O laser de baixa intensidade ou terapêutico promove a biomodulação das respostas reparadoras naturais de células pulpares como os odontoblastos, sendo uma estratégia de tratamento a ser utilizada na terapia pulpar. O objetivo deste estudo foi avaliar in vitro o efeito da irradiação do laser terapêutico de arseniato de gálio e alumínio (GaAlAs) no comportamento da linhagem odontoblástica (MDPC-23) de camundongos. Células odontoblásticas foram plaqueadas na concentração de 104 células/poço (n=5) e submetidas às irradiações nos dias 0, 1, 2 e 3 após o plaqueamento. Foram avaliadas as doses de 0,2 e 1,0 J/cm2 e comparadas ao grupo controle não irradiado. Os parâmetros analisados foram proliferação e viabilidade celular, quantidade de proteína total, atividade de fosfatase alcalina após 3, 7, 10 e 14 dias; detecção e quantificação de matriz mineralizada após 14 dias e quantificação do fator de crescimento VEGF no sobrenadante das culturas após 7 e 10 dias. Imunofluorescência para proteínas colágenas e não-colágenas após 3, 7 e 10 dias foi realizada para verificar sua expressão qualitativa nos grupos propostos. Os resultados mostraram que o laser não afetou a viabilidade celular que ficou acima dos 90% em todos os grupos e períodos experimentais. De modo geral, os grupos irradiados apresentaram redução na proliferação, maior conteúdo de proteína total e maior atividade de ALP em relação ao observado no grupo controle. A marcação com vermelho de alizarina mostrou maior quantidade de áreas nodulares de matriz calcificada no grupo irradiado com 0,2 J/cm2, dados comprovados pela análise quantitativa. Uma maior concentração de VEGF no sobrenadante da cultura foi observada no grupo irradiado com a menor dose. A imunofluorescência revelou que a menor dose favoreceu a secreção de proteínas colágenas e não colágenas Portanto, o laser de baixa potência, dentro dos parâmetros empregados, favoreceu a expressão do fenótipo odontoblástico. / Low-level laser therapy (LLLT) has been studied as a strategy to be used in pulp therapy through biomodulation of its cells, like odontoblasts. The purpose of this investigation was to evaluate the effect of biomodulation on odontoblastic cells using low-level GaAlAs laser. Odontoblastic cells were cultured in a concentration of 104 cells/well (n=5) and submitted to the energy fluencies of 0,2 and 1,0 J/cm2 and compared to control group. There were evaluated cell proliferation and viability, total protein content and alkaline phosphatase activity ( 3, 7, 10 and 14 days), as well as detection and quantification of mineralized nodules after 14 days and VEGF quantification after 7 and 10 days. Immunofluorescence for collagen and non-collagen proteins was performed to verify their qualitative expression in the proposed groups after 3, 7 and 10 days. The results showed that LLLT did not affect cell viability in all the experimental groups. The irradiated cultures presented reduction in the proliferation, higher total protein content and ALP activity compared to the control group. Staining with red alizarin showed greater amount of nodular areas of calcified matrix in the group irradiated with 0,2 J/cm2, data confirmed by quantitative analysis. It was also observed a higher concentration of VEGF in the culture of the cells irradiated with the lowest energy fluence as well as an enhancement of the secretion of collagen and non-collagen proteins revealed through immunofluorescence. It was concluded that therapy with LLLT favors the expression of odontoblastic phenotype.

O laser de baixa intensidade ou terapêutico promove a biomodulação das respostas reparadoras naturais de células pulpares como os odontoblastos, sendo uma estratégia de tratamento a ser utilizada na terapia pulpar. O objetivo deste estudo foi avaliar in vitro o efeito da irradiação do laser terapêutico de arseniato de gálio e alumínio (GaAlAs) no comportamento da linhagem odontoblástica (MDPC-23) de camundongos. Células odontoblásticas foram plaqueadas na concentração de 104 células/poço (n=5) e submetidas às irradiações nos dias 0, 1, 2 e 3 após o plaqueamento. Foram avaliadas as doses de 0,2 e 1,0 J/cm2 e comparadas ao grupo controle não irradiado. Os parâmetros analisados foram proliferação e viabilidade celular, quantidade de proteína total, atividade de fosfatase alcalina após 3, 7, 10 e 14 dias; detecção e quantificação de matriz mineralizada após 14 dias e quantificação do fator de crescimento VEGF no sobrenadante das culturas após 7 e 10 dias. Imunofluorescência para proteínas colágenas e não-colágenas após 3, 7 e 10 dias foi realizada para verificar sua expressão qualitativa nos grupos propostos. Os resultados mostraram que o laser não afetou a viabilidade celular que ficou acima dos 90% em todos os grupos e períodos experimentais. De modo geral, os grupos irradiados apresentaram redução na proliferação, maior conteúdo de proteína total e maior atividade de ALP em relação ao observado no grupo controle. A marcação com vermelho de alizarina mostrou maior quantidade de áreas nodulares de matriz calcificada no grupo irradiado com 0,2 J/cm2, dados comprovados pela análise quantitativa. Uma maior concentração de VEGF no sobrenadante da cultura foi observada no grupo irradiado com a menor dose. A imunofluorescência revelou que a menor dose favoreceu a secreção de proteínas colágenas e não colágenas Portanto, o laser de baixa potência, dentro dos parâmetros empregados, favoreceu a expressão do fenótipo odontoblástico. / Low-level laser therapy (LLLT) has been studied as a strategy to be used in pulp therapy through biomodulation of its cells, like odontoblasts. The purpose of this investigation was to evaluate the effect of biomodulation on odontoblastic cells using low-level GaAlAs laser. Odontoblastic cells were cultured in a concentration of 104 cells/well (n=5) and submitted to the energy fluencies of 0,2 and 1,0 J/cm2 and compared to control group. There were evaluated cell proliferation and viability, total protein content and alkaline phosphatase activity ( 3, 7, 10 and 14 days), as well as detection and quantification of mineralized nodules after 14 days and VEGF quantification after 7 and 10 days. Immunofluorescence for collagen and non-collagen proteins was performed to verify their qualitative expression in the proposed groups after 3, 7 and 10 days. The results showed that LLLT did not affect cell viability in all the experimental groups. The irradiated cultures presented reduction in the proliferation, higher total protein content and ALP activity compared to the control group. Staining with red alizarin showed greater amount of nodular areas of calcified matrix in the group irradiated with 0,2 J/cm2, data confirmed by quantitative analysis. It was also observed a higher concentration of VEGF in the culture of the cells irradiated with the lowest energy fluence as well as an enhancement of the secretion of collagen and non-collagen proteins revealed through immunofluorescence. It was concluded that therapy with LLLT favors the expression of odontoblastic phenotype.

O presente estudo teve por objetivo avaliar por meio da análise de freqüência de ressonância (AFR) o efeito da irradiação com laser de GaAlAs na estabilidade de implantes de titânio, como cociente de estabilidade do implante (ISQ) instalados em pacientes parcialmente edentados na região posterior da mandíbula; assim como avaliar a evolução da estabilidade dos implantes, durante o período de osseointegração. Foram selecionados 8 pacientes adultos, com boa saúde para a instalação cirúrgica de 30 implantes Xive S® (Dentsply). Portanto, foram instalados de 2 a 5 implantes por paciente, distribuídos bilateralmente. Cada paciente atuou como seu próprio controle. Os implantes do lado controle não foram irradiados, e os do lado experimental foram submetidos a terapia com laser de diodo GaAlAs com ?= 830 nm, densidade de energia de 8 j/cm2, potência de 100 mW, modo contínuo, de forma pontual em 20 pontos, durante 3 segundos por ponto. A primeira sessão de irradiação foi no pós-operatório imediato, sendo repetida a cada 48 horas nos primeiros 14 dias, totalizando 7 irradiações. Após a instalação dos implantes foi medida a estabilidade primária destes com o aparelho Osstell?. Novas medidas de ISQ foram realizadas após 10 dias, e 3, 6, 9 e 12 semanas. No momento da instalação, os valores de ISQ na região posterior da mandíbula oscilaram de 65-84 com média de 76, sofrendo queda significativa da estabilidade do 100 dia para a 6a semana no grupo irradiado e apresentando um aumento gradual a partir da 6a semana até a 12a semana. Os valores mais altos de ISQ foram observados no 100 dia no grupo irradiado, embora sem significância estatística, e os mais baixos foram observados na 6a semana em ambos os grupos. Não foi evidenciado o efeito do laser de GaAlAs na estabilidade dos implantes com o aparelho OsstellTM, porém não se pode afirmar que os padrões de reparação óssea e a taxa de osseointegração entre os implantes irradiados e não irradiados tenham sido similares. / JThe present study was carried out to evaluate the effect of irradiation with the GaALAs laser in the stability of titanium implants (ISQ), inserted in partially edentulous patients, by means of resonance frequency analysis (RFA); as well as to evaluate the evolution of the stability during the osseointegration processs. A group of 8 patients were seleted for the insertion of 30 implants (Xive S® - Dentsply). The implants in the control site were not irradiated, and the implants in the experimentall site were submitted to laser therapy with a GaAlAs with ?= 830 nm, energy density of 8 j/cm2, power of 100 mW, continuing mode, in 20 points, for 3 seconds per point. The first irradiation was immediately after the surgery, and it was repeated every 48 hours in the first 14 days, totalizing 7 irradiations. After the implants insertion, the primary stability was measured using Osstell?. New measurements were carried out after 10 days, 3, 6, 9, 12 weeks. The incial ISQ values ranged from 65-84, with a mean of 76, showing a significative decrease in the stability from the 10th day to the 6th weeks in the irradiated group, and showing a gradual increase from 6th to 12th week. The highest ISQ values were observed in the 10th day in the irradiated group, and the lower ISQ values were observed in the 6th week in both groups. The effect of the irradiation with GaAlAs laser in implant stability was not evicenced; however, it can not be affirmed that irradiated and not irradiated implants have similar bone repair patterns and osseointegration rates.

O presente estudo teve por objetivo avaliar por meio da análise de freqüência de ressonância (AFR) o efeito da irradiação com laser de GaAlAs na estabilidade de implantes de titânio, como cociente de estabilidade do implante (ISQ) instalados em pacientes parcialmente edentados na região posterior da mandíbula; assim como avaliar a evolução da estabilidade dos implantes, durante o período de osseointegração. Foram selecionados 8 pacientes adultos, com boa saúde para a instalação cirúrgica de 30 implantes Xive S® (Dentsply). Portanto, foram instalados de 2 a 5 implantes por paciente, distribuídos bilateralmente. Cada paciente atuou como seu próprio controle. Os implantes do lado controle não foram irradiados, e os do lado experimental foram submetidos a terapia com laser de diodo GaAlAs com ?= 830 nm, densidade de energia de 8 j/cm2, potência de 100 mW, modo contínuo, de forma pontual em 20 pontos, durante 3 segundos por ponto. A primeira sessão de irradiação foi no pós-operatório imediato, sendo repetida a cada 48 horas nos primeiros 14 dias, totalizando 7 irradiações. Após a instalação dos implantes foi medida a estabilidade primária destes com o aparelho Osstell?. Novas medidas de ISQ foram realizadas após 10 dias, e 3, 6, 9 e 12 semanas. No momento da instalação, os valores de ISQ na região posterior da mandíbula oscilaram de 65-84 com média de 76, sofrendo queda significativa da estabilidade do 100 dia para a 6a semana no grupo irradiado e apresentando um aumento gradual a partir da 6a semana até a 12a semana. Os valores mais altos de ISQ foram observados no 100 dia no grupo irradiado, embora sem significância estatística, e os mais baixos foram observados na 6a semana em ambos os grupos. Não foi evidenciado o efeito do laser de GaAlAs na estabilidade dos implantes com o aparelho OsstellTM, porém não se pode afirmar que os padrões de reparação óssea e a taxa de osseointegração entre os implantes irradiados e não irradiados tenham sido similares. / JThe present study was carried out to evaluate the effect of irradiation with the GaALAs laser in the stability of titanium implants (ISQ), inserted in partially edentulous patients, by means of resonance frequency analysis (RFA); as well as to evaluate the evolution of the stability during the osseointegration processs. A group of 8 patients were seleted for the insertion of 30 implants (Xive S® - Dentsply). The implants in the control site were not irradiated, and the implants in the experimentall site were submitted to laser therapy with a GaAlAs with ?= 830 nm, energy density of 8 j/cm2, power of 100 mW, continuing mode, in 20 points, for 3 seconds per point. The first irradiation was immediately after the surgery, and it was repeated every 48 hours in the first 14 days, totalizing 7 irradiations. After the implants insertion, the primary stability was measured using Osstell?. New measurements were carried out after 10 days, 3, 6, 9, 12 weeks. The incial ISQ values ranged from 65-84, with a mean of 76, showing a significative decrease in the stability from the 10th day to the 6th weeks in the irradiated group, and showing a gradual increase from 6th to 12th week. The highest ISQ values were observed in the 10th day in the irradiated group, and the lower ISQ values were observed in the 6th week in both groups. The effect of the irradiation with GaAlAs laser in implant stability was not evicenced; however, it can not be affirmed that irradiated and not irradiated implants have similar bone repair patterns and osseointegration rates.