Orientador : Mauricio Prates de Campos Filho / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas / Made available in DSpace on 2018-07-17T23:15:01Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Gregolin_JoseAngeloRodrigues_M.pdf: 4032635 bytes, checksum: 0942f707bb43067e2447e97b093ae575 (MD5) Previous issue date: 1979 / Resumo: Este trabalho apresenta a pesquisa realizada durante 1977 a 1979, do processo de deposição de Silício policristalino a partir de Triclorosilano e Hidrogênio. Este processo se constitui numa das etapas fundamentais da moderna tecnologia de produção do Silício com pureza de grau eletrônico. A análise experimental do processo envolveu o projeto e construção dos equipamentos para permitir a deposição de Si e simultaneamente investigar a influência de diversos parâmetros, como a temperatura e composição dos gases sobre o processo de deposição. Pode-se salientar os seguintes componentes do sistema experimental utilizado...Observação: O resumo, na integra, podera ser visualizado no texto completo da tese digital / Abstract: The present report covers work carried out from 1977 to 1979 on the deposition of policrystalline Silicon by reduction of Trichlorosilane (SiHC13). This process represents one of the fundamentals steps in modern Silicon technology towards producing electronic grade, i.e. high purity Silicon. Experimental equipment was designed and constructed to deposit Si from SiHCl3 and simultaneously to analyse the influence upon deposition of such parameters as temperature and gas composition. Among the components of the equipment one can distinguish between ...Note: The complete abstract is available with the full electronic digital thesis or dissertations / Mestrado / Mestre em Engenharia Mecânica

Orientador: Zoraide P. Arguello / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-17T22:16:28Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Sampaio_Horiclea_M.pdf: 1677332 bytes, checksum: 228e8e1dd0fe22cd465957e0be157494 (MD5) Previous issue date: 1976 / Resumo: Não informado / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Anna Silvia Palcheco Peixoto / Banca: César Augusto Moreira / Banca: Heraldo Luiz Giacheti / Resumo: A resistividade elétrica vem sendo cada vez mais utilizada nos ensaios de investigação ambiental, sendo essa grandeza uma importante medida para a análise qualitativa da presença de contaminantes no subsolo. No entanto, muito são os fatores intervenientes na resistividade elétrica, os quais são geralmente estudados de forma isolada em laboratório para possibilitar a interpretação dos resultados de campo. Assim, o objetivo dessa dissertação de mestrado é descrever o funcionamento e as características construtivas do dispositivo de resistividade visando contribuir para a construção de um dispositivo para uso em campo e avaliar, em laboratório: a resposta do dispositivo através da obtenção das curvas de verificação desse equipamento para as temperaturas de 19 a 25ºC; realizar o estudo do potencial elétrico do dispositivo em meio aquoso para quatro concentrações diferentes; e avaliar o impacto do diâmetro do corpo de prova na obtenção da resistividade elétrica pelo módulo de resistividade e pelas placas circulares de cobre. Os resultados de potencial elétrico em meio aquoso apresentaram uma redução do raio de tensões resultantes do funcionamento do dispositivo com o aumento da concentração do meio em virtude da maior facilidade de propagação dos elétrica menores. As análises de potencial elétrico em meio aquoso possibilitaram o dimensionamento corpo de prova para realização dos ensaios em laboratório, sendo este de 155mm de diâmetro. Com os resultados obtidos para a areia estudada verificou-se que a geometria do corpo de prova se sobrepõe a técnica utilizada para a realização da medida em laboratório. Isso ocorre devido à diferente distribuição das tensões no interior dos corpos de prova, ou seja, os valores de resistividade elétrica obtidos no corpo de prova maior são inferiores aos valores obtidos no corpo de prova menor para a mesma condição de ensaio, sendo uma possível explicação... / Abstract: The electrical resistivity has being used in tests for environmental site characterization once this measure is a qualitative manner to asses of the presence of contaminants in the subsurface. However, there are many intervenient factors in the electrical resistivity, which are usually studied separately in the laboratory in order to lead the interpretation of field test data. The goal of this master thesis is to describe the operation and the characteristics of resitivity device designed to contribute to the construction of in situ test tool. Furthermore, evaluate in the laboratory; the response of this tool through the curves of verification equipment for temperatures 19-25ºC; make the study of the electrical potential of these tool in an aqueous medium for four different concentrations and evaluate the impact of the diameter of test body in obtaining the electrical resistivity by the resistivity module and circular copper plates. The results electrical potential in an aqueous sample showed a reduction of the radius of the voltages resulting from the response device with the concentration of salt in the water due to the ease of propagation of electrons to values lower electrical resistivity. Analyses of the electrical potential in aqueous medium allowed the sizing test body for the tests in the laboratory, which is 155mm in diameter. The results obtained with sand studied led to conclusion the geometry of the specimen overlies the technique used to perform the measurement in a laboratory sand. It is due to different distribution of stresses within the specimens, e.g., the values of electrical resistivity obtained in the larger sample are lower than the values obtained in the lower sample of evidence for the same test condition. Probably it happens because the major sample has a greater volume of soil and so the soil available for the propagation of the stremlines and hence the electrons cross paths with lower resistance to the... / Mestre

123f. / Submitted by Suelen Reis (suziy.ellen@gmail.com) on 2013-05-08T15:32:21Z No. of bitstreams: 1 Dissertação Erick Santana.pdf: 2016867 bytes, checksum: 9e14b26fdb6c0f5c428a0fe5c4db4847 (MD5) / Rejected by Alda Lima da Silva(sivalda@ufba.br), reason: Documento de Física on 2013-05-08T18:25:31Z (GMT) / Submitted by Suelen Reis (suziy.ellen@gmail.com) on 2013-05-09T16:48:27Z No. of bitstreams: 1 Dissertação Erick Santana.pdf: 2016867 bytes, checksum: 9e14b26fdb6c0f5c428a0fe5c4db4847 (MD5) / Approved for entry into archive by Rodrigo Meirelles(rodrigomei@ufba.br) on 2013-05-09T17:08:49Z (GMT) No. of bitstreams: 1 Dissertação Erick Santana.pdf: 2016867 bytes, checksum: 9e14b26fdb6c0f5c428a0fe5c4db4847 (MD5) / Made available in DSpace on 2013-05-09T17:08:49Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Dissertação Erick Santana.pdf: 2016867 bytes, checksum: 9e14b26fdb6c0f5c428a0fe5c4db4847 (MD5) Previous issue date: 2009 / Neste trabalho realizamos a montagem experimental dos equipamentos necessários para medida da condutividade em baixa temperatura iniciando com a descrição teórica envolvida, seguido daapresentação dos equipamentos utilizados e métodos de medidas. Mostramos que o método para medir a condutividade usada geralmente, ométodo de van der Pauw, apresenta dificuldades quando se trata de efetuar a soldas dos contatos nas amostras, mas que se obtêm resultados satisfatórios com a sua utilização. Com a caracterização do óxido de estanho dopado pelo flúor (SnO2:F) obtemos resultados, a partir de uma descrição teórica desenvolvida, que não eram verificadas em medidas de condutividade em baixa temperatura. Verificamos também que a teoria existente se torna inadequada, quando se trata de semicondutores com alta concentração de impurezas. / Salvador

Made available in DSpace on 2018-08-01T22:29:39Z (GMT). No. of bitstreams: 1 tese_6761_Dissertação Mestrado Lucas Sousa.pdf: 547187 bytes, checksum: 967248ba36be2e57c3518286cc6f52d0 (MD5) Previous issue date: 2013-08-06 / Conjunto de bases Gaussianas aumentado de qualidade quádrupla zeta de valência mais funções de polarização para os átomos de K e de Sc até Kr é apresentado. Ele foi construído a partir do conjunto não aumentado para todos os elétrons pela adição de funções difusas (simetrias s, p, d, f, g e h), que foram otimizadas para o estado fundamental dos ânions. A partir desse conjunto, momento de dipolo elétrico e polarizabilidades Hartree-Fock, teorias de perturbação de MΦller-Plesset de segunda ordem e do funcional da densidade para uma amostra de moléculas bem como para os aglomerados de Cun (n ≤ 4) foram calculados e comparados com valores teórico e experimental disponíveis na literatura.

Orientador: Ivan Emilio Chambouleyron / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica "Gleb Wataghin" / Made available in DSpace on 2018-07-27T16:59:07Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Reis_FrancoiseToledo_D.pdf: 928680 bytes, checksum: cd338da315f0b09e3466dba9394456d5 (MD5) Previous issue date: 2001 / Resumo: Nesta tese apresentamos um estudo da dependência da fotocondutividade, I P C, com a temperatura, T, em filmes finos de a-Ge:H intrínsecos e dopados tipo p, com gálio e tipo n, com arsênio, crescidas por rf-sputtering no Laboratório de Pesquisas Fotovoltáicas do IFGW/Unicamp. Foram realizados quatro tipos de medidas nas amostras: (i) I P C em função da frequência de iluminação, para diferentes temperaturas, (ii) I P C em função da energia do fóton, para diferentes T, (iii) I P C em função de T, para energia de fóton fixa, e (iv) I P C em função da intensidade de iluminação, para diferentes T. A partir das medidas de fotocondutividade espectral observamos a diminuição da energia de Urbach, Eo, com a diminuição de T em uma amostra de a-Ge:H intrínseca, consistentemente com resultados de medidas de EXAFS (Extended X-Ray Absorption Fine Structure), evidenciando a presença de duas contribuições para Eo, a primeira da desordem estática, ou topológica do material e a segunda da desordem térmica, que se acentua com o aumento de T. Em medidas de IPC em função de T, observamos a presença de 3 regiões distintas: (I) para T < 40K, em todas as séries de amostras analisadas IPC é muito pouco ativada com T, com energias de ativação menores do que 1.5 meV, o que é compatível com um mecanismo de transporte por hopping entre estados localizados das caudas de banda próximos em distância (NNH, nearest-neighbour hopping); (II) para 150K < T < 260K, todas as amostras analisadas apresentam um comportamento ativado de IPC com T, com energias de ativação entre 102 - 167 meV, compatíveis tanto com um mecanismo de transporte do tipo hopping entre estados localizados das caudas de banda menos profundos dentro do pseudo-gap do material, como com transporte por estados estendidos próximos das bordas das bandas; e (III) para T > 260K, observamos a presença de thermal quenching, TQ, da fotocondutividade na amostra intrínseca, em todas as amostras da série dopada com As e nas amostras mais levemente dopadas com Ga. Nas demais amostras da série de Ga, o TQ é bem menos evidente, com a presença de ombros, ou platôs, em lugar de uma queda da fotocondutividade com o aumento de T. Tanto a posição da temperatura de início de TQ, como sua intensidade variam com a dopagem. Em medidas de IPC em função do fluxo de fótons, para diferentes T, observamos um comportamento do tipo I P C a Fg. Em todas as amostras observamos a presença de um gmín correspondente a um Tmín, cujos valores variam com a dopagem. De modo geral, gmín e Tmín são máximos em amostras compensadas e decrescem à medida em que a energia de Fermi se desloca desde o meio do pseudo-gap em direção às bordas das bandas de valência (dopagem tipo p) e de condução (dopagem tipo n). Em nossa explicação fenomenológica, consideramos que gmín e Tmín são a consequência de uma competição entre uma mobilidade de deriva (drift) de portadores ativada termicamente, e as variações na densidade de centros de recombinação resultantes da dopagem e da mudança de temperatura / Abstract: In this thesis we present a study of the dependence of the photoconductivity, I P C, with temperature, T, in intrinsic and Ga- (p-type) and As- (n-type) doped a-Ge:H thin films, deposited by the rf-sputtering technique in the Photovoltaics Research Laboratory of the IFGW/Unicamp. Four types of measurements were realized on samples: (i) I P C as a function of the illumination frequency, for different temperatures, (ii) I P C as a function of the photon energy, for different T, (iii) I P C as a function of T, for fixed photon energy, and (iv) I P C as a funtion of the illumination intensity, for different T. From the spectral response of the intrinsic a-Ge:H sample, we observed a decrease of the Urbach energy, Eo, with the decrease of T, consistently with results on EXAFS (Extended X-Ray Absorption Fine Structure) measurements, which emphasize the presence of two major contributions to Eo, one from the static, or topological disorder, and the other from the thermal disorder, which is enhanced with increasing T. From the measurements of IPC as a function of T, we noticed the presence of 3 distinct regions: (I) for T < 40K, in all the analyzed samples IPC is poorly activated with T, with activation energies less than 1.5 meV, which is compatible with a transport mechanism by hopping between nearest neighbours band tail localized states (NNH, nearest-neighbour hopping); (II) for 150K < T < 260K, all the samples present an activated behavior of IPC with T, with activation energies between 102 - 167 meV, consistently with either a transport mechanism by hopping between shallow band tail localized states, or a transport by extended states close to the band edges; and (III) for T > 260K, we observed the presence of thermal quenching, TQ, of the photoconductivity in the intrinsic sample, in all the As-doped a-Ge:H samples and in the most lightly Ga-doped a-Ge:H samples. In the remaining Ga-doped samples, TQ is less evident, instead we noticed the presence of a shoulder, or plateau. Both the TQ onset temperature and its intensity vary with doping. In measurements of I P C as a function of the photon flux, for different T, we observed an I P C a Fg behavior. In all samples a gmín corresponding to a Tmín was measured. Both gmín e Tmín values vary with doping. Generally, gmín e Tmín are maxima in compensated samples and decrease as the Fermi energy is shifted from midgap either to the valence (p-type doping) or conduction (n-type doping) band edges. In our phenomenological explanation, we consider gmín e Tmín as a consequence of the competition between the carriers thermally activated drift mobility, and the variations in the density of recombination centers, due to doping and temperature changes / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientadores: Cecilia A. C. Zavaglia, Alberto Cliquet Jr / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-20T18:55:02Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Sakamoto_MarceloYuji_M.pdf: 5664735 bytes, checksum: 95c84132f246284ece416008817c8476 (MD5) Previous issue date: 1995 / Resumo: Realizou-se um levantamento geral sobre as próteses de membros superiores, destacando-se as mioelétricas e mecânicas ativadas por cabos ou arreios; características próprias dos dois tipos de prótese foram levantadas. Posteriormente, foi feita uma investigação sobre a viabilidade de utilizar polímeros eletro-contráteis na substituição dos motores das próteses elétricas. Estes polímeros atuariam como músculos artificiais na movimentação das próteses; o polímero utilizado inicialmente, poliacrilarnida, exibiu características de contração sob estimulação elétrica, porém, sob ensaios isométricos não teve desempenho satisfatório. A fim de melhorar seu desempenho, procurou-se introduzir cargas elétricas em sua cadeia, então, foi feita uma copolimerização com ácido acrílico melhorando suas características de contração / Abstract: A general investigation was done about upper limb prostheses,emphasizing the myoelectrically and body-powered activated by cables; characteristics of each type of prostheses was prepared. Later, an investigation about the feasibility of using electrically contractile polymers for substitution of engines on electrical prostheses was done. These polymers would act like artificial muscles driven this prostheses; the polymer used initialy, polyacrylamide, exhibit contraction characteristics under electric stimuli but in isometrics trials didn't have satisfactory perfomance. To improve its perfomance, introduction ofelectric charge in its network, then a copolymerization with acrylic acid was made improving its contraction characteristics / Mestrado / Engenharia Biomedica / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador: Claudio Santos / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-17T00:30:59Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Jardim_RenatodeFigueiredo_M.pdf: 2151391 bytes, checksum: 5c35a8f94f6b1481d5b2bf9aa82f160b (MD5) Previous issue date: 1986 / Resumo: No presente trabalho são discutidos métodos experimentais utilizados para a determinação de resistividade elétrica em metais. O método convencional (método das quatro pontas ou potenciométrico) é discutido rapidamente, sendo dada maior atenção aos métodos indutivos: o método da amostra girante, o método da impedância mútua e, particularmente, o método da contra corrente. Este é estudado sob novo aspecto, não desprezando o comportamento magnético do metal, e estendido para amostras que apresentam geometria tipo cilindro circular oco em duas situações distintas: alimentação da bobina primária por fonte de corrente e por fonte de tensão. Para avaliar este procedimento são construídos três sistemas de bobinas distintos e medidas de resistividade elétrica, à temperatura ambiente e à temperatura de nitrogênio líquido, são efetuadas em amostras de nióbio purificado pelo processo eletrolítico em sais fundidos, de cobre, de alumínio, de latão e de bronze. Estes resultados são comparados com medidas efetuadas pelo método convencional, apresentando concordância dentro de erro máximo de 5% / Abstract: Not informed / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Eudes Borges de Araújo / Resumo: Foram preparados filmes finos, de Ferrita de Bismuto (BiFeO3), considerado um dos principais multiferróico que são classes de materiais que apresentam ferroeletricidade e ferromagnetismo simultaneamente. Os filmes foram preparados por um rota química chamada de Sol-gel modificado, variando-se a quantidade de % de mol do Bismuto, depositados em substratos de platina Pt/TiO2/SiO2/Si(100), variando-se a temperatura de cristalização entre 400°C a 600°C, com o objetivo de eliminar algumas fases indesejadas encontradas na literatura. Alguns filmes finos passaram pelo tratamento térmico em atmosférica de O2, com o intuito de diminuir a condutividade, causada pelas vacâncias de oxigênio no material. Pelos resultados obtidos foi possível conseguir filmes finos sem as fases indesejadas e com condutividade não tão alta, sendo possível realizar análises elétricas. Assim, tornou-se possível analisar o comportamento da permissividade, impedância e condutividade em função do campo aplicado e da temperatura. Com tais resultados mostra-se a indicação de polarização iônica nestes filmes. Eles apresentam uma energia de ativação parecida com filme finos encontrados na literatura. Além disso, também mostra que o comportamento das propriedades físicas são os mesmos quando varia a temperatura e o campo. / Abstract: Bismuth Ferrite (BiFeO3) thin films were prepared, considered one of the main multiferroic that are classes of materials that present ferroelectricity and ferromagnetism simultaneously. The films were prepared by a chemical path called modified sol-gel, varying the amount of Bismuth mol percentage, deposited on Pt/TiO2/SiO2/Si(100) platinum substrates, varying the crystallization temperature between 400 °C to 600 °C, with the aim of eliminating some unwanted phases found in literature. Some thin films underwent the thermal treatment in atmospheric O2, in order to reduce the conductivity, caused by the oxygen vacancies in the material. By the results obtained, it was possible to obtain thin films without the undesired phases and with not so high conductivity, being possible to perform electrical analysis. This way it was possible to analyze the behavior of the permissiveness, impedance and conductivity in function of the applied field and temperature. With these results, it is shown an indication of ionic polarization in these films. They have an activation energy similar to thin films found in literature. It is also shown that the behavior of the physical properties are the same when temperature and the field change. / Mestre

Orientador: Vitor Baranauskas / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-07-28T13:22:34Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Lopes_ManoelCesarValente_D.pdf: 24068595 bytes, checksum: 9f2c4cce65462510feafc4f1a1846207 (MD5) Previous issue date: 2000 / Doutorado