Le but de cette thèse était de caractériser et d’aider au développement des premières mémoires résistives verticales (VRRAM) fabriquées au LETI. Parmi les mémoires émergentes, les mémoires résistives (ReRAM) semblent prometteuses en termes de miniaturisation, de vitesse de commutation, de coût et de simplicité d’intégration. Comme pour les mémoires FLASH, qui ont déjà atteint leur limite physique en terme de miniaturisation, les mémoires résistives ont déjà été étudiées dans une géométrie verticale pour proposer des solutions qui maximisent la densité. Au début de ce travail on a étudié des échantillons 1R pour avoir une compréhension générale du fonctionnement et faire un balayage des matériaux et des épaisseurs. Une fois identifiées les configurations optimales, les mémoires ont été intégrées dans des structures 1T-1R pour pouvoir les étudier d’une manière plus industrielle. Les mémoires 1R ont été intégrées dans des structures MESA et celles 1T-1R ont été intégrées dans des structures MESA et VIA. Dans les deux cas le point mémoire se trouve dans les flancs de la structure ; il était particulièrement compliqué de déposer l’électrode supérieure. Les dispositifs ont été caractérisés électriquement afin d’obtenir les informations suivantes : résistance initiale, tension de formation, set et reset, temps de commutation, états de haute et basse résistivité, endurance et temps de rétention. Ces informations ont permis d’évaluer les VRRAM comme un possible candidat de mémoire non-volatile. Les dispositifs ont démontré une endurance de 107 cycles pour un courant de SET de 300µA, plus de 105s de temps de rétention pour un courant de SET de 100µA à 200 C et un temps de commutation de 20ns. Le courant de SET a été réduit jusqu’à 7µA, les mémoires montrant alors une capacité de commutation. Pour des courants si faibles les tests de data rétention ont démontré que le filament conducteur (CF) n’est pas stable. Les résultats expérimentaux étaient en accord avec ceux obtenus sur une technologie planaire en démontrant que la géométrie verticale n’a pas d’effet majeur sur le fonctionnement des mémoires. Ensuite des mémoires à 2 niveaux ont été fabriquées. Ces dispositifs étaient importants pour faire des tests qui donnaient des informations utiles pour une future intégration à haute densité. Les structures à 2 niveaux ont été comparées en termes de tensions de commutation et de résistance pour vérifier la reproductibilité de la technologie sur les flancs de la structure verticale. Des tests de « disturb » ont été également effectués pour vérifier que le cyclage sur un niveau n’influence pas le niveau non sélectionné. Une autre partie de la thèse était dédiée à l’étude physique du comportement du CF pendant le cyclage. Cette étude a montré qu’il y a une corrélation parmi les résistances pendant le cyclage. Pour expliquer ce phénomène des modèles analytique et physique ont été développés. Les deux modèles sont basés sur l’hypothèse que pendant le cyclage il y a un paramètre qui dépend des valeurs aux cycles précédents. Pour le modèle analytique le paramètre était la résistance même, alors que pour le modèle physique le paramètre était le gap du CF (LGAP). Les deux modèles montrent un bon accord avec les données expérimentales en indiquant que la morphologie du CF à un cycle donné dépend de la morphologie des cycles précédents. Une autre partie du travail était dédiée à l’étude pour les applications haute densité : en partant des résultats électriques sur les dispositifs à 2 niveaux et en supposant avoir un sélecteur intégré, on a calculé la taille maximum des matrices qu’on peut obtenir en fonction des différents paramètres d’intégration. Enfin on a travaillé sur les applications neuromorphiques où un pilier de VRRAM a été proposé comme émulateur de synapse. Les VRRAM peuvent émuler les synapses de 2 manières, soit en utilisant la probabilité intrinsèque des ReRAM ou en programmant chaque cellule du pilier avec un circuit extérieur. / The scope of the thesis was to characterize and help further development of the first LETI-fabricated vertical resistive RAM (VRRAM). Among emerging memories Resistive RAMs (ReRAM) seems promising in terms of scalability, switching speed, fabrication costs and ease of production. As in the case of FLASH devices, which are attaining their physical limits in terms of scalability, resistive memories are already being studied in vertical geometry in order to propose solutions that maximize memory density. This work proceeded as follows: at first 1 Resistor (1R) devices were characterized to gain a general understanding of the memory cells functioning and to perform the first screening in terms of stack composition and thicknesses. Once the best configurations were identified 1 Transistor- 1 Resistor (1T-1R) devices were integrated in order to assess memory performances in an industrial-like fashion. 1R devices were integrated in a MESA structure while 1T-1R devices were integrated in both MESA and VIA architectures. In both architectures the memory cell is found on the sidewall of the structure; particularly challenging was the deposition of the top electrode. Devices were electrically characterized to extract the following information: initial resistance, forming, set and reset voltages, switching times, high and low resistance states (HRS and LRS) resistances, endurance characteristics and data retention times. This set of measurements allowed to extensively study the capability of VRRAM as a non-volatile memory candidate. It was shown that HfO2-based VRRAM have 107 endurance capability for a set current (ISET) of 300 [µA], more than 105 [s] data retention for a SET current of 100 [µA] at 200 [˚C] backing temperature and down to 20 [ns] switching time. ISET was also reduced down to 7 [µA] and memory cell showed switching capability although the conductive filament (CF) resulted unstable after data retention tests. Experimental results obtained were in accordance with previous studies conducted on planar devices showing that vertical geometry did not have a significant effect on memory behavior. Finally 2-level memory devices were fabricated. These samples were really useful to perform important tests for future high density integration: the 2 level devices were compared in terms of switching voltages and resistances to verify the reproducibility of the integration along the sidewall of the structure. Disturb tests were carried out to be sure that write/erase operations on one level did not influence the state of the un-selected level. Another part of the thesis was dedicated to the physical investigation of the conducting filament behavior during cycling. This study showed that a correlation exists among resistances while cycling. In order to explain these measurements both analytical and physical models were proposed. Both rely on the assumption that there is a parameter during cycling that is related to its previous values; in the case of the analytical model this parameter is simply the resistance while in the physical model the parameter is the CF gap (LGAP). Both models show good fit with experimental data suggesting therefore that at any given cycle the morphology of the conductive filament is dependent on the morphology during the previous cycles. Another part of the thesis was also dedicated to a study on high density applications:starting from the electrical results obtained on 2-level VRRAM and supposing to work with an integrated selector the maximum array size attainable was calculated as a function of various parameters such as the node half pitch, the plane thicknesses and the number of integrated levels. Finally neuromorphic applications were investigated and a VRRAM pillar was proposed as a synapse emulator. VRRAMs can act as synapses in two ways: using the intrinsic probability of the ReRAM technology or programming each VRRAM cell in the pillar with a probability given from an external circuit.

This dissertation examines the representation of aesthetic objects in contemporary Francophone literature and cinema, with special attention to Francophone African countries, particularly Senegal and Mauritius, and their diasporas. I focus on a range of objects, such as photos, the camera, paintings, personal accessories, and the body, which, I argue, function as a metaphor for the creative process. These ‘objects’ have a deep link with the character’s inner life and enable a process of healing and remembering. Chapter 1 explores the representations of the female body in Ananda Devi, Magali Marson, and Isabelle Boni-Claverie, and how it becomes an artistic ‘map’ where characters renegotiate their sexuality, thus renewing notions of gender, pleasure and power dynamics. In chapter 2, drawing on the metaphor of the body as a creative space, I investigate the problematics of belonging, gaze and characters’ relation to the Other in the films The Cathedral (2006) by Harrikrishna Ananden and Tey (2016) by Alain Gomis, and in the novel Infrarouge (2010) by Nancy Huston. Chapter 3 explores what Walter Benjamin defined as ‘historical objects,’ respectively in Moufida Tlatli’s La saison des hommes (2001), Amatal Sewothul’s Made in Mauritius (2012) and Khaled Osman’s La colombe et le moineau (2016), which revisit concepts of History, national identities and gender dynamics. My last and forth chapter analyzes the representation of dead, fragmented and unidentified bodies-objects as a metaphor and a medium for representing migration crisis in contemporary Francophone and Italian novels and visual texts, such as Les Irréguliers (2016) by Patrick Autréaux, Ceux du large (2018) by Ananda Devi, Terraferma (2011) by Emanuele Crialese, Les fantômes de la mer (2016) by Bruce Clarke and The mapping journey project (2011) by Bouchra Khalili, among others. Revisiting the notion of the object itself, which becomes both a subject and content of the artistic process in the texts analyzed, my dissertation explores anew the representations of bodies, memories, displacements and borders, be they geographical, social or textual. My conclusion reflects on the aesthetic process that these objects generate as materializations of memories, identities, and H/histories.

IMPLICATIONS OF JEWISH DIVORCES THAT BECAME CAUSES CÉLÈBRES: THE REFORM OF JEWISH STATUS AND JURIDICAL CENTRALIZATION Suzette Blom Advisor: University of Guelph, 2012 Professor William Cormack This dissertation examines the reform of Jewish status in France in the eighteenth century in connection with the monarchy's impetus to centralize juridical authority. In particular it focuses on how litigating divorces in sovereign courts affected Jewish civil status. This study suggests a new perspective on events leading up to the decrees of 1790 and 1791 that granted the Jews active citizenship and the legalization of divorce in 1792. It examines the extent of the role that making Jewish divorce subject to secular national courts played in the acceptance of Jews as citizens. It concludes that Jewish divorces which attracted public attention as causes célèbres enhanced the role of the Jews in the larger process of juridical centralization and added a new dimension to the construction of a French identity. It further concludes that the reform of Jewish status was part of the erosion of traditional religious values and the growth of ideals of individualism. The principal manifestation of this process was the attempt to develop a uniform legal code for both the public and private spheres. This change included calls for the dissolution of marriage which was prohibited in France for all groups other than Jews as a result of the influence of the Church. This analysis relies on published mémoires judicaires for Jewish divorces that became causes célèbres. These mémoires reflected the changing attitudes towards the patriarchal concept of authority symbolized by indissoluble marriage, the erosion of corporate autonomy for the Jews and the reform of Jewish status. This analysis also relies on the correspondence and memoires of sovereign administrators, reformers and Jewish leaders which reflected the divisiveness of political and social opinion regarding the restructuring of authority. Little study has been done on the litigation of Jewish divorce in sovereign courts as an aspect of juridical centralization. Yet the mémoires judicaire of the Peixotto and Levy cases provide excellent case studies of the evolution in attitudes toward divorce and the acceptance of Jews as French subjects. Although there has been considerable scholarship to support the idea that the events of the French Revolution were grounded on the developments and reforms of previous decades, this analysis demonstrates that juridical centralization played a more critical role than has previously been considered.

The aim of the thesis is to reflect on selected modernization reforms of Reza Shah in the first period of the Pahlaví dynasty (1925-1941) from the point of view of women who studied, started families and tried to work in this period. The basic source is women's memoirs published in 2018 in Iran, by Noushin Ahmadi Khorasani. The thesis examines the reaction of women to the Shah's reforms, the consequences of social changes and, more generally, a role these women played in the process of modernization of Iran. The reforms that the work focuses on are related to the position of women in society and have had an immediate impact on their lives: for example, amendments to family laws, education, job opportunities, social activities and the type of clothing. The work is divided into two parts. The theoretical part examines the political and economic background of Iran in the second half of the 19th century and in the early 20th century until the 1940s. It also discusses Reza Shah's government and its plans and reforms for modernizing Iran, and finally the living conditions of Iranian women during this period. It describes the conditions in which they lived, what limitations they faced and what activities they engaged in. In the practical part, it examines in detail the reforms of Reza Shah in the field of...

The aim of the thesis is to reflect on selected modernization reforms of Reza Shah in the first period of the Pahlaví dynasty (1925-1941) from the point of view of women who studied, started families and tried to work in this period. The basic source is women's memoirs published in 2018 in Iran, by Noushin Ahmadi Khorasani. The thesis examines the reaction of women to the Shah's reforms, the consequences of social changes and, more generally, a role these women played in the process of modernization of Iran. The reforms that the work focuses on are related to the position of women in society and have had an immediate impact on their lives: for example, amendments to family laws, education, job opportunities, social activities and the type of clothing. The work is divided into two parts. The theoretical part examines the political and economic background of Iran in the second half of the 19th century and in the early 20th century until the 1940s. It also discusses Reza Shah's government and its plans and reforms for modernizing Iran, and finally the living conditions of Iranian women during this period. It describes the conditions in which they lived, what limitations they faced and what activities they engaged in. In the practical part, it examines in detail the reforms of Reza Shah in the field of...

Ce travail présente les principaux résultats obtenus avec une large gamme de dispositifs SOI avancés, candidats très prometteurs pour les futurs générations de transistors MOSFETs. Leurs propriétés électriques ont été analysées par des mesures systématiques, agrémentées par des modèles analytiques et/ou des simulations numériques. Nous avons également proposé une utilisation originale de dispositifs FinFETs fabriqués sur ONO enterré en fonctionnalisant le ONO à des fins d'application mémoire non volatile, volatile et unifiées. Après une introduction sur l'état de l'art des dispositifs avancés en technologie SOI, le deuxième chapitre a été consacré à la caractérisation détaillée des propriétés de dispositifs SOI planaires ultra- mince (épaisseur en dessous de 7 nm) et multi-grille. Nous avons montré l'excellent contrôle électrostatique par la grille dans les transistors très courts ainsi que des effets intéressants de transport et de couplage. Une approche similaire a été utilisée pour étudier et comparer des dispositifs FinFETs à double grille et triple grille. Nous avons démontré que la configuration FinFET double grille améliore le couplage avec la grille arrière, phénomène important pour des applications à tension de seuil multiple. Nous avons proposé des modèles originaux expliquant l'effet de couplage 3D et le comportement de la mobilité dans des TFTs nanocristallin ZnO. Nos résultats ont souligné les similitudes et les différences entre les transistors SOI et à base de ZnO. Des mesures à basse température et de nouvelles méthodes d'extraction ont permis d'établir que la mobilité dans le ZnO et la qualité de l'interface ZnO/SiO2 sont remarquables. Cet état de fait ouvre des perspectives intéressantes pour l'utilisation de ce type de matériaux aux applications innovantes de l'électronique flexible. Dans le troisième chapitre, nous nous sommes concentrés sur le comportement de la mobilité dans les dispositifs SOI planaires et FinFET en effectuant des mesures de magnétorésistance à basse température. Nous avons mis en évidence expérimentalement un comportement de mobilité inhabituel (multi-branche) obtenu lorsque deux ou plusieurs canaux coexistent et interagissent. Un autre résultat original concerne l'existence et l'interprétation de la magnétorésistance géométrique dans les FinFETs.L'utilisation de FinFETs fabriqués sur ONO enterré en tant que mémoire non volatile flash a été proposée dans le quatrième chapitre. Deux mécanismes d'injection de charge ont été étudiés systématiquement. En plus de la démonstration de la pertinence de ce type mémoire en termes de performances (rétention, marge de détection), nous avons mis en évidence un comportement inattendu : l'amélioration de la marge de détection pour des dispositifs à canaux courts. Notre concept innovant de FinFlash sur ONO enterré présente plusieurs avantages: (i) opération double-bit et (ii) séparation de la grille de stockage et de l'interface de lecture augmentant la fiabilité et autorisant une miniaturisation plus poussée que des Finflash conventionnels avec grille ONO.Dans le dernier chapitre, nous avons exploré le concept de mémoire unifiée, en combinant les opérations non volatiles et 1T-DRAM par le biais des FinFETs sur ONO enterré. Comme escompté pour les mémoires dites unifiées, le courant transitoire en mode 1T-DRAM dépend des charges non volatiles stockées dans le ONO. D'autre part, nous avons montré que les charges piégées dans le nitrure ne sont pas perturbées par les opérations de programmation et lecture de la 1T-DRAM. Les performances de cette mémoire unifiée multi-bits sont prometteuses et pourront être considérablement améliorées par optimisation technologique de ce dispositif.

Ce travail présente les principaux résultats obtenus avec une large gamme de dispositifs SOI avancés, candidats très prometteurs pour les futurs générations de transistors MOSFETs. Leurs propriétés électriques ont été analysées par des mesures systématiques, agrémentées par des modèles analytiques et/ou des simulations numériques. Nous avons également proposé une utilisation originale de dispositifs FinFETs fabriqués sur ONO enterré en fonctionnalisant le ONO à des fins d'application mémoire non volatile, volatile et unifiées. Après une introduction sur l'état de l'art des dispositifs avancés en technologie SOI, le deuxième chapitre a été consacré à la caractérisation détaillée des propriétés de dispositifs SOI planaires ultra- mince (épaisseur en dessous de 7 nm) et multi-grille. Nous avons montré l’excellent contrôle électrostatique par la grille dans les transistors très courts ainsi que des effets intéressants de transport et de couplage. Une approche similaire a été utilisée pour étudier et comparer des dispositifs FinFETs à double grille et triple grille. Nous avons démontré que la configuration FinFET double grille améliore le couplage avec la grille arrière, phénomène important pour des applications à tension de seuil multiple. Nous avons proposé des modèles originaux expliquant l'effet de couplage 3D et le comportement de la mobilité dans des TFTs nanocristallin ZnO. Nos résultats ont souligné les similitudes et les différences entre les transistors SOI et à base de ZnO. Des mesures à basse température et de nouvelles méthodes d'extraction ont permis d'établir que la mobilité dans le ZnO et la qualité de l'interface ZnO/SiO2 sont remarquables. Cet état de fait ouvre des perspectives intéressantes pour l'utilisation de ce type de matériaux aux applications innovantes de l'électronique flexible. Dans le troisième chapitre, nous nous sommes concentrés sur le comportement de la mobilité dans les dispositifs SOI planaires et FinFET en effectuant des mesures de magnétorésistance à basse température. Nous avons mis en évidence expérimentalement un comportement de mobilité inhabituel (multi-branche) obtenu lorsque deux ou plusieurs canaux coexistent et interagissent. Un autre résultat original concerne l’existence et l’interprétation de la magnétorésistance géométrique dans les FinFETs.L'utilisation de FinFETs fabriqués sur ONO enterré en tant que mémoire non volatile flash a été proposée dans le quatrième chapitre. Deux mécanismes d'injection de charge ont été étudiés systématiquement. En plus de la démonstration de la pertinence de ce type mémoire en termes de performances (rétention, marge de détection), nous avons mis en évidence un comportement inattendu : l’amélioration de la marge de détection pour des dispositifs à canaux courts. Notre concept innovant de FinFlash sur ONO enterré présente plusieurs avantages: (i) opération double-bit et (ii) séparation de la grille de stockage et de l'interface de lecture augmentant la fiabilité et autorisant une miniaturisation plus poussée que des Finflash conventionnels avec grille ONO.Dans le dernier chapitre, nous avons exploré le concept de mémoire unifiée, en combinant les opérations non volatiles et 1T-DRAM par le biais des FinFETs sur ONO enterré. Comme escompté pour les mémoires dites unifiées, le courant transitoire en mode 1T-DRAM dépend des charges non volatiles stockées dans le ONO. D'autre part, nous avons montré que les charges piégées dans le nitrure ne sont pas perturbées par les opérations de programmation et lecture de la 1T-DRAM. Les performances de cette mémoire unifiée multi-bits sont prometteuses et pourront être considérablement améliorées par optimisation technologique de ce dispositif. / The evolution of electronic systems and portable devices requires innovation in both circuit design and transistor architecture. During last fifty years, the main issue in MOS transistor has been the gate length scaling down. The reduction of power consumption together with the co-integration of different functions is a more recent avenue. In bulk-Si planar technology, device shrinking seems to arrive at the end due to the multiplication of parasitic effects. The relay has been taken by novel SOI-like device architectures. In this perspective, this manuscript presents the main achievements of our work obtained with a variety of advanced fully depleted SOI MOSFETs, which are very promising candidates for next generation MOSFETs. Their electrical properties have been analyzed by systematic measurements and clarified by analytical models and/or simulations. Ultimately, appropriate applications have been proposed based on their beneficial features.In the first chapter, we briefly addressed the short-channel effects and the diverse technologies to improve device performance. The second chapter was dedicated to the detailed characterization and interesting properties of SOI devices. We have demonstrated excellent gate control and high performance in ultra-thin FD SOI MOSFET. The SCEs are efficiently suppressed by decreasing the body thickness below 7 nm. We have investigated the transport and electrostatic properties as well as the coupling mechanisms. The strong impact of body thickness and temperature range has been outlined. A similar approach was used to investigate and compare vertical double-gate and triple-gate FinFETs. DG FinFETs show enhanced coupling to back-gate bias which is applicable and suitable for dynamic threshold voltage tuning. We have proposed original models explaining the 3D coupling effect in FinFETs and the mobility behavior in ZnO TFTs. Our results pointed on the similarities and differences in SOI and ZnO transistors. According to our low-temperature measurements and new promoted extraction methods, the mobility in ZnO and the quality of ZnO/SiO2 interface are respectable, enabling innovating applications in flexible, transparent and power electronics. In the third chapter, we focused on the mobility behavior in planar SOI and FinFET devices by performing low-temperature magnetoresistance measurements. Unusual mobility curve with multi-branch aspect were obtained when two or more channels coexist and interplay. Another original result in the existence of the geometrical magnetoresistance in triple-gate and even double-gate FinFETs.The operation of a flash memory in FinFETs with ONO buried layer was explored in the forth chapter. Two charge injection mechanisms were proposed and systematically investigated. We have discussed the role of device geometry and temperature. Our novel ONO FinFlash concept has several distinct advantages: double-bit operation, separation of storage medium and reading interface, reliability and scalability. In the final chapter, we explored the avenue of unified memory, by combining nonvolatile and 1T-DRAM operations in a single transistor. The key result is that the transient current, relevant for 1T-DRAM operation, depends on the nonvolatile charges stored in the nitride buried layer. On the other hand, the trapped charges are not disturbed by the 1T-DRAM operation. Our experimental data offers the proof-of-concept for such advanced memory. The performance of the unified/multi-bit memory is already decent but will greatly improve in the coming years by processing dedicated devices.

Le Calcul Haute Performance, regroupant l’ensemble des acteurs responsables de l’amélioration des performances de calcul des applications scientifiques sur supercalculateurs, s’est donné pour objectif d’atteindre des performances exaflopiques. Cette course à la performance se caractérise aujourd’hui par la fabrication de machines hétérogènes dans lesquelles chaque composant est spécialisé. Parmi ces composants, les mémoires du système se spécialisent, et la tendance va vers une architecture composée de plusieurs mémoires aux caractéristiques complémentaires. La question se pose alors de l’utilisation de ces nouvelles machines dont la performance pratique dépend du placement des données de l’application sur les différentes mémoires. Dans cette thèse, nous avons développé une formulation du problème d’allocation de donnée sur une Architecture à Mémoires Hétérogènes. Dans cette formulation, nous avons fait apparaître le bénéfice que pourrait apporter une analyse temporelle du problème, parce que de nombreux travaux reposaient uniquement sur une approche spatiale. À partir de cette formulation, nous avons développé un outil de profilage hors ligne pour approximer les coefficients de la fonction objective afin de résoudre le problème d’allocation et d’optimiser l’allocation des données sur une architecture composée deux de mémoires principales aux caractéristiques complémentaires. Afin de réduire la quantité de modifications nécessaires pour prendre en compte la stratégie d’allocation recommandée par notre boîte à outils, nous avons développé un outil capable de rediriger automatiquement les allocations de données à partir d’un minimum d’instrumentation dans le code source. Les gains de performances obtenus sur des mini-applications représentatives des applications scientifiques codées par la communauté permet d’affirmer qu’une allocation intelligente des données est nécessaire pour bénéficier pleinement de ressources mémoires hétérogènes. Sur certaines tailles de problèmes, le gain entre un placement naïf est une allocation instruite peut atteindre un facteur ×3.75. / High Performance Computing, which brings together all the players responsible for improving the computing performance of scientific applications on supercomputers, aims to achieve exaflopic performance. This race for performance is today characterized by the manufacture of heterogeneous machines in which each component is specialized. Among these components, system memories specialize too, and the trend is towards an architecture composed of several memories with complementary characteristics. The question arises then of these new machines use whose practical performance depends on the application data placement on the different memories. Compromising code update against performance is challenging. In this thesis, we have developed a data allocation on Heterogeneous Memory Architecture problem formulation. In this formulation, we have shown the benefit of a temporal analysis of the problem, because many studies were based solely on a spatial approach this result highlight their weakness. From this formulation, we developed an offline profiling tool to approximate the coefficients of the objective function in order to solve the allocation problem and optimize the allocation of data on a composite architecture composed of two main memories with complementary characteristics. In order to reduce the amount of code changes needed to execute an application according to our toolbox recommended allocation strategy, we have developed a tool that can automatically redirect data allocations from a minimum source code instrumentation. The performance gains obtained on mini-applications representative of the scientific applications coded by the community make it possible to assert that intelligent data allocation is necessary to fully benefit from heterogeneous memory resources. On some problem sizes, the gain between a naive data placement strategy, and an educated data allocation one, can reach up to ×3.75 speedup.

Le domaine de la physique des particules necessite l'acquisition continue de donnees dans des memoires analogiques constituees de plusieurs millions de cellules de memorisation. Une cellule de memorisation etant un simple echantillonneur-bloqueur. Les contraintes imposees par l'environnement sur ces cellules sont drastiques. Un compromis entre surface, precision, vitesse et puissance dissipee est a trouver. L'etude peut se generaliser au domaine instrumental ou la non-linearite est la principale limitation a l'integration des systemes. L'etude presente e porte sur l'analyse quantitative de la non-linearite dans une cellule minimaliste en mode tension et en mode courant. Afin de determiner la precision ultime que l'on peut atteindre avec une structure minimaliste, des modeles polynomiaux ont ete etablis a partir des equations grands signaux des composants. L'etude des coefficients des polynomes a permis de degager des facteurs d'influence relatifs aux composants de la cellule. Ces modeles ont ete confrontes a des resultats de simulations et un circuit prototype a ete concu dans une technologie 0,25um afin de faire la correlation avec des resultats de mesures. Une resolution de 12 bits peut etre facilement obtenue en mode tension alors que 9 bits sont atteints en mode courant. Il est montre que le mode tension est beaucoup plus sensible aux parametres technologiques. Le mode courant apparait alors comme une alternative interessante pour la conception de memoires analogiques precises dans des technologies fortement submicroniques. Une description complete de l'elaboration des modeles et de leur exploitation est donnee dans ce manuscrit.

Les personnes dirigent souvent leur attention vers les objets avec lesquels ils interagissent. Une premiere etape que doivent franchir les systemes informatiques pour s'adapter aux utilisateurs et ameliorer leurs interactions avec eux est de localiser leur emplacement, et en particulier la position de leur tete dans l'image. L'etape suivante est de suivre leur foyer d'attention. C'est pourquoi nous nous interessons aux techniques permettant d'estimer et de suivre le regard des utilisateurs, et en particulier l'orientation de leur tete.<br /><br />Cette these presente une approche completement automatique et independante de l'identite de la personne pour estimer la pose d'un visage a partir d'images basse resolution sous conditions non contraintes. La methode developpee ici est evaluee et validee avec une base de donnees d'images echantillonnee. Nous<br />proposons une nouvelle approche a 2 niveaux qui utilise les apparences globales et locales pour estimer l'orientation de la tete. Cette methode est simple, facile a implementer et robuste a l'occlusion partielle. Les images de visage sont normalisees en<br />taille dans des images de faible resolution a l'aide d'un<br />algorithme de suivi de visage. Ces imagettes sont ensuite projetees dans des memoires autoassociatives et entraineespar la regle d'apprentissage de Widrow-Hoff. Les memoires autoassociatives ne necessitent que peu de parametres et evitent l'usage de couches cachees, ce qui permet la sauvegarde et le chargement de prototypes de poses du visage humain. Nous obtenons une premiere estimation de l'orientation de la tete sur des sujets connus et inconnus.<br /><br />Nous cherchons ensuite dans l'image les traits faciaux saillants du visage pertinents pour chaque pose. Ces traits sont decrits par des champs receptifs gaussiens normalises a l'echelle intrinseque. Ces descripteurs ont des proprietes interessantes et sont moins couteux que les ondelettes de Gabor. Les traits saillants du visage detectes par les champs receptifs gaussiens motivent la construction d'un modele de graphe pour chaque pose. Chaque noeud du graphe peut etre deplace localement en fonction de la saillance du point facial qu'il represente. Nous recherchons parmi les poses voisines de celle trouvee par les memoires autoassociatives le graphe qui correspond le mieux a l'image de test. La pose correspondante est selectionnee comme la pose du visage de la personne sur l'image. Cette methode n'utilise pas d'heuristique, d'annotation manuelle ou de connaissances prealables sur le visage et peut etre adaptee pour estimer la pose d'autres objets deformables.