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1	Untersuchungen zu Schichtwachstum und Grenzflächen an Ta-basierten Dünnschichten mittels XPS Zier, Michael 14 December 2007 (has links) (PDF) In der vorliegenden Arbeit wird das Wachstum von Ta- und TaN-Schichten auf Si- und SiO_2-Substraten untersucht Die Schichten werden dabei unter technologienahen Bedingungen mittels Magnetron-Sputtern abgeschieden. Die Untersuchungen erfolgen hauptsächlich mit winkelaufgelöster röntgenstrahlungsangeregter Photoelektronenspektroskopie (ARXPS). Die Analysen erfolgen in situ, ohne Unterbrechung des Ultrahochvakuums, um die Deposite vor Oxidation und Kontamination zu schützen. Zur zerstörungsfreien Tiefenprofilanalyse wird ein Quantifizierungsalgoritmus beschrieben und angewandt. Für die Kombination Ta/Si wird die Bildung einer zunächst unvollständigen TaSi_2-Schicht, danach das Aufwachsen von Ta auf diese Zwischenschicht beobachtet. Für die Kombination Ta/SiO_2 wird eine Reduktion des SiO_2-Substrates bei gleichzeitigem Aufwachsen von Ta-Oxiden beobachtet. Auf dem durchmischten Schichtstapel wächst danach Ta auf. Für die Kombination TaN/Si wird die Bildung einer Si-N-Zwischenschicht bei gleichzeitigem Wachsen einer TaN-Schicht beobachtet. Für die Kombination TaN/SiO_2 wird das Aufwachsen einer TaN-Schicht ohne Ausbilung von Zwischenschichten beobachtet. Das Wachstumsverhalten des Ta/Si-Systems wird zusätzlich mit in situ Rastertunnelmikroskopie und -spektroskopie untersucht. Es wurden Untersuchungen zur thermischen Stabilität von abgeschiedenen Schichten an den Systemen Ta/Si und TaN/SiO_2 durchgeführt. Als mögliche Alternative zur winkelaufgelösten XPS wurden Untersuchungen mittels synchrotronstrahlungsangeregter Photoelektronenspektroskopie bei variierter Anregungsenergie durchgeführt. XPS ARXPS Tiefenprofilanalyse Dünnschicht Magnetronsputtern Tantal Diffusionsbarriere XPS ARXPS depth profile analysis thin film magnetron sputtering tantalum diffusion barrier ddc:530 rvk:UP 7500
2	Untersuchungen zu Schichtwachstum und Grenzflächen an Ta-basierten Dünnschichten mittels XPS Zier, Michael 02 November 2007 (has links) In der vorliegenden Arbeit wird das Wachstum von Ta- und TaN-Schichten auf Si- und SiO_2-Substraten untersucht Die Schichten werden dabei unter technologienahen Bedingungen mittels Magnetron-Sputtern abgeschieden. Die Untersuchungen erfolgen hauptsächlich mit winkelaufgelöster röntgenstrahlungsangeregter Photoelektronenspektroskopie (ARXPS). Die Analysen erfolgen in situ, ohne Unterbrechung des Ultrahochvakuums, um die Deposite vor Oxidation und Kontamination zu schützen. Zur zerstörungsfreien Tiefenprofilanalyse wird ein Quantifizierungsalgoritmus beschrieben und angewandt. Für die Kombination Ta/Si wird die Bildung einer zunächst unvollständigen TaSi_2-Schicht, danach das Aufwachsen von Ta auf diese Zwischenschicht beobachtet. Für die Kombination Ta/SiO_2 wird eine Reduktion des SiO_2-Substrates bei gleichzeitigem Aufwachsen von Ta-Oxiden beobachtet. Auf dem durchmischten Schichtstapel wächst danach Ta auf. Für die Kombination TaN/Si wird die Bildung einer Si-N-Zwischenschicht bei gleichzeitigem Wachsen einer TaN-Schicht beobachtet. Für die Kombination TaN/SiO_2 wird das Aufwachsen einer TaN-Schicht ohne Ausbilung von Zwischenschichten beobachtet. Das Wachstumsverhalten des Ta/Si-Systems wird zusätzlich mit in situ Rastertunnelmikroskopie und -spektroskopie untersucht. Es wurden Untersuchungen zur thermischen Stabilität von abgeschiedenen Schichten an den Systemen Ta/Si und TaN/SiO_2 durchgeführt. Als mögliche Alternative zur winkelaufgelösten XPS wurden Untersuchungen mittels synchrotronstrahlungsangeregter Photoelektronenspektroskopie bei variierter Anregungsenergie durchgeführt. info:eu-repo/classification/ddc/530 ddc:530
3	The 14N(p,γ)15O reaction studied at low and high beam energy Marta, Michele 04 June 2012 (has links) (PDF) The CNO cycle consists of a set of nuclear reactions that convert hydrogen into helium and releases energy in stars. The cycle contributes less than 1% to our Sun's luminosity, but it is responsible for detectable neutrino fluxes that can bring direct information of the physical conditions in the solar core, provided that the nuclear reaction rate is known with sufficient precision. The 14N(p,γ)15O is the slowest reaction in the CNO cycle and estabilishes its rate. The experimental study has been performed both at the LUNA 400 kV accelerator deep underground in the Gran Sasso mountain in Italy and at a 3 MV Tandetron in the Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf. A proton beam was sent on solid TiN targets and the prompt photons were collected by a composite HPGe detector (at LUNA) or by up to four HPGe detectors (Dresden). The obtained results improve the fit of the excitation function in the R-matrix framework, that is used to extrapolate the S-factor at the very low astrophysical energies. In addition, the strength of two resonances at Ep = 430 and 897 keV of the 15N(p,αγ)12C reaction were measured, improving the precision for hydrogen depth profiling. Kernastrophysik CNO solare Neutrino LUNA 14N 15N HPGe Tiefenprofilanalyse von Wasserstoff nuclear astrophysics CNO solar neutrinos LUNA 14N 15N HPGe hydrogen depth profiling ddc:530 rvk:US 1000 rvk:UN 2500
4	The 14N(p,γ)15O reaction studied at low and high beam energy Marta, Michele 01 November 2011 (has links) The CNO cycle consists of a set of nuclear reactions that convert hydrogen into helium and releases energy in stars. The cycle contributes less than 1% to our Sun's luminosity, but it is responsible for detectable neutrino fluxes that can bring direct information of the physical conditions in the solar core, provided that the nuclear reaction rate is known with sufficient precision. The 14N(p,γ)15O is the slowest reaction in the CNO cycle and estabilishes its rate. The experimental study has been performed both at the LUNA 400 kV accelerator deep underground in the Gran Sasso mountain in Italy and at a 3 MV Tandetron in the Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf. A proton beam was sent on solid TiN targets and the prompt photons were collected by a composite HPGe detector (at LUNA) or by up to four HPGe detectors (Dresden). The obtained results improve the fit of the excitation function in the R-matrix framework, that is used to extrapolate the S-factor at the very low astrophysical energies. In addition, the strength of two resonances at Ep = 430 and 897 keV of the 15N(p,αγ)12C reaction were measured, improving the precision for hydrogen depth profiling. info:eu-repo/classification/ddc/530 ddc:530
5	Beiträge zur räumlich aufgelösten Analyse mittels Scanning Laserablation-ICP-Massenspektrometrie unter besonderer Berücksichtigung von Schichtsystemen und Supraleitern Plotnikov, Alexei 19 September 2004 (has links) (PDF) Die vorliegende Arbeit stellt die Ergebnisse der methodologischen Entwicklung räumlich aufgelöster Analyse mittels Scanning Laserablation-ICP-Massenspektrometrie dar. Eine neue Behandlung zur Quantifizierung transienter analytischer Signale wurde für die Wiederherstellung von Konzentrationsprofilen vorgeschlagen. Die Anwendung der entwickelten Modelle auf die räumlich aufgelöste Analyse mittels LA-ICP-MS ermöglicht verbesserten Informationsgewinn und lässt dadurch eine höhere räumliche Auflösung erreichen. Die Anwendbarkeit der LA-ICP-MS für die räumlich aufgelöste Bestimmung der Stöchiometrie in supraleitenden Borokarbiden wurde untersucht. Der Einfluss apparativer Größen auf das analytische Signal wurde aufgeklärt, um die Messbedingungen zu optimieren. Zusätzlich wurden Fraktionierungseffekte untersucht, um die Ursache und deren Auswirkung auf die Analyse supraleitender Borokarbiden zu erklären. / This work represents the results of the methodological development of spatially resolved analysis by scanning laser ablation ICP mass spectrometry. A new approach to the quantification of transient analytical signals was proposed to reveal the concentration profile. An application of the developed models on spatially resolved analysis by LA-ICP-MS allows to gain more information from experimental data and hence to achieve better spatial resolution. The applicability of LA-ICP-MS to the spatially resolved determination of the stoichiometry of superconducting borocarbides was investigated. The effect of experimental parameters on analytical signals was elucidated in order to optimize the experimental conditions. In addition, fractionation effects were investigated to identify the causes for fractionation and their influence on the analysis of superconducting borocarbides. Elementanalyse Fraktionierungseffekte Laserablation Massenspektrometrie Schichtdickebestimmung Stöchiometriebestimmung Tiefenprofilanalyse induktiv gekoppeltes Plasma ortsaufgelöste Analyse räumliche Auflösung supraleitende Borokarbide transien depth profiling elemental analysis fractionation inductively coupled plasma mass spectrometry spatial resolution stoichiometry superconducting borocarbides transient signal ddc:540 rvk:VG 6007 Boridcarbide Fraktionierung ICP Laserablation Massenspektrometrie Tiefenprofilmessung
6	Beiträge zur räumlich aufgelösten Analyse mittels Scanning Laserablation-ICP-Massenspektrometrie unter besonderer Berücksichtigung von Schichtsystemen und Supraleitern Plotnikov, Alexei 03 December 2003 (has links) Die vorliegende Arbeit stellt die Ergebnisse der methodologischen Entwicklung räumlich aufgelöster Analyse mittels Scanning Laserablation-ICP-Massenspektrometrie dar. Eine neue Behandlung zur Quantifizierung transienter analytischer Signale wurde für die Wiederherstellung von Konzentrationsprofilen vorgeschlagen. Die Anwendung der entwickelten Modelle auf die räumlich aufgelöste Analyse mittels LA-ICP-MS ermöglicht verbesserten Informationsgewinn und lässt dadurch eine höhere räumliche Auflösung erreichen. Die Anwendbarkeit der LA-ICP-MS für die räumlich aufgelöste Bestimmung der Stöchiometrie in supraleitenden Borokarbiden wurde untersucht. Der Einfluss apparativer Größen auf das analytische Signal wurde aufgeklärt, um die Messbedingungen zu optimieren. Zusätzlich wurden Fraktionierungseffekte untersucht, um die Ursache und deren Auswirkung auf die Analyse supraleitender Borokarbiden zu erklären. / This work represents the results of the methodological development of spatially resolved analysis by scanning laser ablation ICP mass spectrometry. A new approach to the quantification of transient analytical signals was proposed to reveal the concentration profile. An application of the developed models on spatially resolved analysis by LA-ICP-MS allows to gain more information from experimental data and hence to achieve better spatial resolution. The applicability of LA-ICP-MS to the spatially resolved determination of the stoichiometry of superconducting borocarbides was investigated. The effect of experimental parameters on analytical signals was elucidated in order to optimize the experimental conditions. In addition, fractionation effects were investigated to identify the causes for fractionation and their influence on the analysis of superconducting borocarbides. info:eu-repo/classification/ddc/540 ddc:540

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