Este trabalho apresenta o estudo da influência do tensionamento mecânico (strain) no efeito de abaixamento de barreira induzido pelo dreno (DIBL) em dispositivos SOI FinFETs de porta tripla com e sem crescimento seletivo epitaxial. Também é analisada a influência do uso de crescimento seletivo epitaxial nesses dispositivos em relação ao efeito de canal curto mencionado. O uso de transistores verticais de múltiplas portas tem permitido a continuidade do escalamento dos dispositivos, apresentando melhora nos níveis de corrente bem como a supressão dos efeitos de canal curto. No entanto, ao reduzir a largura do canal, aumenta-se a resistência total do transistor, diminuindo seu desempenho. A fim de melhorar essa característica, as técnicas de tensionamento mecânico e crescimento de fonte e dreno tem sido empregadas. No primeiro caso, ao se deformar mecanicamente a estrutura do canal, altera-se o arranjo das camadas eletrônicas que ocasiona o aumento da mobilidade dos portadores. Conseqüentemente, a corrente aumenta tal como a transcondutância do dispositivo. A técnica de crescimento de fonte e dreno chamada de crescimento seletivo epitaxial (SEG) tem como finalidade reduzir ainda mais a resistência elétrica total da estrutura, uma vez que a área dessas regiões aumenta, possibilitando o aumento das áreas de contato, que são responsáveis pela maior parcela da resistência total. Esse trabalho baseia-se em resultados experimentais e simulações numéricas tridimensionais que analisam o comportamento dos transistores com as tecnologias acima apresentadas em função do efeito de DIBL. / This work presents a study about the influence of strain in the drain induced barrier lowering effect (DIBL) in triple gate SOI FinFETs. Also it is analyzed the selective epitaxial growth used in that structures, comparing their behavior in relation to DIBL effect. Using the vertical multi-gate devices become possible the downscale whereas they present higher current level and suppressed short channel effects. However, reducing the channel width, the transistors total resistance increases and consequently its performance decreases. In order to improve this feature, the strained technology and the Source/Drains growth technique has been employed. In the first case, the mechanical deformation causes a change in the electron shell, which improves the carrier mobility. Consequently, the current level and the transconductance also improve. The selective epitaxial growth technique aims to reduce the devices total resistance since these regions areas increase, allowing large contacts which are responsible for the main parcel of the total resistance. This work is based on experimental results and tridimensional simulations that analyze the transistor behavior using the technologies above presented as a function of DIBL effect.

Este trabalho apresenta o estudo da influência do tensionamento mecânico (strain) no efeito de abaixamento de barreira induzido pelo dreno (DIBL) em dispositivos SOI FinFETs de porta tripla com e sem crescimento seletivo epitaxial. Também é analisada a influência do uso de crescimento seletivo epitaxial nesses dispositivos em relação ao efeito de canal curto mencionado. O uso de transistores verticais de múltiplas portas tem permitido a continuidade do escalamento dos dispositivos, apresentando melhora nos níveis de corrente bem como a supressão dos efeitos de canal curto. No entanto, ao reduzir a largura do canal, aumenta-se a resistência total do transistor, diminuindo seu desempenho. A fim de melhorar essa característica, as técnicas de tensionamento mecânico e crescimento de fonte e dreno tem sido empregadas. No primeiro caso, ao se deformar mecanicamente a estrutura do canal, altera-se o arranjo das camadas eletrônicas que ocasiona o aumento da mobilidade dos portadores. Conseqüentemente, a corrente aumenta tal como a transcondutância do dispositivo. A técnica de crescimento de fonte e dreno chamada de crescimento seletivo epitaxial (SEG) tem como finalidade reduzir ainda mais a resistência elétrica total da estrutura, uma vez que a área dessas regiões aumenta, possibilitando o aumento das áreas de contato, que são responsáveis pela maior parcela da resistência total. Esse trabalho baseia-se em resultados experimentais e simulações numéricas tridimensionais que analisam o comportamento dos transistores com as tecnologias acima apresentadas em função do efeito de DIBL. / This work presents a study about the influence of strain in the drain induced barrier lowering effect (DIBL) in triple gate SOI FinFETs. Also it is analyzed the selective epitaxial growth used in that structures, comparing their behavior in relation to DIBL effect. Using the vertical multi-gate devices become possible the downscale whereas they present higher current level and suppressed short channel effects. However, reducing the channel width, the transistors total resistance increases and consequently its performance decreases. In order to improve this feature, the strained technology and the Source/Drains growth technique has been employed. In the first case, the mechanical deformation causes a change in the electron shell, which improves the carrier mobility. Consequently, the current level and the transconductance also improve. The selective epitaxial growth technique aims to reduce the devices total resistance since these regions areas increase, allowing large contacts which are responsible for the main parcel of the total resistance. This work is based on experimental results and tridimensional simulations that analyze the transistor behavior using the technologies above presented as a function of DIBL effect.