Dissertação (mestrado)—Universidade de Brasília, Instituto de Física, 2007. / Submitted by Jaqueline Ferreira de Souza (jaquefs.braz@gmail.com) on 2011-06-20T19:15:16Z No. of bitstreams: 1 2007_WilliamFerreira daCunha.pdf: 1032664 bytes, checksum: ce010e1dec7eeec43c33a4d1ac512332 (MD5) / Approved for entry into archive by Jaqueline Ferreira de Souza(jaquefs.braz@gmail.com) on 2011-06-20T19:17:20Z (GMT) No. of bitstreams: 1 2007_WilliamFerreira daCunha.pdf: 1032664 bytes, checksum: ce010e1dec7eeec43c33a4d1ac512332 (MD5) / Made available in DSpace on 2011-06-20T19:17:20Z (GMT). No. of bitstreams: 1 2007_WilliamFerreira daCunha.pdf: 1032664 bytes, checksum: ce010e1dec7eeec43c33a4d1ac512332 (MD5) / O objeto central desse trabalho é a figura e manipulação da superfície de energia potencial (SEP) de dois diferentes sistemas reativos. Em particular nosso intuito é o de calcular taxas de reação utilizando para isso a teoria das estruturas de transição (TST). O trabalho está pois, dividido em duas frentes bem definidas. A primeira é o estudo da reação Na + HF NaF + H. A idéia nesse caso é um estudo comparativo de já conhecidas superfícies com uma nova superfície recém introduzida pelo grupo na literatura, gerada a partir de um algoritmo genético (AG). A segunda frente constitui-se no estudo da reação H+ + LiH H+2 + Li em seu primeiro estado eletrônico excitado, cuja superfície ainda não havia sido explorada até então no que concerne ao estudo da taxa de reação via TST. Para as duas frentes propomos a mesma abordagem, ainda que os intuitos sejam claramente tão diferentes quanto testar e introduzir novas SEPs. _________________________________________________________________________________ ABSTRACT / The main object of this work is the picture and manipulation of potential energy surfaces (PES) for two di?erent colisional reactive systems. Our purpose is to calculate rate constants using the Transition State Theory (TST). The work is divide in two di?erent well defined ’fronts’. The first one is dedicated to the study of the reaction Na+HF ? NaF +H. In this case the idea is a comparative study between a new PES based in a genetic algorithm (GA) introduced by this research group with well known PES in the literature. The second front is relative to the + + H +LiH ? H +Li system in the first excited state system, which hadn’t been 2 studied concerning to rate constant studies through TST. For the both fronts we proposed the same procedure, despite the objetives are so clearly di?erent as to test and introduce new PES.

Orientadores : Francisco B. T. Pessine, Heloise de Oliveira Pastore / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Quimica / Made available in DSpace on 2018-07-27T22:57:33Z (GMT). No. of bitstreams: 1 SenaJunior_DinizMacielde_M.pdf: 1972567 bytes, checksum: 05c25659ebfe3a8dfd9baa3b15326941 (MD5) Previous issue date: 1999 / Mestrado

Orientador : Jose de Alencar Simoni / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Quimica / Made available in DSpace on 2018-08-03T23:38:01Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Evangelista_MauroJose_M.pdf: 9032334 bytes, checksum: b375a8013a2fc9443d5673fb51ee4b84 (MD5) Previous issue date: 2004 / Resumo: Este trabalho propõe demonstrações para uma disciplina de físico-química teórica, pertinente aos conteúdos de calorimetria, entropia e segunda lei da termodinâmica, cinética das reações químicas, equilíbrio químico e estudo de gases. Também apresenta a confecção e montagem de equipamentos simples e extremamente baratos, necessários a estas demonstrações. Esses instrumentos, embora destinados a demonstrações quantitativas, têm o propósito de serem utilizados em sala de aula, e portanto, para serem utilizados em determinações quantitativas rigorosas, deverão sofrer melhorias / Abstract: This thesis shows demonstrations of quantitative aspects for physical-chemistry discipline concerning to calorimetry, entropy and second law of thermodynamics, chemical kinetics, chemical equilibrium and study of gases. This thesis also presents the construction and montage of simple and extremely unexpensive equipaments, necessary to those demonstrations. These instruments are useful for quantitative demonstrations to be used in classroom situations but, for precise quantitative determinations, these demonstrations should undergo improvement / Mestrado

Orientador : Nilce Correa Meirelles / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Biologia / Made available in DSpace on 2018-07-13T23:23:56Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Ramos_LigiadaSilva_M.pdf: 6016168 bytes, checksum: bb4f657a6761a0045f58b3462a1fdb43 (MD5) Previous issue date: 1991 / Resumo: Neste trabalho foram detectados aspectos físico químicos da interação dos detergentes não-iônicos polioxietileno-sorbitol (Tween 20, 40, 60, 80) com a membrana eritrocitária através da utilização das técnicas de RPE e difração de raios-X. Os compostos testados apresentaram um comportamento bifásico em relação à promoção da hemólise hipoosmótica dependente da concentração em que são utilizados. Foram observadas alterações morfológicas nos eritrócitos tratados com os detergentes detectando-se a presença de formas crenadas e "cup-form". Os espectros de RPE do marcador 5-SASL analisados em função da razão detergente:lipídio mostraram que quando esta razão era pequena (e em termos do processo hemolítico havia um efeito de diminuição dessa taxa) nenhum efeito na estrutura da membrana foi observado. A medida que essa razão aumenta. há a formação de agregados polidispersos (detergente-lipídio) e a promoção da hemólise. Tais efeitos mostram ser dependentes da razão detergente:lipídio e não da presença do detergente na sua forma micelar. Os padrões da difração de raios-X obtidos mostraram que o detergente não afeta a ordem da membrana nem produz separação de fase quando protege a célula do "stress" hipoosmótico havendo indicações da ocorrência de mudanças estruturais apenas / Abstract: Here we present EPR and X-ray diffraction studies of the interaction of non-ionic polyoxyethylene-sorbitan derived detergents (Tween 20, 40, 60, 80) on rat erythrocytes regarding to its physical-chemical aspects. The compounds showed a biphasic behaviour in relation to the promotion hemolysis depending on their concentration. Changes in the morphological cell patterns were observed in detergent-treated erythrocytes and typical crenated and cup form erythrocytes were detected. The EPR spectra of a spin labeled stearic acid (5-SASL) were analyzed as a funtion of the detergent: lipid (D/L) ratio. At low D/L ratio protection against hipoosmotic lysis was observed and no major effect on membrane structure was detected. Increasing D/L ratios give rise to increasing amounts of polydisperse (mixed) aggregates. Indicating that the effects depend on the D/L ratio, rather than on the presence of micelar detergent. X-ray diffraction patterns obtained for detergent treated ghosts at hemolysis-protective concentration showed that the detergent presence does not affect the membrane order neither leads to phase separation. The results are indicative of structural changes only / Mestrado / Mestre em Ciências Biológicas

Orientador: Mauro Monteiro Garcia de Carvalho / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T00:01:27Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Barreto_CiclamioLeite_D.pdf: 8623136 bytes, checksum: c56f5e215f6c566dd2d99283445ced5f (MD5) Previous issue date: 1991 / Resumo: Este trabalho experimental visa descrever a implantação e desenvolvimento de um laboratório de crescimento de semicondutores compostos III-V pelo método de Epitaxia Química em Vácuo, VCE (Vacuum Chemical Epitaxy). Diversos métodos epitaxiais são descritos em tentativa de situar o método VCE no contexto geral das tecnologias de produção de filmes finos monocristalinos. Ênfase maior é aplicada ao método de Epitaxia por Fase Vapor de Organometálicos, ascendente direto do método VCE. Em seguida às justificativas da escolha do sistema material a ser crescido, GaAs/GaAlAs, faz-se uma descrição detalhada do método VCE, enfatizando as principais dificuldades encontradas durante sua implantação e as soluções desenvolvidas para superá-las. Por fim, ensaia-se associar a optimização das condições de crescimento de camadas com os resultados da caracterização por diversas técnicas, que levantam muitas propriedades ópticas e elétricas das amostras crescidas. Em particular, é feita identificação da impureza residual predominante em camadas homoepitaxiais de GaAs, bem como uma análise da sua incorporação, e em camadas heteroepitaxiais de GaAlAs, nesse caso sendo constatada uma maciça dopagem residual atribuída à natureza do organometálico precursor, no caso o trimetilalumínio. O sistema VCE acha-se apto a ser utilizado para crescer quaisquer semicondutores compostos III-V, à medida que sejam providos os correspondentes vapores precursores e seus controles de escoamento / Abstract: This experimental work deals with the implantation and development of a laboratory to grow III-V compound semiconductors by the Vacuum Chemical Epitaxy (VCE) method. Several epitaxial methods are described aiming to locate the VCE method in the general context of single crystal thin films production technologies. Major emphasis is given to Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE), direct ascent method to VCE. After a justification of the choice of the material system GaAs/GaAlAs to be grown, a detailed description is made on VCE method emphasising main difficulties found during its implantation and solutions developed to overcome them. At last, an association between the optimization of the layer growth conditions and the results from characterization of the layers by a variety of techniques is tried. These techniques give off many optical and electrical properties of the grown samples. Particularly, the predominant residual impurity is identi:fied on homoepitamal GaAs layers, as well as an analysis of its incorporation is made. The predominant residual impurity is also identified on heteroepitamal GaAlAs layers, in which a heavy residual doping is measured and related to the nature of the precursor organometallic. The VCE system is able to grow any III-V semiconductor compound while be provided the corresponding source vapors along with their mass flow rate controls / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientador: Sergio Artur Bianchini Bilac / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T00:34:53Z (GMT). No. of bitstreams: 1 EleuterioFilho_Sebastiao_M.pdf: 3937274 bytes, checksum: 3a5a8e1cc4df74ca5071ce507ea876fa (MD5) Previous issue date: 1991 / Resumo: A técnica de deposição de filmes magnetron sputtering apresenta muitas vantagens em relação à outros métodos, como por exemplo, a simplicidade do equipamento, o baixo custo de manutenção, fácil manuseio e, a possibilidade de obtenção de altas taxas de deposição. Sua utilização é hoje muito difundida em áreas como; microeletrônica, metalurgia e óptica. Foram projetados, desenvolvidos e caracterizados cátodos magnetron de corrente continua do tipo planar, circulares e retangulares. Foram também depositados e caracterizados filmes metálicos e liga metálica para comprovar o funcionamento do magnetron sistema de disposição. Os resultados foram excelentes comparados ao resultados presentes na literatura / Abstract: Magnetron sputtering, as a thin film deposition technique, shows advantage regarding other deposition methods, for example, the equipment can be relatively simple, easy handling, low maintenance cost and, make possible high rate deposition. The utilization of the technique in microelectronics, metallurgy and optics are unquestionable. Planar magnetron sources (circular and rectangular) were designed, developed and characterized. Metals and metal alloy films were deposited to confirm operation as a film deposition system. The results were excellent when compared to literature / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Franco Decker / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T00:35:43Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Rosolen_JoseMauricio_M.pdf: 4009956 bytes, checksum: 201a95161090eb69e4af5b2001662364 (MD5) Previous issue date: 1991 / Resumo: Nesta tese nós apresentamos aspectos teóricos e experimentais da técnica Miragem aplicada à eletroquimica. Nós mostramos como o efeito Miragem pode ser utilizado para medidas calorimétricas e refratomélricas nos eletrólilos, discutindo os efeitos térmicos Peltier e Joule e as variações dinâmicas dos perfis de concentração existentes nos eletrólitos. A partir dos resultados á possível. através de modelos, deduzir os coeficientes de difusão das espécies iônicas, a potência térmica envolvida durante uma reaçãoeletroquimica, e a contribuição do eletrólito suporte no índice de refração do elelrólito / Abstract: In this thesis we present theoretical and experimental aspects of the Mirage technique applied to electrochemistry. We have shown how, the Mirage effect can be used for calorimetric and refratometric measurements in the eletrolyte, discussing the thermal Peltier and Joule effects and the dynamic variations of the concentration profiles in the electrolyte. Starting from the results it is possible, with the use of models, to deduce the diffusion coefficients of the ionic species, the power involved during an electrochemical reaction and the contribution of' the support electrolyte to the electrolyte refraction index / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Mario Antonio Bica de Moraes / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T00:34:28Z (GMT). No. of bitstreams: 1 VilchePena_AngelFidel_D.pdf: 3015662 bytes, checksum: 1a818c6232a57a06aaee35af2a2d9032 (MD5) Previous issue date: 1991 / Resumo: Filmes isolantes de polímeros orgânicos e filmes compósitos de polímero e metal foram preparados em descargas de gases orgânicos em vácuo. Os filmes isolantes foram depositados em descargas DC e RF de acetileno, etano, propano e benzeno enquanto que os filmes compósitos foram obtidos numa descarga DC de uma mistura de acetileno e argônio. Neste caso, átomos ejetados do cátodo são co-depositados com o polímero. Níquel, ouro e prata foram utilizados como material do cátodo. A composição, a estrutura química, a morfologia e as propriedades ópticas e elétricas destes filmes são descritos nesta tese. A taxa de erosão dos polímeros utilizando um plasma RF de oxigênio foi também investigada. Dois sistemas de vácuo foram utilizados para a deposição dos filmes. Num dos sistemas, o sistema DC, a descarga luminescente foi produzida entre dois eletrodos circulares e paralelos conectados a uma fonte DC. No outro sistema, o sistema RF, a descarga foi mantida num reator tubular de vidro por meio de dois eletrodos anulares externos conectados a uma fonte RF. Inicialmente o processo de deposição foi caracterizado nos dois sistemas através das medidas da taxa de deposição em função da pressão do gás, fluxo e potência aplicada à descarga. Diversas modificações foram feitas nos sistemas com a finalidade de otimizar as taxas de deposição. A estrutura química do acetileno, etano, propano e benzeno polimerizados a plasma foi estudada por espectroscopia de transmissão na faixa ultravioleta-visivel, foram determinadas as constantes ópticas n e k, o coeficiente de absorção e o gap óptico de alguns dos polímeros obtidos. Cálculos envolvendo estes parâmetros permitiram alguma visualização da estrutura de bandas eletrônicas destes materiais. Observações por microscopia eletrônica de transmissão nos filmes compósitos de acetileno polimerizado a plasma. Com níquel, ouro e prata mostraram uma distribuição de pequenas partículas embebidas na matriz polimérica. O tamanho das partículas e a proporção do metal nestes filmes foi determinada e mostrou-se dependente dos parâmetros de deposição. O transporte de carga nos filmes foi estudado através de medições da condutividade elétrica em função da temperatura. A mobilidade de portadores, densidade e constante de Hall foram também medidas. Do espectro de transmissão ultravioleta-visivel foram determinadas as constantes ópticas de um compósito. Os resultados das medidas de transmitância se ajustam muito bem aos cálculos teóricos utilizando a teoria de Maxwell Garnett / Abstract: Insulating organics polymer films and conducting composite polymer-metal films were prepared in plasmas of organics gases in vacuum. The insulating films were deposited in DC and RF discharges of acetylene, ethane, propane and benzene while the composite films were obtained in DC discharges of a mixture of acetylene and argon. In this case, sputtered metal atoms from cathode were co-deposited on the polymer films. Niquel, gold and silver have been used as cathode materials. The composition, the chemical structure, the morphology and the electrical and optical properties of these films were studied and the results are presented in this thesis. The etch rate by an oxygen RF plasma was also investigated. Two vacuum systems have been used. In one of them, the DC system, the glow discharge was produced between two circular parallel electrodes connected to a DC power supply. In the other one, the RF system, the discharge was sustained in a glass tubular reactor by means of two, external ring electrodes capacitively connected to a RF source. Initially, the deposition process was characterized in both systems by measurements of the rate of deposition as a function of gas pressure, gas flow and applied power to the discharge. Several improvements were made in the systems in order to achive higher deposition rates. The chemical structure of plasma polymerized acetylene, ethane, propane and benzene were studied by infrared transmission spectroscopy. By means of ultraviolet-visible transmission measurements, the optical constants n and k, the absorption coefficient and the optical gap of some of the polymers have been determined. Computations involving these parameters have led to some insights in the electronic band structure of these materials. Transmission electron microscopy observations in composite films of plasma polymerized acetylene incorporated with nickel, gold and silver have shown a distributions of small metal particles imbedded in the polymer matrix. The size and proportion of metal in these films were found to depend on the deposition parameters. The charge transport, in these films was studied from electrical condutivity measurements as a function of temperature. Carrier mobility, density and Hall constants were also measured. From ultraviolet-visible transmission spectra the optical constants of some of the composite films were determined. The measured transmittance data were found to be in excellent agreement with the theoretical calculations using the Maxwell Garnett theory / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientador: Mauro Monteiro Garcia de Carvalho / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T00:32:30Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Cotta_MonicaAlonso_D.pdf: 4137712 bytes, checksum: ff97b4188a289ba04cb616d29236be85 (MD5) Previous issue date: 1991 / Resumo: Apresentamos aqui um estudo do crescimento de alguns compostos semicondutores III-V por epitaxia química em vácuo (do inglês Vacuum Chemical Epitaxy, VCE). O sistema VCE foi projetado em 1981 pelo Dr. L. M. Fraas na Chevront mas poucos trabalhos foram realizados sobre as características do VCE, e em que diferem dos métodos de crescimentos tradicionais. Mostramos aqui que o VCE pode ser utilizado para heteroepitaxias de GaAs em substratos de Si, mesmo sem a possibilidade de análises in situ dada por outros sistemas. Mostramos também que, no VCE, a dopagem residual de carbono depende da fonte de organometálico com que se realiza o crescimento. Esta característica foi utilizada para a obtenção de camadas altamente dopadas de GaAlAs, adequadas para a obtenção de contatos ôhmicos. Realizamos também um estudo através de simulação Monte Carlo das condições de fluxo no VCE, e verificamos que o crescimento é geralmente realizado longe das condições ideais do sistema, que implicariam no regime molecular de escoamento. Mostramos também que os resultados da simulação podem explicar a dependência da taxa de crescimento com a pressão de trabalho no sistema / Abstract: We present here a study on the growth of some III-V semiconductor compounds using Vacuum Chemical Epitaxy (VCE). The VCE system was designed by Dr. L. M. Fraas in 1981, while working in Chevron. Up to now, some few works have been published on VCE features, and on how they differ from traditional growth methods. We show here that VCE can be used for heteroepitaxy of GaAs on Si substrates, even without. allowing in situ analysis, as other systems do. We also show that the residual carbon doping in VCE depends on the organometallic source chosen for the growth. This feature was utilized to obtain heavily doped GaAlAs layers, suitable for ohmic contacts fabrication. We have also performed a study, using Monte Carlo simulation, on VCE flow conditions; we have verified that the growth is usually carried out far from the ideal conditions, which should imply molecular flow. We also show here that the simulation results can explain the dependence of the growth rate on the system working pressure / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientador : Oswaldo E. S. Godinho / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Quimica / Made available in DSpace on 2018-07-14T00:53:45Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Aleixo_LuizManoel_M.pdf: 6475999 bytes, checksum: 071f0550c804ae0163928f7d53b753ca (MD5) Previous issue date: 1975 / Mestrado