuo) na desobturação da guta percha e do cimento AH Plus, utilizando ou não solvente químico (eucaliptol). Canais radiculares obturados tiveram o seu material obturador irradiado pelo laser de diodo de 810 nm (ZAP SOFTLASE, ZAP LASERS). A temperatura externa radicular durante a irradiação foi verificada no terço apical de 12 amostras utilizando o sistema de medida de temperatura. Observou-se um aumento de temperatura que variou de 2,47 a 9,35 ºC. Raízes foram divididas aleatoriamente em 4 grupos com 10 espécimes, variando o parâmetro de irradiação laser e a utilização do eucaliptol. Os grupos foram: Grupo I = irradiação (1,0 W) sem a utilização de solvente, Grupo II = irradiação (1,5 W) sem o uso de solvente, Grupo III = irradiação (1,0 W) + solvente, Grupo IV = (1,5 W) + solvente. As amostras foram radiografadas no sentido V-L e M-D, antes e após o retratamento, digitalizadas, e as áreas remanescentes de guta percha foram calculadas com o auxílio de programas de computador: Adobe Photoshop e ImageLab. Os resultados dos espécimes dos grupos: G1xG3; G1xG4; G2xG4 apresentaram diferença estatística. O modelo experimental selecionado permitiu verificar que a propagação da temperatura durante o procedimento não excedeu 10ºC e que a presença do solvente possibilitou a remoção de maior quantidade de material obturador auxiliando o processo de desobturação quando do emprego da irradiação com laser de diodo. / The laser therapy is an excellent adjunct clinical procedure in endodontic treatment in order to improve the cleaning and disinfection of the root canal system; however few studies in the literature investigated the possible use of this new technology in the clinical situations of retreatment. The objective of this study was to evaluate in vitro the use of the diode laser (810nm, continuous mode) in the removal of gutta-percha and AH Plus sealer from the root canal, with or without the use of a chemical solvent (eucalyptol). Root canal filling materials were irradiated by 810 nm diode laser (ZAP SOFTLASE, ZAP LASERS). The temperature changes at the outer root surface were verified in the apical third of 12 samples during the irradiation. Temperature increase from 2.47 to 9.35 ºC was observed. The specimens were randomly divided in 4 groups of 10 roots each, varying the parameter of laser irradiation and the use of eucalyptol. The groups were assigned as follow: Group I = irradiation (1.0 W) without the solvent use, Group II = irradiation (1.5 W) without the solvent use, Group III = irradiation (1.0 W) + solvent, Group IV = (1.5 W) + solvent. Mesio-distal and buccolingual radiographs were taken before and after retreatment and the area of remaining gutta-percha in the root canals was determined with the aid of: Adobe Photoshop and ImageLab softwares. The groups: G1xG3; G1xG4; G2xG4 presented statistical differences.Based on the methodology used, it was verified that the temperature did not exceed 10ºC and that the presence of the solvent made it possible to remove large amounts of root canal filing material, aiding the desobturation process when used in association to the diode laser.

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