Submitted by Cláudia Bueno (claudiamoura18@gmail.com) on 2015-11-19T16:38:58Z No. of bitstreams: 2 Dissertação - Rodrigo Cesar Assis Caixeta - 2014.pdf: 3427166 bytes, checksum: 4e0cd6ad305c26afada6419c7fc8663c (MD5) license_rdf: 23148 bytes, checksum: 9da0b6dfac957114c6a7714714b86306 (MD5) / Approved for entry into archive by Luciana Ferreira (lucgeral@gmail.com) on 2015-11-20T13:08:46Z (GMT) No. of bitstreams: 2 Dissertação - Rodrigo Cesar Assis Caixeta - 2014.pdf: 3427166 bytes, checksum: 4e0cd6ad305c26afada6419c7fc8663c (MD5) license_rdf: 23148 bytes, checksum: 9da0b6dfac957114c6a7714714b86306 (MD5) / Made available in DSpace on 2015-11-20T13:08:46Z (GMT). No. of bitstreams: 2 Dissertação - Rodrigo Cesar Assis Caixeta - 2014.pdf: 3427166 bytes, checksum: 4e0cd6ad305c26afada6419c7fc8663c (MD5) license_rdf: 23148 bytes, checksum: 9da0b6dfac957114c6a7714714b86306 (MD5) Previous issue date: 2014-06-24 / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - CAPES / HPV, BV and CI are common conditions in adolescents and young women. Studies have reported that BV and CI can be cofactors for the acquisition and persistence of HPV, enabling the development of cytological abnormalities precursor of cervical cancer. The aim of this study was to estimate the prevalence of HPV, BV and IC in adolescents and young women and to verify that these conditions are associated with the detection of cytological abnormalities in cervical smears in adolescents and young women. Were included samples of sexually active patients and users of the Unified Health System (SUS) who underwent cervical screening by the conventional method. The cervical specimens were analyzed at the Center for Clinical Analysis Rômulo Rocha, Faculty of Pharmacy/UFG, by qualified professionals following strict quality control. The detection of HPV-DNA was made by PCR using pools of primers PGMY09/PGMY11. The diagnosis of BV was established from the observation of the presence of 20% or more of clue cells in cervical smears. The IC was assessed by counting the number of leukocytes in cervical smears in five noncontiguous with increased microscopic fields 1000X average, according Castle et al. (2001). Statistical analyzes with hierarchical logistic and control of confounding variables regression model were performed. The magnitude of association was estimated by calculating the odds ratio (OR) with confidence intervals (CI*) of 95%. 251 samples were included, with 54,9% (138/251) of adolescents aged between 15 and 19 years and 45,1% (113/251) of young women aged between 20 and 25 years. Positive results for cytological abnormalities accounted for 9,5% (24/251) of all cervical smears. The diagnosis of atypical squamous cells of undetermined significance (atypical squamous cells of undetermined significance - ASCUS) (50,0% 12/24) and squamous intraepithelial lesions (low grade squamous intraepithelial lesion - LSIL) (29,1 % 7/24) were more frequent. The overall prevalence of HPV, BV, and CI 44,2% (111/251), 41,0% (103/251) and 83,2% (209/251), respectively. Of the variables investigated, VB (OR = 2,46 CI*: 1,26 to 3,80; p: 0,006) and the detection of abnormal cytological diagnosis (OR = 1.36 CI*: 1.07 to 1.74; p: 0.013) were associated with HPV positivity in multivariate analysis. Whereas the detection of cytological abnormalities there was a significant association with HPV and BV detected in the same patient (OR = 2,59 CI*: 1,09 to 6,20; p: 0,032) and for the detection of HPV, BV and CI together (OR = 3,58 CI*: 1,06 to 12,15; p: 0,040), however, they didn’t remain independently associated in bivariate analysis. BV and cytological abnormalities were independently associated with HPV infection in adolescents and young women. HPV, BV and CI in cervical smears can indicate high possibility to detect cytological abnormalities in adolescents and young women. / HPV, VB e IC são condições frequentes em adolescentes e mulheres jovens. Estudos têm relatado que VB e IC podem ser cofatores para a aquisição e persistência do HPV, possibilitando o desenvolvimento de anormalidades citológicas precursoras do câncer do colo uterino. Assim, o objetivo desse estudo foi estimar a prevalência de HPV, VB e IC em adolescentes e mulheres jovens e verificar se estas condições estão associadas à detecção de anormalidades citológicas em esfregaços cervicais em adolescentes e mulheres. Foram incluídas amostras de pacientes sexualmente ativas e usuárias do Sistema Único de Saúde (SUS) que realizaram exame citopatológico através do método convencional. Os esfregaços cervicais foram analisados no Centro de Análises Clínicas Rômulo Rocha, da Faculdade de Farmácia/UFG, por profissionais qualificados e seguindo rigoroso controle de qualidade. A detecção de DNA do HPV foi feita por PCR, utilizando os pools de primers PGMY09/PGMY11. O diagnóstico de VB foi realizado a partir da observação da presença de 20% de células indicadoras nos esfregaços cervicais. A IC foi avaliada através da média da contagem do número de leucócitos nos esfregaços cervicais, em cinco campos microscópicos não adjacentes com aumento de 1000X, segundo Castle et al. (2001). Foram realizadas análises estatísticas com modelo de regressão logística hierárquica e controle de variáveis de confusão. A magnitude de associação foi estimada através do cálculo de odds ratio (OR) com intervalos de confiança (IC*) de 95%. Foram incluídas 251 amostras, sendo 54,9% (138/251) de adolescentes com faixa etária entre 15 e 19 anos e 45,1% (113/251) de mulheres jovens com idades entre 20 e 25 anos. Resultados positivos para anormalidades citológicas representaram 9,5% (24/251) do total de esfregaços cervicais. Os diagnósticos de células escamosas atípicas de significado indeterminado (Atypical Squamous Cells of Undetermined Significance – ASC-US) (50,0% 12/24) e lesão intraepitelial escamosa de baixo grau (Low grade Squamous Intraepithelial Lesion - LSIL) (29,1% 7/24) foram mais frequentes. As prevalências totais de HPV, VB e IC foram de 44,2% (111/251), 41,0% (103/251) e 83,2% (209/251), respectivamente. Das variáveis investigadas, VB (OR = 2,46 IC*: 1,26-3,80, p: 0,006) e a detecção de diagnóstico citológico anormal (OR = 1,36 IC*: 1,07-1,74, p: 0,013) foram associadas com a positividade para HPV pela análise multivariada. Considerando a detecção de anormalidades citológicas, houve uma associação significativa com o HPV e VB detectado no mesmo paciente (OR = 2,59 IC*: 1,09-6,20, p: 0,032), bem como para a detecção de HPV, VB e IC em conjunto (OR = 3,58 IC*: 1,06-12,15, p: 0,040), no entanto, eles não permaneceram independentemente associadas na análise bivariada. VB e esfregaço cervical anormal foram independentemente associados a infecção por HPV em adolescentes e mulheres jovens. HPV, VB e IC em esfregaços cervicais pode indicar uma maior possibilidade de detectar anormalidades citológicas em adolescentes e mulheres jovens.

Submitted by PPG Engenharia e Tecnologia de Materiais (engenharia.pg.materiais@pucrs.br) on 2018-04-24T14:42:28Z No. of bitstreams: 1 Dissertacao Taila Final.pdf: 2384346 bytes, checksum: 8e3d52f21033cdc04d8f1c3449453ceb (MD5) / Approved for entry into archive by Sheila Dias (sheila.dias@pucrs.br) on 2018-05-08T19:50:29Z (GMT) No. of bitstreams: 1 Dissertacao Taila Final.pdf: 2384346 bytes, checksum: 8e3d52f21033cdc04d8f1c3449453ceb (MD5) / Made available in DSpace on 2018-05-08T20:07:12Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Dissertacao Taila Final.pdf: 2384346 bytes, checksum: 8e3d52f21033cdc04d8f1c3449453ceb (MD5) Previous issue date: 2018-02-28 / Coordena??o de Aperfei?oamento de Pessoal de N?vel Superior - CAPES / The solar cells manufactured in n-type silicon, doped with phosphorus, do not present light induced degradation and they have the potential of achieving high efficiency due to the larger minority charge carrier lifetime. Besides, they are less susceptible to contamination by metal impurities. The aim of this work was to analyze different dopants to obtain the p+ region in n+np+ solar cells manufactured in Czochralski silicon wafers, solar grade, n-type, 120 ?m thick. The acceptor impurities used were B, Al, Ga, GaB and AlGa, deposited by spin-on and diffused at high temperature. The temperature, time and gases used in the process of diffusion were ranged. The sheet resistances (R?) of the diffused regions and the impurity concentration profiles were measured. We concluded that the B and GaB can be diffused at 970? C for 20 min to obtain p+ emitters with values of R? suitable to the production of solar cells with screenprinted metal grid. The Ga and AlGa require high temperatures (greater than 1100? C) and long times to produce doping profiles compatible with the production of solar cells. The Al did not produce low sheet resistance regions, even at temperatures of 1100? C. The use of argon gas instead of the nitrogen did not lead to the decreasing of the sheet resistance. The GaB is the only one doping material analyzed that can be a viable replacement for the B in the production of p+ emitter in n-type solar cells.The GaB was the only one doping material analyzed that allowed the manufacture of solar cells with the maximum efficiency of 13.5%, with the diffusion performed at 1020? C for 20 min. The FF was the main parameter that reduced the efficiency of solar cells doped with GaB when compared to the boron doped cells due to a lower shunt resistance. The n+np+ solar cell, 120 ?m thick, that achieved the highest efficiency was doped with boron and reached 14.9%, a value higher than the previously obtained in studies in the NT-Solar with thin silicon wafers. / As c?lulas solares fabricadas em l?minas de sil?cio tipo n, dopadas com f?sforo, n?o apresentam degrada??o por ilumina??o e t?m potencial de obten??o de maior efici?ncia devido ao maior valor do tempo de vida dos portadores de carga minorit?rios. Adicionalmente, s?o menos suscept?veis ? contamina??o por impurezas met?licas. O objetivo deste trabalho foi realizar uma an?lise de diferentes dopantes para obten??o da regi?o p+ em c?lulas solares n+np+fabricadas em l?minas de sil?cio Czochralski, grau solar, tipo n, com espessura de 120 ?m. Os elementos aceitadores utilizados foram o B, Al, Ga, GaB e AlGa, depositados por spin-on e difundidos em alta temperatura. Foram variadas as temperaturas, os tempos e os gases utilizados no processo de difus?o. Foi medida a resist?ncia de folha (R?) das regi?es difundidas e o perfil de concentra??o de impurezas em fun??o da profundidade. Foram desenvolvidas c?lulas solares com B, Ga, GaB e Al. Verificou-se que o B e GaB podem ser difundidos em temperatura de 970 ?C e por 20 min para obten??o de emissores com valores de R? compat?veis com a produ??o de c?lulas solares metalizadas por serigrafia. O Ga e AlGa necessitam de altas temperaturas (maiores que 1100 ?C) e tempos elevados para produzir perfis de dopantes compat?veis. O Al n?o produziu regi?es p+ de baixa R?, mesmo com a difus?o a 1100 ?C. O uso de Ar para substituir o N2 n?o acarretou em diminui??o da resist?ncia de folha. O GaB foi o ?nico dopante analisado que permitiu a fabrica??o de c?lulas solares com efici?ncia m?xima de 13,5 %, com difus?o a 1020 ?C por 20 min. O fator de forma foi o principal par?metro que reduziu a efici?ncia dos dispositivos com GaB quando comparado ao valor obtido com B devido a menor resist?ncia em paralelo. A c?lula solar n+np+ de 120 ?m de maior efici?ncia produzida neste trabalho foi dopada com boro e atingiu a efici?ncia de 14,9 %, sendo maior que as anteriormente obtidas em trabalhos realizados no NT-Solar com l?minas finas.

Submitted by Caio Cesar Policelli Amalfi (c_amalfi@hotmail.com) on 2017-12-06T19:19:26Z No. of bitstreams: 1 amalfi_ccp_me_eng_int.pdf: 2459316 bytes, checksum: 945ef161efa25c84f202bbd2b7a8fd7b (MD5) / Approved for entry into archive by Minervina Teixeira Lopes null (vina_lopes@bauru.unesp.br) on 2017-12-07T12:24:46Z (GMT) No. of bitstreams: 1 amalfi_ccp_me_bauru.pdf: 2459324 bytes, checksum: 6c5471ff71b8b95a377f4453ebaa4162 (MD5) / Made available in DSpace on 2017-12-07T12:24:46Z (GMT). No. of bitstreams: 1 amalfi_ccp_me_bauru.pdf: 2459324 bytes, checksum: 6c5471ff71b8b95a377f4453ebaa4162 (MD5) Previous issue date: 2017-10-27 / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES) / A alta complexidade atrelada às necessidades de segurança e confiabilidade dos processos industriais têm demandado a implantação de sistemas automáticos de segurança. Esse sistema, conhecido como Sistema Instrumentado de Segurança (SIS), é responsável pela segurança operacional do processo dentro de limites seguros através da monitoração de valores e parâmetros quando houver condições de risco. Os SISs são concebidos com diferentes Níveis de Integridade de Segurança (SIL) de acordo com o risco do processo. O desafio na implantação de um SIS é que seu procedimento de projeto é complexo e pouco difundido, além de existirem diversos métodos de cálculo e análise de riscos aceitos pelas normas de segurança. A motivação para este trabalho foi automatizar e auxiliar o projeto de SIS no que diz respeito à redução da quantidade de pessoas envolvidas e de tarefas manuais que podem causar erros, à padronização e simplificação dos procedimentos e cálculos necessários e também à diminuição do tempo de projeto, promovendo um aumento na eficiência e redução dos custos envolvidos. O objetivo é desenvolver uma ferramenta de análise e projeto de SIS, com programação voltada para Web, capaz realizar um estudo de riscos e falhas de um processo industrial e calcular um valor adequado para a seleção do SIL requerido para implantação de um sistema de segurança. A ferramenta é composta de quatro módulos: o Estudo de riscos e falhas usando a técnica HAZOP, a Quantificação dos riscos e criação de árvores de falhas; a Obtenção do SIL através da Análise da Árvores de Falhas (AAF) e a Definição de uma Função Instrumentada de Segurança (SIF) apropriada para o SIL calculado. A ferramenta desenvolvida é inovadora ao automatizar e combinar no mesmo ambiente todos os procedimentos necessários para a análise e projeto de SIS. Diversos casos de estudo de projeto de SIS, sendo um caso industrial real e outros da literatura, são utilizados para teste e validação dos módulos da ferramenta afim de demonstrar sua eficiência, flexibilidade de uso e exatidão dos resultados obtidos com a sua aplicação. / The high complexity tied to the reliability and security requirements of industrial processes has demanded the deployment of automatic safety systems. This system is known as Safety Instrumented Systems (SIS) and is responsible for the process operational safety within safe limits through the monitoring of values and parameters when there are conditions of risk. The SIS is designed with different Safety Integrity Levels (SIL) according to the process risk. The challenge in the deployment of SIS is that the design procedure is complex and not well known, and there are many calculation and risk analysis methods accepted by the safety standards. The motivation was automating and assisting in the design of SIS with regard to the reduction of people involved and manual tasks that may cause errors, the standardization and simplification of procedures and calculations needed and the reduction in project time, promoting an increase in efficiency and reducing the costs. The objective was developing an analysis and design tool for SIS, with web-based programming, capable of performing a study of the risks and failures of an industrial process and calculating an adequate value for the selection of the Safety Integrity Level (SIL) required for the implementation of the safety system. The tool is comprised of four modules: the Study of risks and failures using the HAZOP technique, the Quantification of risks and creation of fault trees; the SIL calculation through the Fault Tree Analysis (FTA) and the Definition of a Safety Instrumented Function (SIF) suitable for SIL calculated. The developed tool is innovative by systemizing and combining in the same environment all the procedures required for the analysis and design of SIS. Several case studies of SIS design are used for testing and validation of the tool modules, considering a real industrial case and others cases in the literature, in order to demonstrate the efficiency, flexibility of use, and accuracy of the results obtained with the tool application. / 1649039

Made available in DSpace on 2014-12-17T14:07:04Z (GMT). No. of bitstreams: 1 JulianaPN_DISSERT.pdf: 2953662 bytes, checksum: 47355bc7fed206f60c6c6b5d8565099b (MD5) Previous issue date: 2012-06-06 / Coordena??o de Aperfei?oamento de Pessoal de N?vel Superior / Nickel alloys are frequently used in applications that require resistance at high temperatures associated with resistance to corrosion. Alloys of Ni-Si-C can be obtained by means of powder metallurgy in which powder mixtures are made of metallic nickel powders with additions of various alloying carriers for such were used in this study SiC, Si3N4 or Si metal with graphite. Carbonyl Ni powder with mean particle size of 11 mM were mixed with 3 wt% of SiC powders with an average particle size of 15, 30 and 50 μm and further samples were obtained containing 4 to 5% by mass of SiC with average particle size of 15 μm. Samples were also obtained by varying the carrier alloy, these being Si3N4 powder with graphite, with average particle size of 1.5 and 5 μm, respectively. As a metallic Si graphite with average particle size of 12.5 and 5 μm, respectively. The reference material used was nickel carbonyl sintered without adding carriers. Microstructural characterization of the alloys was made by optical microscopy and scanning electron microscopy with semi-quantitative chemical analysis. We determined the densities of the samples and measurement of microhardness. We studied the dissociation of carriers alloy after sintering at 1200 ? C for 60 minutes. Was evaluated also in the same sintering conditions, the influence of the variation of average particle size of the SiC carrier to the proportion of 3% by mass. Finally, we studied the influence of variation of the temperatures of sintering at 950, 1080 and 1200 ? C without landing and also with heights of 30, 60, 120 and 240 minutes for sintering where the temperature was 950 ?C. Dilatometry curves showed that the SiC sintered Ni favors more effectively than other carriers alloy analyzed. SiC with average particle size of 15 μm active sintering the alloy more effectively than other SiC used. However, with the chemical and morphological analyzes for all leagues, it was observed that there was dissociation of SiC and Si3N4, as well as diffusion of Si in Ni matrix and carbon cluster and dispersed in the matrix, which also occurred for the alloys with Si carriers and metallic graphite. So the league that was presented better results containing Si Ni with graphite metallic alloy as carriers, since this had dispersed graphite best in the league, reaching the microstructural model proposed, which is necessary for material characteristic of solid lubricant, so how we got the best results when the density and hardness of the alloy / Ligas de N?quel s?o freq?entemente utilizadas em aplica??es que requerem resist?ncia mec?nica a elevadas temperaturas associada ? resist?ncia ? corros?o. Ligas de Ni-Si-C podem ser obtidas por meio de metalurgia do p? em que s?o realizadas misturas de p?s de n?quel met?lico com adi??es de p?s de diferentes portadores de liga, para tal foram utilizados neste trabalho SiC, Si3N4 ou Si met?lico com grafita. P?s de Ni carbonila com tamanho m?dio de part?culas de 11 μm foram misturados a 3% em massa de p?s de SiC com tamanho m?dio de part?culas de 15, 30 e 50 μm e foram obtidas ainda amostras contendo 4 e 5% em massa de SiC com tamanho m?dio de part?culas de 15 μm. Tamb?m foram obtidas amostras variando-se o portador de liga, sendo estes p?s de Si3N4 com grafita, com tamanho m?dio de part?culas de 1,5 e 5 μm, respectivamente. Assim como Si met?lico com grafita, com tamanho m?dio de part?culas de 12,5 e 5 μm, respectivamente. O material de refer?ncia adotado foi n?quel carbonila sinterizado sem adi??o de portadores. A caracteriza??o microestrutural das ligas foi feita por microscopia ?ptica e eletr?nica de varredura com an?lise qu?mica semi-quantitativa. Foram determinadas as densidades das amostras e obtidas medidas de microdureza Vickers. Foi estudada a dissocia??o dos portadores de liga ap?s sinteriza??o em 1200 ?C durante 60 minutos. Foi avaliada, ainda, para as mesmas condi??es de sinteriza??o, a influencia da varia??o do tamanho m?dio de part?culas do portador SiC, para a propor??o de 3% em massa. Por fim, foi estudo a influencia da varia??o das temperaturas de sinteriza??o em 950, 1080 e 1200 ?C sem patamar e, ainda, com patamares de 30, 60, 120 e 240 minutos para sinteriza??o cuja temperatura foi de 950 ?C. As curvas de dilatometria mostraram que o SiC favorece a sinteriza??o do Ni de forma mais eficaz que os demais portadores de liga analisados. O SiC com tamanho m?dio de part?culas de 15 μm ativa a sinteriza??o da liga de forma mais eficaz que os demais SiC utilizados. Por?m, com as an?lises qu?mica e morfol?gica para todas as ligas, foi poss?vel observar que houve dissocia??o do SiC e do Si3N4, assim como difus?o do Si na matriz de Ni e carbono aglomerado e disperso na matriz, o que tamb?m ocorreu para as ligas com portadores Si met?lico e grafita. Portanto, a liga que apresentou melhores resultados foi de Ni contendo Si met?lico com grafita como portadores de liga, j? que esta apresentou grafita melhor dispersa na liga, atingindo o modelo microestrutural proposto, do qual ? necess?rio para material com caracter?stica de lubrificante s?lido, assim como obteve os melhores resultados quando a densidade e dureza da liga

The Czech Armed Forces (CAF) constitutes the most important element within defense system of Czech republic. Primary role of CAF is to defend country against foreign invasion to which purpose should its build-up and structure correspond. From the perspective of military theory defined by Carl von Clausewitz, there is pivotal component in case of composition of CAF which is porportion of individual arms and services. Proportion of military occupations matching these arms and services as well as combat and support parts of CAF is of primary concern in this work. This relationship is also compared with composition of United States Armed Forces due to fact that these are the most important and the most effective armed forces in the contemporary world. Based on this comparison, there can arise some of generally valid principles and procedures for developing the armed forces which can be also applied in case of CAF. Geopolitical position of Czech republic and its historical context is also taken into consideration in this work.

Made available in DSpace on 2015-04-14T13:56:35Z (GMT). No. of bitstreams: 1 465042.pdf: 1247743 bytes, checksum: b3674abb15c6f86607716451b781b2ce (MD5) Previous issue date: 2015-01-21 / The thin bifacial solar cells are a promising opportunity to reduce costs in manufacturing solar cells. These devices take advantage of solar radiation more efficiently by using the both sides of the solar cell to produce electricity. This study aimed to analyze the type of substrate, n and p, for the manufacture of thin bifacial solar cells with silicon substrate Czochralski (Cz-Si) with a thickness of 130 μm. The wafers, provided by the company Meyer Burger, were obtained by wire cutting process. The evaluation of the influence of texture processing time on the wafer, the diffusion/firing temperature optimization of metallic pastes deposited by screen printing and finally the comparison of the electrical parameters of solar cells with those from thin bifacial manufactured devices obtained by etching were performed. From a standard process of NT-Solar texture etch, two immersion times were tested, 50 min and 60 min, and the former showed the lowest weighted average reflectance and devices with higher short circuit density. The diffusion/firing of Ag and Al metallic pastes have been optimized considering the thermal processing temperature in the range between 850 ? C and 890 ? C. It was observed that the highest average efficiency were between 860 ? C and 870 ? C. The best performance were observed in the cells fabricated with phosphorous emitter in front and boron rear side, i.e., the structure n+np+ and n+pp+, and the efficiencies in front side was 12.8% and 13.6%, respectively and in the rear side 10.4 % and 9.0 %, respectively. By comparing these results with solar cells obtained by similar processes using chemical thinned wafers, the n+np+ structure had 1 % lower efficiency and the n+pp+ one presented similar efficiency values. Regarding the type of substrate, it can be concluded that the solar cells fabricated with the n-type substrate showed higher bifaciality, but the most efficient was manufactured with p-type silicon / As c?lulas solares bifaciais finas representam uma oportunidade promissora para reduzir os custos na fabrica??o de c?lulas solares ao aproveitar a radia??o solar de maneira mais eficiente utilizando as duas faces do dispositivo para produzir energia el?trica. Este trabalho teve como objetivo a an?lise do tipo de base, n e p, para fabrica??o de c?lulas solares bifaciais finas com substrato de sil?cio Czochralski (Si- Cz) com espessura da ordem de 130 μm obtidas ap?s processo de corte a fios e fornecidas pela empresa Meyer Burguer. Foi realizada a avalia??o da influ?ncia do tempo de processo de textura??o, a otimiza??o da temperatura de queima/difus?o das pastas met?licas depositadas por serigrafia e, por fim, a compara??o dos par?metros el?tricos das c?lulas solares com os obtidos em dispositivos bifaciais fabricados em l?minas finas obtidas por ataque qu?mico. A partir de um processo de textura??o padr?o do NT-Solar dois tempos de imers?o foram testados, 50 min e 60 min, sendo que o primeiro produziu a menor reflet?ncia m?dia ponderada e os dispositivos com maior densidade de corrente de curto-circuito. A queima das pastas met?licas de Ag e Al foi otimizada considerando a temperatura do processo t?rmico no intervalo entre 850 ?C e 890 ?C. Observou-se que a maior efici?ncia m?dia se encontra entre 860 ?C e 870 ?C. As c?lulas solares mais eficientes foram as fabricadas com a regi?o frontal dopada com f?sforo e a posterior dopada com boro, isto ?, as estruturas n+np+ e n+pp+ com efici?ncias frontal de 12,8 % e 13,6 %, respectivamente, e efici?ncia posterior de 10,4 % e 9,0 %, respectivamente. Ao comparar estes resultados com c?lulas solares obtidas por processos similares e fabricadas com l?minas de outros fabricantes a estrutura n+np+ apresentou efici?ncia 1 % menor e a estrutura n+pp+ apresentou valores similares. Quanto ao tipo de substrato, as c?lulas solares fabricadas com o tipo n apresentaram melhor bifacialidade, mas as mais eficientes foram as fabricadas com sil?cio tipo p.

Made available in DSpace on 2015-04-14T13:58:25Z (GMT). No. of bitstreams: 1 400368.pdf: 4977900 bytes, checksum: 08b0f646dbce22d8e73ab4450850b4f0 (MD5) Previous issue date: 2008-03-25 / Nesse presente trabalho foi desenvolvido uma metodologia de fus?o e solidifica??o unidirecional ascendente para a obten??o de lingotes, de metais puros, com macroestrutura colunar grosseira e que possa ser aplicada na produ??o de lingotes de sil?cio multicristalinos para a ind?stria fotovoltaica. Visando gerar as condi??es necess?rias para a obten??o da macroestrutura desejada, a metodologia baseia-se no monitoramento e controle de par?metros t?rmicos tais como: velocidade de solidifica??o, gradiente t?rmico e taxa de resfriamento, e na correla??o desses par?metros com a macroestrutura. Para o desenvolvimento do trabalho foi projetado um forno de fus?o e solidifica??o unidirecional ascendente com sistema de aquecimento resistivo capas de atingir temperatura de 1650 ?C. Tamb?m foi constru?da uma lingoteira, para trabalhar com os metais zinco e alum?nio, de a?o inoxid?vel com 180 mm de comprimento por 51 mm de di?metro com duas configura??es de sistema de resfriamento capaz de gerar varia??es nos par?metros t?rmicos. Para trabalhar com sil?cio foi utilizado cadinho de quartzo e um sistema para atmosfera de prote??o tamb?m constru?do em quartzo. Com os resultados obtidos foi poss?vel observar que a taxa de resfriamento tem uma importante correla??o com a macroestrutura bruta obtida no processo de solidifica??o unidirecional ascendente. Os lingotes de zinco e alum?nio apresentam TCE bastante evidente e as taxas de resfriamentos que ocasionaram essa transi??o foram da ordem de 0,0035 ? 0,0049 ?C/s para o Zn e 0,013 ? 0,028 ?C/s para o Al. Das an?lises dos par?metros de solidifica??o e correla??o com a macroestrutura, foram determinadas as express?es do tipo: expoentT = cons tan te. TG e o. No forno foi poss?vel fundir e solidificar sil?cio in-situ.

Made available in DSpace on 2015-04-14T13:58:32Z (GMT). No. of bitstreams: 1 415932.pdf: 3172710 bytes, checksum: 32c00960607f5a28c027a3959111d56c (MD5) Previous issue date: 2009-01-30 / A c?lula solar bifacial ? ativa em ambas as faces e associada a sistemas ?pticos de concentra??o possibilita redu??o de custo. Este trabalho centrou-se no desenvolvimento de processos para fabrica??o de c?lulas solares bifaciais industriais, de 62 cm2 com metaliza??o por serigrafia em Si-Cz, do tipo p. Foram desenvolvidos dispositivos com as estruturas n+pn+ e n+pp+. Para as c?lulas solares sem forma??o de campo retrodifusor (n+pn+), verificou-se que a deposi??o da malha de Al/Ag na face posterior sobre ou sob o filme antirreflexo (AR) n?o afeta os resultados e a efici?ncia, de 6,1 % na face frontal, ? baixa. Para os processos com emissor seletivo de Al, verificou-se que a pasta de Al deve ser depositada diretamente sobre o substrato de Si, resultando em c?lulas solares com efici?ncia de 11,5 % e 1,2 %, para a face frontal e posterior, respectivamente. Nas c?lulas n+pp+ a regi?o posterior foi formada com boro. Nos processos com difus?o de boro a 1000 ?C com BBr3, verificou-se que com a concentra??o de 0,1 % de dopante no ambiente do forno as c?lulas solares apresentam par?metros el?tricos pr?ximos aos obtidos com concentra??o de 0,07 %. A melhor c?lula bifacial apresentou a efici?ncia de 12,2 % na face frontal e 5,4 % na face posterior. Para a difus?o a 900 ?C, analisaram-se as concentra??es de BBr3 de 0,07 %. 0,1 % e 0,15 %. Constatou-se que as melhores efici?ncias de 12,8 % e 8,4 %, ocorrem para a concentra??o de 0,1 %. As c?lulas solares fabricadas com o mesmo processo, por?m com forma??o da regi?o p+ com o dopante l?quido PBF20, depositado por spin-on, apresentaram efici?ncias de 13,4 % e de 9,4 %, similares ?s do processo com BBr3. A melhor c?lula solar foi processada com passo t?rmico ?nico para a difus?o de boro e oxida??o, atingindo as efici?ncias de 14,3 % e 10,9 %. Observou-se que para deposi??o de uma ?nica camada do filme do dopante, os melhores resultados ocorrem quando as l?minas s?o secadas na estufa na posi??o horizontal. Por?m, com filme duplo e secagem na posi??o vertical foram alcan?adas maiores efici?ncias.

Made available in DSpace on 2015-04-14T13:58:35Z (GMT). No. of bitstreams: 1 421791.pdf: 1283062 bytes, checksum: e3aff10753365da17e18a35994e82590 (MD5) Previous issue date: 2010-01-27 / O Sol ? fonte de energia renov?vel e o seu uso para produzir energia el?trica ? uma das alternativas promissoras para enfrentar os desafios energ?ticos e ambientais do novo mil?nio. O sil?cio ? o segundo material mais abundante da Terra. Este material ? largamente usado na ind?stria de c?lulas solares e microeletr?nica, apresenta baixos ?ndices de contamina??es e permite a fabrica??o de dispositivos de alta durabilidade. O Si tipo n vem despertando o interesse mundial devido a sua maior toler?ncia a impurezas, tais como ferro e oxig?nio, por apresentar degrada??o reduzida e maior tempo de vida dos portadores minorit?rios. O objetivo deste trabalho est? centrado no desenvolvimento de um processo de fabrica??o industrial de c?lulas solares p+nn+, pseudoquadradas de 80 mm x 80 mm, sobre sil?cio crescido por fus?o zonal flutuante (Si-FZ) tipo n, com metaliza??o por serigrafia. A regi?o p+ foi produzida a partir de boro depositado por spin-on e difundido a alta temperatura em forno convencional. A dopagem da regi?o p+ foi otimizada considerando as caracter?sticas el?tricas das c?lulas solares. A temperatura de difus?o foi variada de 900 ?C a 1020 ?C e os tempos de 10 min a 40 min. A passiva??o de superf?cie foi implementada utilizando SiO2 o que demonstrou n?o ser eficaz para reduzir a recombina??o de superf?cie. Os melhores dispositivos foram fabricados com difus?o de boro a 1000 ?C por 30 min, sem passiva??o de superf?cie, atingindo-se efici?ncias de 14,6 %.

Made available in DSpace on 2015-04-14T13:58:44Z (GMT). No. of bitstreams: 1 433800.pdf: 7490871 bytes, checksum: d20f63bf6a8349b832e9ae982f4f6b0a (MD5) Previous issue date: 2011-08-26 / Este trabalho tem como objetivo desenvolver e otimizar processos industriais para a fabrica??o de c?lulas solares em sil?cio multicristalino tipo p com estruturas n+pn+ e n+pp+. Para a obten??o da segunda estrutura, al?m da regi?o n+, foi necess?rio otimizar experimentalmente a regi?o p+ com difus?o de alum?nio. A inova??o deste trabalho consiste no desenvolvimento de c?lulas solares n+pp+ em sil?cio multicristalino e com metaliza??o por serigrafia, utilizando apenas um ?nico passo t?rmico para a difus?o dos dopantes f?sforo e alum?nio, e na compara??o das c?lulas desenvolvidas n+pn+ e n+pp+. Neste trabalho, foi otimizado o processo de textura??o isotr?pico utilizando solu??o ?cida. Um processo de textura??o por radia??o laser foi implementado e os resultados foram comparados com a reflet?ncia resultante da textura??o em solu??o ?cida. Obteve-se reflet?ncia m?dia de 23 %, para o processo com solu??o ?cida, e de 19,6 % para o processo com radia??o laser. O tempo de processamento da textura??o com radia??o laser ? elevado, encarecendo o processo. Portanto, optou-se pelo processo com ataque qu?mico ?cido. Constatou-se que a efici?ncia m?dia de c?lulas solares n+pn+ sem textura??o foi de 11,3 %, aumentando em 2 % (absoluto), quando foi implementada a textura??o em solu??o ?cida. Para o processo desenvolvido para fabrica??o de c?lulas sem campo retrodifusor, a maior efici?ncia alcan?ada foi de 13,8 %, com JSC = 29,3 mA/cm2, VOC = 595 mV e FF = 0,79. A efici?ncia m?xima encontrada para c?lulas n+pp+ foi de 14,1 % e os valores dos par?metros el?tricos foram: JSC = 30,2 mA/cm2, VOC = 592 mV e FF = 0,78. Concluiu-se que a regi?o de BSF n?o provoca melhora significativa na efici?ncia dos dispositivos, e que a pequena diferen?a entre as efici?ncias obtidas com as melhores c?lulas n+pn+ e n+pp+ devese a maior densidade de corrente de curtocircuito apresentada pelo dispositivo com BSF de Al