Inhalt der Arbeit waren die Überprüfung der Leistungsfähigkeit der beiden Verfahren Mikrowellendetektierte Photoleitung (MD-PL) und Mikrowellendetektierte Photo Induced Current Transient Spectroscopy (MD-PICTS) sowie ihre praktische Anwendung auf den Halbleiter GaAs. Zerstörungsfreie Photoleitungs-Wafertopogramme geben Auskunft über die Verteilung des Defekts EL20 bzw. über Widerstand und Ladungsträgerlebensdauer im Volumen eines Wafers bzw. seiner Oberfläche. MD-PICTS-Topographie weiterer Defekte ist möglich. Die Verfahren brachten ein neues Verständnis der bei PICTS ablaufenden Prozesse - die Peakhöhe ist nicht für alle Defekte unmittelbar proportional zur Defektkonzentration. Für die Erklärung positiver und negativer EL2- und EL3-PICTS- Peaks wurde ein Modell entwickelt, nach dem es sich bei diesen Defekten um Rekombinationszentren handelt. Das Modell wurde durch Simulationsrechnungen bestätigt. Ferner entstanden Ergebnisse zum Defekt EL6, an getemperten Wafern und an Epitaxieschichten.

Das PICTS-Verfahren ist eine der am häufigsten eingesetzten Methoden zur Charakterisierung semiisolierender Halbleiter. Die methodischen Fortschritte bei der Ermittlung von Störstellenparametern mit diesem Verfahren werden in dieser Arbeit vorgestellt. Als praktikable Methode für den Nachweis einer temperaturabhängigen Änderung des Besetzungsverhältnisses einer Haftstelle wird die Normierung auf die Emissionsrate der Elektronen eingeführt. Es wird gezeigt, dass Peaks, bei denen diese Normierung misslingt, nicht für die Ermittlung der Störstellenparameter herangezogen werden dürfen. Die Untersuchungen belegen, dass für die vollständige Umladung der Störstellen eine geeignete Anregungsintensität verwendet werden muss. Durch PICTS-Messungen an Kupfer-dotierten Proben wird eine systematische Abhängigkeit der Peakhöhen Kupfer-korrelierter Peaks vom Kupfergehalt der Proben nachgewiesen. Mit den Untersuchungen wird belegt, dass sich Kupfer mittels PICTS bis zu einer minimalen AES-Kupfer-Konzentration von [Cu]min ca. 5·1E14/cm^3 nachweisen lässt.

The primary aim of this thesis was to make an initial evaluation of the cognitive-oriented treatment programs “A New Direction” for young people and ”New Challenges” for adult men. The treatment programs were examined in two studies mainly aimed at measuring treatment effects on criminal thought patterns and sense of coherence. In the study of the Youth Program (Paper I), pre- and post-measurements were made with the Psychological Inventory of Criminal Thinking Styles (PICTS) and the shortened version of Sense of Coherence (SOC-13). In addition, recidivism over a two-year period was analysed. The results show that the criminal thinking clearly decreases for participants in individual treatment for 9-30 weeks and that the rate of recidivism is lower compared with the control group. In the Adult Program (Paper II) study, pre- and post-measurements were made with PICTS, SOC-13, Positive and Negative Affect Schedule (PANAS) and Quality of Program Delivery (QPD). The result shows that criminal thinking is clearly reduced, and positive affect is increased for participants in cognitive treatment that included one-week group treatment, four weeks individual treatment and finally one-week further group treatment. The individual treatment for four weeks was combined with 12-step treatment. No significant results were shown for either control participants who received 12-step treatment or no treatment.  There is also a positive correlation between QPD and sense of coherence and between QPD and positive affect. The main conclusions are that the programs can reduce criminal thinking and improve salutogenic resources, which can help reduce criminal behaviour. / Licentiatuppsatsen representerar ett pilotprojekt som förväntas ge en första bild av effekterna av behandling med kriminalitetsprogrammen ”Ett nytt vägval” för ungdomar och ”Nya utmaningar” för vuxna män. Det övergripande syftet har varit att bidra till evidensforskningen av kriminalitetsprogram som kombinerar både ett risk- och skyddsfokus och som utvärderats inom missbruksvården. I studie I (ungdomsstudien) visade resultatet att flerveckors individuell behandling minskar det kriminella tänkandet, ökar känslan av sammanhang och minskar brottsåterfallsfrekvensen. Studiens resultat är valida för individuell behandling under 9 till 30 veckor för målgruppen svenska pojkar med en medelålder på 17 år i förkriminell och tidig fas av kriminalitet. I Studie II (vuxenstudien) undersöktes den behandlingsform som kallas Valbo modellen som kombinerar ”Nya utmaningar” med tolvstegsbehandling. Efter att tolvstegsbehandlingens inverkan på resultatet analyserats antas den största direkta förändringsfaktorn vara behandlingen med ”Nya utmaningar”. Tolvstegsbehandlingen antas ha en mer indirekt och långsiktig verkan och vara av betydelse för den känslomässiga förankringen och hållbarheten i ett förändrat normsystem och ny livsstil. Studiens resultat är valida för svenska män i 30 års-åldern i avancerad fas av kriminalitet. Studierna utgör ett första steg mot att programmen ”Ett nytt vägval” och ”Nya utmaningar” kan sägas motsvara dagens begrepp för evidens.

Inhalt der Arbeit waren die Überprüfung der Leistungsfähigkeit der beiden Verfahren Mikrowellendetektierte Photoleitung (MD-PL) und Mikrowellendetektierte Photo Induced Current Transient Spectroscopy (MD-PICTS) sowie ihre praktische Anwendung auf den Halbleiter GaAs. Zerstörungsfreie Photoleitungs-Wafertopogramme geben Auskunft über die Verteilung des Defekts EL20 bzw. über Widerstand und Ladungsträgerlebensdauer im Volumen eines Wafers bzw. seiner Oberfläche. MD-PICTS-Topographie weiterer Defekte ist möglich. Die Verfahren brachten ein neues Verständnis der bei PICTS ablaufenden Prozesse - die Peakhöhe ist nicht für alle Defekte unmittelbar proportional zur Defektkonzentration. Für die Erklärung positiver und negativer EL2- und EL3-PICTS- Peaks wurde ein Modell entwickelt, nach dem es sich bei diesen Defekten um Rekombinationszentren handelt. Das Modell wurde durch Simulationsrechnungen bestätigt. Ferner entstanden Ergebnisse zum Defekt EL6, an getemperten Wafern und an Epitaxieschichten.

No / Excavations in the 1920s and 1970s at the Sculptor’s Cave, North-East Scotland, revealed that the site was used for mortuary rituals during the Late Bronze Age (c. 1100–800 BC) and Roman Iron Age (late first to fourth centuries AD), whilst a series of Pictish symbols carved into its entrance walls suggest that the cave’s importance continued into the Early Medieval Period. A new programme of analysis has utilised advanced 3D digital documentation and 3D metrology (specifically, 3D laser scanning) to enable this inaccessible site to be appreciated by wider audiences and analysed remotely. Detailed in situ recording of the Pictish symbols was undertaken using macro-level structured light scanning and the high-fidelity digital models blended with terrestrial laser scan data of the cave interior to show the location and detail of the carvings. This chapter examines the value of emerging digital approaches in the analysis, presentation and management of the Sculptor’s Cave, from the elucidation of additional carved details and the monitoring of surface degradation, to the dissemination of this difficult-to-access site to the wider public via online platforms. / Historic Environment Scotland provided funding for scanning work. Collaborators Visualising Heritage and Fragmented Heritage at the University of Bradford, funded by HEIF (via the University of Bradford) and the Arts and Humanities Research Council (AH/L00688X/1), respectively.

Trotz der im Vergleich zu Silizium überragenden elektronischen Eigenschaften von Verbindungshalbleitern, ist die Leistung der daraus gefertigten elektrischen Bauelemente aufgrund der vorhandenen, die elektronischen Materialeigenschaften beeinflussenden Defekte nach wie vor begrenzt. Die vorliegende Arbeit trägt dazu bei, das bestehende ökonomische Interesse an einem besseren Verständnis der die Bauelementeleistung limitierenden Defekte zu befriedigen, indem sie die Auswirkungen dieser Defekte auf die elektronischen und optischen Materialeigenschaften von Indiumphosphid (InP) und Siliziumkarbid (SiC) aufzeigt. Zur Klärung der Effekte finden in der Arbeit sich ergänzende elektrische und optische Charakterisierungsmethoden Anwendung, von denen die meisten kontaktlos und zerstörungsfrei arbeiten und sich daher prinzipiell auch für Routineanalysen eignen. Die erzielten Ergebnisse bestätigen und ergänzen Literaturdaten zum Defektinventar in InP und SiC nutzbringend. So wird insbesondere das Potential der elektrischen Charakterisierung mittels MDP und MD-PICTS, welche in der Arbeit erstmals für die Defektcharakterisierung von InP und SiC eingesetzt wurden, nachgewiesen. Die experimentellen Studien werden dabei bedarfsorientiert durch eine theoretische Betrachtung des entsprechenden Signalentstehungsmechanismuses ergänzt. / Although the electronic properties of compound semiconductors exceed those of Silicon, the performance of respective electronic devices still is limited. This is due to the presence of various growth-induced defects in compound semiconductors. In order to satisfy the economic demand of an improved insight into limiting defects this thesis contributes to a better understanding of material inherent defects in commonly used Indium Phosphide (InP) and Silicon Carbide (SiC) by revealing their effects on electronic and optical material properties. On that account various complementary electrical and optical characterization techniques have been applied to both materials. Most of these techniques are non-contacting and non-destructive. So, in principle they are qualified for routine application. Characterization results that are obtained with these techniques are shown to either confirm published results concerning defects in InP and SiC or beneficially complement them. Thus, in particular the potential of electrical characterization by MDP and MD-PICTS measurements is proofed. Both techniques have been applied for the first time for defect characterization of InP and SiC during these studies. The respective experiments are complemented by a theoretical consideration of the corresponding signal development mechanism in order to develop an explanation approach for occasionally occurring experimental imperfection also arising during silicon characterization from time to time.

Trotz der im Vergleich zu Silizium überragenden elektronischen Eigenschaften von Verbindungshalbleitern, ist die Leistung der daraus gefertigten elektrischen Bauelemente aufgrund der vorhandenen, die elektronischen Materialeigenschaften beeinflussenden Defekte nach wie vor begrenzt. Die vorliegende Arbeit trägt dazu bei, das bestehende ökonomische Interesse an einem besseren Verständnis der die Bauelementeleistung limitierenden Defekte zu befriedigen, indem sie die Auswirkungen dieser Defekte auf die elektronischen und optischen Materialeigenschaften von Indiumphosphid (InP) und Siliziumkarbid (SiC) aufzeigt. Zur Klärung der Effekte finden in der Arbeit sich ergänzende elektrische und optische Charakterisierungsmethoden Anwendung, von denen die meisten kontaktlos und zerstörungsfrei arbeiten und sich daher prinzipiell auch für Routineanalysen eignen. Die erzielten Ergebnisse bestätigen und ergänzen Literaturdaten zum Defektinventar in InP und SiC nutzbringend. So wird insbesondere das Potential der elektrischen Charakterisierung mittels MDP und MD-PICTS, welche in der Arbeit erstmals für die Defektcharakterisierung von InP und SiC eingesetzt wurden, nachgewiesen. Die experimentellen Studien werden dabei bedarfsorientiert durch eine theoretische Betrachtung des entsprechenden Signalentstehungsmechanismuses ergänzt.:1 Motivation 2 Theses 3 Compound semiconductors: structure and benefits 4 Growth of compound semiconductors 5 Structural defects in compound semiconductors 6 Defects and their impact on electronic material properties 7 Effect of annealing treatments on the properties of InP 8 Experimental details 9 Experimental results 10 Summary of the thesis 11 Conclusion and impact 12 Prospect of future work 13 Appendix - Theory of signal development 14 List of tables 15 List of figures 16 List of abbreviations and symbols 17 Eidesstattliche Erklärung - Declaration of academic honesty 18 Danksagung - Acknowledgment 19 Veröffetnlichungen - Publications 20 References / Although the electronic properties of compound semiconductors exceed those of Silicon, the performance of respective electronic devices still is limited. This is due to the presence of various growth-induced defects in compound semiconductors. In order to satisfy the economic demand of an improved insight into limiting defects this thesis contributes to a better understanding of material inherent defects in commonly used Indium Phosphide (InP) and Silicon Carbide (SiC) by revealing their effects on electronic and optical material properties. On that account various complementary electrical and optical characterization techniques have been applied to both materials. Most of these techniques are non-contacting and non-destructive. So, in principle they are qualified for routine application. Characterization results that are obtained with these techniques are shown to either confirm published results concerning defects in InP and SiC or beneficially complement them. Thus, in particular the potential of electrical characterization by MDP and MD-PICTS measurements is proofed. Both techniques have been applied for the first time for defect characterization of InP and SiC during these studies. The respective experiments are complemented by a theoretical consideration of the corresponding signal development mechanism in order to develop an explanation approach for occasionally occurring experimental imperfection also arising during silicon characterization from time to time.:1 Motivation 2 Theses 3 Compound semiconductors: structure and benefits 4 Growth of compound semiconductors 5 Structural defects in compound semiconductors 6 Defects and their impact on electronic material properties 7 Effect of annealing treatments on the properties of InP 8 Experimental details 9 Experimental results 10 Summary of the thesis 11 Conclusion and impact 12 Prospect of future work 13 Appendix - Theory of signal development 14 List of tables 15 List of figures 16 List of abbreviations and symbols 17 Eidesstattliche Erklärung - Declaration of academic honesty 18 Danksagung - Acknowledgment 19 Veröffetnlichungen - Publications 20 References

L’élaboration de programme d’interventions propres aux fraudeurs soulève la question de la particularité de leur personnalité. Des écrits suggèrent que la personnalité des fraudeurs présenterait des similitudes avec les traits psychopathiques. L’objectif de l’étude est donc de décrire et d’explorer ces traits chez des fraudeurs spécialisés incarcérés, et ce, à l’aide des questionnaires Psychopathic Personality Inventory (PPI) et Psychological Inventory of Criminal Thinking Styles (PICTS). Trois groupes de détenus (35 hommes, 17 femmes) ont rempli les questionnaires: fraudeurs spécialisés (n=23), autres délinquants sans crimes violents (ASV, n=19) et autres délinquants avec crimes violents (AAV, n=10). Un groupe d’étudiants (n=430) a aussi complété le PPI, permettant ainsi d’ajouter un groupe de comparaison. Les analyses ont permis de constater que le groupe de fraudeurs diffère peu des autres groupes quant à leurs traits psychopathiques. Cependant, ils sont moins enclins que le groupe d’AAV à adopter des pensées criminelles, fréquentes chez les psychopathes. / Developping specific intervention programmes for frauds raises the issue of personality characteristics. Studies suggest that the personality of fraudsters presents certain similarities with psychopathic traits. The goal of the study is to describe and explore the personality of incarcerated specialized fraudsters by using psychometric tests such as the Psychopathic Personality Inventory (PPI) and the Psychological Inventory of Criminal Thinking Styles (PICTS). Three groups of inmates (35 men, 17 women) completed the questionnaires: fraud specialists (n = 23), offenders who committed non-violent crimes (n = 19) and offenders who committed violent crimes (n= 10). A group of students (n = 430) also completed the PPI, thereby adding a comparison group. Analyses revealed few differences between the psychopathic traits of fraudsters and those of the other groups' respondents. However, it was revealed that fraudsters were less likely to adopt criminal thoughts, common in psychopaths, than are the respondents from the AAV group.

L’élaboration de programme d’interventions propres aux fraudeurs soulève la question de la particularité de leur personnalité. Des écrits suggèrent que la personnalité des fraudeurs présenterait des similitudes avec les traits psychopathiques. L’objectif de l’étude est donc de décrire et d’explorer ces traits chez des fraudeurs spécialisés incarcérés, et ce, à l’aide des questionnaires Psychopathic Personality Inventory (PPI) et Psychological Inventory of Criminal Thinking Styles (PICTS). Trois groupes de détenus (35 hommes, 17 femmes) ont rempli les questionnaires: fraudeurs spécialisés (n=23), autres délinquants sans crimes violents (ASV, n=19) et autres délinquants avec crimes violents (AAV, n=10). Un groupe d’étudiants (n=430) a aussi complété le PPI, permettant ainsi d’ajouter un groupe de comparaison. Les analyses ont permis de constater que le groupe de fraudeurs diffère peu des autres groupes quant à leurs traits psychopathiques. Cependant, ils sont moins enclins que le groupe d’AAV à adopter des pensées criminelles, fréquentes chez les psychopathes. / Developping specific intervention programmes for frauds raises the issue of personality characteristics. Studies suggest that the personality of fraudsters presents certain similarities with psychopathic traits. The goal of the study is to describe and explore the personality of incarcerated specialized fraudsters by using psychometric tests such as the Psychopathic Personality Inventory (PPI) and the Psychological Inventory of Criminal Thinking Styles (PICTS). Three groups of inmates (35 men, 17 women) completed the questionnaires: fraud specialists (n = 23), offenders who committed non-violent crimes (n = 19) and offenders who committed violent crimes (n= 10). A group of students (n = 430) also completed the PPI, thereby adding a comparison group. Analyses revealed few differences between the psychopathic traits of fraudsters and those of the other groups' respondents. However, it was revealed that fraudsters were less likely to adopt criminal thoughts, common in psychopaths, than are the respondents from the AAV group.

Das PICTS-Verfahren ist eine der am häufigsten eingesetzten Methoden zur Charakterisierung semiisolierender Halbleiter. Die methodischen Fortschritte bei der Ermittlung von Störstellenparametern mit diesem Verfahren werden in dieser Arbeit vorgestellt. Als praktikable Methode für den Nachweis einer temperaturabhängigen Änderung des Besetzungsverhältnisses einer Haftstelle wird die Normierung auf die Emissionsrate der Elektronen eingeführt. Es wird gezeigt, dass Peaks, bei denen diese Normierung misslingt, nicht für die Ermittlung der Störstellenparameter herangezogen werden dürfen. Die Untersuchungen belegen, dass für die vollständige Umladung der Störstellen eine geeignete Anregungsintensität verwendet werden muss. Durch PICTS-Messungen an Kupfer-dotierten Proben wird eine systematische Abhängigkeit der Peakhöhen Kupfer-korrelierter Peaks vom Kupfergehalt der Proben nachgewiesen. Mit den Untersuchungen wird belegt, dass sich Kupfer mittels PICTS bis zu einer minimalen AES-Kupfer-Konzentration von [Cu]min ca. 5·1E14/cm^3 nachweisen lässt.