Orientador: Roberto Yzumi Honda / Banca: Rogério Pinto Mota / Banca: Luiz Angelo Berni / Resumo: Filmes poliméricos obtidos ou processados a plasma têm sido objeto de muita pesquisa, devido às suas características peculiares que os tornam promissores e por vezes únicos em diversas aplicações tecnológicas e industriais. Este trabalho apresenta os resultados de um estudo que objetiva a investigação da evolução temporal do perfil topográfico de superfície de filmes produzidos por processos a plasma a partir do Acetileno. São apresentados resultados sobre a estrutura molecular e propriedades como rugosidade e molhabilidade dos filmes poliméricos. O experimento foi realizado num reator a plasma, cilíndrico de pyrex, excitado indutivamente por rádio-freqüência. O plasma foi gerado a partir do monômero Acetileno numa pressão de 100mTorr, excitado por uma rádio-freqüência (13,56MHz) à 35W de potência. Deposições foram realizadas sobre substratos de InP com dois tipos de perfis de superfície: com padrão bem definido e sem definição. Para caracterização dos filmes foram utilizadas diferentes técnicas de diagnósticos: espectroscopia infravermelha para o estudo da estrutura molecular, medida de ângulo de contato e energia de superfície através de um goniômetro e microscopia de força atômica (AFM) para o estudo de topografia de superfície dos filmes. Os resultados indicaram que a estrutura dos filmes permaneceu constante independente do tempo de deposição. O caráter hidrofílico dos filmes foi mantido ao longo do tempo, com o ângulo de contato medido em torno de 50º. A microscopia 15 (AFM) mostrou as estruturas nanométricas da superfície dos filmes e ainda a rugosidade e a espessura dos mesmos. A constância média no valor do ângulo de contato medido e a constância da estrutura química dos filmes sugerem que a rugosidade da superfície dos mesmos seja também constante. Esta influência é comprovada pelas imagens e... (Resumo completo, clicar acesso eletrônico abaixo). / Abstract: Considerable efforts have been made by the internacional community to study plasma polymeric films motivated by interesting features of these films in technological and industrial applications. The present work reports the investigation on the time evolution of topographic profile of the surface of films produced by plasma processing with Acetylene. The results on the study of molecular structure and properties such as roughness and wettability were reported as well. The experiment was performed in a cylindrical Pyrex plasma reactor in inductively coupled configuration. The plasma was generated in Acetylene at 100mTorr with a 35W power supply connected to a circular antenna around discharge tube. Depositions were performed on InP substrate with a well defined and undefined profile patternof the surface. To characterize the films, different techiniques were applied: Fourier Transform Infrared Spectroscopy to study molecular structure, goniometer to measure contact angle and surface energy and Atomic Force Microscopy (AFM) to study the topography of the films. The results indicated that the structure of the films were the same, i.e., independent of the time used to produce the film. High hydrophilic films were obtained with contact angle around 50º. The AFM showed the nanoscale structure of the films surfaces and values of film thickness as well. Approximate same value of contact angle and chemical strcture in the films suggested same roughness on its surface. This was conffirmated by observations with AFM. 17 The images of microscale structure of film surface shows that original topography of the substrate are reproduced on the film. In conclusion, polymeric thin films on the InP substrate produced with Acetylene plasma are hydrophilic for well defined and undefined profile pattern of substrate surface. They have also similar chemical... (Complete abstract, click electronic address below). / Mestre

Orientador: Attilio Jose Giarola / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-21T04:50:58Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Farias_RubemGoncalves_D.pdf: 4919440 bytes, checksum: b1de0f48bcc2c33d3a0d7ba634fc4899 (MD5) Previous issue date: 1996 / Resumo: A formulação para diferenças finitas no domínio do tempo (FDTD), aplicada a plasma magnetizado segundo direção arbitrária, é desenvolvida para aplicação em dispositivos dielétricos em duas (2D-FDTD) e três dimensões (3D-FDTD). A ênfase é dada no processo de cálculo iterativo da convolução entre o campo elétrico e o tensor susceptibilidade elétrica do plasma magnetizado. Também, são propostos diversos tipos de dispositivos para propagação de sinais na banda milimétrica. O método é aplicado a estruturas controladas por plasma. Este plasma pode ser induzido por um feixe áptico sobre uma película semicondutora, depositada sobre o guia. Neste caso, as características de propagação do guia são controladas por um feixe áptico com energia apropriada. Esse plasma também pode ser estabelecido em semicondutor por dopagem. Neste tipo de dispositivo, o núcleo do guia é totalmente preenchido com plasma. Nesta opção, a propagação dos campos de RF é controlada por um campo magnetostático. Alguns dispositivos com guias singelos e acoplados são analisados. Observa-se então a possibilidade de controle efetivo de fase e acoplamento, assim como o controle na faixa de operação de modo único, notadamente nos guias opticamente controlados. Devido à carência de dados na literatura especializada, são estabelecidos critérios para discretização graduada e rigorismo nos testes de convergências propostos. Diversos tipos de dados são utilizados para essa finalidade. Obtém-se, então, uma espécie de perfil de discretização, o qual é aplicado aos demais dispositivos / Abstract: A finite-difference in the time domain (FDTD) formulation is developed for plasmas magnetized along an arbitrary direction and applicable to two dimensions (2D-FDTD) and to three dimensions (3D-FDTD) dielectric devices. Emphasis is given to the iterative calculation of the convolution between the electric field vector and the electric susceptibility tensor of the magnetized plasma. Various types of devices are also proposed for the propagation of signals in the millimeter-wave band. The method is applied to structures controlled by plasma. This plasma may be induced by an optical beam applied to a semiconductor layer deposited on the waveguide. In this case, the propagation characteristic of the waveguide is controlled by an optical beam with appropiate energy. This plasma may also also be introduced in the semiconductor by means of doping. For these devices the waveguide core is completely filled with plasma. With this option the propagation of the RF fields is controlled by a static magnetic field. Some devices with single and coupled waveguides are analyzed. The possibility of an effective control of phase and coupling, as well as the operating bandwidth with a single mode was examined, particularly with optically controlled waveguides. Due to the lack of data in the specialized literature, gradual discretization criteria and rigorous tests of convergence are proposed. Various types of data are used to accomplish this objective. As a result, a kind of discretization profile is obtained and is applied to the remaining devices / Doutorado / Doutor em Engenharia Elétrica

Orientador: Jacobus Willibrordus Swart / Dissertação (Mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-07-21T18:44:46Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Mariano_WilliamCesar_M.pdf: 8050285 bytes, checksum: b662ea20a7144324df94f0a5d29c9944 (MD5) Previous issue date: 1996 / Resumo: Filmes dielétricos, são usados em um grande número de aplicações em componentes semicondutores. Várias técnicas de deposição auxiliadas por plasma vem sendo estudadas a fim de se conseguir materiais isolantes de qualidade que possam ser empregados no processo de fabricação de dispositivos. Neste trabalho, são realizadas deposições de dois filmes dielétricos distintos, com diferentes técnicas de deposição. Filmes de óxido de silício foram obtidos a partir da combinação de dois gases reagentes: silana (SiH4) e oxigênio (02) ou silana e óxido nitroso (N2O), com temperatura entre 300 e 600 °C, e a técnica de deposição química a fase vapor auxiliada por plasma remoto RPECVD, enquanto que os filmes de nitreto de silício foram obtidos a partir da combinação de silana e nitrogênio (N2), com temperatura entre 40 e 90°C e a aplicação da técnica de deposição química a fase vapor auxiliada por plasma e ressonância ciclotron de elétrons. Como características dos filmes, foram realizadas medidas de: taxa de deposição e corrosão, índice de refração e estequiometria. E finalmente, foi feito um estudo do comportamento das características como função dos parâmetros de processo. As melhores condições de processo foram determinadas. Filmes de óxido de silício com as seguintes características podem ser obtidos: taxa de deposição = 100 A/min, taxa de corrosão = 170 A/min, índice de refração = 1,465, estresse tensivo =1,2 x 1010 dyne/cm2 e estequiometria = 1,82. No caso dos filmes de nitreto de silício, as melhores características foram: taxa de deposição = 109 A/min, taxa de corrosão = 190 A/min, índice de refração = 1,995 e Si/N = 0,75 / Abstract: Dieletric films, are used in a large amount of applications in semicondutors devices. Several plasma enhanced deposition techniques have been studied in order to obtain insulating materiais with quality that can be employed in processes of manufacturing of devices. In this work, depositions of two different dieletric films are studied, with two different techniques. Silicon oxide films were deposited by combination of two reactant gases: Silane (SiH4) and Oxygen (02) or Nitrous Oxide (N2O), in a temperature range from 300 to 600°C and in a Remote Enhanced Plasma Chemical Vapor Deposition - RPECVD system. Silicon Nitride films were obtained by Silane and Nitrogen (N2), in temperature range from 40 to 90°C and in a Electron Cyclotron Resonance Remote Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, ECR - RPECVD system. The characterization of the films were: Deposition rate, Etching rate, Refractive index and Stoichiometry. Finally, the behavior of this characteristics versus process parameters were studied. The best processing conditions were determined Silicon oxide films with the following characteristics can be obtained: Deposition rate =100 Ã/min, Etch - rate = 170 Ãlmin, Refraction index = 1,465, Tensile stress = 1,2 X 1010 dyne/cm2 and Stoichiometry = 1,82. In the case of Silicon nitride, the best characteristics were: Deposition rate = 109 Ã/min, Etch rate = 190 Ã/min, Refraction index = 1,995 and Si/N = 0,75 / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador: Aruy Marotta / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-29T02:06:23Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Essiptchouk_AlexeiMikhailovich_D.pdf: 4980522 bytes, checksum: 85eaa62a34a4b1af35edcd62585b3aec (MD5) Previous issue date: 2001 / Resumo: Este trabalho consiste no estudo da erosão do catodo de cobre, eletrodo degrande importância para tochas de plasma de médias e altas potências. No segundo capítulo apresentamos uma solução téorica do problema de Stefan, aplicado à erosão do catodo. No terceiro capítulo é apresentado um estudo experimental sobre os parâmetros básicos da mancha do arco elétrico, o equivalente em volts do fluxo térmico no catodo e a densidade de corrente na mancha do arco. Em seguida, é realizado um estudo sobre a interrelação entre os parâmetros operacionais do arco elétrico, como a corrente, a voltagem entre os eletrodos, a velocidade do arco, a temperatura da superfície do eletrodo e o campo magnético externo. Estes resultados foram obtidos numa montagem experimental denominada nâo-estacionária, onde as medidas são feitas em função do tempo, com o catodo não - refrigerado. A erosão do eletrodo e sua correlação com os demais parâmetros do arco é estudada no último capítulo, numa montagem denominada estacionária, com o catodo refrigerado. O estudo realizado nesta tese deve proporcionar um melhor entendimento do fenômeno da erosão do catodo de cobre, assim contribuindo para uma maior difusão das tochas de plasma / Abstract: This work consists in the study of the erosion of copper cathode, which is of great importance for average and high power plasma torches. In the second chapter a theoretical solution for the Stefan problem is presented for the study of the erosion of the cathode. In the third chapter an experimental study is presented for the main arc spot parameters, the volt-equivalent of the arc spot heat flux and the arc spot current density. Following, a study on the relationships between the operational arc parameters, the current, the voltage, the arc velocity, the electrode temperature and the magnetic field are carried out. These results were obtained in an experimental setup, called non-stationary, where the measurements are carried out as function of time, with a non-cooled cathode. The electrode erosion and its relationship with the remaining arc parameters is carried out in the last chapter, in an experimental setup, called stationary, with a cooled cathode. The study carried out in this thesis should provide a better understanding of the copper cathode erosion phenomena, thus contributing to a wider use of plasma torches / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientador: Edmundo da Silva Braga / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-08-04T00:36:14Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Mologni_JulianoFujioka_M.pdf: 4845552 bytes, checksum: cea8b9624ecbac1f1ac9281fa2e3edd4 (MD5) Previous issue date: 2004 / Resumo: Desenvolvemos e caracterizamos um processo de fabricação de microponteiras de silício utilizando plasma de radiofreqüência (RF). Foram estabelecidos processos de corrosão iônica reativa (RIE) do silício e dióxido de silício em um reator de placas paralelas utilizando SF6 e a mistura gasosa SF6/O2. Foram caracterizadas as grandezas exigidas ao processo de fabricação, tais como taxa de corrosão, seletividade, anisotropia e qualidade da superfície, e foram comparadas a outros processos. Foram analisados e caracterizados os mecanismos de corrosão do processo desenvolvido. Microponteiras de silício com diferentes razões de aspectos foram caracterizadas e fabricadas utilizando a mistura gasosa em diferentes proporções. Os melhores resultados foram obtidos utilizando-se um plasma com uma concentração de 25% de oxigênio e 75% de hexafluoreto de enxofre / Abstract: We have developed and characterized a silicon microtip fabrication process using radiofrequency (RF) plasma. Reactive Ion Etching processes of silicon and silicon dioxide in a parallel plate reactor were established using SF6 and SF6/O2 gas mixture. The parameters of the fabrication process, such as the etch rate, selectivity, anisotropy and surface quality were characterized and compared with other processes. The etching mechanisms of the developed process were analyzed and characterized. Silicon microtips with different aspect ratios were fabricated and characterized using the gaseous mixture at different concentrations. The best results were obtained using plasma comprised of 25% of oxygen and 75% of sulfur hexafluoride / Mestrado / Eletrônica, Microeletrônica e Optoeletrônica / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador: Luiz Carlos Kretly / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-07-25T23:02:08Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Silva_NelmoCyriacoda_M.pdf: 4443890 bytes, checksum: e7445e48ea8055212013e5ab2e462713 (MD5) Previous issue date: 1999 / Resumo: A tecnologia descrita neste trabalho foi desenvolvida para obtenção de feixe de íons de Érbio usando um equipamento implantador de íons tipicamente voltado à aplicações em microeletrônica. O Érbio é um elemento químico fundamental, que quando da sua incorporação em substratos ópticos e/ou semicondutores, dá origem a radiação estimulada, essencial em dispositivos fotônicos. A implantação iônica do Érbio em contraste com a difusão apresenta as vantagens inerentes a este processo como por exemplo: perfil vertical, doses elevadas, processamento com baixa energia térmica entre outras. A tecnologia aqui detalhada, faz uso da fonte de íons original do equipamento e focaliza atenção na câmara de arco da fonte. Átomos de Érbio duplamente ionizados foram produzidos por um processo de sputtering enriquecido por plasma reativo e acelerados com a voltagem de 200kV, atingindo feixes com energias próximas de 400keV. Correntes de até 100mA foram obtidas o que resultam em doses da ordem de 1 x 1017cm-2 parâmetros estes, suficientes para fabricação de dispositivos fotônicos - optoeletrônicos planares / Abstract: The technology described herein is intended to produce Erbium beams, using typical ion implanter equipment normally used for microelectronics application. Erbium is a fundamental specie whose incorporation into optical or semiconductor substrates produces stimulated radiation that allows the fabrication of Photonics devices. The Erbium ion implantation in contrast to the diffusion process has all the inherent advantages of ion implantation i.e., high doses, vertical profiles, low thermal process among others. The procedure uses the same ion source of the original equipment (Standard or SKM Freeman type) and focuses on the placement of the Erbium material in the arc chamber. Currents up to 100mA were obtained, which implies that doses up to 1017 cm?2 could be reached at reasonable implantation period. Double ionized atoms of Erbium are produced by a reactive plasma enhanced sputtering process and accelerated with a voltage up to 200 kV reaching beams close to 400 keV. These parameters are compatible with those demanded by photonics devices / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador: Shuko Aihara / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T03:24:39Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Balloni_AntonioJose_M.pdf: 1174028 bytes, checksum: 6b2f139166123b32f04045ee4b521117 (MD5) Previous issue date: 1983 / Resumo: Foram projetados e construídos um sistema de múltiplo espelho e um gerador de rádio freqüência (RF) de 600 W para o estudo das características de plasma produzidos e aquecidos por ondas de rádio freqüência, com a meta final de estudar a lei de escala que rege o confinamento de plasmas neste tipo de sistema. Neste trabalho, utilizando sondas de Langmuir foram descobertas flutuações enormes de densidade e temperatura ao longo do eixo de simetria do sistema. Essas flutuações possuem características muito semelhantes às de ondas de ionização encontradas em descargas do tipo "glow", na presença de uma corrente elétrica. Foi desenvolvido um modelo matemático que pode explicar estas flutuações encontradas levando em consideração o aquecimento de plasma por rádio freqüência ao invés por corrente elétrica usual / Abstract: A system of multiple mirror and a radio frequency generator of 600W were designed and constructed to study characteristics of plasma produced and heated by radio frequency waves. The final goal for this system is to study the scaling law for the confinement of plasma. In this work, by using Langmuir probes, we have detected large fluctuations of density and temperature along the axis of symmetry of the system. These fluctuations have characteristics similar to those striation waves found in glow discharges, in the presence of an electric current. We have developed a mathematical model which may explain these fluctuations taking into consideration the heating of plasma by radio-frequency instead of usual electric current / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Newton Cesario Frateschi / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-08-03T14:45:12Z (GMT). No. of bitstreams: 1 MestanzaMunoz_SegundoNilo_D.pdf: 3025997 bytes, checksum: adbfe0c1ac2435a0b3e071825c80967f (MD5) Previous issue date: 2001 / Resumo: Esta tese visa a apresentar um claro entendimento de laseres de microcavidades não convencionais, desde a fabricação do dispositivo, otimização e avaliação de danos causados pelo plasma seco e caracterização dos dispositivos. Enfatizou-se mais nas características espaciais e espectrais de emissão de luz destes laseres, por meio dos estudos de Far-field e de análises espectral. Neste trabalho, mostramos pela primeira vez uma análise sobre o estudo do comportamento espectral de emissão em bilhares estádio Buminovich, mostrando uma forte supressão de modos ressonantes devido à interação entre órbitas scars (trajetórias periódicas em sistemas clássicos caóticos). Esta supressão de modos foi intensamente enfatizada pela injeção direcionada de portadores ao longo de um scar (losango), conseguido pela implantação iônica de He + . Finalmente, de maneira inédita, mostramos a estreita relação entre a deformação da cavidade e a presença de órbitas scars em bilhares estádio / Abstract: A comprehensive treatment of unconventional micro-cavity lasers is presented. We explore all aspects of the development of these devices, covering from device fabrication, modeling, optimization and damage evaluation of plasma etching techniques, to device characterization. Great emphasis is placed on the spatial ad spectral characteristics of laser emission. We present, for the first time, the spectral behavior of Buminovich billiards lasers, where strong resonant mode suppression is observed due to scar modes (periodical orbits from chaotic 2D billiard systems) interaction. This suppression is greatly enhanced by preferential carrier injection along a diamond scar, which is achieved by He + implantation. Finally, we show the close relationship between cavity border deformation and the presence of scar orbits I stadium billiards / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientador: Steven Frederick Durant / Banca: Antonio Riul Júnior / Banca: Rogério Valentim Gelamo / Resumo: Neste trabalho, filmes finos amorfos de carbono hidrogenado também contendo bromo foram produzidos por duas técnicas: Deposição e Implantação iônica por Imersão em Plasma (DIII). As deposições foram feitas em plasmas alimentados com diferentes proporções de bromofórmico (CHBr3) e acetileno (C2H2), variando também o tempo de deposição, a potência de radiofrequencia aplicada e a pressão dentro do reator. Para medição de espessura e rugosidade, e molhabilidade, filmes depositados em substratos de vidro foram analisados por perfilometria e geniometria (medidas de ângulo de contato), respectivamente. A estrutura e composição química dos filmes foram examinadas por Espectroscopia de Reflexão-Absorção no Infravermelho (IRRAS) e Espectroscopia de Raios X (XPS) em amostras depositadas em aço inoxidável polido. Para obter espectros de trasmitância no Ultravioleta-visível e infravermelho-próximo, filmes foram depositados em substratos de quartzo. A partir destes espectros e das espessuras dos filmes, propriedades ópticas como o índice de refração, coeficiente de absorção e gap óptico dos materiais foram calculados. Taxas de deposição dos filmes contendo bromo foram tipicamente no itervalo de 33 a 108 nm.min-1 pelo processo de PECVD, e de 13 a 56 nm.min-1 pelo processo de DIIIP. Rugosidades entre 24 e 37 nm foram observadas em ambos os métodos. As medidas de ângulo de contato revelaram que os filmes bromados são hidrofólicos. Espectros IRRAS revelaram a presença de grupos contendo bromo em 1430-1410 com-1 devido à deformação angular de grupos CH2-Br e CH3-BR, e em 1210 cm-1 também referente à deformação angular de CH2-Br nos filmes produzidos com bromofórmio na alimentação do reator. As análises de XPS comprovaram a incorporação de bromo nos filmes em até... (Resumo completo, clicar acesso eletrônico abaixo) / Abstract: In this work, amorphous hydrogenated carbon this films also containing were produced by two techiniques: Plasma Enhanceb Chemical Vapor Deposition (PECVD) and Plasma Immersion Ion Implantation and Deposition(PIIID). Deposition were realized in plasmas fed with different proportions of bromoform (CHBr3) and acetylene (C2H2), the parameters deposition time, applied radio frequency power, and reactor pressure were also varied. The film thickness and thickness and roughness, and wettability were measured, for films deposited onto glass substrates using perfilometry and goniometry (contact-angle measurements), respectvely. infrared Reflections-Absorption Spectroscopy (IRRAS) and X-Ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) were employed to study the chemical structure and composition of films deposited onto polished stainless-steel substrates. Transmission ultraviolet-visible-near infrared spectroscopy (UVS) was used to characterized films deposited onto quartz substrates. From the UVS spectra and film thicknesses, optical properties such as refractive index, absorption coefficient and optical gap were calculated. Bromine-containing film deposition rates ranged from 33 to nm.min-1 for PECVD, and from 13 to nm.min-1 for PIIID. Roughnesses of between 24 e 37 nm were observed for both techniques. Contact angle measurement revealed that brominated films are hydrofobic. Characteritic absorptions owing to the presence in the films of bromine-containing groups at 1430-1410 cm-1 due to asymmetric bending of CH2-Br e CH3-Br groups, and at 1210 cm-1 also due to asymmetric bending of CH2-Br were observed in IRRAS spectra of the brominated films. As confirmed by XPS analyses, bromine was incorporated at up to 43% at in films deposited in CHBr3 plasmas. The refractive index decreased from 2.38 for plasma-polymerized C2H2 film... (Complete abstract click electronic access below) / Mestre

Orientador: Herman Jacobus Cornelis Voorwald / Coorientadora: Kelly Cristina Coelho de Carvalho Benini / Banca: Marcos Yutaka Shiino / Banca: Daniela Rgina Mulinari / Resumo: Maior conscientização em relação as questões ambientais, atrelada a escassez de recursos, problemas ambientais globais e a políticas ambientais cada vez mais fortes influenciaram indústrias e pesquisadores a apreciar, estudar e desenvolver novos materiais a partir de fontes renováveis e novas tecnologias de fabricação. Entretanto, na literatura é reportado que a adesão interfacial entre fibras naturais e matriz polimérica é um fator que afeta as propriedades mecânicas do biocompósito, podendo ser melhorada por diversos tipos de tratamentos superficiais. Assim sendo, mantas de fibra de coco foram tratadas superficialmente por jato de plasma atmosférico, considerado menos agressivo ao meio ambiente quando comparado a tratamentos químicos, com o intuito de melhorar a adesão interfacial do biocompósitos. As fibras de coco foram caracterizadas com o objetivo de verificar a influência do tratamento nas propriedades físicas, químicas e térmicas. Verificou-se que o tratamento modificou a superfície das fibras e, consequentemente, sua hidrofilicidade e energia superficial, diminuindo o valor da permeabilidade. Parâmetros de processamento e o ciclo de cura mais adequado foram determinados como 80 ºC por 210 min, 135 ºC por 180 min e 160 ºC por 120 min, sem a aplicação de vácuo durante o processo e com fração volumétrica de fibras de aproximadamente 40 %. Inspeção acústica por ultrassom permitiu avaliar o processamento das placas dos biocompósitos verificando possíveis imperfeições caus... (Resumo completo, clicar acesso eletrônico abaixo) / Abstract: Greater awareness regarding environmental issues, coupled with scarcity of resources, global environmental problems, and increasingly strong environmental policies have influenced industries and researchers to appreciate, study and develop new materials from renewable resources and new manufacturing technologies. However, literature reports that interfacial adhesion between natural fibers and polymeric matrix is a factor that affects the biocomposite mechanical properties, able to be improved by several types of surface treatments. Thus, coconut fiber mats were surface treated by atmospheric plasma jet, considered less aggressive to the environment when compared to chemical treatments, in order to improve interfacial adhesion with the polymer matrix to obtain biocomposites. Data from coconut fiber characterization shown that the treatment modified the fibers surface and consequently their hydrophilicity and surface energy, decreasing their permeability value. Processing parameters and most appropriate curing cycle were determined and defined as 80 °C for 210 min, 135 °C for 180 min and 160 °C for 120 min, without application of vacuum during the process and approximately 40 % fiber volume fraction. Ultrasonic acoustic inspection allowed evaluating the biocomposite plates processing by verifying possible imperfections caused by impregnation of the coconut fiber by the resin and its homogeneity. Thermogravimetric analysis indicated that the initial biocomposite degradation temp... (Complete abstract click electronic access below) / Mestre