Made available in DSpace on 2015-04-14T13:58:57Z (GMT). No. of bitstreams: 1 445207.pdf: 16170539 bytes, checksum: 41842e991640c224b673f681192cc03b (MD5) Previous issue date: 2013-01-10 / Research has been carried out for the development and manufacturing of solar cells in n-type silicon wafers, and one of the key issues for this development is the surface passivation of boron doped emitter in the p+nn+ structure. An alternative to the passivation of p+-type surfaces is the implementation of a floating junction, ntype, to reduce the surface recombination. The aim of this work was to implement a n+ region on the front surface of industrial solar cells p+nn+ by using a simplified method, producing the (n+)p+nn+. Liquid dopants deposited by spin-on were used and the diffusion thermal process was performed in a belt furnace in order to obtain the floating n+ region. Front metal grid based on Ag or Ag/Al was deposited by screenprinting and it etched-through the n+ region to establish the frontal contact of the (n+)p+nn+, creating a floating n+ region between the metal fingers. Diffusion temperature and belt speed were varied in order to obtain a n+ region that inverted the p+ emitter surface. It was observed that inversion only was confirmed by hot probe test for a diffusion temperature (TD) of 900 ?C and belt speed (V E) of 50 cm/min, with two passes through the furnace. However, the processes carried out in the same temperature and VE = 50 cm/min, 100 cm/min and 133 cm/min presented phosphorus profiles (measured by ECV, electrochemical capacitance-voltage profiling) that can produce inversion of the surface p+ to n+. The best solar cell fabricated with n+ region on p+ was processed with TD = 900 ?C and V E = 133 cm/min and presented the following electrical characteristics: VOC = 573 mV, JSC = 33.4 mA/cm2, FF = 0,51 and h= 9.6%. By one- and two-dimensional simulations of the (n+)p+nn+ structure, it was confirmed that the produced solar cells presented low shunt resistance due to the leakage currents in the n+ region deposited on the emitter which decreased the cell efficiency when compared with those with p+nn+ structure / Pesquisas t?m sido realizadas para o desenvolvimento e fabrica??o de c?lulas solares em l?minas de sil?cio tipo n, sendo que uma das quest?es chave para esse desenvolvimento ? a passiva??o da superf?cie do emissor dopado com boro na estrutura p+nn+. Uma alternativa para a passiva??o de superf?cies de tipo p+ ? a implementa??o de uma jun??o flutuante, tipo n, para reduzir a recombina??o em superf?cie. O objetivo desse trabalho foi implantar, por um m?todo simplificado, regi?es tipo n+ sobre a superf?cie frontal de c?lulas solares p+nn+ industriais, formando a estrutura (n+)p+nn+. Para produzir experimentalmente a regi?o n+ flutuante, usaram-se l?quidos dopantes depositados por spin-on e realizou-se o processo t?rmico de difus?o em forno de esteira. A malha met?lica frontal de Ag ou Ag/Al foi depositada por serigrafia e perfurou a regi?o n+ para estabelecer o contato frontal da c?lula (n+)p+nn+, formando-se uma regi?o n+ flutuante entre as trilhas met?licas. Foram variadas a velocidade de esteira e a temperatura, durante o processo de difus?o de f?sforo, a fim de obter uma regi?o n+ que invertesse superficialmente a regi?o p+. Observou-se que a invers?o da regi?o p+ para n+ somente se confirmou pela t?cnica da ponta quente para uma temperatura de difus?o (TD) de 900 ?C e velocidade de esteira (VE) de 50 cm/min, com duas passagens pelo forno. No entanto, as medidas de perfis realizadas indicaram que processos na mesma temperatura e VE = 50 cm/min, 100 cm/min e 133 cm/min, tamb?m poderiam produzir uma invers?o da superf?cie de p+ para n+. A melhor c?lula solar fabricada com regi?o n+ sobre p+ foi processada com TD = 900 ?C e V E= 133 cm/min e apresentou as seguintes caracter?sticas el?tricas: VOC = 573 mV, JSC = 33,4 mA/cm2, FF = 0,51 e h = 9,6 %. Utilizando simula??es uni e bidimensionais da estrutura (n+)p+nn+ confirmou-se que as c?lulas solares produzidas obtiveram baixa resist?ncia em paralelo devido a correntes de fuga na regi?o n+ depositada sobre o emissor e que diminu?ram a efici?ncia das c?lulas quando comparadas com aquelas de estrutura p+nn+.

Made available in DSpace on 2015-04-14T13:58:58Z (GMT). No. of bitstreams: 1 446087.pdf: 2601196 bytes, checksum: 9b517c13bef691d2323945d0aa6cf768 (MD5) Previous issue date: 2013-01-10 / The goal of this work was to develop solar cells with aluminum back surface field by using the aluminum paste PV 381. Specifically, the influence of the metallization process on the rear was evaluated, the firing temperature of the metallization pastes and diffusion of Al was experimentally optimized, solar cells with phosphorus diffusied on the front face and on both sides were compared, the effect of passivation in the region of the back surface field and the surface density of the Al paste deposited on the back surface field were evaluated. Cells processed with phosphorus diffusion on both sides and rear metallization with busbars deposited before the deposition of the paste Al on all surface with exception of the regions with the busbars presented the best results. The best cell with an efficiency of 13.6 % was processed with temperature for drying the paste of Ag and Al of 300 ? C and 270 ? C respectively. The belt speed during the firing of the pastes affects slightly the efficiency of the devices. The initial minority carrier lifetime increased of 30 μs to 120 μs, after diffusion of phosphorus and remained at the value of about 200 μs after drying and firing the three metallization pastes. For solar cells with only diffusion of phosphorus on the front face, the silicon dioxide passivation on rear face reduced the efficiency. The best average efficiency of 15 % was obtained with aluminum diffusion/firing at 840 ?C and 870 ?C in devices with two layers of Al paste. Electrical parameters of the best solar cell were: Voc = 592 mV, Jsc = 33.5 mA/cm2, FF = 0.76 and efficiency of the 15.1 %. In this case, the average minority carrier diffusion length was of 1280 μm. / O objetivo deste trabalho foi desenvolver c?lulas solares com campo retrodifusor de alum?nio, a partir da pasta de alum?nio PV 381. Especificamente, avaliou-se a influ?ncia da metaliza??o na face posterior, otimizou-se experimentalmente a temperatura de queima das pastas de metaliza??o e da difus?o de Al, compararam-se c?lulas solares com difus?o de f?sforo na face frontal e em ambas as faces, avaliou-se a influ?ncia da passiva??o na regi?o do campo retrodifusor e da densidade superficial da pasta de Al que forma o campo retrodifusor. As c?lulas processadas com difus?o de f?sforo em ambas as faces e metaliza??o posterior com barras coletoras depositadas antes da pasta de Al depositada em toda a superf?cie com exce??o das regi?es com as barras coletoras apresentaram os melhores resultados. A melhor c?lula, com efici?ncia de 13,6 %, foi processada com a temperatura para a secagem da pasta de Ag e de Al de 300 ?C e de 270 ?C, respectivamente. Constatou-se que a velocidade da esteira nos processos de queima das pastas met?licas praticamente n?o afetou a efici?ncia dos dispositivos. O tempo de vida dos portadores de carga minorit?rios inicial de 30 μs aumentou para 120 μs, ap?s a difus?o de f?sforo e permaneceu com o valor de aproximadamente 200 μs ap?s a secagem e queima das tr?s pastas met?licas. Para c?lulas solares com difus?o de f?sforo somente na face frontal, a passiva??o com di?xido de sil?cio na face posterior piorou a efici?ncia. A melhor efici?ncia m?dia, de 15 %, foi obtida com a temperatura de queima/difus?o de 840 ?C e 870 ?C, em dispositivos com duas camadas de pasta de Al. Os par?metros el?tricos da melhor c?lula solar foram: Voc = 592 mV, Jsc = 33,5 mA/cm2, FF = 0,76 e efici?ncia de 15,1 %. Neste caso, o comprimento de difus?o dos portadores de carga minorit?rios m?dio foi de 1280 μm.

Made available in DSpace on 2015-04-14T13:59:01Z (GMT). No. of bitstreams: 1 451353.pdf: 20017308 bytes, checksum: 296ffb9862c776426e68e43169d40c26 (MD5) Previous issue date: 2013-07-19 / The goal of this thesis was the development and analysis of crystalline silicon solar cells processed by laser radiation. Solar cells with n+pp+ structure on p-type, CZ-Si solar grade substrate were developed, analysed, and evaluated, based on two laser processing techniques: laser-fired rear contacts (LFC) and laser ablation of the front surface silicon nitride by means of laser chemical processing (LPC) or using a mirror galvanometer laser system (SCA). The LFC method was employed to form the rear contacts of crystalline silicon solar cells after the deposition of an aluminium layer. The LCP and SOA methods were used to develop a silicon nitride ablation process. The laser ablation process was employed to open regions of the devices antireflection coating, followed by selective chemical deposition of Ni/Ag to form the front metal grid. The best laser processing parameters found for LFC solar cells were: 33.0 A pumping lamp current, 20.0 kHz q-switch frequency, and 0.50 mm contact distance. LFC solar cells with screen printed front metallization and Si02 rear passivation layer achieved an average efficiency of 14.4 % and best value of 15.3 %, after an annealing step at 400 00 with a belt speed of 50 cm/min. lncreasing the rear aluminium layer thickness from 2 um to 4 um did not improve the performance of the devices significantly. The best laser processing parameters found for the silicon nitride laser ablation process based on the LCP technique were: 15.3 uJ laser pulse energy, 16.0 kHz q-switch frequency, and 100 mm/s processing speed. The best laser processing parameters found for the silicon nitride laser ablation process based on the SOA technique were: 5.0 uJ laser pulse energy, 130.0 kHz q-switch frequency, and 813 mm/s processing speed. Solar cells with silicon nitride laser ablation, front side metallization by Ni/Ag selective electrochemical deposition, and screen-printed rear side metallization achieved an average efficiency of 16.1 % and best value of 16.8 % for the LCP technique and an average efficiency of 16.3 % and best value of 16.6% for the SOA technique. / O objetivo desta tese foi o desenvolvimento e an?lise de c?lulas solares em substrato de sil?cio cristalino com processamento por radia??o laser. C?lulas solares com estrutura n+pp+ em substrato de CZ-Si tipo p foram fabricadas, analisadas e comparadas, com base em duas t?cnicas de processamento laser: contatos posteriores formados por laser (CFL) e abla??o do filme antirreflexo frontal de nitreto de sil?cio por processamento qu?mico com laser (PQL) ou por processamento com laser guiado por galvan?metro de espelhos (SCA). O m?todo CFL foi utilizado na forma??o dos contatos posteriores de c?lulas solares, ap?s a deposi??o de uma camada de alum?nio. Os m?todos PQL e SCA foram usados no desenvolvimento de um processo de abla??o a laser do filme frontal de nitreto de sil?cio. Trilhas foram abertas no filme antirreflexo e posteriormente metalizadas seletivamente por deposi??o qu?mica de n?quel e prata, para formar a malha de metaliza??o frontal. Os melhores par?metros de processamento laser encontrados para c?lulas solares CFL foram: corrente da l?mpada de bombeamento ?ptico de 33,0 A, freq??ncia q-swttch de 20,0 kHz e dist?ncia entre contatos posteriores de 0,50 mm. C?lulas solares CEL com metaliza??o frontal por serigrafia e passiva??o posterior com SiO2 alcan?aram uma efici?ncia m?dia de 14,4 % e melhor valor de 15,3 %, ap?s tratamento t?rmico a 400 ?C com velocidade de esteira de 50 cm/min. O aumento da espessura da camada de alum?nio posterior de 2 um para 4 um n?o resultou em melhora significativa da performance das c?lulas solares. Os melhores par?metros de processamento encontrados para o processo de abla??o a laser de nitreto de sil?cio pela t?cnica PQL foram: energia do pulso laser de 15,3 uJ, frequ?ncia q-switch de 16,0 kHz e velocidade de processamento de 100 mm/s. Os melhores par?metros de processamento encontrados para o processo de abla??o a laser de nitreto de silicio pela t?cnica SCA foram: energia do pulso laser de 5,0 uJ, freq??ncia q-switch de 130,0 kHz e velocidade de processamento de 813 mm/s. C?lulas solares com abla??o a laser de nitreto de silicio, metaliza??o frontal seletiva por deposi??o qu?mica de n?quel e prata e metaliza??o posterior por serigrafia atingiram a efici?ncia m?dia de 16,1 % e o melhor valor de 16,8 % com a t?cnica PQL e a efici?ncia m?dia de 16,3 % e melhor valor de 16,6 % com a t?cnica SCA.

Made available in DSpace on 2015-04-14T13:59:02Z (GMT). No. of bitstreams: 1 452300.pdf: 1439969 bytes, checksum: 5e2e2d1d0059b8b7556d1755c0aa069a (MD5) Previous issue date: 2013-09-30 / The aim of this thesis was the development of industrial bifacial solar cell on ntype FZ-Si and Cz-Si wafers, metallized by screen printing. The boron diffusion was performed with the dopant PBF-20. The sequence of the dopant (B and P) diffusion was assessed and in a process the oxidation was done at the same thermal step of boron diffusion. Bifacial solar cells were developed in FZ-Si wafers using the process with phosphorus diffusion before the boron diffusion. The best solar cell was processed with boron diffusion at 1000? C during 20 minutes and achieved 14.3% (emitter) and 13.7% (back surface field) efficiencies. With boron diffusion before the phosphorus diffusion and oxidation in the same step that the boron diffusion, the best solar cell was developed with the oxidation of 30 minutes. The firing process of metal pastes was performed at 860 ?C and belt speed of 240 cm/min. The best bifacial solar cell reached 13.5% (face with phosphorus) and 11.8% (side with boron) efficiencies. The fill factor of 0.61 (emitter) limited the efficiency. Bifacial solar cells were developed on Cz-Si wafers, with boron diffusion before the phosphorus diffusion. The best efficiency was achieved with oxidation of 40 minutes. The increase of oxygen flow produced solar cells with greater uniformity of efficiency. However, when the solar cells were processed in the presence of nitrogen, the efficiency was reduced mainly in the emitter. The firing temperature of the best solar cell was 840 ?C and the belt speed was 200 cm/min. The efficiency was of approximately 13.3 % in both faces. When illuminated by the emitter, the solar cells developed in both kinds of substrate showed similar efficiency of 13.3 % -13.5 %. In the back surface filed, the efficiency of solar cells processed in FZ-Si was limited by fill factor. / O objetivo desta tese foi o desenvolvimento de c?lulas solares bifaciais industriais com metaliza??o por serigrafia, em l?minas de sil?cio Si-FZ e Si-Cz, ambas tipo n. A difus?o de boro foi realizada com o dopante PBF-20. Avaliou-se a ordem da difus?o dos dopantes e em um processo a oxida??o foi realizada na mesma etapa t?rmica da difus?o de boro. Para o processo com difus?o de f?sforo antes da difus?o de boro foram desenvolvidas c?lulas solares bifaciais em l?minas de Si-FZ. A melhor c?lula solar foi processada com difus?o de boro na temperatura de 1000 ?C e o tempo de 20 minutos e alcan?ou a efici?ncia de 14,3 % (emissor) e 13,7 % (campo retrodifusor). Do processo com difus?o de boro antes da difus?o de f?sforo e oxida??o na mesma etapa que a difus?o de boro, a melhor c?lula solar foi obtida com o tempo de oxida??o de 30 minutos. O processo de queima das pastas met?licas foi realizado na temperatura de 860 ?C e velocidade de esteira de 240 cm/min. A melhor c?lula solar bifacial alcan?ou a efici?ncia de 13,5 % (face com f?sforo) e de 11,8 % (face com boro). O fator de forma, de 0,61 (emissor) limitou a efici?ncia. Foram desenvolvidas c?lulas solares bifaciais em l?minas de Si-Cz, com difus?o de boro antes da difus?o de f?sforo. A melhor efici?ncia foi obtida para o tempo de oxida??o de 40 minutos. Constatou-se que o aumento da vaz?o de oxig?nio contribuiu para que as c?lulas solares apresentem efici?ncia mais uniforme. Por?m, quando as c?lulas solares foram processadas na presen?a de somente nitrog?nio, a efici?ncia foi reduzida, principalmente na face com o emissor. A melhor c?lula solar foi desenvolvida na temperatura de queima de 840 ?C e velocidade de esteira de 200 cm/min e apresentou a efici?ncia de aproximadamente 13,3 %. Na face com o emissor, as c?lulas solares desenvolvidas com os dois tipos de substrato apresentaram efici?ncia similar da ordem de 13,3 % - 13,5 %. Na face do campo retrodifusor, a efici?ncia das c?lulas solares processadas em Si-FZ foi limitada pelo fator de forma.

Made available in DSpace on 2015-04-14T13:59:09Z (GMT). No. of bitstreams: 1 461037.pdf: 1578465 bytes, checksum: cec1eb94f17a753cab90e1952f24deed (MD5) Previous issue date: 2014-08-29 / The main goal of the solar cell industry is to reduce the production costs so that the photovoltaic solar energy can be competitive with other kinds of electricity generation. Currently, many industrial silicon solar cells use p-type wafers and have a thickness of approximately 200 μm. The combination of the use of n-type silicon to obtain higher efficiency devices and thinner wafers can be an alternative for reducing costs. The aim of this work was to develop and evaluate silicon solar cells fabricated in thin wafers of n-type Czochralski-growth monocrystalline solar grade silicon, specifically in the development of the manufacturing process of p+nn+ and n+np+ solar cells. An etching based on 100 g of KOH and 1600 mL of H2O kept at 85 ?C was experimentally suited for thinning 200 μm wafers. Seven minutes in the etching were needed for obtaining 135 μm 140 μm thick wafers. The time of the standard texture etch used in the NT-Solar was optimized and the time that produced the lower reflectance was 40 min. By comparing metal pastes of Ag, Ag/Al and Al, we concluded that the latter enabled the manufacture of the more efficient solar cells, with both structures and aluminum metal paste cannot etch-through the TiO2 thin film. This way, the Al paste has to be deposited on the p+ face before the deposition of this film. The firing of the Ag and Al metal pastes were optimized taking into account the firing temperature. The higher average efficiencies were observed when the firing temperature remained in the range of 870 ?C a 890 ?C. More efficient solar cells fabricated with n+np+ and p+nn+ structures achieved the efficiency of 13.8 % and 13.2 %, respectively. The internal quantum efficiency showed the solar cells presented high surface recombination. By comparing both structures obtained with similar processes, we can conclude that n+np+ is the most suitable to the production of ntype silicon solar cells. / O principal objetivo da ind?stria de c?lulas solares ? reduzir os custos de produ??o a fim de que a energia solar fotovoltaica possa ser competitiva com outras formas de produ??o de energia el?trica. Atualmente, a maioria das c?lulas solares industriais de sil?cio utilizam l?minas tipo p e estas possuem espessura da ordem 200μm. A combina??o do uso de sil?cio tipo n para a obten??o de dispositivos de maior efici?ncia e l?minas finas podem ser alternativas para a redu??o dos custos. Este trabalho teve por objetivo desenvolver e avaliar c?lulas solares fabricadas sobre l?minas finas de sil?cio monocristalino Czochralski, grau solar, tipo n, especificamente no desenvolvimento do processo para fabrica??o de c?lulas p+nn+ e n+np+. Adaptou-se experimentalmente um ataque qu?mico baseado em 100 g de KOH dilu?dos em 1600 mL de H2O para afinamento de l?minas de 200 μm, sendo necess?rios 7 min de imers?o com a solu??o a 85 ?C para obten??o de l?minas de 135 μm 140 μm. A textura??o padr?o do NT-Solar foi usada, sendo que o tempo de processo que produziu a menor reflet?ncia foi de 40 min. Ao comparar pastas de Ag, Ag/Al e Al, constatou-se que a ?ltima permitiu a fabrica??o das c?lulas solares mais eficientes, com ambas as estruturas. Observou-se que esta pasta n?o consegue perfurar o filme de TiO2 e a mesma deve ser depositada sobre a face p+ antes da deposi??o deste filme. A queima de pastas met?licas de Ag e Al foi otimizada considerando a temperatura do processo t?rmico e concluiu-se que esta deve estar no intervalo de 870 ?C a 890 ?C, onde se observou a efici?ncia m?dia mais alta. As c?lulas solares mais eficientes fabricadas com as estruturas n+np+ e p+nn+ atingiram a efici?ncia de 13,8 % e 13,2 %, respectivamente. A efici?ncia qu?ntica interna mostrou que as c?lulas solares t?m alta recombina??o nas superf?cies. Comparando ambas as estruturas obtidas por processos similares, conclui-se que a estrutura n+np+ ? a mais adequada para produ??o de c?lulas solares finas em base n.

Made available in DSpace on 2015-04-14T13:59:13Z (GMT). No. of bitstreams: 1 465177.pdf: 2199385 bytes, checksum: 7e39de6eac33d2dfd74591983c10103d (MD5) Previous issue date: 2015-01-22 / This work was focused on the development of silicon solar cells with laser fired contacts and rear face passivation. Several processes were developed based on two different p-type silicon substrates. The objective was to develop a solar cell manufacturing process with laser fired contacts and aluminum deposited by evaporation, as well as to assess the rear passivation. In Si-Cz wafers, the phosphorus diffusion was performed at 865 ?C. From the power and the frequency experimental optimization in Si-Cz wafers, it was found that the efficiency of 13.1 % was obtained with 15 W of power and 80 kHz of frequency. The efficiency of 14.5 % was achieved from the annealing temperature of 350 ?C and belt speed of 66 cm/min. The experimental optimization of the distance between the dots and the contact area of the dots resulted on 14.1 % efficiency, for the distance between dots of 0.5 mm and the dot area contact of 7230 μm2. For the PV-Si-FZ substract, with the best diffusion temperature of 875 ?C, the efficiency of 14.0 % was obtained. It was found that the efficiency for Si-Cz and Si-FZ solar cell was similar, due to the low minority charge carrier lifetime. The deposition of a TiO2 film on the rear side resulted in an increase of the fill factor and efficiency, however the increase of the silicon oxide layer reduced the efficiency of the devices / Neste trabalho foram desenvolvidas c?lulas solares de sil?cio com contatos formados por radia??o laser e passiva??o na face posterior. Para isso, foram desenvolvidos processos para produ??o de c?lulas solares a partir de l?minas de sil?cio tipo p de dois tipos diferentes de substrato. O objetivo foi desenvolver um processo de fabrica??o de c?lulas solares com contato e difus?o posterior formado em pontos por radia??o laser e alum?nio depositado por evapora??o bem como avaliar a passiva??o na face posterior. Em l?minas de Si-Cz, a difus?o de f?sforo foi realizada a 865 ?C. Da otimiza??o experimental da pot?ncia e da frequ?ncia do sistema laser em l?minas de Si-Cz, constatou-se que a efici?ncia de 13,1 % foi obtida com a pot?ncia de 15 W e frequ?ncia de 80 kHz. Obteve-se a efici?ncia de 14,5 % para a temperatura de recozimento 350 ?C e a velocidade de esteira de 66 cm/min. A otimiza??o experimental da dist?ncia entre pontos e da ?rea dos pontos de contato, resultou na efici?ncia de 14,1 %, para a dist?ncia entre pontos de 0,5 mm e ?rea dos pontos de contato de 7230 μm2. Para substratos de PV-Si-FZ, a melhor temperatura de difus?o de f?sforo foi de 875 ?C e obteve-se a efici?ncia de 14,0 %. Constatou-se que a efici?ncia foi similar para c?lulas solares processadas em l?minas de Si-Cz e PV-Si-FZ, devido o baixo tempo de vida dos portadores de carga minorit?rios. A deposi??o de um filme de TiO2 na face posterior resultou em um aumento no fator de forma e da efici?ncia, por?m o aumento da camada de ?xido de sil?cio reduziu a efici?ncia dos dispositivos

Made available in DSpace on 2015-04-14T13:59:18Z (GMT). No. of bitstreams: 1 393356.pdf: 3379386 bytes, checksum: bad8f06e377a810f014c94a0e2d3e258 (MD5) Previous issue date: 2007-08-07 / ?ons de diferentes n?meros at?micos e com energias entre 1 e 2200 MeV foram usados para bombardear em flu?ncias baixas, filmes de SiO2 crescidos termicamente sobre substrato de sil?cio. Ap?s a irradia??o, os filmes foram submetidos a um ataque qu?mico em solu??o aquosa de HF, produzindo buracos c?nicos nesses filmes, com abertura que variaram de poucos nan?metros at? ≈150 nm. Os filmes foram analisados sobre microscopia de for?a at?mica e microscopia eletr?nica de transmiss?o. O di?metro das cavidades c?nicas, o ?ngulo de cone, e a dispers?o foram determinados em fun??o da energia depositada pelos ?ons por unidade de comprimento (dE/dx) para uma condi??o de ataque fixa. As cavidades s?o observadas nas amostras irradiadas, apenas quando o poder de freamento eletr?nico (dE/dx)e ? maior que 200 e V/?. Este limiar independe do valor do poder de freamento nuclear (dE/dx)n dos ?ons incidentes. Inicialmente, para energias baixas na zona do limiar, os poros t?m contornos pouco definidos e uma distribui??o de tamanhos relativamente grande (15 - 20%). Com o aumento do poder de freamento eletr?nico, os poros aumentam de tamanho at? um valor de satura??o. O ?ngulo de cone dos poros e a distribui??o de tamanhos modificam-se fortemente numa estreita faixa de dE/dx (entre 250 - 400 eV/?). Nessa regi?o de transi??o, o ?ngulo de abertura dos cones passa de ≈85? para 20?, e a dispers?o de tamanhos baixa de ≈20% para 4%. Para (dE/dx)e ≥ 450 eV/? a varia??o no tamanho, ?ngulo de cone e dispers?o das cavidades ? pequena, indicando que nesse regime as trilhas de danos s?o cont?nuas e de igual tamanho. A evolu??o da forma e tamanho das cavidades com o poder de freamento, esta associada com as modifica??es na estrutura de danos ao longo das trilhas i?nicas, que passa de descont?nua para cont?nua com o aumento do poder de freamento.?ons de diferentes n?meros at?micos e com energias entre 1 e 2200 MeV foram usados para bombardear em flu?ncias baixas, filmes de SiO2 crescidos termicamente sobre substrato de sil?cio. Ap?s a irradia??o, os filmes foram submetidos a um ataque qu?mico em solu??o aquosa de HF, produzindo buracos c?nicos nesses filmes, com abertura que variaram de poucos nan?metros at? ≈150 nm. Os filmes foram analisados sobre microscopia de for?a at?mica e microscopia eletr?nica de transmiss?o. O di?metro das cavidades c?nicas, o ?ngulo de cone, e a dispers?o foram determinados em fun??o da energia depositada pelos ?ons por unidade de comprimento (dE/dx) para uma condi??o de ataque fixa. As cavidades s?o observadas nas amostras irradiadas, apenas quando o poder de freamento eletr?nico (dE/dx)e ? maior que 200 e V/?. Este limiar independe do valor do poder de freamento nuclear (dE/dx)n dos ?ons incidentes. Inicialmente, para energias baixas na zona do limiar, os poros t?m contornos pouco definidos e uma distribui??o de tamanhos relativamente grande (15 - 20%). Com o aumento do poder de freamento eletr?nico, os poros aumentam de tamanho at? um valor de satura??o. O ?ngulo de cone dos poros e a distribui??o de tamanhos modificam-se fortemente numa estreita faixa de dE/dx (entre 250 - 400 eV/?). Nessa regi?o de transi??o, o ?ngulo de abertura dos cones passa de ≈85? para 20?, e a dispers?o de tamanhos baixa de ≈20% para 4%. Para (dE/dx)e ≥ 450 eV/? a varia??o no tamanho, ?ngulo de cone e dispers?o das cavidades ? pequena, indicando que nesse regime as trilhas de danos s?o cont?nuas e de igual tamanho. A evolu??o da forma e tamanho das cavidades com o poder de freamento, esta associada com as modifica??es na estrutura de danos ao longo das trilhas i?nicas, que passa de descont?nua para cont?nua com o aumento do poder de freamento. Em baixas energias, aglomerados de defeitos s?o pouco prov?veis e a trilha de danos n?o ? revel?vel (isto ?, n?o gera poro). Em energias intermedi?rias, flutua??es na deposi??o de energia ocorrem, resultando na forma??o de trilhas descont?nuas e uma alta dispers?o de tamanhos nas cavidades processadas. C?lculos baseados no modelo "thermal spike" reproduziram satisfatoriamente os valores encontrados para os (dE/dx)limiar, se a forma??o de uma zona fundida ao longo da trilha i?nica ? usada como crit?rio de produ??o de trilhas revel?veis. As propriedades refletoras das camadas de SiO2/Si nanoestruturadas por bombardeio i?nico foram investigadas na regi?o espectral de 350 - 1300 nm. Resultados preliminares indicam valores de reflet?ncia menores que as camadas sem poros e pr?ximos de 15%.

Submitted by Caroline Xavier (caroline.xavier@pucrs.br) on 2017-06-29T14:25:10Z No. of bitstreams: 1 TES_ESTEVAN_DE_NEGREIROS_KETZER_PARCIAL.pdf: 4368876 bytes, checksum: 178d340e8c705672039f8fb4f2e31f47 (MD5) / Made available in DSpace on 2017-06-29T14:25:10Z (GMT). No. of bitstreams: 1 TES_ESTEVAN_DE_NEGREIROS_KETZER_PARCIAL.pdf: 4368876 bytes, checksum: 178d340e8c705672039f8fb4f2e31f47 (MD5) Previous issue date: 2017-01-20 / Coordena??o de Aperfei?oamento de Pessoal de N?vel Superior - CAPES / Conselho Nacional de Pesquisa e Desenvolvimento Cient?fico e Tecnol?gico - CNPq / This thesis is dedicated to a study on the possibility of a trauma theory in the Jacques Derrida?s thought with motivation referenced in the work of the Romanian poet German-speaking Paul Celan. Therefore, we have been thinking of three concerns derived from the idea of writing, trace and justice that permeate what we can identify here as the thought of difference (diff?rance). When we turn to the poetics of Paul Celan, we take into account the problem of aesthetic construction from the second half of the twentieth century, especially on the direct relationship which Paul Celan established with European philosophers such as T.W. Adorno, Martin Buber and Martin Heidegger. His discussion in the Western thought is going for the creation of a new aesthetic conception from the clash with avant-garde music. The discussion extends to the silence, its repercussions in extrapolating the field of phenomenology, addressing the historical dispositions that mark the two modalities of silence: one due to the helplessness from the victims and other from an embarrassment of those who lost the War. We also examine the widespread helplessness of Paul Celan?s poetic work, especially in the loss of the word as an object of meaning, and from now on rely on the perspective of a fragmented word. The idea of responsibility, in the Emmanuel Levinas? interpretation, leads us to the reflection of a support in the maternity as a necessary elaboration of the past and its impossibility imposed in the present time, taking us to the considerations of Jacques Derrida. Finally, we have ?Le Menhir?, the torment as we approach the graying stone, reinforcing the sense that its grayness color implies for the subjectivity. The trauma in Paul Celan here is seen with a perspective of future elaboration. / Cette th?se est consacr?e ? une ?tude de la possibilit? d'une th?orie du traumatisme ? la pens?e de Jacques Derrida avec la motivation a r?f?renc? ? l?oeuvre du po?te roumain germanophone Paul Celan. ? cette fin, ont ?t? d?riv?es trois pr?occupations de l?id?e d??criture, trace et la justice que nous pouvons ici identifier comme la pens?e de la diff?rence (diff?rance). Lorsque nous nous tournons vers la po?sie de Paul Celan, nous consid?rons le probl?me de la construction esth?tique de la seconde moiti? du XXe si?cle, en particulier dans la relation directe que Paul Celan ?tabli avec les philosophes europ?ens tels que T. W. Adorno, Martin Buber et Martin Heidegger. Sa discussion dans le pens?e occidentale vers ? un nouveau design esth?tique avec la musique d?avant-garde de l?affrontement. Le d?bat se prolonge au silence, ses r?percussions au extrapoler le domaine de la ph?nom?nologie, se dirigeant pour les r?gles historiques qui marquent les deux modalit?s du silence: l?une en raison de l?impuissance des victimes et une autre r?sultant d'un embarras des ceux qui ont perdu la guerre. Nous examinons aussi l?impuissance ?tendue dans toute l?oeuvre po?tique de Paul Celan, en particulier la perte du mot comme un objet signification, devrait d?sormais compter sur la perspective du mot fragment?e. L?id?e de responsabilit? dans l?interpr?tation de Emmanuel Levinas nous conduit ? la r?flexion d?un soutien dans la maternit?, l??laboration n?cessaire du pass? et de leur incapacit? impos?e ? l?heure actuelle, nous prendre ? des consid?rations Jacques Derrida. Enfin, nous avons ? Le Menhir ? l'?preuve que nous approchons de cette pierre, renforce le sentiment que sa couleur gris implique ? la subjectivit?. Le traumatisme dans Paul Celan ici est vu dans une perspective de d?veloppement futur. / Esta tese ? dedicada a um estudo sobre a possibilidade de uma teoria do trauma no pensamento de Jacques Derrida com motiva??o referenciada no trabalho do poeta romeno de l?ngua alem? Paul Celan. Para tanto, foram pensadas tr?s inquieta??es derivadas da ideia de escrita, rastro e justi?a que permeiam aquilo que aqui podemos identificar como o pensamento da diferen?a (diff?rance). Ao nos voltarmos para a po?tica de Paul Celan, temos em conta o problema da constru??o est?tica a partir da segunda metade do s?culo XX, principalmente na rela??o direta que Paul Celan estabeleceu com os fil?sofos europeus como T.W. Adorno, Martin Buber e Martin Heidegger. Sua discuss?o no pensamento ocidental se dirige para a cria??o de uma nova concep??o est?tica a partir do embate com a m?sica de vanguarda. O debate se estende at? o sil?ncio, suas repercuss?es ao extrapolar o campo da fenomenologia, dirigindo-se para as disposi??es hist?ricas que marcam as duas modalidades de sil?ncio: uma devido ao desamparo das v?timas e outra decorrente de um constrangimento dos que perderam a Guerra. Examinamos tamb?m o desamparo estendido por toda a obra po?tica de Paul Celan, especialmente na perda da palavra como objeto de significa??o, devendo a partir de agora apoiar-se na perspectiva de palavra fragmentada. O exame da ideia de responsabilidade, na interpreta??o de Emmanuel Levinas, nos conduz at? a reflex?o de um apoio na maternidade como necess?ria elabora??o do passado e sua impossibilidade imposta no tempo presente, levando-nos ?s considera??es de Jacques Derrida. Por fim, temos ?Le Menhir?, o supl?cio ao nos aproximarmos da pedra, refor?ando a sensa??o de que sua cor cinza implica ? subjetividade. O trauma em Paul Celan, aqui, ? visto com uma perspectiva de elabora??o futura.

Submitted by Ricardo Cedraz Duque Moliterno (ricardo.moliterno@uefs.br) on 2017-07-14T19:58:59Z No. of bitstreams: 1 Vidas caladas a voz feminina em Graciliano Ramos. L?lia Maria Sampaio Santana.pdf: 1010234 bytes, checksum: d7b4e3a5e739aedcdbfa0f4cfce744f5 (MD5) / Made available in DSpace on 2017-07-14T19:58:59Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Vidas caladas a voz feminina em Graciliano Ramos. L?lia Maria Sampaio Santana.pdf: 1010234 bytes, checksum: d7b4e3a5e739aedcdbfa0f4cfce744f5 (MD5) Previous issue date: 2016-09-14 / Graciliano Ramos?s work has been studied under various aspects. However, studies on women in his work are limited to Sinha Victoria from Vidas Secas (Barren Lives), and/or Madalena from S?o Bernardo. This research developed an analysis of female characters in the fictional universe of the writer from Alagoas, namely: Lu?sa, from Caet?s, Madalena, from S?o Bernardo, Marina, from Ang?stia (Anguish), and Sinha Vit?ria from Vidas Secas, adding Mrs. Maria Amelia, the author?s mother, a significant presence Inf?ncia, a book that merges memory and fiction. The interpretation of the texts was carried out from the perspective of social and historical context of the works, focusing on the female universe. In each work the characters are involved in different themes, Ramos created fictionally women ahead of their time; anticipating discussions that would be intensified years later. In order to support the analysis of the novels, the opening chapters address the critical author's fortune, contextualization, history, language and silencing, historical retrospective of women in Brazil and the pursuit of equality with men. We intend to demonstrate the importance of the female voice, although their speech is delivered at a time when women were just beginning the path of militancy for their rights, in the late nineteenth and early twentieth century. / A obra de Graciliano Ramos ? objeto de estudo sob os mais diversos aspectos. No entanto, os estudos realizados sobre as mulheres em sua obra limitam-se ? an?lise de Sinha Vit?ria, de Vidas secas e/ou Madalena, de S?o Bernardo. Nesta pesquisa foi desenvolvida uma an?lise das personagens femininas do universo ficcional do escritor alagoano, a saber: Lu?sa, de Caet?s, Madalena, de S?o Bernardo, Marina, de Ang?stia, e Sinha Vit?ria, de Vidas Secas, acrescentando-se d. Maria Am?lia, m?e do autor, presen?a marcante no livro Inf?ncia, obra que mescla mem?ria e fic??o. A interpreta??o dos textos foi realizada sob a perspectiva do contexto social e hist?rico das obras, com foco no universo feminino. Em cada obra as personagens est?o envolvidas em tem?ticas distintas, Ramos criou ficcionalmente mulheres ? frente de seu tempo, antecipando discuss?es que seriam intensificadas anos mais tarde. Com o prop?sito de subsidiar a an?lise dos romances, os cap?tulos iniciais abordam a fortuna cr?tica do autor, contextualiza??o hist?ria, linguagem e silenciamento, retrospectiva hist?rica da mulher no Brasil e a busca pela igualdade com os homens. Pretendemos demonstrar a import?ncia da voz feminina, ainda que seu discurso seja proferido em uma ?poca na qual as mulheres ainda estavam iniciando a trajet?ria da milit?ncia pelos seus direitos, entre o final do s?culo XIX e in?cios do s?culo XX.

Předmětem práce je deskripce společnosti Vodafone Czech Republic a. s. a činností, jimiž se zabývá, a provedení strategické analýzy podniku za použití osvědčených analytických modelů se syntézou v rámci SWOT analýzy odhalující strategicky nejvýznamnější faktory působící uvnitř i vně společnosti. Završením práce jsou pak návrhy strategických typů vhodných pro aplikaci na základě doporučení vyplývajících z teoretických přístupů i manažerské praxe.