O objetivo deste trabalho é apresentar um estudo comparativo entre as principais tecnologias utilizadas como fonte de luz para faróis automotivos. Inicialmente, esta dissertação apresenta uma breve introdução sobre a história dos faróis automotivos, desde os primeiros modelos até os protótipos em desenvolvimento que utilizam diodos emissores de luz (LEDs). Estes últimos surgem como uma possível alternativa às tradicionais lâmpadas incandescentes ou àquelas que funcionam por de descarga de gás. A tecnologia dos faróis a LED é baseada nos semicondutores emissores de luz branca de alto desempenho. Porém, apenas recentemente, esta tecnologia apresentou os primeiros sinais de viabilidade para aplicações automotivas devido ao crescente incremento na intensidade da luz emitida por estes semicondutores. Para desenvolver o estudo comparativo proposto, foram selecionados três faróis, sendo dois deles representantes das tecnologias atuais e o outro um farol a LED. Foram também estabelecidos critérios para comparação entre os seus desempenhos e realizados ensaios experimentais. Por fim, este trabalho fornece, sinteticamente, os principais resultados dos ensaios, enumerando as vantagens e desvantagens dos faróis com LEDs frente aos convencionais, além das barreiras existentes para aplicação desta nova tecnologia. / This work aims to present a comparative study among main technologies used as light sources for automotive headlamps. Initially, this thesis presents a brief introduction on the history of automotive headlamps, since the first models until the prototypes under development employing Light Emitting Diodes (LEDs). These last ones appear as a possible alternative to either traditional incandescent light or even to gas discharge bulbs. The technology of the LED-headlamps is based on high performance white light emitting semiconductors. In fact, recently this technology presented the first signals of feasibility for automotive applications due to the growing increment in the intensity of the light emitted by these semiconductors. To develop the proposed comparative study, three headlamps were selected, being two of them representatives of the current technologies and the other one is a LEDheadlamp. Some criteria for comparison among their performances had been established and experimental tests were also performed. Finally, this work supplies, synthetically, the main results of the tests, enumerating the advantages and disadvantages of LED-headlamps in comparison with conventional ones. In addition to, it comments the existing barriers for application of this new technology as well.

Orientador: Luiz Carlos Kretly / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-08-03T22:15:29Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Ribeiro_AlexSandro_M.pdf: 3575224 bytes, checksum: b70707a836ad0cdaffc87bb7346bab2a (MD5) Previous issue date: 2004 / Resumo: Este trabalho tem como objetivo estabelecer uma metodologia de projeto para circuitos planares de microondas chaveados utilizando diodos PIN (P-Intrinsic-N). O propósito central deste trabalho é chavear antenas visando o "controle do feixe", sendo a configuração utilizada facilmente adaptável para o uso em arranjos de antenas. As antenas ativas são baseadas no elemento quasi Yagi, com amplificação no mesmo substrato utilizado-se um LNA (Low Noise-Amplifier). Estes circuitos visam a aplicação nos diversos sistemas de comunicações móveis 3G e 4. G, podendo ser utilizados tanto na ERB quanto no terminal móvel, e também em outros padrões, tais como Wi-Fi, Bluetooth, IEEE 802.16, IEEE 802.11 entre outros. São apresentadas todas a.c; simula ções, guias de projeto, tecnologia.c; de implementação e as medidas de caracterização elétrica e de campo aberto para os protótipos construídos / Abstract: This work aims to establish a design guide methodology for switching microwave planar circuits using PIN (P-Intrinsic-N) diodes. The main purpose of this work is switching antennas to make the beam steering, due to this property to be easily adapted for use in antenna arrays. The active antennas are based on quasi-Yagi element, with amplification on the same substrate using a LNA (Low Noise-Amplifier). This circuits can be applied in severa! 3G and 4G mobile communication systems either in base stations or in mobile terminaIs, and also with other standards, such as Wi-Fi, Bluetooth, IEEE 802.16, IEEE 802.11, and others. There are presented the simulations, design guidelines, implementation technology, and the measurements of the electrical characterization and open-air radiation pattern to the fabricated prototypes / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador: Vitor Baranauskas / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-07-25T01:27:47Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Chang_DahgeChiadin_D.pdf: 9826585 bytes, checksum: 5734a3b6b43a08b7eb8b54729d1abb13 (MD5) Previous issue date: 1999 / Resumo: Foi realizado um estudo de caracterização do silício poroso luminescente feito por corrosão eletroquímica visando sua cobertura com diamante. Foram utilizados eletrólitos com misturas de HF/H2O e de HF/C2H5OH/H2O em diferentes proporções, diferentes tempos de corrosão e com densidades de corrente entre 10 mA.cm-2 a 30 mA.cm-2. A morfologia do silício poroso foi analisada por microscopia de força atômica dentro do próprio meio líquido para estudo quantitativo da variação da porosidade com os parâmetros da anodização. Os filmes de silício poroso foram recobertos com diamante depositado em diferentes temperaturas e tempos. Observamos que a estrutura de silício poroso/diamante apresenta luminescência na temperatura ambiente mas não pudemos identificar se a forma gausssiana da luminescência é devida ao silício poroso ou ao diamante / Abstract: A study of the properties of anodically etched porous silicon was made prior to and following its coating with diamond. Mixtures of HF/H2O and of HF/C2H5OH/H2O were used as electrolytes in different proportions, for different corrosion times and with current densities in the range of 10 mA.cm-2 to 30 mA.cm-2. The porous silicon morphology was analyzed in-situ (liquid-phase) by atomic force microscopy to study of the variation of the porosity with the anodization parameters. The porous silicon films were covered with diamond deposited at different temperatures and times. It was observed that the porous silicon/diamond structure presents room temperature photoluminescence but it was not possible to determine whether the gausssian shape of the luminescence spectra was due to the porous silicon or to the diamond coating / Doutorado / Doutor em Engenharia Elétrica

Orientadores : Reginaldo Bruno Gonçalves, Jaime Aparecido Cury / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Odontologia de Piracicaba / Made available in DSpace on 2018-08-04T03:46:11Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Zanin_IrianaCarlaJunqueira_D.pdf: 991186 bytes, checksum: d3d9066c7be1fddfbe7eb583080d8369 (MD5) Previous issue date: 2005 / Resumo: A terapia fotodinâmica (TFD) é um tratamento antibacteriano alternativo para as doenças causadas por biofilmes como a cárie dental. Esta tese, apresentada na forma de 3 artigos, teve por objetivos: (1) revisar a literatura enfocando o efeito da TFD em bactérias cariogênicas, (2) validar um modelo de formação de biofilme de mono-espécies de estreptococos e avaliar o efeito da associação do azul de orto-toluidina (AOT) e um diodo emissor de luz (LED) vermelho sobre biofilmes formados pela associação dessas bactérias e, (3) avaliar o efeito da TFD utilizando um laser de HeNe ou uma luz LED vermelha sobre biofilmes de S. mutans crescidos em fermentador de espessura e fluxo contínuos (FEFC). No artigo 2, biofilmes de Streptococcus mutans, Streptococcus sobrinus e Streptococcus sanguinis foram formados in vitro sobre blocos de esmalte dental bovino. Nos biofilmes avaliou-se a contagem microbiológica e a concentração de polissacarídeo extracelular insolúvel, sendo que no esmalte foi determinada a perda de mineral. O potencial antimicrobiano da associação AOT a 100 mg/ml e um LED com densidade de energia de 85,7 J/cm2 sobre estes biofilmes foi avaliado através de contagem das bactérias viáveis. No artigo 3, foi testado o efeito antimicrobiano da TFD utilizando densidades de energia de um laser de HeNe ou uma luz LED vermelha variando entre 49 e 294 Jcm-2, sobre biofilmes de S. mutans crescidos em um FEFC. O efeito da TFD foi avaliado através da análise da viabilidade bacteriana e microscopia confocal a laser. A revisão da literatura demonstrou a relevância e a escassez de estudos utilizando a TFD sobre biofilmes cariogênicos. Os resultados do artigo 2 demonstraram que o modelo de formação de biofilme in vitro testado foi efetivo para simular situações de alto desafio cariogênico promovendo a desmineralização do esmalte, sendo que a aplicação da TFD foi eficaz para reduzir significantemente a viabilidade bacteriana nos biofilmes (p < 0,05). No terceiro estudo, reduções significativas (p < 0,05) da viabilidade S. mutans foram observadas após a TFD tanto com utilização do laser de HeNe como pela luz LED, porém este efeito se limitou as camadas externas dos biofilmes. No conjunto, os resultados desses estudos indicam que tanto o laser HeNe quanto a luz LED na presença de AOT apresentam efeito antimicrobiano sobre biofilmes de estreptococos / Abstract: Photodynamic therapy (PDT) is an alternative antibacterial therapeutic to biofilm-related diseases such as dental caries. This thesis, comprised by 3 manuscripts was designed (1) to review the literature about the use of PDT on cariogenic bacteria, (2) to validate a streptococci biofilm model and to evaluate the effect of toluidine blue O (TBO) and a red Light Emission Diode (LED) association on viability of biofilmes formed with these bacteria and, (3) to evaluate the effect of PDT using either a HeNe laser or a red LED light on the viability of S. mutans biofilms grown in a constant depth film fermentor (CDFF). In the second manuscript, Streptococcus mutans, Streptococcus sobrinus and Streptococcus sanguinis biofilms were grown on bovine enamel blocks. In the biofilms the microbiological counting and water-insoluble polysaccharide concentrations were analyzed; while mineral loss analysis were performed on enamel blocks. Also, the antimicrobial potential of TBO at 100 mg/ml associated with a LED at 85.7 Jcm-2 on single-species biofilms were evaluated by microbiological counting. In the manuscript 3, the antimicrobial effect of PDT on S. mutans biofilmes growth on CDFF were verified either using a HeNe laser or a red LED with energy density ranging from 49 to 294 Jcm-2. The effect of TFD was verified by analyzing bacterial viability and confocal scanner laser microscopy. The review of literature demonstrated the importance and shortage of studies about PDT on cariogenic biofilms. The results of manuscript 2 showed that the tested biofilm was effective to simulate high cariogenic challenger promoting enamel demineralization. Also, significant reductions (p = 0.05) in bacteria viability were founded after PDT. At the third study, significant reductions in S. mutans biofilms counting was observed after PDT using either a HeNe laser or a LED light the both light (p = 0.05), however, the effect was restricted to external biofilm layers. In conclusion, the results of these studies showed that either a HeNe laser or a LED light in the presence of TBO showed antimicrobial effect on streptococci biofilms / Doutorado / Cariologia / Doutor em Odontologia

Orientador: José Alexandre Diniz / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-08-18T16:42:08Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Lima_LucasPetersenBarbosa_M.pdf: 10518299 bytes, checksum: abe557fa5f682bd296c9fb416948d523 (MD5) Previous issue date: 2011 / Resumo: Filmes de nitreto de titânio (TiN) e nitreto de tântalo (TaN) foram depositados sobre substratos de Si (100) utilizando um sistema de sputtering reativo, com diferentes fluxos de N2 (10-80 sccm) e potência (500-1500W), em ambiente de N2/Ar. Foram analisadas as influências da mistura gasosa N2/Ar e potência nas propriedades estruturais e elétricas dos filmes de TiN e TaN, utilizando as técnicas de perfilometria, microscopia de força atômica, 4 pontas, espectroscopia Raman, difração de raios-x e espectroscopia de fotoelétron. As análises físicas e elétricas dos filmes de TiN e TaN demonstram que os filmes são policristalinos, com as orientações preferenciais (311)-( 111) e (200)-( 111), respectivamente. Os valores das taxas de deposições, resistividades elétricas e tamanho de grão para os filmes de TiN e TaN estão entre 4 e 78 nm/min, 150 e 7500 ??.cm e 0,001 e 0,027 ?m2, respectivamente. Foram fabricados capacitores MOS e diodos Schottky com eletrodos superiores de TiN e TaN com dielétricos de SiOxNy ou SiO2, e extraídas curvas CV e IV destes dispositivos, para extração de parâmetros como tensão de flatband (VFB), densidade de carga efetiva (Q0/q) e função trabalho do eletrodo superior (WF). As curvas CV dos capacitores MOS com dielétrico de SiOxNy e eletrodo superior de TiN apresentaram valores extraídos de Q0/q, VFB e WF de 1010 cm2, 0,29 V e 4,65 eV, respectivamente, que são compatíveis com a tecnologia CMOS. As curvas CV dos capacitores MOS com dielétrico de SiOxNy e eletrodo superior de TaN apresentaram valores extraídos de Q0/q, VFB e WF de 1010 cm2, 1,36 V e 3,81 eV, respectivamente, que não são compatíveis com a tecnologia CMOS. As curvas CV dos capacitores MOS com dielétrico de SiO2 e eletrodo superior de TiN apresentaram valores extraídos de Q0/q, VFB e WF de 1010 e 1012 cm2, de 0,12 V e 0,36 V, e, 4,15 eV e 4,43 eV, respectivamente, que são compatíveis com a tecnologia CMOS. As curvas CV dos capacitores MOS com dielétrico de SiO2 e eletrodo superior de TaN apresentaram valores extraídos de Q0/q, VFB e WF de 1010 e 1012 cm2, 0,29 V e 0,20 V, e, 4,41 eV e 4,44 eV, respectivamente, que são compatíveis com a tecnologia CMOS. Estes resultados indicam que os filmes de TiN e TaN são compatíveis para serem utilizados em dispositivos da tecnologia MOS / Abstract: Tantalum nitride (TaN) and titanium nitride (TiN) films have been obtained by DC sputtering, using different nitrogen flow (10 - 80 sccm) and power (500 - 1500 W), in a nitrogen (N2)/argon (Ar) ambient on Si (100) substrates. The N2/Ar ratio in gas mixture and power effects on structural and electrical properties of TaN and TiN films were investigated by scan profiler (film thickness and deposition rate), atomic force microscopy (rms roughness and grain size), fourprobe technique (electrical resistivity), Raman spectroscopy, x-ray diffraction (crystal orientation) and X-ray photoelectron spectroscopy (film composition). The physical and structural analyses of TiN and TaN films show that TiN and TaN films were polycrystalline, with (311)-( 111) and (200)-( 111) preferred orientation, respectively. The deposition rates, electrical resistivities and grain size values of TiN and TaN films were between 4 and 78 nm/min, 150 and 7500 ??.cm and 0,001-0,027 ?m2, respectively. MOS capacitors and Schottky diodes were fabricated with TiN and TaN as upper electrodes and dielectrics with SiOxNy or SiO2. CV and IV measurements were carried out on these devices and flatband voltage (VFB), effective charge density (Q0/q) and metal gate work function (WF) were extracted from these measurements. The extracted values of Q0/q, VFB e WF 1010 cm2, 0,29 V e 4,65 eV, and these values were extracted from CV curves of MOS capacitors with TiN as gate electrode and SiOxNy as gate dielectric. The extracted values of Q0/q, VFB e WF 1010 cm2, 1,36 V e 3,81 eV, and these values were extracted from CV curves of MOS capacitors with TiN as gate electrode and SiOxNy as gate dielectric. The extracted values of Q0/q, VFB and WF were about 1010 and 1012 cm2, 0,12 V and 0,36V, and 4,15 eV and 4,43 eV, and these values were extracted from CV curves of MOS capacitors with TiN as gate electrode and SiO2 as gate dielectric. The extracted values of Q0/q, VFB and WF were about 1010 and 1012 cm2, 0,29 V and 0,20V, and 4,41 eV and 4,44 eV, and these values were extracted from CV curves of MOS capacitors with TaN as gate electrode and SiO2 as gate dielectric. These extracted values for VFB and WF indicates that the TiN and TaN films are suitable for MOS technology / Mestrado / Eletrônica, Microeletrônica e Optoeletrônica / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador : Rui Fragassi Souza / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campians / Made available in DSpace on 2018-07-17T04:58:33Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Cesar_AmilcarCareli_M.pdf: 6812958 bytes, checksum: 71dbf57d25e73f58e895b379e038f5a1 (MD5) Previous issue date: 1982 / Resumo: Este trabalho apresenta um breve estudo dos mecanismos de conversão de freqüências em diodos de barreira schottky, dos circuitos misturadores mais usuais e das especificações de desempenho correspondentes. São projetados e construídos, em microfitas, dois misturadores: um desbalanceado serie e um balanceado simples, empregando par casado de diodos. O desbalanceado e composto por um acoplador direcional de 2O dB, retorno de F I e CC rea1izado com indutor de núcleo de ar, e um filtro passa-baixas com características de chebyshev, formado por 4 elementos reativos. O circuito balanceado simples e constituído por um acoplador híbrido de 90o/3dB, com 2 ramos paralelos, retorno de FI e CC antecedendo cada diodo, tocos em aberto de 1/4 de comprimento de onda nas freqüências de RF e do oscilador local, e rede de casamento de impedâncias entre diodos e linha de salda, na configuração T, construída com componentes discretos. As linhas de entrada e salda dos circuitos são de 50O. Os projetos são feitos na freqüência de 1,50GHz, para operação com sinal de oscilador local de 1,57GHz. A perda de conversão medida do misturador desbalanceado é de 7,5 dB e a do ba1anceado 6,5 dB. As isolações entre portas de entrada são de 20dB para o desbalanceado operando com +23dBm de potência de sinal de oscilador local, e 11dB para o balanceado com +3dBm de potência de OL. O ponto de intersecção de 3a ordem e de +10dBm e 11,1 dBm, respectivamente para o desbalanceado e o balanceado, determinados para -10dBm de potência de cada sinal de teste. O ponto de compressão de 1dBm e de +3dBm para o desbalanceado e -1 dBm para o balanceado simples. / Abstract: Not informed / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Esta tese de doutorado é resultado do estudo da fotocondutividade em materiais poliméricos, com particular enfoque em diodos poliméricos com camada ativa de derivados do poli (p-fenileno vinileno) (PPV): OC10-PPV, SY e MEH-PPV, em estrutura tipo sanduíche (ITO/polimérico/Metal) de camada única, utilizando eletrodos metálicos com diferentes funções trabalho depositados sobre o mesmo filme. Para isso, foi necessária a realização de todas as etapas de fabricação de dispositivos orgânicos, como descritas neste trabalho, para obter resultados com o máximo de reprodutibilidade, bem como o domínio das técnicas de caracterização. As propriedades ópticas dos filmes poliméricos foram analisadas através dos espetros de absorção e de fluorescência estacionária na região do visível. O comportamento fotocondutivo dos dispositivos foi realizado através de medidas de corrente-tensão (I-V) e da espectroscopia de fotocorrente no estado estacionário em regime dc sob incidência de luz com diferentes comprimentos de onda, ora através do ITO, ora através dos eletrodos metálicos semitransparente, para o dispositivo sob diferentes valores de tensões aplicadas. A variação desses parâmetros permitiu verificar como estes influenciam na fotogeração e no transporte de portadores de cargas e assim adaptar e aplicar um modelo teórico que levasse em consideração o campo elétrico aplicado para ajustar a fotocorrente obtida experimentalmente, obtendo informações sobre as propriedades de fotocondutividade dos materiais estudos. / This thesis is a study about photoconductivity in polymeric materials, in particular diodes with single-layer sandwich structure derivates of poly(para-phenylene vinylene) (PPV): OC10-PPV, SY and MEH-PPV. Different metallic electrodes were deposited on the same polymeric layer. Therefore, it was necessary to realize the devices fabrication process step by step as well to dominate the characterization techniques. The optical properties of polymeric film were analyzed through the absorption and emission spectrum in the visible region. The photoconductivity behavior was studied by dc current-voltage (I-V) and photocurrent action spectra through the absorption and emission spectrum in the visible region. The photoconductivity behavior was studied by dc current-voltage (I-V) and photocurrent action spectra through the both side of device under applied voltages. The variation of these parameters allowed verifying how are influencing in the charge carrier photo-generation and the charge transport and then to adapt and apply a theoretical model wich considers the electric field applied to fit the photocurrent action spectra of devices. The values of the parameters allow to survey important about photoconductivity properties of the materials

En el presente trabajo se realizó el diseño de un sistema de iluminación para un jardín usando LEDs de potencia RGB, con el objetivo de presentarlo como una opción frente a sistemas comerciales. Se incluyó el diseño del sistema y una interfaz para ser operada de manera intuitiva en un dispositivo móvil, el cual actualmente es muy usado para varias aplicaciones. El diseño realizado consta de 2 partes. La primera muestra el hardware que incluye tanto los excitadores, los LEDs y el control; y la segunda el desarrollo del software, es decir el programa cuyo fin es lograr controlar los colores, así como los efectos realizados con estos y la programación de la aplicación para el dispositivo móvil. En el primer capítulo, se definen conceptos de iluminación e iluminación de exteriores, particularmente de jardines. Luego, en el segundo capítulo se muestran las tecnologías de iluminación comúnmente usadas, centrando el estudio en las tecnologías en estado sólido, además de presentar los dispositivos móviles más usados y sus respectivos sistemas operativos. En el tercer capítulo se desarrolla el diseño planteado para cubrir los objetivos, tanto en la parte de hardware (excitadores, LEDs de potencia, etc.) como en software (desarrollo de los programas para el control y la interfaz). Finalmente, en el cuarto capítulo se presenta la implementación y funcionamiento.

Los sistemas de iluminación son desarrollos que permiten al hombre visualizar de una mejor forma a los objetos desde un punto de vista artístico y funcional. Estos sistemas tienen un amplio campo de aplicación en nuestra vida diaria. Están referidos al proceso en el cual la iluminación forma parte del diseño del objeto usando dispositivos capaces de satisfacer el tipo, calidad y color de luz que se requiere. Dado que en el Perú los sistemas de iluminación cumplen una gran importancia como elemento que forma parte del diseño de espacios públicos y comerciales, es necesario enfrentar el problema de la iluminación conociendo las características de ella. Por esto se plantea la utilización de una nueva tecnología como el LED (Light-Emitting Diode) de potencia en el desarrollo de sistemas de iluminación aprovechando las características que este dispositivo trae. La presente tesis consiste en el rediseño e implementación de un sistema de iluminación aplicado a un display1 publicitario de una superficie de 25x25cm2. Uno de los objetivos es mejorar la iluminación mediante la aplicación de la nueva tecnología, el LED RGB (Red Green Blue) que permite obtener un color determinado, rojo, verde y azul; además de variar su intensidad de brillo. Con el uso de lentes convergentes es posible mezclar los colores primarios para obtener los colores secundarios; amarillos, cian y magenta; y el color blanco. El siguiente documento se encuentra dividido en cuatro capítulos principales; el primero de ellos explica la importancia de la iluminación publicitaria en espacios publicitarios. El segundo capítulo brinda información sobre la evolución de los sistemas de iluminación convencionales hasta llegar a la tecnología LED. El tercer capítulo muestra las consideraciones para el rediseño e implementación del sistema, los componentes elegidos, así como los cálculos y criterios de selección. El último capítulo menciona los resultados obtenidos, análisis de costo y conclusiones finales. Al final del documento se muestra las recomendaciones, sobre el rendimiento del sistema de iluminación y como mejorarlo, las referencias utilizadas y en la sección de anexos hojas de datos de los componentes utilizados.

El objetivo del presente estudio es diseñar e implementar un equipo regenerador de tejidos blandos basado en diodos emisores de luz y diodo láser, con potencia luminosa regulable entre 5-100mW, en pasos de 5mW; con frecuencia de pulsación del haz de luz, generado por una onda cuadrada simétrica, variable entre 1-100Hz, en pasos de 1Hz; y tiempo de aplicación entre 1 y 15 minutos, con pasos de 1min; de esta de manera se puede controlar la energía luminosa total emitida por los diodos emisores de luz o diodo láser que contribuya en la investigación de una posible solución a la necesidad de acelerar el proceso regenerativo de los tejidos blandos. En la presente tesis se usará una longitud de onda entre 630 – 660nm, luz roja, debido a que en este rango de longitudes de onda se ha demostrado científicamente que se acelera el proceso de regeneración de las células. Se abarcan temas específicos como conocimientos teóricos y prácticos acerca del fundamento clínico de la regeneración celular. Para la implementación del equipo se hizo uso de un microcontrolador, que permitió controlar la energía luminosa emitida por los diodos emisores de luz y el láser diodo hacia los tejidos blandos, controlando la potencia, la frecuencia y el tiempo del tratamiento, además de ayudarnos a implementar un equipo interactivo con el usuario que permita su fácil uso, con una pantalla LCD y un teclado matricial. Se implementó el equipo siguiendo algunas consideraciones teóricas de la norma de seguridad eléctrica para equipos médicos, IEC60601 y la norma IEC 601-2-22, para equipos médicos eléctricos con requerimientos particulares para la seguridad del diagnóstico y terapia de equipos con láser. Se realizaron pruebas eléctricas y se verificó que el margen de error de 10% permitido por la norma no fuese superado. Las pruebas se realizaron a la corriente entregada para la potencia luminosa deseada, frecuencia y tiempo. Los resultados en potencia luminosa fueron: un error mínimo de 0.15% y máximo de 2.744% para los diodos emisores de luz, y un error mínimo de 2.338% y máximo de 8.371% para el diodo láser. Los resultados en frecuencia fueron: un error mínimo de 0.417% y máximo de 0.625%. Por último, el resultado en tiempo fue de un error del 0.01%. Se verifica que se cumplen las normas básicas para la implementación del equipo. Además se observa que el equipo deberá pasar muchas más pruebas para ser comercializado, ya que requiere experimentación clínica lo cual no es parte de esta tesis. Finalmente se realizó una tabulación del costo del proyecto.