Made available in DSpace on 2014-06-11T19:25:30Z (GMT). No. of bitstreams: 0 Previous issue date: 2003-11Bitstream added on 2014-06-13T20:53:27Z : No. of bitstreams: 1 teixeira_apgc_me_guara.pdf: 1933388 bytes, checksum: a65434c8c77296c8a4c1caf57b057917 (MD5) / Filmes poliméricos obtidos ou processados a plasma têm sido objeto de muita pesquisa, devido às suas características peculiares que os tornam promissores e por vezes únicos em diversas aplicações tecnológicas e industriais. Este trabalho apresenta os resultados de um estudo que objetiva a investigação da evolução temporal do perfil topográfico de superfície de filmes produzidos por processos a plasma a partir do Acetileno. São apresentados resultados sobre a estrutura molecular e propriedades como rugosidade e molhabilidade dos filmes poliméricos. O experimento foi realizado num reator a plasma, cilíndrico de pyrex, excitado indutivamente por rádio-freqüência. O plasma foi gerado a partir do monômero Acetileno numa pressão de 100mTorr, excitado por uma rádio-freqüência (13,56MHz) à 35W de potência. Deposições foram realizadas sobre substratos de InP com dois tipos de perfis de superfície: com padrão bem definido e sem definição. Para caracterização dos filmes foram utilizadas diferentes técnicas de diagnósticos: espectroscopia infravermelha para o estudo da estrutura molecular, medida de ângulo de contato e energia de superfície através de um goniômetro e microscopia de força atômica (AFM) para o estudo de topografia de superfície dos filmes. Os resultados indicaram que a estrutura dos filmes permaneceu constante independente do tempo de deposição. O caráter hidrofílico dos filmes foi mantido ao longo do tempo, com o ângulo de contato medido em torno de 50º. A microscopia 15 (AFM) mostrou as estruturas nanométricas da superfície dos filmes e ainda a rugosidade e a espessura dos mesmos. A constância média no valor do ângulo de contato medido e a constância da estrutura química dos filmes sugerem que a rugosidade da superfície dos mesmos seja também constante. Esta influência é comprovada pelas imagens e... . / Considerable efforts have been made by the internacional community to study plasma polymeric films motivated by interesting features of these films in technological and industrial applications. The present work reports the investigation on the time evolution of topographic profile of the surface of films produced by plasma processing with Acetylene. The results on the study of molecular structure and properties such as roughness and wettability were reported as well. The experiment was performed in a cylindrical Pyrex plasma reactor in inductively coupled configuration. The plasma was generated in Acetylene at 100mTorr with a 35W power supply connected to a circular antenna around discharge tube. Depositions were performed on InP substrate with a well defined and undefined profile patternof the surface. To characterize the films, different techiniques were applied: Fourier Transform Infrared Spectroscopy to study molecular structure, goniometer to measure contact angle and surface energy and Atomic Force Microscopy (AFM) to study the topography of the films. The results indicated that the structure of the films were the same, i.e., independent of the time used to produce the film. High hydrophilic films were obtained with contact angle around 50º. The AFM showed the nanoscale structure of the films surfaces and values of film thickness as well. Approximate same value of contact angle and chemical strcture in the films suggested same roughness on its surface. This was conffirmated by observations with AFM. 17 The images of microscale structure of film surface shows that original topography of the substrate are reproduced on the film. In conclusion, polymeric thin films on the InP substrate produced with Acetylene plasma are hydrophilic for well defined and undefined profile pattern of substrate surface. They have also similar chemical... (Complete abstract, click electronic address below).

Dissertação (mestrado)—Universidade de Brasília, Instituto de Física, Programa de Pós-Graduação de Mestrado Profissional em Ensino de Física, Mestrado Nacional Profissional em Ensino de Física, 2017. / Submitted by Raquel Almeida (raquel.df13@gmail.com) on 2018-02-21T18:04:08Z No. of bitstreams: 2 2017_RodrigoPaciosdeAndrade-Dissertação.pdf: 6982103 bytes, checksum: 76c3a95f13789e409f8733a747b1e280 (MD5) 2017_RodrigoPaciosdeAndrade_PRODUTO.pdf: 4027246 bytes, checksum: 3074c7d77a6f9796ca1458f5dda36cd1 (MD5) / Approved for entry into archive by Raquel Viana (raquelviana@bce.unb.br) on 2018-02-27T17:32:10Z (GMT) No. of bitstreams: 2 2017_RodrigoPaciosdeAndrade-Dissertação.pdf: 6982103 bytes, checksum: 76c3a95f13789e409f8733a747b1e280 (MD5) 2017_RodrigoPaciosdeAndrade_PRODUTO.pdf: 4027246 bytes, checksum: 3074c7d77a6f9796ca1458f5dda36cd1 (MD5) / Made available in DSpace on 2018-02-27T17:32:10Z (GMT). No. of bitstreams: 2 2017_RodrigoPaciosdeAndrade-Dissertação.pdf: 6982103 bytes, checksum: 76c3a95f13789e409f8733a747b1e280 (MD5) 2017_RodrigoPaciosdeAndrade_PRODUTO.pdf: 4027246 bytes, checksum: 3074c7d77a6f9796ca1458f5dda36cd1 (MD5) Previous issue date: 2018-02-27 / Neste trabalho, apresentamos uma proposta para inserção do estudo do Estado Plasma no Ensino Médio, com o propósito de atualização do currículo de física brasileiro. Para isso, lançamos mão dos conhecimentos comumente ensinados e, quando uma inovação se fez imperativa, procuramos demonstrar que existe uma simplificação coerente para o conteúdo, para que seja apresentada na mesma linguagem e formato pedagógico adotado para os outros estados físicos. A necessidade e importância dessa atualização é amplamente evidenciada, pelo que argumentamos como ela se encaixa na visão do futuro daquela ciência no Brasil, de acordo com o Ministério da Educação, a Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES) e a Sociedade Brasileira de Física (SBF). Incluídos na proposta, estão: (a) um método para anexação da transição de fase gás-plasma; (b) uma sugestão para cálculo da temperatura de ionização (em um plasma ideal); (c) um exemplo de aplicação contextualizada no espectrômetro de massa, por meio de roteiros de aulas planejadas de conformidade com a teoria de Robert M. Gagné, para a introdução qualitativa do conteúdo ao aluno; (d) dois experimentos sugeridos para a visualização do comportamento da matéria em estado plasma; e (e) um website para suporte ao professor e aluno para implementação dos temas deste trabalho. Todas as mudanças apresentadas foram pensadas de modo a minimizar o impacto no banco de horas das escolas. Apesar de não terem sido possíveis a aplicação e a avaliação completa desse trabalho, no tempo de sua produção, incluímos um questionário aplicado antes e após aulas por nós ministradas, com vistas à verificação da efetividade da aprendizagem, o qual nos proporcionou resultados encorajadores. / In this paper, we present a proposal for inclusion of the study of the state Plasma in High School, with the purpose of updating the Brazilian Physics curriculum. For this purpose, we used the commonly taught knowledge and, when an innovation became imperative, we try to demonstrate that there is a consistent simplification for the content so that it appears in the same language and teaching format adopted for other states of matter. The need and importance of this update is widely evident, thus we argue how it fits into the vision of the future of that science in Brazil, according to the Ministry of Education, the Higher Education Personnel Improvement Coordination (CAPES) and the Brazilian Physics Society (SBF). Included in the proposal, are: (a) a method for attaching the gas-plasma phase transition; (b) a suggestion for calculating ionization temperature (in an ideal plasma); (c) an example of contextualized application in the mass spectrometer, through lessons planned according to the theory of Robert M. Gagné, for the qualitative introduction of the subject to the student; (d) two experiments suggested to visualize the behavior of matter in the Plasma state; and (e) a website to support teacher and student in the implementation of the themes of this paper. All changes offered were designed to minimize the impact on class time required of schools. Despite not having been possible to apply a complete implementation and evaluation of this work during the timeframe of the it’s production, we have included a questionnaire administered before and after the class for us given, aiming to verify the effectiveness of learning happened, which gave us promising results.

Orientador: Prof. Dr. Vitoldo Swinka Filho / Dissertação (mestrado) - Universidade Federal do Paraná, Setor de Tecnologia, Programa de Pós-Graduação em Engenharia e Ciência dos Materiais - PIPE. Defesa: Curitiba, 24/08/2012 / Inclui referências / Área de concentração: Engenharia e ciência de materiais / Resumo: Neste trabalho é mostrado a construção e a caracterização elétrica de um sistema "plasma focus" para a geração de raios X. Foi construído com uma célula de material acrílico de formato cilíndrico com um eletrodo central de cobre (ânodo), doze eletrodos periféricos de aço (cátodo) e duas conexões, uma para controle do vácuo e outra para injeção do gás de trabalho. No arranjo experimental do sistema foram integrados os equipamentos de vácuo, capacitor, fonte de alta tensão, ponta de prova de alta tensão, sensor de corrente, sensor de corrente tipo bobina de Rogowski, chave spark gap e sistema de aquisição de dados. Para o funcionamento do sistema e caracterização elétrica da célula construída, um capacitor, com energia previamente armazenada, foi rapidamente chaveado nos eletrodos da célula. A descarga do capacitor começa na base do eletrodo central (ânodo), onde há um isolador, de forma multifilamentar e simétrica gerando um campo magnético. Este impulsiona o plasma até o final do ânodo onde é submetida uma fase conhecida como colapso. A caracterização permitiu a determinação e análise dos parâmetros elétricos do sistema. Palavras-Chave: Sistema "plasma focus"; Geração de raios X; Caracterização elétrica da célula construída; Parâmetros elétricos do sistema. / Abstract: In this work it is shown the construction and electrical characterization of a system plasma focus system for X-ray generation. The system has the Mather's type geometry. It was built with an acrylic cell with cylindrical form with a central electrode (anode), twelve peripherals steel electrodes (cathode) and with two connections, one for air removal and another for gas injection. The experimental setup is integrated equipment composed of the vacuum system, capacitor, high voltage power supplies, passive high-voltage probes, current transformers, current transformers (Rogowski's coil type), spark gap key and acquisition system. The electrical characterization was made by a capacitor with energy previously stored and rapidly switched in the electrode's cell. The discharge started at the base of the central electrode (anode), where there is an insulator, of the continuous form and symmetric generating a magnetic field. This plasma boosted until the end of anode in which was subjected a phase that's known collapse. The characterization and analysis allowed the determination of electrical parameters of the system. Key Words: Plasma focus system; X-ray generation; Electrical Characterization of the cell constructed; Electrical parameters of the system

Resumo: Filmes finos polimerizados a plasma apresentam várias aplicações nas indústrias óticas, elétrica, mecânica de alimentos, de biomateriais entre outras, devido suas interessantes propriedades químicas e físicas. No entanto, as aplicações para os filmes finos podem ser limitadas em função de algumas de suas características mecânicas e de superfície. Neste trabalho, filmes finos poliméricos foram depositados por radiofrequência a partir de plasmas de hexametildissilazano mantido a baixa pressão. Posteriormente, foram implantados íons de argônio, hélio e nitrogênio nestes filmes através da implantação iônica por imersão a plasma (IIIP). Após os tratamentos, os filmes finos provenientes da polimerização a plasma do hexametildissilazano apresentaram modificações em suas estruturas moleculares e composição química através das análises infravermelha e XPS. O XPS revelou um aumento nas concentrações de oxigênio e decréscimo de carbono e nitrogênio. Este fato indica aumento no nível e entrelaçamento, ramificação e reticulação das cadeias poliméricas para todos os íons implantados. Verificou-se também que a IIIP promoveu mudanças na molhabilidade com variações nos ângulos de contato de 100° para 10°; alterações nos índices de refração entre 1,65 a 2,10; modificações na dureza e módulo elástico de 0,8 a 3,3 GPa e 6,0 a 52,0 GPa respectivamente, assim como redução na taxa etching de 34,0 para 20,0 Å/min. / Abstract: Plasma polymerized thin films have many applications in optical, electrical, mechanical, food, biomaterial industries among others, due to their interesting chemical and physical properties. Polymer thin films applications, however, can be limited because of some mechanical and surface characteristics. In this work, thin polymer films were deposited from radiofrequency plasmas of hexamethyldisilazane at low pressure. Then, these films were implanted with argon, helium and nitrogen ion, by plasma immersion ion implantation (PIII). After the treatments, plasma polymerized hexamethyldisilazane thin films presented modifications in their molecular structure and chemical composition by infrared and XPS analysis. XPS revealed an increase in the oxygen, decrease in nitrogen and carbon concentrations. This fact indicates increased crosslinking of the polymeric chains of all implanted ions. It was also verified that a PIII caused modification in wettability, changing the contacts angles from 100° to 10°. Modifications were also observed in the refractive index from 1,65 to 2,10; in hardness and in the elastic modulus from 0,8 a 3,3 GPa and 6,0 to 52,0 GPa respectively. The study showed a decrease in etching rate from 34,0 to 20,0 Å/min. / Orientador: Rogério Pinto Mota / Coorientador: Deborah Cristina Ribeiro Santos / Banca: Roberto Yzumi Honda / Banca: Elson de Campos / Banca: Emerson Ferreira de Lucena / Banca: José Roberto Ribeiro Bortoletto / Doutor

Orientador: Roberto Yzumi Honda / Banca: Rogério Pinto Mota / Banca: Luiz Angelo Berni / Resumo: Filmes poliméricos obtidos ou processados a plasma têm sido objeto de muita pesquisa, devido às suas características peculiares que os tornam promissores e por vezes únicos em diversas aplicações tecnológicas e industriais. Este trabalho apresenta os resultados de um estudo que objetiva a investigação da evolução temporal do perfil topográfico de superfície de filmes produzidos por processos a plasma a partir do Acetileno. São apresentados resultados sobre a estrutura molecular e propriedades como rugosidade e molhabilidade dos filmes poliméricos. O experimento foi realizado num reator a plasma, cilíndrico de pyrex, excitado indutivamente por rádio-freqüência. O plasma foi gerado a partir do monômero Acetileno numa pressão de 100mTorr, excitado por uma rádio-freqüência (13,56MHz) à 35W de potência. Deposições foram realizadas sobre substratos de InP com dois tipos de perfis de superfície: com padrão bem definido e sem definição. Para caracterização dos filmes foram utilizadas diferentes técnicas de diagnósticos: espectroscopia infravermelha para o estudo da estrutura molecular, medida de ângulo de contato e energia de superfície através de um goniômetro e microscopia de força atômica (AFM) para o estudo de topografia de superfície dos filmes. Os resultados indicaram que a estrutura dos filmes permaneceu constante independente do tempo de deposição. O caráter hidrofílico dos filmes foi mantido ao longo do tempo, com o ângulo de contato medido em torno de 50º. A microscopia 15 (AFM) mostrou as estruturas nanométricas da superfície dos filmes e ainda a rugosidade e a espessura dos mesmos. A constância média no valor do ângulo de contato medido e a constância da estrutura química dos filmes sugerem que a rugosidade da superfície dos mesmos seja também constante. Esta influência é comprovada pelas imagens e... (Resumo completo, clicar acesso eletrônico abaixo). / Abstract: Considerable efforts have been made by the internacional community to study plasma polymeric films motivated by interesting features of these films in technological and industrial applications. The present work reports the investigation on the time evolution of topographic profile of the surface of films produced by plasma processing with Acetylene. The results on the study of molecular structure and properties such as roughness and wettability were reported as well. The experiment was performed in a cylindrical Pyrex plasma reactor in inductively coupled configuration. The plasma was generated in Acetylene at 100mTorr with a 35W power supply connected to a circular antenna around discharge tube. Depositions were performed on InP substrate with a well defined and undefined profile patternof the surface. To characterize the films, different techiniques were applied: Fourier Transform Infrared Spectroscopy to study molecular structure, goniometer to measure contact angle and surface energy and Atomic Force Microscopy (AFM) to study the topography of the films. The results indicated that the structure of the films were the same, i.e., independent of the time used to produce the film. High hydrophilic films were obtained with contact angle around 50º. The AFM showed the nanoscale structure of the films surfaces and values of film thickness as well. Approximate same value of contact angle and chemical strcture in the films suggested same roughness on its surface. This was conffirmated by observations with AFM. 17 The images of microscale structure of film surface shows that original topography of the substrate are reproduced on the film. In conclusion, polymeric thin films on the InP substrate produced with Acetylene plasma are hydrophilic for well defined and undefined profile pattern of substrate surface. They have also similar chemical... (Complete abstract, click electronic address below). / Mestre

Orientador: Attilio Jose Giarola / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-21T04:50:58Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Farias_RubemGoncalves_D.pdf: 4919440 bytes, checksum: b1de0f48bcc2c33d3a0d7ba634fc4899 (MD5) Previous issue date: 1996 / Resumo: A formulação para diferenças finitas no domínio do tempo (FDTD), aplicada a plasma magnetizado segundo direção arbitrária, é desenvolvida para aplicação em dispositivos dielétricos em duas (2D-FDTD) e três dimensões (3D-FDTD). A ênfase é dada no processo de cálculo iterativo da convolução entre o campo elétrico e o tensor susceptibilidade elétrica do plasma magnetizado. Também, são propostos diversos tipos de dispositivos para propagação de sinais na banda milimétrica. O método é aplicado a estruturas controladas por plasma. Este plasma pode ser induzido por um feixe áptico sobre uma película semicondutora, depositada sobre o guia. Neste caso, as características de propagação do guia são controladas por um feixe áptico com energia apropriada. Esse plasma também pode ser estabelecido em semicondutor por dopagem. Neste tipo de dispositivo, o núcleo do guia é totalmente preenchido com plasma. Nesta opção, a propagação dos campos de RF é controlada por um campo magnetostático. Alguns dispositivos com guias singelos e acoplados são analisados. Observa-se então a possibilidade de controle efetivo de fase e acoplamento, assim como o controle na faixa de operação de modo único, notadamente nos guias opticamente controlados. Devido à carência de dados na literatura especializada, são estabelecidos critérios para discretização graduada e rigorismo nos testes de convergências propostos. Diversos tipos de dados são utilizados para essa finalidade. Obtém-se, então, uma espécie de perfil de discretização, o qual é aplicado aos demais dispositivos / Abstract: A finite-difference in the time domain (FDTD) formulation is developed for plasmas magnetized along an arbitrary direction and applicable to two dimensions (2D-FDTD) and to three dimensions (3D-FDTD) dielectric devices. Emphasis is given to the iterative calculation of the convolution between the electric field vector and the electric susceptibility tensor of the magnetized plasma. Various types of devices are also proposed for the propagation of signals in the millimeter-wave band. The method is applied to structures controlled by plasma. This plasma may be induced by an optical beam applied to a semiconductor layer deposited on the waveguide. In this case, the propagation characteristic of the waveguide is controlled by an optical beam with appropiate energy. This plasma may also also be introduced in the semiconductor by means of doping. For these devices the waveguide core is completely filled with plasma. With this option the propagation of the RF fields is controlled by a static magnetic field. Some devices with single and coupled waveguides are analyzed. The possibility of an effective control of phase and coupling, as well as the operating bandwidth with a single mode was examined, particularly with optically controlled waveguides. Due to the lack of data in the specialized literature, gradual discretization criteria and rigorous tests of convergence are proposed. Various types of data are used to accomplish this objective. As a result, a kind of discretization profile is obtained and is applied to the remaining devices / Doutorado / Doutor em Engenharia Elétrica

Orientador: Jacobus Willibrordus Swart / Dissertação (Mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-07-21T18:44:46Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Mariano_WilliamCesar_M.pdf: 8050285 bytes, checksum: b662ea20a7144324df94f0a5d29c9944 (MD5) Previous issue date: 1996 / Resumo: Filmes dielétricos, são usados em um grande número de aplicações em componentes semicondutores. Várias técnicas de deposição auxiliadas por plasma vem sendo estudadas a fim de se conseguir materiais isolantes de qualidade que possam ser empregados no processo de fabricação de dispositivos. Neste trabalho, são realizadas deposições de dois filmes dielétricos distintos, com diferentes técnicas de deposição. Filmes de óxido de silício foram obtidos a partir da combinação de dois gases reagentes: silana (SiH4) e oxigênio (02) ou silana e óxido nitroso (N2O), com temperatura entre 300 e 600 °C, e a técnica de deposição química a fase vapor auxiliada por plasma remoto RPECVD, enquanto que os filmes de nitreto de silício foram obtidos a partir da combinação de silana e nitrogênio (N2), com temperatura entre 40 e 90°C e a aplicação da técnica de deposição química a fase vapor auxiliada por plasma e ressonância ciclotron de elétrons. Como características dos filmes, foram realizadas medidas de: taxa de deposição e corrosão, índice de refração e estequiometria. E finalmente, foi feito um estudo do comportamento das características como função dos parâmetros de processo. As melhores condições de processo foram determinadas. Filmes de óxido de silício com as seguintes características podem ser obtidos: taxa de deposição = 100 A/min, taxa de corrosão = 170 A/min, índice de refração = 1,465, estresse tensivo =1,2 x 1010 dyne/cm2 e estequiometria = 1,82. No caso dos filmes de nitreto de silício, as melhores características foram: taxa de deposição = 109 A/min, taxa de corrosão = 190 A/min, índice de refração = 1,995 e Si/N = 0,75 / Abstract: Dieletric films, are used in a large amount of applications in semicondutors devices. Several plasma enhanced deposition techniques have been studied in order to obtain insulating materiais with quality that can be employed in processes of manufacturing of devices. In this work, depositions of two different dieletric films are studied, with two different techniques. Silicon oxide films were deposited by combination of two reactant gases: Silane (SiH4) and Oxygen (02) or Nitrous Oxide (N2O), in a temperature range from 300 to 600°C and in a Remote Enhanced Plasma Chemical Vapor Deposition - RPECVD system. Silicon Nitride films were obtained by Silane and Nitrogen (N2), in temperature range from 40 to 90°C and in a Electron Cyclotron Resonance Remote Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, ECR - RPECVD system. The characterization of the films were: Deposition rate, Etching rate, Refractive index and Stoichiometry. Finally, the behavior of this characteristics versus process parameters were studied. The best processing conditions were determined Silicon oxide films with the following characteristics can be obtained: Deposition rate =100 Ã/min, Etch - rate = 170 Ãlmin, Refraction index = 1,465, Tensile stress = 1,2 X 1010 dyne/cm2 and Stoichiometry = 1,82. In the case of Silicon nitride, the best characteristics were: Deposition rate = 109 Ã/min, Etch rate = 190 Ã/min, Refraction index = 1,995 and Si/N = 0,75 / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador: Aruy Marotta / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-29T02:06:23Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Essiptchouk_AlexeiMikhailovich_D.pdf: 4980522 bytes, checksum: 85eaa62a34a4b1af35edcd62585b3aec (MD5) Previous issue date: 2001 / Resumo: Este trabalho consiste no estudo da erosão do catodo de cobre, eletrodo degrande importância para tochas de plasma de médias e altas potências. No segundo capítulo apresentamos uma solução téorica do problema de Stefan, aplicado à erosão do catodo. No terceiro capítulo é apresentado um estudo experimental sobre os parâmetros básicos da mancha do arco elétrico, o equivalente em volts do fluxo térmico no catodo e a densidade de corrente na mancha do arco. Em seguida, é realizado um estudo sobre a interrelação entre os parâmetros operacionais do arco elétrico, como a corrente, a voltagem entre os eletrodos, a velocidade do arco, a temperatura da superfície do eletrodo e o campo magnético externo. Estes resultados foram obtidos numa montagem experimental denominada nâo-estacionária, onde as medidas são feitas em função do tempo, com o catodo não - refrigerado. A erosão do eletrodo e sua correlação com os demais parâmetros do arco é estudada no último capítulo, numa montagem denominada estacionária, com o catodo refrigerado. O estudo realizado nesta tese deve proporcionar um melhor entendimento do fenômeno da erosão do catodo de cobre, assim contribuindo para uma maior difusão das tochas de plasma / Abstract: This work consists in the study of the erosion of copper cathode, which is of great importance for average and high power plasma torches. In the second chapter a theoretical solution for the Stefan problem is presented for the study of the erosion of the cathode. In the third chapter an experimental study is presented for the main arc spot parameters, the volt-equivalent of the arc spot heat flux and the arc spot current density. Following, a study on the relationships between the operational arc parameters, the current, the voltage, the arc velocity, the electrode temperature and the magnetic field are carried out. These results were obtained in an experimental setup, called non-stationary, where the measurements are carried out as function of time, with a non-cooled cathode. The electrode erosion and its relationship with the remaining arc parameters is carried out in the last chapter, in an experimental setup, called stationary, with a cooled cathode. The study carried out in this thesis should provide a better understanding of the copper cathode erosion phenomena, thus contributing to a wider use of plasma torches / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientador: Edmundo da Silva Braga / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-08-04T00:36:14Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Mologni_JulianoFujioka_M.pdf: 4845552 bytes, checksum: cea8b9624ecbac1f1ac9281fa2e3edd4 (MD5) Previous issue date: 2004 / Resumo: Desenvolvemos e caracterizamos um processo de fabricação de microponteiras de silício utilizando plasma de radiofreqüência (RF). Foram estabelecidos processos de corrosão iônica reativa (RIE) do silício e dióxido de silício em um reator de placas paralelas utilizando SF6 e a mistura gasosa SF6/O2. Foram caracterizadas as grandezas exigidas ao processo de fabricação, tais como taxa de corrosão, seletividade, anisotropia e qualidade da superfície, e foram comparadas a outros processos. Foram analisados e caracterizados os mecanismos de corrosão do processo desenvolvido. Microponteiras de silício com diferentes razões de aspectos foram caracterizadas e fabricadas utilizando a mistura gasosa em diferentes proporções. Os melhores resultados foram obtidos utilizando-se um plasma com uma concentração de 25% de oxigênio e 75% de hexafluoreto de enxofre / Abstract: We have developed and characterized a silicon microtip fabrication process using radiofrequency (RF) plasma. Reactive Ion Etching processes of silicon and silicon dioxide in a parallel plate reactor were established using SF6 and SF6/O2 gas mixture. The parameters of the fabrication process, such as the etch rate, selectivity, anisotropy and surface quality were characterized and compared with other processes. The etching mechanisms of the developed process were analyzed and characterized. Silicon microtips with different aspect ratios were fabricated and characterized using the gaseous mixture at different concentrations. The best results were obtained using plasma comprised of 25% of oxygen and 75% of sulfur hexafluoride / Mestrado / Eletrônica, Microeletrônica e Optoeletrônica / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador: Luiz Carlos Kretly / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-07-25T23:02:08Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Silva_NelmoCyriacoda_M.pdf: 4443890 bytes, checksum: e7445e48ea8055212013e5ab2e462713 (MD5) Previous issue date: 1999 / Resumo: A tecnologia descrita neste trabalho foi desenvolvida para obtenção de feixe de íons de Érbio usando um equipamento implantador de íons tipicamente voltado à aplicações em microeletrônica. O Érbio é um elemento químico fundamental, que quando da sua incorporação em substratos ópticos e/ou semicondutores, dá origem a radiação estimulada, essencial em dispositivos fotônicos. A implantação iônica do Érbio em contraste com a difusão apresenta as vantagens inerentes a este processo como por exemplo: perfil vertical, doses elevadas, processamento com baixa energia térmica entre outras. A tecnologia aqui detalhada, faz uso da fonte de íons original do equipamento e focaliza atenção na câmara de arco da fonte. Átomos de Érbio duplamente ionizados foram produzidos por um processo de sputtering enriquecido por plasma reativo e acelerados com a voltagem de 200kV, atingindo feixes com energias próximas de 400keV. Correntes de até 100mA foram obtidas o que resultam em doses da ordem de 1 x 1017cm-2 parâmetros estes, suficientes para fabricação de dispositivos fotônicos - optoeletrônicos planares / Abstract: The technology described herein is intended to produce Erbium beams, using typical ion implanter equipment normally used for microelectronics application. Erbium is a fundamental specie whose incorporation into optical or semiconductor substrates produces stimulated radiation that allows the fabrication of Photonics devices. The Erbium ion implantation in contrast to the diffusion process has all the inherent advantages of ion implantation i.e., high doses, vertical profiles, low thermal process among others. The procedure uses the same ion source of the original equipment (Standard or SKM Freeman type) and focuses on the placement of the Erbium material in the arc chamber. Currents up to 100mA were obtained, which implies that doses up to 1017 cm?2 could be reached at reasonable implantation period. Double ionized atoms of Erbium are produced by a reactive plasma enhanced sputtering process and accelerated with a voltage up to 200 kV reaching beams close to 400 keV. These parameters are compatible with those demanded by photonics devices / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica