Orientador: Anna Diva Plasencia Lotufo / Coorientador: Maria do Carmo Gomes da Silveira / Banca: Mara Lúcia Martins Lopes / Banca: Benedito Isaias de Lima Lopes / Resumo: O problema de mensagens não solicitadas pelos usuários em meios de comunicação eletrônica, apesar de ter surgido antes mesmo da popularização da Internet, ainda é um assunto preocupante. Desperdício de largura de banda, perda de tempo, de produtividade e de dados, ou atraso na leitura de e-mails legítimos, são alguns dos problemas que as mensagens não solicitadas, ou Spams, podem causar. Diversas técnicas de filtragem automática de e-mails são apresentadas na literatura, porém muitas destas não oferecem a possibilidade de adaptação, já que o problema em sistemas reais tem como um de seus principais aspectos ser dinâmico, ou seja, mudar constantemente de características com intuito de evadir as técnicas de filtragem. Neste trabalho é desenvolvido um filtro anti-spam utilizando uma técnica de préprocessamento disponível na literatura, no qual os e-mails são submetidos à extração e seleção de características; e uma Rede Neural Artificial baseada na Teoria da Ressonância Adaptativa, para detecção e classificação de Spams. Tais redes neurais possuem grande capacidade de generalização e adaptabilidade, características importantes para um bom desempenho de filtros anti-spam. O modelo proposto neste trabalho é testado a fim de se validar a eficiência do filtro. / Abstract: The problem in receiving non desired messages in electronic communication systems is a very hard task; even it has begun before the popularization of Internet. The problems that these kinds of messages can cause are among others: waste of time, waste of band width, productivity and data or delay in reading the real e-mails. Several e-mail automatic filtering techniques are presented in the literature, however many of them without capacity of adaptation, while the problem in real systems must be dynamical, i.e. avoid filtering techniques. This work develops a SPAM filtering using a pre processing technique available in the literature, where the e-mails are submitted to extract and select the characteristics; and a neural network based on the resonance adaptive theory to detect and classify the SPAMS. These neural networks have capacity in generalization and adaptation, important characteristics of good performance of SPAM filters. The proposed model is submitted to several tests to validate the efficiency of the filter. / Mestre

Neste trabalho desenvolvemos um potencial empírico para descrever as ligações químicas entre os átomos de silício, nitrogênio e hidrogênio usando a forma funcional de Tersoff. Exploramos as propriedades estruturais do nitreto de silício amorfo (a-SiNx:Hy) via simulação Monte Carlo e comparamos com dados experimentais. A boa descrição do sistema a-SiNx:Hy, para uma faixa de valores da concentração de nitrogênio (0<x<1,5) e da concentração de hidrogênio (0<y<40%) mostra que o modelo é realístico. Dependendo da concentração de nitrogênio, o hidrogênio possui preferência química diferente para ligar-se ao nitrogênio ou ao silício, o que é corroborado por resultados experimentais. Além do que, a incorporação do hidrogênio reduz consideravelmente a concentração de átomos subcoordenados no material. A estrutura eletrônica do amorfo e defeitos pontuais no nitreto de silício cristalino foram estudadas usando cálculos de primeiros princípios resolvendo as equações de Kohn-Sham. Para tal estudo as configurações inicialmente foram criadas via modelo empírico e serviram como entrada para o cálculo ab initio da energia total e das forças. Nossos resultados mostram que o hidrogênio tem um papel importante nas propriedades estruturais e eletrônicas do nitreto de silício amorfo. Em particular, demonstramos que o hidrogênio remove parcialmente níveis do gap de energia devido a saturação de ligações pendentes. / In this work we developed an empirical potential to describe the chemical bond among silicon, nitrogen and hydrogen atoms using the Tersoff functional form. We explored the structural properties of amorphous silicon nitride (a-SiNx:H,) through the Monte Carlo simulations and compared with experimental data. The good description of the a-SiNx:Hy, systems for a wide range of nitrogen contents (0<x<1.5) and hydrogen contents (0<y<40%) show the reliability of this model. Depending on nitrogen content, hydrogen has a different chemical preference to bond to either nitrogen or silicon, which is corroborated by experimental finding. Besides, hydrogen incorporation reduced considerably the concentration of undercoordinated atoms in the material. Electronic structure of amorphous and point defects in crystalline silicon nitride were studied using first-principles calculations solving the Kohn-Sham equations. For such study the configurations were created initially by empirical model as input for the ab initio total energy and forces calculations. Our results show that hydrogen plays an important role in the structural and electronic properties of amorphous silicon nitride. In particularly we demonstrated the role played by hydrogen to remove partially the levels in the energy gap due saturation of the dangling bond.

As redes sociais conseguem modelar diversos sistemas complexos existentes no mundo real. Conseguir prever o crescimento destas redes é um desafio de pesquisa atual, especialmente ao se tratar das redes sociais tecnológicas usadas na atualidade. Estas redes possuem grandes quantidades de textos que certamente refletem as características inerentes à própria rede. Esta tese procura desvendar a relação existente entre as palavras presentes nos textos das redes sociais e a sua estrutura. Nesta tese, é apresentada a entropia condicional das palavras existentes nas redes sociais em relação aos seus nós como um critério estável para a redução da dimensionalidade encontrada na análise dos textos. É proposta também uma medida de similaridade entre os nós da rede, baseada na probabilidade do uso de palavras pelos nós e, por fim, é proposto um processo de predição de ligações baseado na medida de similaridade proposta, juntamente com aspectos topológicos das redes sociais. Testes com uma rede social real foram realizados para avaliar o desempenho das técnicas propostas.

Estudamos as propriedades eletrônicas de dois sistemas quase-unidimensionais distintos, resolvendo autoconsistentemente as equações de Schrödinger e Poisson.O método usado para calcular a estrutura eletrônica deste sistema e baseada na solução da equação de Schrödinger dependente do tempo usando a técnica do Split-Operator. No primeiro sistema estudamos os efeitos da corrugação periódica da interface da estrutura n-AlxGa1-xAs/GaAs na densidade eletrônica ao longo desta interface. A forma geométrica desta interface e do tipo dente de serra. Nas camadas de inversão convencionais, os elétrons estão distribuídos uniformemente ao longo da interface plana da heteroestrutura, mas devido à forma dente de serra desta estrutura, os elétrons se distribuem de maneira não uniforme ao longo da interface, produzindo um gás de elétrons quase-unidimensional. A estrutura que investigamos possui um período de 806 ANGSTROM e uma densidade residual uniforme de impurezas aceitadoras da ordem de 1015 cm-3. Calculamos a estrutura eletrônica do gás de elétrons unidimensional confinado na interface corrugada em função da voltagem aplicada ao gate, da densidade de impurezas doadoras e da temperatura. Os resultados obtidos para a densidade eletrônica mostram que, dependendo da densidade de impurezas doadoras, haverá formação de u gás de elétrons quase-unidimensional nos vértices da estrutura dente de serra. O segundo sistema que estudamos é constituído por um gás de elétrons bidimensional, formado na interface de uma camada de Al1-xGa1-xAs com uma camada de GaAs, sobre a qual, temos uma estrutura periódica de \"gates\". Aplicando-se uma voltagem negativa sobre os \"gates\" teremos a formação de fios quânticos nas regiões entre os \"gates\". Neste sistema observamos a transição de um sistema quase-bidimensional para um quase-unidimensional. Investigamos suas propriedades eletrônicas em funçãoo da temperatura, da voltagem aplicada aos \"gates\" e da densidade de impurezas doadoras. / We have studied the electronic properties of two different quasi-one-dimensional systems solving self-consistently the Schrödinger and Poisson equation. The method we use to calculate the electronic levels is based on the solution of the time-dependent Schrödinger equation using the split-operator technique. In the first system we have studied, we present a theoretical calculation of the electronic structure of v-groove quantum wires confined in modulation-doped n-AlxGa1-xAs/GaAs. The system investigated is saw tooth corrugated by bendings with period of 850 ANGSTROM. Results of the electronic structure are obtained as a function of the gate voltage and the donor impurity density. The electronic density shows the existence of a quasi one-dimensional electron gas. The second system studied here is composed by a two-dimensional electron gas confined at the interface of an Al1-xGa1-xAs/GaAs heterostructure, on top of which there is a periodic structure of gates. When a negative voltage is applied to the gates, the regions at the interface beneath them are depleted and quantum wires are formed. We have calculated the electronic structure of subband of that system. We investigated the electronic properties of the quantum wires as a function of gate voltage, from which we determine the threshold between the 2D and ID transitions, the temperature and the ionized donor density.

Made available in DSpace on 2017-07-21T20:56:32Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Rodrigo Duda.pdf: 3245133 bytes, checksum: 15c17194349c83759b9a18c4b36749a0 (MD5) Previous issue date: 2014-02-24 / This paper has as its goal to propose a new alternative approach to the progressions and financial math teaching, with the incorporation of technological resources. Financial math is a theme of great relevance, since it is a field of direct application of various mathematical concepts studied throughout school education. One of the concepts that used is the study of geometric and arithmetic progressions. In order to study those, an approach based on recurrence relations is proposed. Due to the relevance of financial math in the student’s school formation, it is analyzed the ways the frequencies in which the theme is addressed in the High School National Exam and in the selection processes of the Ponta Grossa State University. With the goal of stimulating the algebraic manipulation and understanding of the financial math formulas variables, it is proposed the incorporation of the technological resources, in particular, of electronic spreadsheets, in classes about the theme. Through the tool, it is proposed the viability of financial math simulators in the classroom, seeking the diversification of activities. It is also contemplated the development of an app that operates under the Android Platform, seeking portability and sharing of the simulators that can be built in the classroom. / Este trabalho tem por objetivo propor uma abordagem alternativa para o ensino de progressões e matemática financeira, com a incorporação de recursos tecnológicos. A matemática financeira é um tema de grande relevância, uma vez que é um campo de aplicação direta de vários conceitos matemáticos estudados ao longo da educação escolar. Um dos conceitos utilizados é o estudo de progressões aritméticas e geométricas. Para o estudo destes, propomos a abordagem por meio da resolução de relações de recorrência. Devido à relevância da matemática financeira na formação escolar do aluno, analisamos as diferentes formas e frequência com que a temática é abordada no Exame Nacional do Ensino Médio e nos processos seletivos da Universidade Estadual de Ponta Grossa. Com o objetivo de estimular a manipulação algébrica e a compreensão das variáveis das fórmulas de matemática financeira, propomos a incorporação de recursos tecnológicos, em particular, das planilhas eletrônicas, nas aulas sobre o tema. Por meio dessa ferramenta, propomos a viabilização da construção de simuladores de matemática financeira em sala de aula, visando a diversificação das atividades. Contemplamos também a elaboração de um aplicativo para dispositivos móveis que operam com a plataforma Android, visando a portabilidade e compartilhamento dos simuladores que podem ser construídos em sala de aula.

Made available in DSpace on 2017-07-21T20:56:32Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Ronaldo Theodorovski.pdf: 2397904 bytes, checksum: 7a489d39fd5bcb4d6dc34a5ed2a4217f (MD5) Previous issue date: 2014-07-11 / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior / This paper aims to present educational proposals for the teaching of algebra in order to promote the development of students' algebraic thinking. To do so a bibliographical survey searching for papers that demonstrate that such goal can be achieved through an education that prioritizes the recognition and the generalization of mathematical patterns was conducted. At first, we tried to analyze how some textbooks of elementary school deal with this issue. To address high school, we highlighted the sequences defined recursively, which appear as a good starting point for the generalization of patterns. Thus, we present a study of the methods of solving the recurrence relations that allows the formula to find the general term for this type of sequence. Moreover, with the study of linear recurrences, it is possible to propose an alternative approach to teaching progressions in high school. Seeking to work with numerical regularities to describe and generalize relationships, we suggest the use of computational resources, in particular, the use of spreadsheets as a methodological approach in the teaching of algebra. / Este trabalho tem por objetivo apresentar propostas pedagógicas para o ensino da álgebra tendo em vista promover o desenvolvimento do pensamento algébrico dos alunos. Para tanto foi realizado um levantamento bibliográfico buscando trabalhos que demonstram que tal objetivo pode ser alcançado por meio de um ensino que prioriza o reconhecimento e a generalização de padrões matemáticos. Em um primeiro momento, procuramos analisar como alguns livros didáticos do Ensino Fundamental tratam desse tema. Para contemplar o Ensino Médio, demos destaque às sequências definidas recursivamente, que se revelam como um bom ponto de partida para a generalização de padrões. Dessa forma, apresentamos um estudo dos métodos de resolução das relações de recorrências que permitem encontrar a fórmula do termo geral para esse tipo de sequência. Além disso, com o estudo de recorrências lineares, é possível propor uma abordagem alternativa para o ensino de progressões no Ensino Médio. Buscando trabalhar com regularidades numéricas para descrever e generalizar relações, sugerimos a utilização de recursos computacionais, em particular, o uso das planilhas eletrônicas, como proposta metodológica no ensino da álgebra.

Made available in DSpace on 2015-04-22T22:10:13Z (GMT). No. of bitstreams: 1 rodrigo.pdf: 1241500 bytes, checksum: aa3d89a949690c5bbcbc7dfb3f8a2198 (MD5) Previous issue date: 2010-01-28 / The possibility of simulating in the computer a productive process makes it easier for managers to make decisions and also represents a substantial profit in allocations of resources for any company. Based on that, this project has as main goal develop a simulate model, based on operational research, that represents a generic production system. The preparation of electronic voting machines from The Regional Elections Court of Amazonas, TRE-AM, bureau responsible for planning and executing of elections in the state of Amazonas, Brazil, was used as emplacement of this model. Similarities between the election preparations and any productive process were observed by following the preparation of the electronic voting machines from 1996 to 2006 and specific tests were run in 2007. Information collected in these events based the necessity of building a simulation model contextualized for the construction of the information system. The simulation tool will have a very easy interface and it will provide validated results in real environments, allowing elaboration of production plans an statistic treatment to every need of the user. The outputs, as reports, graphics and database formats will offer abutment for decision making and will allow a wide and current systematic view of the corporations business strategy. / A possibilidade de simular computacionalmente um processo produtivo facilita a tomada de decisão por parte do gestor e representa um ganho substancial em alocação de recursos para qualquer empresa. Baseado neste princípio, este trabalho teve como objetivo propor um modelo de simulação que represente um sistema de produção genérico. Foi utilizado como base para construção desse modelo, o processo de preparação de urnas eletrônicas no TRE-AM, Tribunal Regional Eleitoral do Amazonas, órgão responsável pelo planejamento e execução das eleições no Estado. Similaridades entre a preparação eleitoral e um processo produtivo qualquer foram observadas por meio do acompanhamento das preparações das urnas entre os anos de 1996 e 2006 e de experimentos específicos realizados em 2007. Os dados coletados nestes eventos basearam a necessidade da construção de um modelo de simulação contextualizado para a construção do sistema de informações. Esse modelo servirá de base para futuro desenvolvimento de ferramenta computadorizada com interface facilitada e possibilidade de obter resultados validados em ambientes reais, permitindo elaboração de planos de produção e tratamento estatístico adequado às necessidades do usuário. As saídas do simulador, em formato de relatórios, gráficos e bases de dados, oferecerão respaldo para a tomada de decisão e permitirão uma visão sistemática ampla e atualizada da estratégia de negócio da corporação.

Neste trabalho desenvolvemos um potencial empírico para descrever as ligações químicas entre os átomos de silício, nitrogênio e hidrogênio usando a forma funcional de Tersoff. Exploramos as propriedades estruturais do nitreto de silício amorfo (a-SiNx:Hy) via simulação Monte Carlo e comparamos com dados experimentais. A boa descrição do sistema a-SiNx:Hy, para uma faixa de valores da concentração de nitrogênio (0<x<1,5) e da concentração de hidrogênio (0<y<40%) mostra que o modelo é realístico. Dependendo da concentração de nitrogênio, o hidrogênio possui preferência química diferente para ligar-se ao nitrogênio ou ao silício, o que é corroborado por resultados experimentais. Além do que, a incorporação do hidrogênio reduz consideravelmente a concentração de átomos subcoordenados no material. A estrutura eletrônica do amorfo e defeitos pontuais no nitreto de silício cristalino foram estudadas usando cálculos de primeiros princípios resolvendo as equações de Kohn-Sham. Para tal estudo as configurações inicialmente foram criadas via modelo empírico e serviram como entrada para o cálculo ab initio da energia total e das forças. Nossos resultados mostram que o hidrogênio tem um papel importante nas propriedades estruturais e eletrônicas do nitreto de silício amorfo. Em particular, demonstramos que o hidrogênio remove parcialmente níveis do gap de energia devido a saturação de ligações pendentes. / In this work we developed an empirical potential to describe the chemical bond among silicon, nitrogen and hydrogen atoms using the Tersoff functional form. We explored the structural properties of amorphous silicon nitride (a-SiNx:H,) through the Monte Carlo simulations and compared with experimental data. The good description of the a-SiNx:Hy, systems for a wide range of nitrogen contents (0<x<1.5) and hydrogen contents (0<y<40%) show the reliability of this model. Depending on nitrogen content, hydrogen has a different chemical preference to bond to either nitrogen or silicon, which is corroborated by experimental finding. Besides, hydrogen incorporation reduced considerably the concentration of undercoordinated atoms in the material. Electronic structure of amorphous and point defects in crystalline silicon nitride were studied using first-principles calculations solving the Kohn-Sham equations. For such study the configurations were created initially by empirical model as input for the ab initio total energy and forces calculations. Our results show that hydrogen plays an important role in the structural and electronic properties of amorphous silicon nitride. In particularly we demonstrated the role played by hydrogen to remove partially the levels in the energy gap due saturation of the dangling bond.

Made available in DSpace on 2009-11-18T19:01:26Z (GMT). No. of bitstreams: 0 Previous issue date: 2003 / Aguiar, Wolmar Vieira de. Implantação de Compras Eletrônicas : O Caso de uma Empresa Públ ica Professor Orientador Acadêmico: Prof. O r. Luiz Antonio Joia. O presente trabalho tem como objetivo investigar e relatar, a partir de três vetores principais (Tecnologia, Pessoas e Processos Produtivos e Estrutu ra Organizacional) , como foram abordados alguns fatores relacionados à implantação de compras eletrônicas em uma empresa pública brasileira de grande porte. O estudo é apoiado em revisão bibliográfica sobre Tecnologia da Informação, Administração Pública e seu Processo de Compras, Teorias Organizacionais e Pessoas. As conclusões do estudo são obtidas a partir de um estudo de caso, real izado em instituição financeira pública brasileira, e apresentadas de maneira descritiva. As observações colh idas a partir desse estudo foram anal isadas e comentadas, e algumas recomendações e aspectos relevantes identificados na implantação de compras eletrônicas na instituição em questão são apresentadas e comentadas. / The present work had as objective to investigate and to tell, from three main vectors (Tech nology, People and Productive Process and Organizacional Structu re) , as some factors related to the implantation of electronic purchases in a Brazil ian great public company have been boarded. The study is supported in a bibliographical revision on Information Technology, Public Administration and its Process of Purchases, Organizacional Theories and People. The conclusions of the study are obteined from a study of case, carried through in a Brazi lian public financiai institution, and presented in a descriptive way. The observations gathered about this study have been analyzed and commented , and some recommendations and aspects identified in the implantation of electronic pu rchases in the institution in question are presented and commented.

SOUSA, Duarte José Pereira de. Transporte eletrônico em anéis quânticos de grafeno. 2015. 83 f. Dissertação (Mestrado em Física) - Programa de Pós-Graduação em Física, Departamento de Física, Centro de Ciências, Universidade Federal do Ceará, Fortaleza, 2015. / Submitted by Edvander Pires (edvanderpires@gmail.com) on 2016-01-05T19:55:02Z No. of bitstreams: 1 2015_dis_djpsousa.pdf: 9267324 bytes, checksum: 1dab83c7a9473498a415cb6cb9e5bf4b (MD5) / Approved for entry into archive by Edvander Pires(edvanderpires@gmail.com) on 2016-01-05T19:55:40Z (GMT) No. of bitstreams: 1 2015_dis_djpsousa.pdf: 9267324 bytes, checksum: 1dab83c7a9473498a415cb6cb9e5bf4b (MD5) / Made available in DSpace on 2016-01-05T19:55:40Z (GMT). No. of bitstreams: 1 2015_dis_djpsousa.pdf: 9267324 bytes, checksum: 1dab83c7a9473498a415cb6cb9e5bf4b (MD5) Previous issue date: 2015 / In this work, we propose a current switch device that exploits the phase acquired by a charge carrier as it tunnels through a potential barrier in graphene in the ballistic regime without the need of the presence of a gap in the spectrum. The system acts as an interferometer based on an armchair graphene quantum ring, where the phase difference between interfering electronic wave functions for each path can be controlled by tuning the height of a potential barrier in the ring arms. By varying the parameters of the potential barriers the interference can become completely destructive. We demonstrate how this interference effect can be used for developing a simple graphene-based logic gate. / Neste trabalho, é proposto um dispositivo de controle de corrente que explora a fase adquirida por um portador de carga quando este tunela através de uma barreira de potencial no grafeno no regime balístico sem a necessidade da presença de um gap no espectro de energias. O sistema atua como um interferômetro baseado em um anel quântico de grafeno com bordas armchair, onde a diferença de fase entre as funções de onda para elétrons que tomam diferentes caminhos pode ser controlada através da intensidade das barreiras de potencial nos braços do anel. Variando os parâmetros das barreiras a interferência pode tornar-se completamente destrutiva. É demonstrado como esse efeito de interferência pode ser utilizado para o desenvolvimento de portas lógicas simples baseadas em grafeno.