Together, colorectal (CRC) and bladder cancer (BlCa) are responsible for a large percentage of cancer related morbidity and mortality in Western society. A dramatic reduction in patient survival occurs as these cancers progress towards invasive and metastatic disease, from a five year survival rate of about 90% for localised disease to approximately 5-10% for advanced disease involving distant metastasis. A greater understanding of disease progression will lead to enhanced screening, diagnostic and treatment strategies, in turn providing an improved prognosis for the patient. The purpose of this study was to expand the current molecular knowledge of CRC and BlCa by elucidating the role of Mxi1 mutations and MTSS1 expression in CRC and BlCa respectively, and to examine the diagnostic potential of these genes. The Mxi1 coding region for 41 tumours, collected by the South Western Sydney Colorectal Cancer Tumour Bank from 2000-2001, was screened for mutations using Dideoxy Fingerprinting (ddF) and sequencing. Sequence alterations were detected in 34% of tumours. Three different polymorphisms and three mutations were detected. One mutation could possibly affect the tumour suppressor function of Mxi1. The presence of a gene mutation did not correlate to any clinical characteristics and is therefore not a suitable diagnostic marker. Microsatellite instability (MSI) status however, significantly correlated with tumour grade. Expression levels of MTSS1 and an associated gene, MTSS2, were examined in 16 BlCa cell lines, 9 clonally-derived BlCa sublines, and 30 transitional cell carcinomas (TCCs) collected by the Heinrich-Heine University from 1993-2000. Variable gene expression was observed in BlCa cell lines and tumour samples. No significant correlation of MTSS expression and invasive ability was observed for the cell lines or tumour samples. Further studies eliminated promoter methylation and p53 functional status as mechanisms involved in MTSS1 and MTSS2 down-regulation. Functional studies performed on stable MTSS1-expressing BlCa lines found that although migration was increased, cells displayed reduced anchorage-independent growth. The invasive ability of these cells was unchanged confirming that expression does not correlate with invasive ability. These data support the role of MTSS1 as a tumour suppressor and not as a metastasis suppressor gene. Although MTSS1 may not be useful in predicting more invasive disease, its role as a tumour suppressor in cancer may be useful.

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One of the untapped energy sources is the thermal energy available either from solar irradiance which is still not fully utilized or from the ambient heat temperature. Both resources share the nature of infrared (IR) radiation but with different range of wavelengths. The rectenna (rectifying antenna) concept is presented to harvest these IR radiations. The rectenna is simply an antenna connected to a diode. The diode has to be able to follow and rectify the ultra-fast received AC signal. This condition promotes the use of metal-insulator-metal (MIM) diodes due to their ultra-fast tunneling mechanism. The impedance matching between the diode an antenna is to be considered. The resistance practical ranges of both nano-antenna and MIM diode are generally far. The diode responsivity determines the MIM rectification capability. By building MIM diodes with multiple insulator layers the trade-off between the resistance and responsivity can be resolved. An optimization algorithm to select the qualified materials to build an MIIM diode with high responsivity and low resistance is introduced. A Ti-TiO2/ZnO-Al MIIM diode with ultra-thin oxide layers is fabricated. Also, a global optimization approach is carried out to maximize the impedance matching between the diode and the nano-antenna while improving the capacitance effect on the device’s cut-off frequency. The optimal results reveal a maximum coupling efficiency of 5.5%, a responsivity of 6.4 A/W, and a cut-off frequency of ~34 THz. A symmetric MIM metamaterial perfect absorber is introduced. The design has larger resistance than conventional nano-antennas. The near unity absorptivity is achieved through an optimization approach. A novel Chand-Bali nano-antenna that supports dual polarization and wide angle of reception is presented. The rectenna based on this nano-antenna is expected to achieve more than one magnitude of efficiency higher than ones fabricated in literature. / Thesis / Doctor of Philosophy (PhD)

Depuis plus de dix ans les capacités MIM (Métal Isolant Métal) sont des composants passifs largement intégrés au niveau des interconnections des puces de microélectronique. A cause de la miniaturisation et de la réduction de la surface des puces, la densité de capacité des capacités MIM doit être constamment augmentée. Une solution est l'utilisation d'un isolant avec une constante diélectrique élevée dit « high-k ». Pour les prochaines générations de condensateurs, des densités de capacité supérieur à 30 fF/µm² sont visées. L'oxyde de zirconium (ou zircone) a été sélectionné pour remplacer de l'oxyde de tantale actuellement utilisé. Il possède une constante diélectrique qui dépend de sa structure cristalline. Elle est respectivement de 17, 47 et 37 dans les phases monoclinique, quadratique et cubique. Il est donc nécessaire de déposer la zircone dans la phase quadratique. Cependant, les couches minces de zircone ne sont pas entièrement cristallisées dans la phase quadratique. De plus, elles ne répondent pas aux critères de fiabilité requis par la microélectronique. L'objectif de cette thèse est la stabilisation de la zircone dans la phase quadratique par le dopage. Le tantale et le germanium sont les deux dopants choisis grâce à une étude de sélection de matériaux. Des couches minces d'environ 8 nm de zircone dopée à différentes concentrations ont été réalisées par PEALD (Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition). Après les dépôts, des recuits à 400°C pendant 30 min ont été effectués afin de reproduire les traitements thermiques subis par les couches lorsqu'elles sont intégrées dans des puces de microélectronique. Plusieurs types de caractérisations ont été effectuées afin d'étudier l'influence des dopants sur la structure cristalline de la zircone mais aussi sur ses propriétés physico-chimiques. Des tests électriques sur des capacités MIM intégrées ont permis de mesurer les propriétés électriques des couches et la fiabilité de la zircone dopée a été évaluée. Ce travail a pour but la fabrication d'une capacité MIM planaire à base d'oxyde de zirconium dopée dont la densité de capacité sera supérieure à 30 fF/µm² pour des applications de découplage. / For more than ten years Metal-Insulator-Metal capacitors (MIM) have been integrated at the level of copper interconnections. All new technology nodes have led to a decrease of the surface of chips; capacitance density must be thus enhanced. The best solution is to use a material with a high dielectric constant commonly named “high-k”. For the next MIM capacitor generation, capacitance density has to be higher than 30 fF/µm². Tantalum oxide, currently used, has reached its limits and it must be replaced. Zirconium dioxide has a high dielectric constant of 47 in the tetragonal phase with a sufficient band gap for MIM applications. When deposited in thin films, zirconia is not fully crystalized in the tetragonal phase. Moreover, this pure zirconium oxide does not fulfill the reliability criteria. The aim of this work is to stabilize zirconia in its tetragonal phase by alloying it with other elements. Tantalum and Germanium are the two dopants selected thanks to a bibliographic study. Thin layers of zirconia of 8 nm alloyed with Tantalum and Germanium have been deposited by Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD). Samples were annealed at 400°C during 30 minutes after deposition to reproduce the thermal conditions that microelectronic chips are submitted to. Different characterization technics have been used to study the effect of dopants on zirconia's crystalline structure and its physic-chemical properties. Tests have been made on integrated MIM capacitors with Titanium Nitride electrodes to determine the electrical properties of the layers. Reliability of zirconia doped layers was also evaluated. The purpose of this work is the production of zirconia based planar MIM capacitor with a capacitance density of 30 fF/µm².

Le développement des mémoires dynamiques (DRAM) à haute performance basées sur la structure métal-isolateur-métal (MIM) nécessite de remplacer la couche de dioxyde de silicium par des matériaux diélectriques à haute permittivité diélectrique. L'utilisation de ces isolants dits high-k permet de réduire la taille du dispositif DRAM tout en conservant une densité de capacité élevée et un faible courant de fuite pour diminuer la fréquence de rafraichissement. Parmi les nombreux matériaux high k, le dioxyde de titane (TiO2) est l'un des candidats les plus prometteurs en raison de sa constant diélectrique relativement élevée pouvant atteindre 170 dans le TiO2 cristallisé en phase rutile. De plus, il est possible d’obtenir cette phase à basse température par le procédé ALD (< 250 °C) si le dépôt est réalisé sur un substrat RuO2 (phase rutile) grâce à une très faible différence de paramètres de maille entre les deux matériaux. L'objectif principal de cette thèse est d'étudier les mécanismes des réactions chimiques qui se produisant à l'interface RuO2/TiO2 lors du dépôt et leur influence sur les propriétés structurales et diélectriques du film TiO2, en particulier l'influence des espèces oxydantes, le plasma O2 et le H2O. L’influence des électrodes supérieure et inferieures sur les propriétés électriques et structurales de TiO2 a également été étudiée. Ensuite, la constante diélectrique, la conductivité ac et la tangente de perte des structures MIM à base d’oxyde de titane dopé aluminium ont été étudiés dans une gamme de fréquences large bande, de 1 Hz à 2 GHz. Enfin, la réalisation des MIM tridimensionnelles (3D) utilisant un substrat de silicium structuré en réseaux des trous coniques denses a été démontrée. Les structures MIM 3D réalisées ont permis d’augmenter sensiblement la densité de capacité tout en gardant de bonnes performances en termes de courant de fuite. / The development of high performance dynamic random access memory (DRAM) based on metal-insulator-metal (MIM) structure made it necessary to replace the conventional silicon dioxide layer by dielectric materials with high dielectric constants. The use of these so-called high-k insulators allows aggressive scaling of DRAM devices while keeping high capacitance density and, more importantly, low leakage current. Among the numerous high k dielectrics, titanium dioxide (TiO2) is one of the most attractive candidate due to its rather high dielectric constant (k). Rutile TiO2 is the interesting phase due to its high dielectric constant and the possibility to deposit this phase at low temperature by ALD (< 250 °C) by using RuO2 substrate thanks to a very small lattice mismatch between the two materials. The main objective of this thesis is to investigate the surface chemical reactions mechanisms at the RuO2/TiO2 interface and their influence on the ALD TiO2 film properties, especially the influence of oxidizing species, namely, H2O or O2 plasma. The influence of bottom and top electrode on electrical and structural proprieties of TiO2 MIM structure was also studied. Then, the dielectric constant, the ac conductivity and the loss tangent of aluminum doped titanium oxide are measured through a wide band frequency range, from 1 Hz to 2 GHz. Finally, the feasibility of three-dimensional (3D) MIM structures was studied by using dense array of truncated conical holes etched in a silicon substrate. The 3D MIM capacitors showed a large increase in the capacitance density while retaining very good electrical properties especially a leakage current comparable to planar MIM devices.

Les besoins de la microélectronique pour les condensateurs de type DRAM sont résumés dans la feuille de route ITRS (International Technology Roadmap for Semiconductors). Pour descendre en dessous du noeud technologique 22 nm, des performances électriques telles qu'une épaisseur d'oxyde équivalent (EOT) < 0.5 nm et un niveau de courant de fuite < 1.10-7 A/cm² à 0.8 V sont nécessaires. Ces performances sont difficiles à atteindre si l'on considère des oxydes standards largement utilisés tels que le SiO2, le Si3N4 ou l'Al2O3. Le dioxyde de Titane constitue un matériau diélectrique de choix pour ce type d'application si l'on considère sa forte constante diélectrique, la plus haute des oxydes binaires. Selon les conditions de croissance de la couche de TiO2, celle-ci peut se présenter sous forme amorphe ou posséder une structure cristalline appelé phase anatase ou phase rutile. Cette dernière présente une très forte constante diélectrique (90 à 170 selon l'orientation de la maille cristalline) et en fait un atout indéniable pour le développement de condensateur DRAM. Toutefois, cette phase rutile est aussi à l'origine d'un fort courant de fuite mesuré à partir des structures Métal - Isolant - Métal (MIM) associées. De ce fait, il est primordial de savoir contrôler ces courants de fuite tout en gardant la forte valeur de constante diélectrique de la phase rutile. Dans ce travail, nous proposons de travailler sur la croissance des couches minces de TiO2 intégrées dans des structures MIM et déposées sur des substrats différents tels que des électrodes de RuO2/Ru ou de Pt. La technique de dépôt employée pour les couches minces de TiO2 est la technique ALD pour son contrôle très précis de l'épaisseur déposée et sa souplesse d'utilisation pour ce type d'applications. Les propriétés physico-chimiques des couches de TiO2 et l'influence du substrat sur ces propriétés sont analysées. Des compositions différentes de diélectriques sont élaborées au moyen de la technique de dépôt par ALD et notamment des couches minces de TiO2 dopés à l'aluminium. Les propriétés électriques de ces couches sont étudiées afin de déterminer les performances électriques des structures MIM associées en termes de courant de fuite et de densité capacitive. / The requirements for future dynamic random access memory (DRAM) capacitors are summarized in the International Technology Roadmap for Semiconductors. For sub-22 nm node, performances like equivalent oxide thickness (EOT) < 0.5 nm and leakage current density < 1.10-7 A/cm² at 0.8 V are required but are difficult to meet. Titanium dioxide (TiO2) is an attractive dielectric material for such application regarding its high dielectric constant (k). Depending on its growth conditions, TiO2 can be prepared in amorphous, anatase or rutile phase. From the structural point of view, it is generally preferred that TiO2 remains amorphous throughout a complete technological process to minimize leakage transport along grain boundaries. However, the rutile phase exhibits very high dielectric constant ranging from 90 to 170, depending on the lattice orientation. Due to this high dielectric constant, TiO2 rutile phase is considered as a promising material for capacitors in future generations of Dynamic Random Access Memories (DRAMs). A key issue is how to control the high leakage current of rutile phase while keeping the highest dielectric constant in order to get the best electrical performances. In this work, we investigate the growth of high dielectric constant rutile TiO2 films in Metal - Insulator - Metal (MIM) structures deposited on different substrates such as RuO2/Ru or Pt electrodes using ALD (Atomic Layer Deposition). A study of physico-chemical properties of TiO2 layer and influence of bottom electrodes on TiO2's crystalline structure is proposed. Different compositions of dielectrics are processed using flexibility of ALD deposition technique, including Al-doped TiO2 layers and pure TiO2 layers. Electrical properties in terms of leakage current or capacitance density of MIM structures embedding that kind of dielectrics and comparison between these MIM structures in terms of electrical performances is proposed in order to determine the best dielectric film composition to meet the requirements for next generation of DRAM capacitors.

Les mémoires résistives ReRAM (ou memristors) sont destinées à remplacer les mémoires non volatiles Flash. Les ReRAM utilisent le changement de résistance d’une structure MIM (Métal-Isolant-Métal) soumise à un stress en tension. Jusqu’à présent, l’attention était focalisée sur les mécanismes qui régissent la commutation de résistance dans les dispositifs ReRAM. Moins d’attention a été accordée à la variation de capacitance, c'est-à-dire à la variation de capacité des structures MIM lorsque ces dernières sont soumises à un stress en tension. C’est sur ce dernier point que notre travail porte. Nous étudions la variation d’impédance (conductance et capacitance dans le domaine RF) dans des structures MIM à base de HfO2. Au-delà d’une tension seuil (Set) une diminution de la capacitance est observée, conjointement à une augmentation de conductance. Des cycles mémoires capacité-tension (C-V) et conductance-tension (G-V) sont obtenus de manière reproductible. Des caractérisations en fréquence (C-f et G-f), sous différentes polarisations continues, sont effectuées pour mieux comprendre les mécanismes de commutation de l’impédance. La diminution de capacitance dans l’état conducteur (ON) est attribuée au caractère inductif des filaments conducteurs formés pendant l’étape de Set. Les mécanismes de transport conduisant à l’apparition de ce caractère inductif sont discutés. Nous montrons également l’influence du procédé de dépôt (ALD) de HfO2 sur les caractéristiques C-V et G-V, ainsi que les modifications apportées par l’emploi d’une structure bicouche. Ce travail ouvre la voie à la réalisation de dispositifs à mémoire de capacitance (mem-capacitors), et plus généralement de composants à mémoire d’impédance (ZRAM). Le potentiel de ces dispositifs pour réaliser un filtre reconfigurable (programmable en tension) est démontré d’une manière pratique. / Resistive random access memories (ReRAM) hold great potential for replacing Flash memories. A ReRAM memory (or MEMRISTOR) uses a resistive switching phenomenon found in Metal-Insulator-Metal (MIM) structures under a voltage stress. Most researches were focused on the mechanisms governing the resistance switching in ReRAM devices and less attention has been paid to capacitance variation of MIM structures under a voltage stress. Our work is focused on that latter phenomenon. We study impedance variation (conductance and capacitance in the RF domain) in HfO2-based MIM structures. Above a threshold voltage (Set), concurrently to conductance increase, a decrease in the capacitance value is observed. Reproducible capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G-V) memory cycles are obtained. Frequency dependent characterizations (C-f and G-f), under different DC bias voltages, are performed with the aim of understanding the mechanisms of impedance switching. The capacitance decrease observed in the conducting (ON) state is attributed to the inductance of the filament created during the Set stage. Transport phenomena responsible for the filament inductive behavior are discussed. Impact of HfO2 deposition process (ALD), as well as the use of bi-layer structures, on C-V and G-V characteristics are shown. This work paves the way for the realization of new capacitance memory devices (mem-capacitors) and most generally for impedance memories (ZRAM). Potential of these devices to design reconfigurable filters (controlled by voltage bias) is demonstrated in a practical way.

L’objectif de ce travail est d’étudier les phénomènes de transport des solutés hors équilibre physique dans la ZNS des Calcaires de Beauce. Cette étude a été réalisée en deux parties, une partie laboratoire qui a consisté en la réalisation d’expériences d’élution sur colonnes non perturbées en régime permanent pour trois intensités de précipitation (4, 8, 16 mm/h) et en régime transitoire avec ou sans drainage, en condition non saturées. Les colonnes ont été prélevées dans deux faciès de la ZNS des Calcaires de Beauce : un faciès homogène et un faciès hétérogène. La seconde partie de cette étude a été réalisé in situ, avec des expériences de traçage au bromure (Br-) et de Bleu Brillant (BB) réalisées sur une fosse du site du Lycée de Saussaye (Chartres). Les expériences en régime permanent ont montré que les deux faciès n’avaient pas le même comportement face au transport de soluté. Les courbes de percée pour le faciès homogène s’expliquent par un modèle de transport de type convectif dispersif classique (CDE), alors les CP pour le faciès hétérogène s’expliquent par un modèle de transport de type eau mobile – eau immobile (MIM). Les expériences en régime transitoire ont montré que la concentration augmentait pendant le drainage des colonnes. Ce phénomène peut s’expliquer par une distribution de la concentration en fonction de la taille des pores. L’analyse des colonnes au microtomographe a montré que la présence d’une matrice limoneuse dans le calcaire favorisait le transport. Les expériences de traçage au Br- et BB sur le terrain ont montré que les faciès de calcaire sont très variables à l’échelle de quelques mètres. Les points d’échantillonnage les plus bas restituent en premier le traceur (Br-). Ce transport préférentiel s’explique par l’agencement des faciès, qui a un impact important sur la forme du panache observé de BB. Des digitations apparaissent lorsqu’un contraste de perméabilité et l’agencement des faciès engendrent des écoulements localisés rapides. Les phénomènes hors équilibre existent dans la ZNS du calcaire de Beauce et ont pour origine différents facteurs : la variation des conditions à la limite supérieur, l’état hydrique, l’hétérogénéité du milieu, tel qu’observé à l’échelle de la colonne, et le contraste de perméabilité et la présence de structures lithologique qui engendrent du transport préférentiel à l’échelle du terrain. / The purpose of this work is to study solute transport processes under physical non-equilibrium in the unsaturated zone of the Beauce limestone. This study has been divided into two parts, a laboratory part which consisted in conducting elution experiments with a steady state flow with three rainfall (4,8,16 mm/h) and under transient flow with or without drainage, in unsaturated structured columns. The columns have been sampled into two facies of the unsaturated zone of the Beauce limestone: a homogenous facies and a heterogenous facies. The second part of this study has been realized in situ, with tracing experiments realized on a pit dug at the site of the Lycée de Saussaye (Chartres). The experiments in a steady state regime showed that the two facies do not have the same behaviour regarding solute transports. The breakthrough curve (BTC) for the homogeneous facies is explained with a classical convection dispersion solute transport model. The BTC for the heterogenous facies could be explained only with the mobile-immobile water model. The experiments under transient flow showed a rise of concentration during drainage. This phenomenon could be explained by a heterogeneous distribution of concentration as a function of pore size. The tracing experiments with bromide (Br -) and Brillant Blue (BB) show that the limestone facies are very variable at the field scale. The lowest sampling points returned first the Br - tracer. This preferential transport could be explained by the facies layout which has an important impact on the shape of the observed distribution of BB. Digitations appear when permeability contrast and facies layout produce localised fast flows. Non-equilibrium phenomena exist in the unsaturated zone of the Beauce limestone and have different factors as origins: condition at the upper boundary limit, moisture condition, heterogeneity of the medium, as observed on columns, and contrast of permeability and lithological structures as observed at the field scale.

Submitted by Igor Matos (igoryure.rm@gmail.com) on 2017-02-09T15:08:15Z No. of bitstreams: 1 DISS_2015_Rayssa Duarte Marques Cabral.pdf: 2097959 bytes, checksum: 861794f749d9db4f65edef9bf13f2b8a (MD5) / Approved for entry into archive by Jordan (jordanbiblio@gmail.com) on 2017-02-10T10:36:00Z (GMT) No. of bitstreams: 1 DISS_2015_Rayssa Duarte Marques Cabral.pdf: 2097959 bytes, checksum: 861794f749d9db4f65edef9bf13f2b8a (MD5) / Made available in DSpace on 2017-02-10T10:36:00Z (GMT). No. of bitstreams: 1 DISS_2015_Rayssa Duarte Marques Cabral.pdf: 2097959 bytes, checksum: 861794f749d9db4f65edef9bf13f2b8a (MD5) Previous issue date: 2015-04-16 / CAPES / Esta dissertação tem como objeto de estudo a obra Feriado de mim mesmo (2005), do escritor brasileiro contemporâneo Santiago Nazarian. Tendo em vista a produção recente, o presente trabalho visa a contribuir para a formação da crítica literária acadêmica do autor, bem como refletir sobre a literatura contemporânea e a contemporaníssima, os escritores recém-chegados das Gerações 90 e Zero Zero e seu processo de canonização; além de tratar do extremo da individualização, ao que chamamos de “umbiguismo solipsista”, fazendo uma reflexão sobre o gênero romance e seus protagonistas cada vez mais introspectivos. A análise crítica da obra contou com certo aparato da Psicanálise, por meio da utilização de conceitos como “estádio do espelho”, “consciente”, “inconsciente” e “pequeno outro” e “grande outro”, para preencher e esclarecer certas lacunas deixadas na narrativa. Para tanto, optou-se pela apresentação da análise por meio da apresentação pormenorizada do enredo que foi linearmente, recontado e, quando cabível, interrompido por esta pesquisadora. / This dissertation has as study object the book Feriado de mim mesmo (2005), by the contemporary Brazilian writer Santiago Nazarian. Considering the recent production, this paper aims to contribute to the formation of the author’s academic literary criticism, and also to reflect on contemporary literature and “the most contemporary” literature, the newcomers writers of 90s and Zero Zero generations and their process of canonization; to treat the extreme individualization, to what we call “umbiguismo solipsista”, making a reflection on the romance genre and its protagonists increasingly introspective. The critical analysis of the work took some apparatus of psychoanalysis, by the use of concepts such as “mirror stage”, “aware”, “unconscious” and “small other” and “big other”, to fill gaps and clarify certain left in the narrative. Therefore, we opted for the presentation of the analysis through detailed presentation of the plot that was linearly recounted and, when appropriate, interrupted by this researcher.