Los dispositivos electrónicos formados por semiconductores se encuentran conectados con otros terminales externos por medio de contactos metálicos, los cuales forman las conexiones dentro de los circuitos integrados. A través de estos contactos es por donde el flujo de portadores de carga entra y sale de un dispositivo a otro, al aplicarles una diferencia de potencial. Los contactos pueden ser: Schottky, aquellos que conducen carga en un sentido a baja resistencia y en el otro sentido ofrecen más alta resistencia, u óhmicos, los cuales ofrecen una baja resistencia al paso de la corriente en ambos sentidos. Es de interés obtener contactos óhmicos a partir de contactos Schottky por medio de tratamientos térmicos. Los contactos Schottky resultaron al evaporar aluminio sobre muestras de silicio de distintos dopajes, los cuales se fabricaron por Deposición Física de Vapor. Para analizar el proceso de formación de contacto óhmico en las muestras, estas se caracterizaron electrónicamente por medio de las curvas densidad de corriente vs. voltaje (J-V ), antes y después de los tratamientos térmicos, para las temperaturas de 500_C, 550_C y 600_C cada una por 10 min. Los contactos Schottky obtenidos en las muestras de silicio tipo p, con un tratamiento térmico a 500_C, se comportaron como contacto óhmico. Para los siguientes tratamientos térmicos (550_C y 600_C), la resistencia de contacto aumenta, debido a que en la interfaz silicio-aluminio se forma una región cargada p+, la cual frenará la conducción por emisión térmica. Se observa también que, a mayor dopaje en las muestras, la resistencia de contacto es menor, ya que el transporte por tunelaje a través de la barrera comienza a dominar. Los contactos Schottky obtenidos en las muestras de silicio tipo n, con un tratamiento térmico a 500_C, mejora la conducción en las muestras de bajo dopaje, mientras que en la de alto dopaje la resistencia aumenta. Esto debido a la capa p+ que se forma en la interfaz del silicio-aluminio y, con los siguientes tratamientos térmicos (550_C y 600_C), la región p+ crece. Las resistencias de contacto aumentan en la muestra de bajo dopaje, en las de medio dopaje desaparece la barrera Schottky, y en la muestra de alto dopaje la región de carga espacial sufre una inversión, formándose un contacto Schottky de silicio tipo p. / Semiconductor electronic devices are connected to other external terminals by means of metal contacts. These form interconnections of devices within the integrated circuits. Through these contacts is where the flow of charge carriers enters and leaves from one device to another, by the potential difference that is applied. Contacts could be: Schottky, those that conduct charge in one direction and in the other offer resistance, or ohmic contact, which offer low resistance to the current ow in both directions. It is of interest to obtain ohmic contacts, from Schottky contacts through annealing. Schottky contacts were obtained by the evaporation of aluminum on different dopal silicon samples, which were made by Physical Vapor Deposition. To analyze the ohmic contact formation process in the samples, these were characterized electronically by means of the current density vs. voltage curves (J-V ), before and after annealing, at temperatures of 500_C , 550_C y 600_C for 10 minutes each Schottky contacts obtained in the p-type silicon samples, with annealing at 500_C, behaved as ohmic contact. For the following annealing temperatures (550_C y 600_C) the contact resistance increases, because a p+ region is formed at the silicon-aluminum interface, which could slow the conduction by thermal emission. It is also observed that, at higher doping concentration in the samples, the contact resistance decreases, since the tunneling transport through the barrier begins to dominate. Schottky contacts obtained in the n-type silicon samples, with annealing at 500_C, improve the conduction in the samples with low doping concentration, while in the the samples with of high doping concentration, the resistance increases. This is because a p+ layer is formed at the silicon-alumininum interface, and with the following annealing temperatures (550_C y 600_C), the p+ region continues growing. The contact resistances increase in the low doping concentration, in the medium doping concentration sample, the Schottky barrier disappears, and in the high doping concentration sample the space charge region changes to an inversion, it will now form a Schottky p-type silicon contact. / Tesis

La formación de monocapas orgánicas auto-ensambladas en superficie de silicio es una alternativa prometedora para el desarrollo de nuevos materiales, cuyas propiedades fisicoquímicas controlan la estructura electrónica, de manera que puedan ser usados como componentes electrónicos en biosensores, diodos orgánicos, dispositivos de almacenamiento de memoria, fotodetectores y sensores ópticos, entre otras aplicaciones diversas. Gracias a la gran estabilidad energética en los enlaces covalentes de Si-C, se logra verificar mediante modelos teóricos la predicción de los ángulos de contacto de la adsorción sobre monocapas de compuestos orgánicos en superficies hidrogenadas de Si(100). Para ello se procede experimentalmente a la hidrosililación del óxido natural de la superficie de Si(100), seguida de las respectivas adiciones térmicas de 10-bromo-1-deceno y 11-bromo-1-undeceno. Tanto en la estructura del óxido natural, en el caso de la hidrosililación, como en ambas alquilaciones, las superficies obtenidas fueron estudiadas mediante microscopía de fuerza atómica y medición del ángulo de contacto. Las imágenes por microscopía muestran la aparición de estructuras morfológicamente diferenciadas entre las superficies de SiO2, Si-H, Si-C10H20-Br y Si-C11H22-Br. El análisis del ángulo de contacto experimental entre las muestras ya mencionadas registra ángulos menores a 10,0° para una superficie de SiO2, ángulos mayores a 90,0° para superficies de Si-H (pasivadas), y ángulos entre 70,0°-80,0° para las monocapas alquílicas depositadas. Los resultados experimentales obtenidos mediante mediciones del ángulo de contacto guardan una buena correlación con aquellos obtenidos teóricamente mediante el método de Young y el método Fowkes, los cuales se basan en la distribución de fuerzas intermoleculares presentes en cada superficie tratada. En conclusión, el análisis mediante estos métodos teóricos constituye una herramienta útil para comprobar la formación de las monocapas de haluros de alquilo sobre superficies de silicio, complementándose muy bien con la observación experimental mediante microscopía y medición del ángulo de contacto. / Tesis

Debido a las propiedades eléctricas y ópticas del Silicio Poroso (PS), este es un material ampliamente utilizado para el desarrollo de los dispositivos electrónicos. Por su compatibilidad con la tecnología de fabricación del Silicio, el Silicio Poroso es estudiado hoy en día en diferentes aplicaciones como: elementos activos en circuitos integrados, estructuras electro luminiscentes, dispositivos fotodetectores, dispositivos térmicos y muchas más.El trabajo que se ha desarrollado como tesis doctoral consiste en estudiar, fabricar y caracterizar estructuras basadas en PS en diferentes medios como el luminoso y el térmico, para 1) establecer sus diferentes comportamientos y 2) desarrollo de dispositivos basados en Silicio Poroso sobre silicio cristalino (PS/c-Si). Para cada grupo de muestras fabricadas se analizaron las propiedades eléctricas y ópticas en dos tipos de estructuras, Metal/PS/c-Si/Metal (diodo) y Metal/PS/Metal (resistor). Las propiedades eléctricas se han estudiado a partir de modelos DC, AC y térmicos. Las propiedades ópticas se han estudiado a partir de modelos de reflectividad normalizada para un rango espectral desde longitudes de onda cercanos al UV hasta longitudes cercanas al IR y modelos como fotodetectores bajos diferentes fuentes luminosas en el rango visible, cercano al UV y al IR. El capítulo uno se presenta la introducción de la tesis y los objetos a desarrollar. El capítulo dos detalla el proceso de fabricación y caracterización de las capas porosas, en donde se explican los pasos para la formación de las capas porosas desde la disolución química del silicio con el HF, cubeta de anodización y las condiciones que se necesitan para la formación de los poros. Se muestra también la caracterización morfológica en donde se puede observar las diferentes morfologías presentes en las muestras fabricadas para los dos tipos de silicio cristalino tipo - n y tipo - p. En el capítulo tres se explicar los diferentes métodos de metalización que se utilizan para depositar los metales a utilizar como contactos de capa gruesa ( screen printing) y capa delgada (evaporación) , además de las diferentes caracterizaciones eléctricas tanto en DC como en AC que se deben realizar para el estudio de los dispositivos fabricados. Se puede observar en este capítulo los diversos resultados de los comportamientos de las propiedades eléctricas en DC y en AC que presentan los dispositivos fabricados tanto resistores (metal/PS/metal) como diodos (metal/PS/c-Si/metal). También se puede determinar los mecanismos de conducción que controlan el contacto del metal con la capa porosa por medio de modelos eléctricos y ecuaciones que nos permiten determinar los diferentes parámetros físicos presentes en las estructuras estudiadas. Finalmente se muestra los resultados obtenidos como aplicación eléctrica para los termistores fabricados comparados con otros termistores fabricados con PS y otros materiales. El capítulo cuatro detalla las diferentes caracterizaciones de las propiedades ópticas presentes en las capas porosas como la absorción de la luz que está relacionada con la reflectividad normalizada, la detección de luz en el rango espectral y las fotocorrientes obtenidas a diferentes potencias ópticas. Se pueden observar las diferentes caracterizaciones realizadas para los dispositivos fabricados como aplicaciones ópticas, tanto las capas antireflectivas (ARC) para los diferentes substratos de silicio tipo - n y tipo - p comparándolas con otros trabajos publicados. Al igual que las ARC también se muestran los resultados obtenidos para la detección de luz con diferentes fuentes luminosas al igual para diferentes potencias ópticas. En el capítulo cinco se exponen las conclusiones finales obtenidas para el trabajo presentado en la tesis doctoral, en el capitulo seis se presentan las publicaciones obtenidas donde se han reportado los diferentes resultados presentados en la tesis doctoral y para finalizar las referencia utilizadas como base para realizar los estudios y los diferentes análisis.

El presente trabajo es un estudio de prefactibilidad técnico-económico que consiste en la implementación de una planta para la fabricación de silicio metálico metalúrgico en el norte de Chile. El objetivo principal de este proyecto, es determinar la factibilidad de fabricar silicio metálico de grado metalúrgico en Chile, a partir de la explotación de cuarzo del prospecto Cerro Blanco, ubicado en el sector de Quilitapia – Peñablanca, IV región de Coquimbo. La inquietud por realizar este trabajo nace debido al potencial de recursos de cuarzo de alta ley presentes en el prospecto Cerro Blanco, materia prima necesaria para la fabricación de silicio metálico. Una de las principales motivaciones para realizar este trabajo se encuentra en la generación de nuevas empresas, con nuevos procesos productivos que aporten al desarrollo industrial y tecnológico de nuestro país. La justificación de este trabajo se debe a la oportunidad de negocios que presenta la comercialización de silicio metálico en los mercados internacionales. La metodología utilizada consistió en la actualización de la geología del área de estudio, donde se puso énfasis en la cantidad y calidad de los recursos. En la siguiente etapa, se desarrolló un estudio comercial donde se analizó por un lado el mercado del cuarzo a nivel nacional y por otra parte, el mercado del silicio metálico a nivel internacional, considerando para este último el mercado norteamericano y europeo como alternativas de exportación. Así mismo, se realizó un trabajo introductorio de la normativa ambiental exigido por las autoridades reguladoras de nuestro país. Complementariamente, se realizó un estudio técnico el cual describe los procesos de extracción, chancado y molienda y fabricación de silicio metálico. Por último, se realizó un estudio económico en el que se evaluaron las variables necesarias para desarrollar el proyecto, determinando la mejor alternativa a través de un análisis de sensibilidad. A partir de los resultados obtenidos en el estudio económico y en el análisis de sensibilidad, podemos concluir que el proyecto exhibe un gran atractivo, con un VAN de US$ 14.304.842 y una TIR de 66%, donde el horizonte de evaluación del proyecto se consideró a 10 años y la inversión para el funcionamiento y puesta en marcha del proyecto es de aproximadamente US$ 4.000.000, mientras que el periodo de recuperación del capital es de alrededor de 3 años.

Tese (doutorado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico. Programa de Pós-Graduação em Engenharia Mecânica. / Made available in DSpace on 2012-10-19T23:30:18Z (GMT). No. of bitstreams: 1 187008.pdf: 1899276 bytes, checksum: 7d60bff27a4c1b8477347505f31813ea (MD5) / Este trabalho foi desenvolvido com o objetivo de investigar a preparação e caracterização de estruturas metálicas magnéticas eletrodepositadas em silício. O sistema magnético escolhido consiste de camadas alternadas finas (denominadas de multicamadas) de metais magnéticos e não magnéticos, com espessuras da ordem unidades a dezenas de nanômetros, que apresentam o fenômeno físico conhecido por

Tese (doutorado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro de Ciências Físicas e Matemáticas. Programa de Pós-Graduação em Física. / Made available in DSpace on 2012-10-20T01:17:03Z (GMT). No. of bitstreams: 1 222615.pdf: 7240029 bytes, checksum: 25139e93805108a3a6ca32a61022d7ba (MD5) / O objetivo deste trabalho é a obtenção de nanoestruturas metálicas em superfícies de silício monocristalino empregando métodos eletroquímicos. Foram exploradas concomitantemente duas frentes de pesquisa: (1) preparação de superfícies de silício com padrão de organização nanoscópico; e (2) utilização destas como substrato para a eletrodeposição de nanoestruturas metálicas. Foram analisadas as condições necessárias para a obtenção de superfícies hidrogenadas de silício H-Si(111) com terraços monoatômicos livres de defeitos (pites), preparadas a partir do desbaste químico de lâminas Si(111) em solução de NH4F. A influência dos diferentes parâmetros de preparação foi investigada com medidas eletroquímicas e observações AFM ex-situ. Para obter superfícies H-Si(111) sem pites, foi demonstrado que são indispensáveis tanto a remoção do oxigênio diluído na solução de desbaste quanto a presença da face rugosa da lâmina durante o processo de corrosão. Verificou-se que esta age como um anodo de sacrifício na amostra, polarizando catodicamente a superfície de interesse, protegendo-a da corrosão anódica do silício responsável pela formação de pites nos terraços. As características estruturais das lâminas de partida, determinadas por difração de raios X, influenciam na topografia final da superfície H-Si(111). A quantidade de degraus monoatômicos observados nas imagens AFM destas superfícies é diretamente proporcional à intensidade do desvio entre a direção cristalográfica <111> e a normal à superfície das lâminas de partida. Por outro lado, a morfologia das bordas dos terraços monoatômicos está associada à direção cristalográfica no plano [111] que emerge da superfície das lâminas. Quando esta é próxima à < -1 -1 2>, são obtidas superfícies H-Si(111) com degraus monoatômicos retilíneos em larga escala (>µm). A eletrodeposição potenciostática de Au mostrou-se ser seletiva em tais superfícies H-Si(111). Dependendo do potencial de deposição empregado, conforme observado com AFM, varia tanto a quantidade quanto a localização dos sítios de nucleação de Au nesta superfície. Numa determinada faixa de potencial, este sistema eletroquímico apresentou mecanismo anisotrópico de nucleação, onde Au deposita-se predominantemente sobre os degraus monoatômicos do substrato. Deste modo foi possível preparar nanoestruturas Au/Si(111) cujo padrão nanométrico de organização é regido pela topografia do substrato empregado. Nos ensaios de microscopia AFM também foi constatado uma quantidade significativa dos aglomerados de Au eletrodepositados que possuem formato achatado com contorno poliédrico bem definido cujo um dos lados está alinhado ao degrau da superfície H-Si(111). Este indício de crescimento ordenado Au(111) e em epitaxia com o substrato foi investigado a partir de ensaios de DRX de difração normal e plana respectivamente. Com estes experimentos foi verificado tanto que a quantidade de ouro depositada com textura Au(111), quanto o grau de epitaxia e alinhamento perpendicular do depósito com o substrato, aumentam gradativamente a medida que o potencial de deposição torna-se mais negativo. Foi proposto um modelo para descrever a dependência do mecanismo de nucleação e crescimento de Au sobre Si(111) com o potencial de deposição. Segundo este modelo, ocorre a segregação da camada de hidrogênio da superfície H-Si(111) para potenciais mais intensos (mais negativos) privilegiando a formação de ligações Au-Si. Para finalizar, tais estruturas Au/Si(111) foram empregadas como substrato para a eletrodeposição de camadas metálicas de cobalto. Os aglomerados de Au na superfície destas amostras serviram para ancorar a nucleação de Co. Deste modo, foi possível produzir nanoestruturas magnéticas com morfologia determinada, indiretamente, pela distribuição de degraus monoatômicos do substrato Si(111). Em tais amostras Co/Au/Si(111) verificou-se a presença de anisotropia magnética perpendicular e plana, sendo esta última induzida pela distribuição anisotrópica de aglomerado na superfície do substrato.

Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro de Ciências Físicas e Matemáticas. Programa de Pós-graduação em Física. / Made available in DSpace on 2012-10-23T03:51:31Z (GMT). No. of bitstreams: 0Bitstream added on 2013-07-16T20:02:35Z : No. of bitstreams: 1 243265.pdf: 0 bytes, checksum: d41d8cd98f00b204e9800998ecf8427e (MD5) / Neste trabalho foram preparados filmes lipídicos de DMPC (1,2-dimiristilfosfatidilcolina) em substratos de mica, silício hidrofóbico e silício hidrofílico, com a finalidade de sintetizar estruturas que mimetizem membranas biológicas. As técnicas empregadas na preparação dos filmes foram fusão de vesículas lipídicas, espalhamento de solução orgânica por centrifugação (#spin-coating#), e automontagem por evaporação de solvente (#casting#), sendo que somente a última foi realizada nos três tipos de substratos. Os solventes utilizados para dissolver os lipídios foram isopropanol e clorofórmio. A caracterização estrutural e morfológica dos filmes foi realizada por análise topográfica de imagens obtidas por microscopia de força atômica (AFM). As amostras com e sem hidratação por vapor de água foram investigadas em ambiente controlado por fluxo constante de gás nitrogênio (ex-situ). Também foram realizadas imagens com hidratação total dos filmes por completa imersão das amostras em solução fisiológica (in-situ). Superfícies com degraus da ordem de 5 nm, característicos de bicamadas lipídicas, foram observadas principalmente em substratos hidrofílicos, com a formação ou não de estruturas multilamelares. In this work it has been prepared lipid films of DMPC 1,2-dimyristoyl-snglycero-3-phosphocholine) were prepared on mica, hydrophobic silicon, and hydrophilic silicon substrates, with the purpose of fabricating structures that mimic the biological membranes. The techniques used for the preparation of the lipid layers were vesicle fusion, spin-coating and casting. The solvents used for the dissolution of the lipids were isopropanol and chloroform. The morphologic characterization of the deposits was performed by acquiring atomic force microscopy (AFM) images of the surfaces. The images of samples with and without hydration in water vapor were taken in a chamber with controlled atmosphere and constant flux of nitrogen gas. This measuring condition is named ex-situ. In-situ experiments were also carried out by imaging the lipid films immersed in a physiologic solution. As a general result, surfaces with step heights of 5 nm, typical of lipid bilayers, were observed on samples prepared on hydrophilic substrates, being observed also the formation of multilayer structures.

No presente estudo, casca de arroz submetida à calcinação e lixívia ácida, crisotila na forma natural e após lixívia ácida, uma sílica oriunda de rejeito e papel alumínio foram utilizados com fontes de silício e alumínio na síntese da zeólita A. Para fins comparativos, sílica pirogênica comercial também foi empregada como fonte de silício. As matérias-primas, bem como os produtos obtidos, foram caracterizados por um conjunto de técnicas espectroscópicas, térmicas, eletroquímicas, volumétricas e microscópicas, a saber: Difratometria de raios-X (XRD), espectroscopia fotoeletrônica de Raios-X (XPS), espectroscopia molecular de absorção no infravermelho com Transformada de Fourier (FTIR), espectroscopia de reflectância difusa no infravermelho com Transformada de Fourier (DRIFTS), adsorção de nitrogênio, análise termogravimétrica (TGA), espectroscopia de reflectância difusa no ultravioleta-visível (DRS), microscopia de força atômica (AFM), microscopia eletrônica de varredura (SEM), microscopia eletrônica de varredura com espectroscopia de emissão de Raios-X por dispersão de energia (SEM-EDX) e voltametria cíclica diferencial (DPV). Os parâmetros de síntese avaliados foram: (i) natureza da fonte de silício e alumínio; (ii) tempo de cristalização; (iii) razões molares Si/Al no gel de síntese e (iv) influência da agitação na cristalização. Excetuando a crisotila natural, para todas as demais situações, zeólita A com alta cristalinidade e pureza foi obtida. A zeólita A sintetizada a partir da crisotila lixiviada mostrou alta estabilidade estrutural por períodos mais longos de síntese. A variação da razão molar Si/Al levou à formação da zeólita Y pura, quando usada a casca de arroz calcinada a 600ºC como fonte de Si, e uma mistura de zeólita A e Y quando usada a crisotila lixiviada. Zeólitas A, com alta cristalinidade e com grandes tamanhos de grãos foram obtidas a partir da síntese usando sílica oriunda de rejeito, crisotila lixiviada e casca de arroz calcinada a 600ºC como fonte de silício e papel alumínio como fonte de alumínio. A degradação de corantes (azul de metileno, azul direto 71 e amarelo direto 8) e fármaco (paracetamol) foi avaliada para uma série de catalisadores suportados de titânia obtidos pela impregnação do TiCl4 em zeólitas, sintetizadas usando casca de arroz e crisotila como fonte de silício, submetidas posteriormente à calcinação. A titânia gerada apresenta-se na forma anatase. Atividade catalítica elevada foi observada para as amostras com 10% de Ti, apresentando atividade catalítica comparável àquela da titânia comercial (P25) após uma hora de irradiação com luz UV. Experimentos realizados com luz solar levou à decomposição de 92 % do corante azul de metileno. A atividade fotocatalítica de um catalisador de titânia suportada foi monitorada por vários ciclos, permanecendo constante até o quinto ciclo. / In the present study, alternative silicon and aluminum sources for zeolite A synthesis were exploited, namely: rice husk submitted to calcination and to acid leaching, chrysotile in its natural form and after acid leaching, silica from reject material and aluminum foil. For comparative reasons, commercial pyrogenic silica was also employed as a silicon source. Raw materials, as well as the corresponding resulting ones were characterized by a group of spectroscopical, thermal, electrochemical, volumetric and microscopy techniques, namely: X-ray Diffraction (XRD) spectrometry, X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), transmittance Fourier Transform infrared spectroscopy (FTIR), Diffuse reflectance infrared Fourier transform spectroscopy (DRIFTS), nitrogen adsorption, thermogravimetric analysis (TGA), ultraviolet-visible diffuse reflectance spectroscopy (DRS), atomic force microscopy (AFM), scanning electron microscopy (SEM), electron scanning microscopy combined with energy dispersive X-ray analysis (SEMEDX) and differential pulse voltammetry (DPV). For the zeolite synthesis, the evaluated parameters were: (i) nature of the silicon and aluminum sources; (ii) crystallization time; (iii) Si/Al molar ratio on the synthesis gel and (iv) influence of the stirring in the crystallization. Excepting for raw chrisotile, the other cases afforded the production of zeolite A with higy crystallinity and purity. The synthesized zeolite A started from the leached chrysotile showed high structural stability for longer periods of synthesis. Variation in Si/Al molar ratio led to the formation of the zeolite Y, which was pure when rice calcinated to 600ºC was employed as the source of silicon and, which resulted in a mixture of zeolite A and Y when used the leached crisotila. Zeolite A with high crystalinity and with big size grains were obtained in the case of using silica (reject), leached chrysotile and rice calcined at 600ºC as silicon source and aluminum foil as the source of aluminum. Degradation of dyes (methylene blue, direct blue 71 and yellow direct 8) and pharmaceutical (paracetamol) was evaluated by a series of in situ generated titania supported catalysts obtained from the impregnation of TiCl4 onto a series of zeolite, synthesized using rice husk and chrysotile as the silicon source, whice were later submitted to calcination. The resulting titania were in the form of anatase phase. The highest catalyst activity was reached with samples having 10 wt.% Ti, being comparable to that exhibited by commercial P25 after one hour of UV light exposition. Experiments carried out in natural sunlight reached 92% decomposition of the methylene blue dye. The catalyst activity of a supported titania catalyst was shown to be kept until five cycles.

Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro de Ciências Físicas e Matemáticas. Programa de Pós-Graduação em Física. / Made available in DSpace on 2012-10-20T01:14:47Z (GMT). No. of bitstreams: 1 189334.pdf: 13671083 bytes, checksum: c67943901ad33ce56c561745c0c5938b (MD5) / A eletrodeposição potenciostática de ligas de Cu-Ni sobre substratos de Si foi analisada. Quatro eletrólitos foram testados, compostos, basicamente, de soluções aquosas de sulfatos de Cu e de Ni, em diferentes concentrações para diferentes aditivos, orgânicos e inorgânicos. As deposições foram realizadas após estudo de voltametria cíclica e os transientes de corrente foram usados para analisar o processo de deposição. Os depósitos foram analisados por microscopia eletrônica de varredura, espectroscopia de energia dispersiva, espectroscopia de retroespalhamento Rutherford e difração de raios-X. A composição da liga dependeu do potencial de deposição, variando a solução sólida de Cu puro até 90% de Ni em Cu, para todos os banhos. Contudo, eletrólitos diluídos fornecem depósitos de má qualidade, com superfícies rugosas e não metálicas. Os melhores resultados foram obtidos de um eletrólito concentrado com ácido bórico e de um banho baseado em citrato de trissódio. Deste último, foram obtidos depósitos homogêneos, com 1 micron de espessura, baixa rugosidade e alta granulometria.

Made available in DSpace on 2014-12-02T11:16:47Z (GMT). No. of bitstreams: 0 Previous issue date: 2014-08-01Bitstream added on 2014-12-02T11:21:34Z : No. of bitstreams: 1 000800073.pdf: 1134366 bytes, checksum: 4a15dcb26a7d38cb4f4b7f812e5ecf94 (MD5) / As es pécies de formigas cortadeiras do gênero Atta são consideradas importantes pragas da agricultura e silvicultura brasileira, pois utilizam material vegetal como substrato para o cultivo de seu fungo simbionte, exigindo assim métodos de controle para reduzir os danos causados por sua atividade forrageira, sendo o uso de iscas tóxicas um dos mais utilizados. A associação simbiótica fornece uma constituição nutricional adequada à colônia, sendo a principal fonte alimentar para as larvas e constituinte important e da alimentação das operárias adultas. O s objetivo s deste estudo foi observar o repertório comportamental de Atta sexdens rubropilosa durante a preparação e incorporação de dois substratos diferentes, folhas e iscas granuladas , bem como a participação de cada casta envolvida nesse processo, destacando possíveis diferenças morfológicas entre as mandíbulas de formigas cortadeiras de gramíneas e dicotiledôneas. Para tanto uma descrição detalhada das mandíbulas das operárias, da anatomia e da composição químic a do material vegetal forrageado pelas espécies Atta b isphaerica e A. s. rubropilosa foi elaborada, assim como um etograma evidenciando os atos comportamentais executados pelas operarias jardineiras, generalistas e forrageiras da espécie A. s . rubropilosa, durante o processamento e incorporação de dois diferentes substratos. Verificou - se que as espécies de Atta apresentam morfologia da mandíbula semelhantes, sendo observada diferença apenas dentro das castas analisadas. Em relação à descrição morfologica do material vegetal forrageado os resultados indicam que as gramíneas apresentam mais pontos lignificados, permitindo inferir que seu forrageamento e processamento exige um maior esforço das operárias e poderia levar à diferenciação nos atos comportamentais na sua preparação e incorporação no jardim de fungo. Para as 3 castas ... / Species of leaf - c utting ants of the genus Atta are important pests of agriculture and forestry Brazilian because they use plant material as substrate for the cultivation of your symbiotic fungus, thus requiring control methods to reduce the damage caused by their foraging activities. The most used are the toxic baits. The symbiotic association provides adequate nutritional constitution to the colony, the main food source for the larvae and important constituent of the diet of adult workers. The objectives of this study was observe the behavioral repertoire of Atta leaf cutter during preparation and incorporation of two different substrates, leaves and ant poison baits, as well as the participation of each caste involved in this process, stressing possible morphological diffe rences between the jaws of leaf - cutting ants grasses and dicots. For a detailed description of both jaws of the workers, anatomy and chemical composition of plant material species foraged by bisphaerica Atta and A. s. rubropilosa was prepared, as well as a n ethogram showing behavioral acts performed by workers' overalls, and generalist foragers of A. s. rubropilosa during processing and incorporation of two different substrates. It has verified that Atta species have similar morphology jaw. The difference w as observed just inside the grapes analyzed. Regarding the morphological description of the plant material foraged, results indicate that grasses have more lignified points, it can be inferred that their foraging and processing requires a greater effort of workers and could lead to differentiation in behavioral acts in their preparation and incorporation into the fungus garden . For the three castes found eight behavioral acts were recorded, regardless of substrate processed by workers ...