Thèse doctorat : Dispositifs de l'Electronique Intégrée : Villeurbanne, INSA : 2005. / Titre provenant de l'écran-titre. Bibliogr. à la fin de chaque chapitre ainsi qu'en fin d'introduction. Bibliogr. de l'auteur p. 164-165.

Thèse doctorat : Dispositifs de l'Electronique Intégrée : Villeurbanne, INSA : 2007. / Titre provenant de l'écran-titre. Références bibliographiques à la fin de chaque chapitre. Bibliographie de l'auteur Annexe C.

Th.--Sci.--Toulouse 3, 1980. N°: 931.

Titre de l'écran-titre (visionné le 25 juillet 2023) / Les troubles bipolaires sont des psychopathologies sévères et chroniques dont les troubles anxieux représentent la comorbidité la plus prévalente (75 %). Au niveau du traitement, la pharmacothérapie recommandée pour les troubles anxieux peut s'avérer néfaste pour les patients bipolaires. Le recours aux interventions psychologiques appuyées empiriquement semble être une avenue complémentaire et particulièrement adaptée. Ainsi, cette étude vise à identifier, synthétiser et évaluer les recherches sur l'efficacité des interventions psychologiques pour l'anxiété comorbide aux troubles bipolaires en effectuant une revue systématique suivie d'une méta-analyse. Une recherche des bases de données PsycInfo, Medline, WEB OF Science, Psychology and Behavioral Sciences Collection, Cumulative Index to Nursing & Allied Health Literature et Cochrane Library a été réalisée. Les titres, résumés et textes complets ont été sélectionnés par deux à trois réviseures. Les données ont été extraites à partir du modèle de Cochrane. L'évaluation du risque de biais a été conduite avec les grilles du Joanna Briggs Institute. Une méta-analyse utilisant un modèle mixte incluant un effet aléatoire de l'étude et un effet aléatoire de l'échelle de mesure a été réalisée. L'hétérogénéité a été calculée avec les statistiques Q et I². Un total de 15,473 résultats a été identifié et l'échantillon final comprend 47 études uniques. La méta-analyse sur 11 études contrôlées randomisées démontre que les interventions psychologiques entrainent une amélioration significative de l'anxiété comorbide aux troubles bipolaires (T (14) = 2,19, p = 0,046, d = 0,20 (IC à 95% = 0,01 à 0,41)). Les résultats peuvent toutefois être influencés par un biais de publication. La thérapie cognitive comportementale constitue l'avenue de traitement la mieux soutenue pour traiter l'anxiété dans les troubles bipolaires. En somme, il semblerait nécessaire d'offrir une intervention ciblant directement l'anxiété ou qui est adaptée pour en tenir compte afin d'observer des bénéfices importants pour les troubles anxieux comorbides.

Les transistors bipolaires à hétérojonctions (TBH) Si/SiGe:C disponibles aujourd'hui dans les technologies BiCMOS atteignent des fréquences de coupure fT et fmax supérieures à 200GHz. Cela leur permet d'adresser des applications dans le domaine millimétrique jusqu'à 100GHz telles que les radars anticollision pour l'automobile et les communications optiques et sans fil à haut débit. Cette thèse a pour objet le développement et l'étude de TBH Si/SiGe:C pour les technologies BiCMOS millimétriques. Après un rappel des principes de fonctionnement du transistor bipolaire, nous montrons les méthodes de fabrication, caractérisation et modélisation des dispositifs de dernière génération. Les architectures choisies et les performances obtenues par les principaux acteurs du marché sont détaillées. Nous présentons ensuite des études menées pour le développement de la technologie BiCMOS9MW de STMicroelectronics. Une version faible-coût du TBH rapide ainsi qu'un dispositif haute-tension compatible avec la technologie sont présentés et les résultats à l'état de l'art obtenus sur les deux architectures sont montrés. Nous étudions également l'impact des variations des paramètres technologiques et de la géométrie des dispositifs sur les principales caractéristiques de ces composants. La dernière partie de ce travail de thèse est consacrée au développement de nouvelles solutions technologiques afin d'améliorer encore la fréquence de transition des TBH Si/SiGe:C. Un optimisation du profil vertical du TBH a pu être réalisée grâce au développement d'un nouveau module de collecteur utilisant une épitaxie sélective et la réduction du budget thermique vu par les dispositifs durant leur fabrication. Cette dernière étude a permis d'atteindre une fréquence de transition fT· supérieure à 400GHz à température ambiante, ce qui représente la meilleure performance obtenue à ce jour pour un transistor en technologie silicium. / Si/SiGe:C heterojunction bipolar transistors integrated in BiCMOS technologies now reach cut-off frequencies fT and fmax larger than 200GHz. This allows them to address millimeter-wave applications up to 100GHz such as anti-collision automobile radars and optical and wireless communications. The purpose of this thesis is the development and the study of Si/SiGe:C HBTs for millimeter-wave BiCMOS technologies. After a reminder of the bipolar transistor theory, we show the methods of fabrication, characterization and modeling of high-speed devices. The architectures chosen by the main manufacturers of the semiconductor market are detailed and the obtained performances are compared. Then, we present the investigations driven for the development of the BiCMOS9MW technology from STMicroelectronics. A low-cost version of the high-speed HBT and a high-voltage device fully compatible with the technology are presented and the state-of-the-art results are shown. We also study the impact of the variations of the technological parameters and the design mIes on the main characteristics of devices. The last part of this work is dedicated to the development of new technological solutions in order to further improve the transition frequency fT of Si/SiGe:C HBTs. An optimization of the vertical profile has been realized thanks to the development of a new collector module using a selective epitaxy and to the reduction of the thermal budget during the devices fabrication. This last study leads to an improvement of the transition frequency fT above 400GHz at room temperature, this is the best performance obtained to date for a transistor in silicon technology.

Thèse de doctorat : Dispositifs de l'Electronique Intégrée : Villeurbanne, INSA : 1998. / Titre provenant de l'écran-titre. Bibliogr. p. [163]-165.

Thèse doctorat : Génie Electrique : Villeurbanne, INSA : 2005. / Titre provenant de l'écran-titre. Bibliogr. p. 207-212.

Reproduction de : Thèse de doctorat : Sciences de l'ingénieur. Electronique : Metz : 1999. / 1999METZ041S.

Introduction : Près de 60% des patients bipolaires stabilisés souffrent de déficits cognitifs associés à des troubles du fonctionnement psychosocial. En l’absence de traitement, ces troubles sont susceptibles de persister tout au long de la vie. Malgré cela, les déficits cognitifs ont longtemps été ignorés dans les troubles bipolaires et il n’existe que peu d’études à l’heure actuelle ciblant cette problématique. Méthodologie : Nous avons développé le programme individuel écologique de remédiation cognitive ECo, élaboré pour les troubles de l’humeur. Nous avons mené une série d’études empiriques afin d’explorer les corrélats psychologiques des troubles cognitifs, ainsi que l’amélioration cognitive, fonctionnelle et psychologique de patients bipolaires suite à une intervention en remédiation cognitive ou une psychothérapie individuelle.Résultats : Les troubles métacognitifs pourraient être associés à une augmentation de la fréquence des activités des patients et à une fragilisation sur le plan cognitif et émotionnel. La remédiation cognitive, et en particulier le programme ECo, a permis d’améliorer les capacités de résolution de problèmes dans notre population. Le programme ECo peut normaliser les fonctions cognitives déficitaires et la régulation métacognitive chez certains patients, mais peut également améliorer la résistance aux facteurs de stress, le contrôle émotionnel, l’ouverture aux relations et l’estime de soi.Conclusion : Un programme de remédiation cognitive écologique et individualisé, centré sur la métacognition et le sentiment d’efficacité personnelle, peut contribuer à améliorer des composantes de la santé fonctionnelle chez les patients bipolaires. / Background: Nearly sixty percent of stabilized bipolar patients suffer from important cognitive impairments that lead to significant functional disabilities. Without proper treatment, these impairments remain throughout lifespan. However, cognitive deficits in bipolar disorders have been overlooked and only a few studies investigated treatments to improve cognitive functioning for bipolar patients. Method: We developed ECo, an individual ecological cognitive remediation intervention that was designed for mood disorders. We conducted experimental studies to investigate psychological correlates of cognitive impairments, and the cognitive, functional and psychological improvements of bipolar patients after either cognitive remediation or individual psychotherapy.Results: Our results suggest that metacognitive impairments lead to an increased frequency of everyday life activities that can create a cognitive and emotional overload. We observed that cognitive remediation, and in particular the ECo program, can improve problem solving skills in our population. The ECo program can improve impaired cognitive functions and metacognitive regulation, as well as coping skills, emotional control, openness to relationships and self-esteem.Conclusion: An ecological, individualized cognitive remediation program, targeting metacognition and self-efficacy, can contribute to an improvement of functional health components in bipolar disorders.

Ce mémoire est consacré à l'étude au 1er et au 2ème ordre de transistors bipolaires NPN issus de procédés de fabrication BiCMOS haute fréquence dans le but à la fois de qualifier les diverses technologies et d'apporter des interprétations physiques. Des caractérisations en statique et des mesures de bruit basse fréquence ont été effectuées sur des composants intégrés dans trois procédés différents (simple poly, double poly implanté et double poly dopé «in-situ»). Pour chaque technologie, les résultats expérimentaux sont interprétés en tenant compte des spécificités de chaque procédé de fabrication. Pour la technologie simple polysilicium, deux cas sont distingués. Pour les composants de faible surface active, le bruit évolue quadratiquement avec le courant de polarisation. Dans ce cas, la source de bruit dominante est localisée au niveau de l'oxyde interfacial entre les zones de silicium monocristallin et polycristallin de l'émetteur. Pour les composants de grande surface active, le bruit évolue linéairement avec le courant de base, et le paramètre quantifiant ce niveau de bruit est corrélé au niveau de courant non-idéal de base mesuré sur ces composants. La source de bruit est dans ce cas localisée le long de la périphérie non murée de la jonction émetteur base. Dans le cas des technologies double polysilicium, le bruit évolue quadratiquement avec la polarisation, quelle que soit la surface active du composant. Toutefois, contrairement aux résultats relevés dans la littérature, la normalisation par la surface active ne donne pas de résultats satisfaisants. Un modèle prenant en compte une variation de l'épaisseur de l'oxyde interfacial est proposé et appliqué avec succès aux résultats expérimentaux (statique et bruit BF) en technologie dopée «in-situ»