Esta dissertação aborda tentativas e possibilidades, no contexto contemporâneo, da prática arquitetônica se estabelecer como prática crítica e, nesse processo, construir interlocuções com práticas artísticas que respondem a anseios comuns. Tomamos como foco de análise parte da produção teórica e prática desenvolvida pelo arquiteto Bernard Tschumi (1944- ), pensando-a e interpretando-a com o auxílio da reflexão e da produção elaboradas principalmente por dois artistas paradigmáticos, Gordon Matta-Clark (1943-1978) e Hélio Oiticica (1937-1980). Tais criadores se interessaram pela dimensão política e emancipatória das manifestações de arte ou de arquitetura que extrapolam seu campo específico de atuação e incorporam reflexões sobre comportamento, espaço, cidade e esfera pública. Assim podemos distinguir, no interior de trajetórias distintas com desdobramentos e coerências internas particulares, e através de um olhar que possui certa distância histórica, alguns pontos de contato que, apesar de indiretos, certamente não são inexpressivos. Evidenciam um repertório comum de idéias que foram compartilhadas por distintas manifestações estéticas na década de 1970, um momento histórico marcado pela vontade de transformação da realidade. Nessa ocasião, manifestações de arte e de arquitetura estabeleceram interlocuções através do desejo de participar de debates culturais mais amplos, que incluíam reconsiderações sobre o papel social da arte, sobre a noção de \"público\" e sobre o poder que poderia ser atribuído aos acontecimentos efêmeros. / This dissertation discusses attempts and possibilities to establish architectural practice as a critical practice within the contemporary context and, in this process, to build interlocutions with artistic practices that respond to common aspirations. Our analysis focuses on part of the theoretical and practical production developed by architect Bernard Tschumi (1944- ), considering and interpreting it based on the reflections and production created principally by two paradigmatic artists, Gordon Matta-Clark (1943-1978) and Hélio Oiticica (1937-1980). These artists were interested in the political and emancipatory dimensions of artistic or architectural manifestations extending beyond their specific field of expertise to incorporate reflections on behavior, space, the city, and the public sphere. Thus, within different trends with particular developments and internal coherence, viewed from a somewhat historical distance, one can distinguish several points of convergence that, albeit indirect, are far from insignificant. These points reveal a common repertoire of ideas that were shared by different aesthetic manifestations in the 1970s, a historical moment marked by the desire to transform reality. At the time, artists and architects established interlocutions upon demonstrating their desire to participate in broader cultural debates, which included reconsiderations about the social role of art, the notion of \"public\", and the power that could be attributed to ephemeral events.

O objetivo da tese é discutir e analisar filmes realizados entre 1967 e 1971 que, ainda no estrito campo do cinema, estabeleciam franco diálogo com as experiências mais recentes das vanguardas nas artes visuais. Os dois eixos da investigação se referem a produções de duas vertentes cinematográficas contemporâneas que se consolidaram em Nova York e no Rio de Janeiro sob os rótulos de \"Cinema estrutural\" e de \"Cinema marginal\", respectivamente. Ambas tendências, qualificadas como \"cinema experimental\", surgiam no rastro de vanguardas artísticas com fortes desdobramentos nas artes visuais, no que ficou conhecido como minimalismo nos Estados Unidos e o um \"pós-tropicalismo\" ou marginália no Brasil. Nos filmes que podem ser tomados como mais representativos desta relação - Wavelength (1967), de Michael Snow; Serene Velocity (1970), de Ernie Gehr; Mangue Bangue (1971), de Neville d\'Almeida e Lágrima-Pantera, a Míssil (1971), de Júlio Bressane - busca-se analisar as principais operações formais a partir de questões e posicionamentos provindos de tendências das artes visuais ao lado de discussões teóricas cinematográficas, principalmente aquelas relativas à vanguarda no cinema. No segundo eixo, aproxima-se as contemporâneas experiências de Hélio Oiticica no cinema e em demais meios audiovisuais. Acompanhada desta análise formal buscamos situar estas obras no percurso de seus autores e no contexto artístico e cultural no qual se inseriam. Propõe-se assim, ao final, observar os paralelos e contrastes entre essas experiências e as razões de suas descontinuidades. / The main purpose of the thesis is to discuss and analyse films from the late 60\'s and early 70\'s that, althought in the strict field of cinema, established a frank dialogue with the most recent experiences of the avant-garde. The two axes of the investigation refer to productions of two contemporary cinematographic strands that took place in New York and Rio de Janeiro known respectively as \"Structural film\" and \"Cinema marginal\". Both tendencies, usually considered in the same field of an \"experimental cinema\", emerged after and in direct association with the artistic avant-garde tendencies with strong ramifications in visual arts, like what became known as minimalism in the US and the \"post-tropicalism\" or marginália in Brazil. In the films that can be taken as the most representatives of this link - Wavelength (1967), by Michael Snow; Serene Velocity (1970), by Ernie Gehr; Mangue Bangue (1971), by Neville d\'Almeida and Lágrima-Pantera, a Míssil (1971), by Júlio Bressane - we seek to analyse its main formal operations based on questions and standings derived from contemporary visual arts tendencies next to theoretical discussions especifically cinematografic, especially those related to avant-garde cinema. On the second axis, the closeness with the contemporary experiences of Hélio Oiticica in film and in other audiovisual media is one of the focus. Accompanied by this formal analysis we also seek to situate these works in the path of their authors and in its artistic, cultural and political context in which they were placed. It is thus proposed, at the end, to observe the parallels e contrasts between these experiences and the reasons of their discontinuities.

A energia não adiabática do estado fundamental para o átomo de hélio é obtida com o formalismo adiabático hiperesférico (HAA). Curvas de potencial, acoplamentos não adiabáticos e funções de canal são calculados por um procedimento numericamente exato baseado em uma expansão analítica das funções de canal. As equações radiais acopladas são resolvidas por técnicas usuais. A convergência do procedimento é investigada conforme os acoplamentos não adiabáticos são sistematicamente introduzidos. Com a inclusão, pela primeira vez, de onze curvas de potencial e funções de canal obtém-se uma energia para o estado fundamental que difere do melhor cálculo variacional por 0.1 partes por milhão. As forças de oscilador para as transições discretas do hélio na \"length-form\" e \"acceleration-form\" também são calculadas. Concluímos que o HAA não está mais obstruído pela falta de uma prescrição para se obter funções de onda de precisão arbitrária para sistemas coulombianos. / The nonadiabatic ground state for the helium atom is obtained with the hyperspherical adiabatic approach (HAA). Potential curves, nonadiabatic couplings, and channel functions are calculated by a numerically exact procedure based on the analytical expansion of the channel functions. The coupled radial equations are solved by standard techniques. The convergence of the procedure is investigated as nonadiabatic couplings are systematically introduced. The inclusion, for the first time, of eleven potential curves and channel functions gives a groundstate energy that differs from the best variational calculation by 0.1 parts per million. The oscillator strength for the discrete helium transitions in the length-form and acceleration-form are also presented. We conclude that the HAA is no longer hampered by the lack of prescription for the obtainment of arbitrary precision wave functions for Coulombic systems.

Soluções não-adiabáticas em coordenadas hiperesférica para sistemas coulombianos de três corpos são apresentadas. Energias altamente precisas para o estado fundamental do hélio são obtidas, pela primeira vez, no método adiabática hiperesferico (HAA). Com a inclusão de somente três curvas de potencial e os correspondentes acoplamentos, precisão de partes por milhão foram obtidas. Concluímos que o HAA, usado exaustivamente para descrever semi-quantitativamente sistemas atômicos e moleculares, não está mais obstruído pela falata de prescrição para se obter funções de onda de precisão arbritária para sitemas coulombianos. / Non-adiabatic solutions for the Coulombic three-body systems in hyperspherical coordinates are presented. Highly accurated energies for the helium ground state are obtained, by the first time, in the hyperspherical adiabatic approach (HAA). With the inclusion of only three potential curves and the corresponding couplings, precision of parts per million have been achieved. We conclude that the HAA, exhaustively used to describe semi-quantitatively both molecular and atomic systems, is no longer more hampered by the lack of prescription for the obtainment of arbitrary precision wave functions for Coulombic systems.

Nesta tese são apresentados os resultados de um estudo sistemático à respeito da formação e evolução térmica de nanocavidades de He em Si cristalino. O efeito da formação de nanocavidades de He no aprisionamento de impurezas em Si foi estudado inicialmente em distintas condições de fluência, temperatura e direção de implantação. Após as implantações, as amostras foram tratadas termicamente a 800°C e analisadas por espectroscopia de retroespalhamento Rutherford em condição de canalização (RBS/C), análise de detecção por recuo elástico (ERDA), espectroscopia por emissão de íons secundários (SIMS) e microscopia eletrônica de transmissão (TEM). Os resultados experimentais mostraram que implantações de He a temperatura ambiente (Ti=Tamb) levam à formação de defeitos numa região intermediária entre a superfície e a camada onde as bolhas se formam (Rp/2), sendo 5x1015He+cm-2 a fluência mínima para a observação do fenômeno. Sua origem foi atribuída à formação de pequenas cavidades nesta região. O mesmo não é observado em implantações a Ti=350°C devido ao efeito do recozimento dinâmico dos defeitos. Estes resultados mostraram a necessidade de um estudo mais profundo a respeito dos efeitos da temperatura de implantação (Ti) na formação de bolhas em Si. Este estudo foi feito a partir de implantações de He no intervalo de temperatura entre -196°C e 350°C, sendo a fluência e a energia de implantação de 2x1016He+cm-2 e 40keV respectivamente. O efeito da proximidade à superfície foi estudado com implantações a 15keV. As amostras foram analisadas pelas mesmas técnicas referidas anteriormente. Para o caso de implantações feitas a 40keV com Ti<Tamb bolhas planas são formadas após recozimento a 400°C por 600s. Recozimentos a 800°C durante o mesmo tempo levam ao colapso das estruturas planas e à formação de um sistema de cavidades esféricas cujas características são dependentes dos estágios iniciais de implantação. No intervalo onde Ti>Tamb pequenas bolhas são formadas durante a implantação juntamente com defeitos estendidos do tipo {311}. A formação destes defeitos é atribuida ao mecanismo de formação das bolhas baseado na emissão de átomos auto-intersticiais de Si. Distintos regimes são observados após recozimento entre 400°C e 800°C por 600s. Para Ti≤250°C observa-se a dissolução do sistema de cavidades e defeitos devido à interação mutua entre os sistemas. Para Ti>250°C cavidades esféricas e anéis de discordância são observados após recozimentos a 800°C. Finalmente, se observou que a energia de implantação (15keV) não afeta a morfologia do sistema de bolhas e defeitos formados. Porém a perda de He é cinco vezes menor que no caso de amostras implantadas a 40 keV na mesma fluência. Um mecanismo baseado na difusão aumentada por danos de irradiação é sugerido neste trabalho.

Este trabalho apresenta os resultados de um estudo sistemático sobre as influências do tamanho de grão de filmes finos de Al e da implantação de íons de He sobre a evolução térmica de distribuições de átomos de Cu e formação de precipitados de Al-Cu. Filmes finos de Al depositados sobre substrato de SiO2/Si através de dois processos diferentes foram implantados com íons de Cu+ e He+ produzindo uma solução sólida supersaturada de Al-Cu (≈ 2,5 a 3,5 at. %) e nano-bolhas de He. Os valores de energia dos íons foram escolhidos de tal forma a produzirem uma camada rica em Cu e He na região a aproximadamente 100nm da superfície. Tais filmes foram tratados termicamente em alto-vácuo nas temperaturas de 200ºC e 280ºC por tempos de 0,5h e 2h. Os filmes foram analisados por Retroespalhamento Rutherford, para determinação do perfil de concentração dos átomos de Cu, e por Microscopia Eletrônica de Transmissão, para determinação da microestrutura do Al e dos sistemas de nano-partículas Al-Cu e Al-He. Os resultados experimentais mostraram que a evolução térmica da distribuição dos átomos de Cu e a formação de precipitados de Al-Cu são significativamente afetadas pela configuração e tamanho de grão do filme de Al e pelas implantações de He. O presente estudo mostrou que existe uma forte correlação entre o fluxo de vacâncias e a estabilidade da microestrutura de filmes finos de Al (Al/SiO2/Si) implantados com íons de Cu+ e He+ e tratados termicamente. A possibilidade de controlar os fluxos de vacâncias através de configurações da microestrutura dos filmes de Al é, portanto, um tema de grande interesse tecnológico relacionado a durabilidade das interconexões metálicas de dispositivos microeletrônicos.

É bem conhecido que técnicas experimentais que fazem uso de feixes iônicos induzem sobre a superfície dos alvos irradiados o depósito de diversos tipos de impurezas. Este depósito é causado pelas interações entre o feixe de íons, as moléculas de gás residual no interior das câmaras de irradiação e a superfície da amostra. Apesar do fato deste processo poder alterar significativamente os parâmetros de irradiações, bem como afetar a análise de materiais tratados, os parâmetros experimentais que influenciam na deposição das impurezas ainda não são bem conhecidos e nem o depósito se encontra suficientemente quantificado. No presente trabalho relatamos um estudo quantitativo da deposição de carbono sobre amostras de Si (100) irradiadas com feixes de He e H. A deposição de carbono foi determinada em função da fluência de irradiação, variando diversos parâmetros experimentais, tais como: pressão na câmara de irradiação, temperatura do alvo, densidade de corrente do feixe, energia do feixe e o estado da carga do íon. Em todos os casos a análise das amostras irradiadas foi feita pela técnica de Retroespalhamento de Rutherford em direção Canalizada (RBS/C) e através da reação nuclear ressonante 12C(a, a´)12C na energia de 4265 keV. Os resultados experimentais mostram que se consegue minimizar a deposição de C através: a) da redução do tempo de irradiação, b) da redução da pressão na câmara de irradiação, c) do aumento da temperatura do alvo durante a irradiação e d) minimização do poder de freamento do íon no alvo.

Made available in DSpace on 2016-06-02T20:15:17Z (GMT). No. of bitstreams: 1 1876.pdf: 1865255 bytes, checksum: 01feb184760f78e1b5d0565043db23c7 (MD5) Previous issue date: 2008-06-27 / Universidade Federal de Minas Gerais / In this work, structural and dynamic properties of a two-dimensional electron system trapped to helium film, deposited on a solid substrate, are determined through molecular dynamics simulation. The influence of the film thickness and type of substrate on those properties are analyzed in the numerical experiments. A special attention is given to dynamical structure factor that is used to obtain some important properties of this system, like dispersion and mobility of electrons. For the first time, the dynamic structure factor from interacting electron system is applied to the calculus of mobility, introducing a many body effect. / Neste trabalho, propriedades estruturais e dinâmicas de um sistema bidimensional de elétrons aprisionados sobre filme de hélio, depositado em substrato sólido, são determinadas via simulação por dinâmica molecular. A influência da espessura do filme e do tipo de substrato nestas propriedades são analisadas em experimentos numéricos. Atenção especial é dada ao fator de estrutura dinâmico que é utilizado para a obtenção de importantes propriedades deste sistema, como dispersão e mobilidade dos elétrons. Pela primeira vez, o fator de estrutura dinâmico de sistema de elétrons interagentes é aplicado no cálculo de mobilidade, introduzindo o efeito de muitos corpos.

Este trabalho apresenta os resultados de um estudo sistemático sobre as influências do tamanho de grão de filmes finos de Al e da implantação de íons de He sobre a evolução térmica de distribuições de átomos de Cu e formação de precipitados de Al-Cu. Filmes finos de Al depositados sobre substrato de SiO2/Si através de dois processos diferentes foram implantados com íons de Cu+ e He+ produzindo uma solução sólida supersaturada de Al-Cu (≈ 2,5 a 3,5 at. %) e nano-bolhas de He. Os valores de energia dos íons foram escolhidos de tal forma a produzirem uma camada rica em Cu e He na região a aproximadamente 100nm da superfície. Tais filmes foram tratados termicamente em alto-vácuo nas temperaturas de 200ºC e 280ºC por tempos de 0,5h e 2h. Os filmes foram analisados por Retroespalhamento Rutherford, para determinação do perfil de concentração dos átomos de Cu, e por Microscopia Eletrônica de Transmissão, para determinação da microestrutura do Al e dos sistemas de nano-partículas Al-Cu e Al-He. Os resultados experimentais mostraram que a evolução térmica da distribuição dos átomos de Cu e a formação de precipitados de Al-Cu são significativamente afetadas pela configuração e tamanho de grão do filme de Al e pelas implantações de He. O presente estudo mostrou que existe uma forte correlação entre o fluxo de vacâncias e a estabilidade da microestrutura de filmes finos de Al (Al/SiO2/Si) implantados com íons de Cu+ e He+ e tratados termicamente. A possibilidade de controlar os fluxos de vacâncias através de configurações da microestrutura dos filmes de Al é, portanto, um tema de grande interesse tecnológico relacionado a durabilidade das interconexões metálicas de dispositivos microeletrônicos.

É bem conhecido que técnicas experimentais que fazem uso de feixes iônicos induzem sobre a superfície dos alvos irradiados o depósito de diversos tipos de impurezas. Este depósito é causado pelas interações entre o feixe de íons, as moléculas de gás residual no interior das câmaras de irradiação e a superfície da amostra. Apesar do fato deste processo poder alterar significativamente os parâmetros de irradiações, bem como afetar a análise de materiais tratados, os parâmetros experimentais que influenciam na deposição das impurezas ainda não são bem conhecidos e nem o depósito se encontra suficientemente quantificado. No presente trabalho relatamos um estudo quantitativo da deposição de carbono sobre amostras de Si (100) irradiadas com feixes de He e H. A deposição de carbono foi determinada em função da fluência de irradiação, variando diversos parâmetros experimentais, tais como: pressão na câmara de irradiação, temperatura do alvo, densidade de corrente do feixe, energia do feixe e o estado da carga do íon. Em todos os casos a análise das amostras irradiadas foi feita pela técnica de Retroespalhamento de Rutherford em direção Canalizada (RBS/C) e através da reação nuclear ressonante 12C(a, a´)12C na energia de 4265 keV. Os resultados experimentais mostram que se consegue minimizar a deposição de C através: a) da redução do tempo de irradiação, b) da redução da pressão na câmara de irradiação, c) do aumento da temperatura do alvo durante a irradiação e d) minimização do poder de freamento do íon no alvo.