Orientador: Rogerio Cesar de Cerqueira Leite / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-17T13:50:45Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Meneses_EliermesArraes_D.pdf: 931408 bytes, checksum: d65433f3484d656c603bf6528f3f16e1 (MD5) Previous issue date: 1973 / Resumo: Neste trabalho apresentamos os resultados experimentais obtidos medindo o espectro de fotoluminescência de sulfeto de Cádmio ( CdS ) em condições de forte excitação. Mostramos pela primeira vez as discrepâncias que surgem quando comparado com os espectros convencionais, isto é deslocamento do pico para a região de menor energia e alargamento do espectro. Estes efeitos surgem à medida que aumentamos a intensidade de excitação. A seguir desenvolvemos uma teoria aplicável às condições experimentais que mostra claramente que o alargamento do espectro na região de baixas energias e essencialmente devido a distribuição não equilibrada de fonons. Mostramos ainda que correções da autoenergia, dos portadores e responsável pela redução da banda proibida, sendo que em condições de muito alta excitação tem-se tambem contribuição para este efeito da interação entre eletrons e fonons LO não equilibrados / Abstract: Not informed. / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientador: Ross A. Douglas / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-17T16:43:57Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Peterlevitz_AlfredoCarlos_M.pdf: 1774187 bytes, checksum: 9033fdf76b4d46109e2cab9a688bb614 (MD5) Previous issue date: 1983 / Resumo: O crescimento de camadas superficiais sobre uma amostra de chumbo, exposta a oxigênio com vapor d'água à temperatura ambiente, foi observado pela técnica ESCA. As linhas 4f5/2,7/2 foram desdobradas em uma componente devido ao metal e mais duas componentes, uma das quais tendo deslocamento químico igual a 1,25 eV, e a outra, 2,05 eV. A coleta de dados realizada sob ângulos de emissão de elétrons secundários iguais a 20°, 45° e 75° mostrou que, dessas duas componentes, a de menor deslocamento químico está localizada mais internamente. Também há evidências de uma camada fina (» 2A) perto da superfície com deslocamento químico aproximadamente nulo. Utilizando-se de um modelo de filme uniforme, formado por camadas planas superpostas, determinou-se a espessura destas camadas, em função da exposição da amostra ao oxigênio. A coleta de dados, após exposição da amostra ao oxigênio e após diferentes intervalos de tempo de sua permanência em vácuo (~ 1x10-6 Torr), permitiu verificar alterações nas espessuras das camadas do filme. Observou-se que os elétrons Auger M4N67N67 e M5N67N67 apresentam deslocamento químico (~ 4 eV) quando provenientes do chumbo oxidado. São comparados os valores da espessura do óxido pelas determinações a partir de dados de fotoelétrons e de elétrons Auger. Verificou-se que, o crescimento do óxido pode ser descrito pela lei inversa logarítmica, deduzida por Cabrera-Mott / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador : Edmundo Alfredo Ruveda / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Quimica / Made available in DSpace on 2018-07-18T02:25:51Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Morel_AdemirFarias_M.pdf: 7748754 bytes, checksum: bd358c7cdc65987c2f0283a0e60af48f (MD5) Previous issue date: 1978 / Mestrado

Orientador : Yoshiyuki Hase / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Quimica / Made available in DSpace on 2018-07-18T06:20:52Z (GMT). No. of bitstreams: 1 CaresCuevas_GermanEnrique_D.pdf: 4479052 bytes, checksum: 91f9faf27ba9fca0bec96d2182516073 (MD5) Previous issue date: 1992 / Doutorado

Orientador: Eliermes Arraes Meneses / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-18T07:17:05Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Mendonca_CesarAugustoCurvellode_D.pdf: 1795516 bytes, checksum: 9546d794fd205f0de9b98f5cc424ffc3 (MD5) Previous issue date: 1993 / Resumo: Neste trabalho estudamos estruturas semicondutoras que promovem o confinamento de buracos fotogerados, na banda de valência. Nos sistemas periódicos compostos por múltiplos planos de dopagem d (M-d), este confinamento é mais evidente quando o espaçamento entre os planos decresce e o limite quântico é atingido. Por outro lado, a diminuição do período nestas estruturas leva a uma mudança de caráter, de bi para tridimensional, no que diz respeito aos elétrons. Este último efeito vem da formação de estruturas tipo mini-bandas(no esquema dos níveis de energia) para períodos curtos. Ambos os efeitos acima podem ser claramente observados pela drástica modificação mostrada pelos espectros de fotoluminescência e excitação de fotoluminescência em função da diminuição do espaçamento entre os planos. Os resultados das medidas de magneto-transporte também reforçam as interpretações dadas para os efeitos observados nas medidas ópticas. Além das estruturas tipo M-d , foi estudado o sistema obtido quando se introduz um d no centro de um poço quântico. O confinamento tanto dos elétrons como dos buracos fotogerados, nestas estruturas, é garantido pela existência das barreiras. A presença de uma banda de emissão acima do 'gap' do GaAs indica que o confinamento favorece os processos de recombinação envolvendo estes portadores, para ambas as estruturas / Abstract: In this work we investigated semiconductor microstructures which provide the confinement of photogenerated holes. In systems obtained by periodically doping a layer of homogeneous material (M-d), this confinement is evidenced as the spacing between the dopant plans decreases and quantum limit for holes is achieved. On the other hand, as far as electrons are concerned, when the period of these structures is shortened, the bidimensional character of a single d well changes to a tridimensional one, of a short period superlattice. Instead of a well defined level system, in short period structures, minibands with finite width will occur. Both the effects mentioned above can be clearly understood in terms of the drastic changes present in the photoluminescence and photo- luminescence excitation spectra, as a function of the decrease of the d-layer spacing. When a d-layer is introduced in the center of a quantum well, the confinement of both electrons and photogenerated holes is garanteed by the existence of the AlGaAs barriers. The emission band above the GaAs band-gap energy indicates that recombination processes, involving these carriers, have their probability strongly increased by the confinement / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientador: Fernando Cerdeira / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-18T07:19:02Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Ribeiro_Evaldo_M.pdf: 3901940 bytes, checksum: 8d1a09f806b1626ddc8f051ecdea0575 (MD5) Previous issue date: 1993 / Resumo: Realizamos um estudo dos estados eletrônicos de poços quânticos e superredes de InxGa1-xAs/GaAs empregando técnicxas ópticas. Primeiramente, medimos quantitativamente a tensão biaxial presente nas camadas dos materiais componentes por meio de espalhamento Raman. Em seguida, obtivemos espectros de refletividade e transmissão eletro e fotomodulados. Interpretamos estes espectros em termos de um modelo escalar de função envelope. A comparação entre nossos dados e as preduções do modelo levou à determinação do parâmetro de descasamento de bandas para a heterojunção InGaAs/GaAs, assim como mostrou evidências claras de dispersão de minibandas. Estudamos também os efeitos de um campo elétrico do (aplicado externamente) sobre os estados eletrônicos de uma das superredes de nosso conjunto de amostras. Os resultados desse estudo ilustraram, pela primeira vez, a evolução passo a passo desde estados Franz-Keldysh extendidos até estados Stark-Wannier confinados. Sugerimos a existência de fronteiras entre estas regiões, podendo ser expressadas em termos de um campo elétrico efetivo, independente dos parâmetros da amostra / Abstract: We performed a detailed study of the electronic states of InxGa1-xAs/GaAs quantum wells and superlattices using optical techniques. First we measured quantitavely the biaxial strain in each type of layer by means of Raman scattering. Next we obtained electro and photomodulated reflectivity and transmission spectra. We interpreted these spectra within the framework of a scalar envelope function model. Comparison between our spectra and the predictions of the model led to the determination of the band offset parameter for the In-GaAs/GaAs heterojunction as well as providing unambiguous evidence about miniband dispersion. We also studied the effects of an externally-applied de electric-field on the electronic states of one of our superlattice samples. These studies illustrated, for the first time, the step-by-step evolution of the states from Franz-Keldysh extended states to confined Stark-Wannier states. We suggest the existence of boundaries between these regious that can be expressed in terms of a material-independent effective electric-field / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador : Sebastião Ferreira Fonseca / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Quimica / Made available in DSpace on 2018-07-18T14:37:53Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Salvador_EliasLuzia_M.pdf: 2934744 bytes, checksum: 19f01191c1e586b00cb896d7bb17de30 (MD5) Previous issue date: 1993 / Mestrado

Orientador: Carlos Henrique de Brito Cruz / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-19T02:59:59Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Tsuda_Sergio_D.pdf: 11842009 bytes, checksum: 9726ce6253239d01271de132c4389497 (MD5) Previous issue date: 1994 / Resumo: Nesta dissertação serão apresentados os resultados das experiências de espectroscopia diferencial de transmissão resolvida no tempo em amostras de vidros dopados com semicondutor de CdSSe e CdTe. No primeiro tipo de amostras estudamos as mudanças induzidas no espectro de absorção das amostras quando elas são excitadas por um pulso óptico com duração de 60 fs na região acima e abaixo do "gap". No primeiro caso, as alterações do espectro de absorção são causadas por uma não-linearidade relacionada ao efeito de preenchimento de banda e o tempo de resposta é determinado pelo tempo de recombinação dos életrons fotoexcitados. Para a excitação na região de transparência da amostra observmos que o efeito não-linear responsável pelas mudanças é o efeito Stark óptico e a sua resposta é instantânea, isto é, ela dura essencialmente enquanto a excitação está presente. Para a amostra de CdTe, que apresenta efeitos de confinamento quântico sobre os portadores fotoexcitados, observamos a ocorrência da saturação da absorção de uma região do seu espectro de absorção. O efeito correspondente a esse tipo de alteração é conhecido por "hole burning". A dinâmica de relaxação dos portadores fotoexcitados, é inicialmente dominada pela relaxação dos buracos na banda de valência. Esse processo de relaxação ocorre num intervalo de tempo menor do que 100 fs. Posteriormente, a saturação da transição 1S-1S observada se recupera totalmente em menos de 500 fs, possivelmente devido à relaxação dos portadores através de estados de armadilha associados à ligações soltas ("dangling bonds") na interface vidro-semicondutor e/ou defeitos / Abstract: In this thesis the results of time resolved differential transmission spectroscopy in CdSSe and CdTe semiconductor-doped glasses are presented. In the first type of sample we have studied the induced changes in their absorption spectrum when they are excited by 60 fs optical pulses in the region below and above the gap. In the first situation, the spectral absorption changes are due to a nonlineaity related to band filling effect and the time response is determined by the photoexcited electron recombination. For excitation in the transparency region of the sample, we have observed that the nonlinear effect responsible for the changes, we have observed that the nonlinear effect responsible for the changes is the optical Stark effect and its time response is instantaneous, that is, it lasts as long as the excitation is present. For the CdTe sample, which exhibit quantum confinement effects on the photoexcited carriers, we have observed the occurrence of hole burning effects on the absorption spectrum. The relaxation dynamics of the photoexcited carriers is initially dominated by hole relaxation in the valence band. This relaxation process occurs within a time interval shorter than 100 fs. Later on, the observed bleaching of the 1S-1S transition recovers totally in less than 500 fs due to relaxation of the carriers through traps states associated to dangling bonds at the glass-semiconductor interface and/or defects / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientador: Daniel Pereira / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-19T06:14:20Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Cruz_FlavioCaldasda_D.pdf: 7830916 bytes, checksum: 221baec54d9f9afb588de090db6738e9 (MD5) Previous issue date: 1994 / Resumo: Neste trabalho realizamos experimentos de espectroscopia não-linear de alta resolução em I2, Ti e Ar+. O iodo foi utilizado como uma referência de comprimento de onda no visível. Espectros desta molécula limitados pela largura Doppler foram obtidos fazendo uso de detecção fotoacústica e com fotodetetores. A detecção fotoacústica mostrou-se completamente comparável à detecção com fotodiodos, em termos de sensibilidade e razão sinal-ruído. Espectroscopia de saturação foi empregada para resolver a estrutura hiperfina de várias transições rotovibracionais do iodo. Em particular estudamos a estrutura hiperfina da linha R(115) 20-1, em 570 nm, que pode ser uma interessante referência de comprimento de onda para a transição ressonante do magnésio, em 285 nm, quando um laser duplicado em freqüência é utilizado para investigar esta última. A estrutura hiperfina da linha R(115) 20-1 foi reproduzida teoricamente considerando termos de quadrupolo elétrico e dipolo magnético. Através de um ajuste de mínimos quadrados do espectro teórico ao experimental determinamos as constantes de acoplamento hiperfino D eQq e D C, por um cálculo em primeira ordem. A transição ressonante do magnésio é usada para o resfriamento a laser deste elemento que é de interesse para aplicações em novos padrões de tempo e freqüência. O titânio foi estudado em lâmpadas de cátodo ôco por espectroscopia optogalvânica de intermodulação (IMOGS) e efeito Hanle não-linear (NLHE). Para a transição 3P0®3D10 deste elemento, em 592 nm, determinamos por IMOGS: seu número de onda, em relação ao espectro Doppler do iodo, com uma precisão de 3.10-7; o desvio isotópico dos isótopos pares deste elemento; o fator de Landé do nível superior e a largura homogênea da transição. Através do NLHE determinamos a largura homogênea do nível superior desta transição. Um tratamento teórico é apresentado para o efeito Hanle não- linear em uma transição J"=0® J'=1 na presença de excitação colisional. O efeito Hanle não-linear em transições laser do Ar+ foi estudado por detecção optogalvânica. Curvas de sinal optogalvânico em função de um campo magnético longitudinal foram obtidas para as transições em 514, 496, 488 e 476 nm. O efeito Hanle não-linear no nível superior das transições em 496 e 476 nm também foi observado detectando a fluorescência das transições em 454.5 e 472.7 nm, que compartilham o nível superior com as duas primeiras. Uma discussão sobre as formas de curvas obtidas por detecção optogalvânica e da fluorescência é apresentada. Através destas curvas determinamos as larguras homogêneas dos níveis superiores meta estáveis das transições laser em 496, 488 e 476 nm / Abstract: In this work we performed nonlinear high-resolution spectroscopy in I2, Ti and Ar+. Iodine was used as a wavelength reference in the visible. Doppler limited spectra of this molecule were obtained, in particular by using photoacoustic detection. This one proved to be comparable to detection with photodetectors in terms of sensibility and signal-to-noise ratio. Saturation spectroscopy was used to resolve the hyperfine structure of several rotovibrational lines. Among these we resolve the hyperfine structure of the R(115) 20-1line, at 570 nm, which is an interesting frequency reference for the resonant transition of magnesium, at 285 nm, when frequency doubled lasers are used to investigate this one. The R(115) 20-1 hyperfine spectrum was reproduced by considering the electric quadrupole and spin-rotation terms. By performing a least-square fit we determined the coupling constants D eQq e D C for this transition at first order. The resonant transition of magnesium is used for laser cooling of this element which is of interest for applications in new time and frequency standards. Titanium was studied in hollow-cathode lamps by intermodulated optogalvanic spectroscopy (IMOGS) and nonlinear Hanle effect (NLHE). For the 3P0®3D10 transition of this element, at 592 nm, we determined by IMOGS: its wavenumber relative to the iodine Doppler limited spectrum with an accuracy of 3.10-7; the isotopic shifts of the even isotopes of this element; the upper level Landé factor and the homogeneous transition linewidth. Other configurations of saturation spectroscopy were used as well. By NLHE we determined the upper state homogeneous width of that transition. A theoretical analysis of the NLHE for a J"=0® J'=1 transition in the presence of colisional excitation is also presented. The nonlinear Hanle effect in Ar+ laser transitions was studied by optogalvanic detection. We detected the optogalvanic signal as a function of a longitudinal magnetic field for the 514,496,488 and 476 nm lines. The NLHE in the upper level of the 496 and 476 nm lines were also observed by detecting the fluorescence of the 454.5 and 472.7 nm lines, which share the upper level with the 496 and 476 lines. A discussion of the curve shapes obtained by optogalvanic and fluorescence detection is presented. Using these curves we were able to determine the homogeneous width of the metaestable upper level of lines 496,488 and 476 nm / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientador: Paulo Motisuke / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Física Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-19T12:07:49Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Alves_RudsonRibeiro_M.pdf: 5867968 bytes, checksum: 357e2b0e37bf54b293f21f847c3d6cae (MD5) Previous issue date: 1994 / Resumo: Neste trabalho implementamos experimentos para a medida da corrente de tunelamento em amostras de Dupla Barreira de GaAs/AlxGa1-xAs e de GaAs com dopagem planar de Si (d -doping). Para isto preparamos dois sistemas experimentais: a) "Circuito Ponte de Wheatstone" e b) sistema "Fonte de Corrente e Voltímetro". O primeiro sistema, "Circuito Ponte de Wheatstone", permite-nos medir diretamente, além da curva característica I vs. V, a primeira e segunda derivada. Sob algumas condições particulares, é também possível obter a curva C vs. V. Entretanto, este sistema está limitado a corrente máxima de 1OmA . O sistema "Fonte de Corrente e Voltímetro " permite-nos medir apenas a curva I vs. V, mas com correntes de até IA e com resolução melhor que de uma parte em 103 , o que nos possibilita obter a primeira e a segunda derivada numericamente. Para a análise das estruturas na corrente de tunelamento apresentamos os modelos teóricos utilizados para o estudo de tunelamento de elétrons e de buracos em amostras de dupla barreira. Estes são calculados na aproximação da função envelope e no método da matriz de transferência (tunelamento de elétrons), e mais o Hamiltoniano da massa efetiva de Luttinger e Kohn (tunelamento de buracos). Baseado nestes modelos determinamos: i) as posições dos picos na curva I vs. V através do cálculo da corrente de tunelamento (no caso de elétrons) e ii) as curvas das Posições dos Picos da Probabilidade de Transmissão de buracos em função da Tensão Aplicada, o que nos permite comparar estes resultados com os experimentais. Medida da curva d2I/dV2 vs. V para uma amostra de GaAs com dopagem planar (d -doping) mostrou quatro estruturas bem resolvidas. Estas estruturas podem ser associadas à tunelamento ressonante de elétrons através da camada de topo, onde os portadores são injetados do emissor (contato de Au), para as sub-bandas não populadas no poço de potencial delta. Nas amostras de Dupla Barreira de GaAs/AlxGa1-xAs foram medidas as curvas I vs. V utilizando o sistema "Fonte de Corrente e Voltímetro", e as suas derivadas foram obtidas numericamente. A amostra tipo n , N° 204, apresentou duas estruturas, uma em +2OOmV e outra em -17OmV, para as duas polarizações, as quais associamos a tunelamento ressonante de elétrons com a primeira sub-banda no poço. Outras oscilações observadas foram associadas a transmissão com a segunda sub-banda e com estados virtuais do contínuo. Já a amostra tipo p , N° 199, apresentou uma região de resistência diferencial negativa muito evidente próxima de 1,1 V na curva I vs. V. Segundo o modelo utilizado é esperado um pico de ressonância na curva I vs. V em ~ 167mV. Esta grande discrepância entre o valor esperado e o valor medido se deve principalmente a resistência dos contatos que não nos foi possível eliminar nas amostras de Dupla Barreira tipo p / Abstract: In this work we introduced experiments for tunneling current measurements on double barrier of GaAs/AlxGa1-xAs and single GaAs layer with planar Si d-doped samples. For this purpose, we prepared two experimental system: a) "Wheatstone Bridge" system and b) "Current Source and Voltmeter" system. The former, "Wheatstone Bridge" system, allow us to measure directly not only the I vs. V characteristic curve but also the first and second derivative. It is also possible to measure C vs. V curve on some particular conditions. However, this system is limited to the maximum current of 10mA . The "Current Source and Voltmeter" system allow us to measure only I vs. V curve, but for currents up to 1A and resolution better than one part in 103 .For these data, the first and second derivative are obtained numerically. For analysis of the tunneling current structures, we present theoretical model calculated in the envelope function approximation and in the transfer-matrix method to electron tunneling, and in addition the Luttinger-Kohn effective-mass Hamiltonian formalism is used for hole tunneling. Based on this model we calculated: i) the position of peaks in the I vs. V curve for electron tunneling current and ii) the Transmission Probability Peaks Positions as function of the Applied Voltage for holes, that are to compared to the experiments. The experimental of d2I/dV2 vs. V curve of d -doped GaAs sample shows us four well resolved structures that are assigned, tentatively, to the resonant electron tunneling through the cap layer where the carriers are injected from the emitter (Au contact) to the empty sub-bands into the d -doping potential well. In the double barrier GaAs/AlxGa1-xAs samples we measured I vs. V curves using the "Current Source and Voltmeter" system, and their derivatives were obtained numerically. The n-type sample, #204, presented two structures localized at +200mV and -170mV, that are assigned as resonant tunneling structure to the first subband in the well. Other oscillatory structures are assigned as resonant transmission through the second subband and/or into continuum virtual states. In p-type double-barrier samples used in this work, we observed great discrepancy between the predicted and the measured tunneling structure position values. This is probably due to the big contact resistance values that unfortunately we couldn't remove, during the reprocessing of the samples. Therefore, these p-type double-barrier experiments are not considered in detail in this work / Mestrado / Física / Mestre em Física