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Synthese topologique de macro-cellules en technologie cmos

Moraes, Fernando Gehm January 1994 (has links)
Les problèmes majeurs de la génération automatique du dessin des masques des circuits intégrés sont la dépendance vis-à-vis des règles de dessin et le dimensionnement correct des transistors. Les méthodes traditionnelles, telles que l'utilisation de cellules pré-caractérisées, manquent de flexibilité, car les portes des bibliothèques (en nombre limité) sont dessinées et dimensionnées (independarnment de l'application) pour une technologie donnée. Les méthodes de synthèse automatique du dessin des masques ont pour but de surmonter ces problèmes. Les techniques les plus couramment utilisées sont le "gate-matrix" et le "linear-matrix". L'indépendance vis-à-vis des règles de dessin est obtenue en utilisant la technique de description symbolique (dessin sous une grille unitaire), et les dimensions des transistors sont définies par le concepteur ou par un outil de dimensionnement. Nous proposons une méthode et un prototype logiciel pour la synthèse automatique des masques, en utilisant le style "linear-matrix multi-bander". La description d'entree du générateur est un fichier format SPICE (au niveau transistor), ce qui permet d'avoir un nombre très élevé de cellules, en particulier les portes complexes (A01), et ainsi avoir une meilleure optimisation lors de la phase d'assignation technologique. Les macro-cellules générées doivent être assemblées afin de réaliser un circuit complet. Deux contraintes supplémentaires sont ainsi imposées au générateur: malléabilité de la forme et position des broches d'entrées/sorties sur la périphérie de la macro-cellule. Les macro-cellules sont assemblées en utilisant un environnement de conception industriel. Les contributions de ce mémoire de doctorat sont d'une part le développement d'un générateur de macro-cellules flexible ayant les caracteristiques d'indépendance aux règles de dessin et d'intégration dans un environnement de macro-cellules, et d'autre part l'étude detailée des paramètres qui déterminent la surface occupée, les performances électriques et la puissance dissipée des macro-cellules générées automatiquement. / The main problems of the automatic layout synthesis are the design rules dependence and the transistor sizing. The traditional layout synthesis methods, like standard-cells, are not flexible, since the cells in the libraries are designed and sized for a specific technology. In this way, the designer must change his library at each technology improvement. The automatic layout synthesis methods overcomes these problems (design rules dependence and transistor sizing). Examples of layout styles are gate-matrix and linear-matrix. The technology independence is achieved by symbolic description (layout under an unitary grid), and the transistor sizes are defined by the designer or by a sizing tool. From these two constraints, we develop an automatic layout synthesis tool, using a linear-matrix multi-row layout style. The input description for our tool is a Spice file. This descriptions allows to define a greater number of cells (mainly AOIs gates), resulting a technology mapping with less constraints. The generated macro-cells must be assembled in order to construct a complete circuit. Two additional constraints are then imposed to the generator : variable aspect ratio and placement of the inputs/outputs pins in the macro-cell border. The macro-cells are assembled by an industrial CAD environment. The main contributions of this thesis are the development of a macro-cell generator (with the characteristics of technology independence and easy integration in a macro-cell environment) and the analysis of the parameters playing a role in the area, delay and power consumption.
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Synthese topologique de macro-cellules en technologie cmos

Moraes, Fernando Gehm January 1994 (has links)
Les problèmes majeurs de la génération automatique du dessin des masques des circuits intégrés sont la dépendance vis-à-vis des règles de dessin et le dimensionnement correct des transistors. Les méthodes traditionnelles, telles que l'utilisation de cellules pré-caractérisées, manquent de flexibilité, car les portes des bibliothèques (en nombre limité) sont dessinées et dimensionnées (independarnment de l'application) pour une technologie donnée. Les méthodes de synthèse automatique du dessin des masques ont pour but de surmonter ces problèmes. Les techniques les plus couramment utilisées sont le "gate-matrix" et le "linear-matrix". L'indépendance vis-à-vis des règles de dessin est obtenue en utilisant la technique de description symbolique (dessin sous une grille unitaire), et les dimensions des transistors sont définies par le concepteur ou par un outil de dimensionnement. Nous proposons une méthode et un prototype logiciel pour la synthèse automatique des masques, en utilisant le style "linear-matrix multi-bander". La description d'entree du générateur est un fichier format SPICE (au niveau transistor), ce qui permet d'avoir un nombre très élevé de cellules, en particulier les portes complexes (A01), et ainsi avoir une meilleure optimisation lors de la phase d'assignation technologique. Les macro-cellules générées doivent être assemblées afin de réaliser un circuit complet. Deux contraintes supplémentaires sont ainsi imposées au générateur: malléabilité de la forme et position des broches d'entrées/sorties sur la périphérie de la macro-cellule. Les macro-cellules sont assemblées en utilisant un environnement de conception industriel. Les contributions de ce mémoire de doctorat sont d'une part le développement d'un générateur de macro-cellules flexible ayant les caracteristiques d'indépendance aux règles de dessin et d'intégration dans un environnement de macro-cellules, et d'autre part l'étude detailée des paramètres qui déterminent la surface occupée, les performances électriques et la puissance dissipée des macro-cellules générées automatiquement. / The main problems of the automatic layout synthesis are the design rules dependence and the transistor sizing. The traditional layout synthesis methods, like standard-cells, are not flexible, since the cells in the libraries are designed and sized for a specific technology. In this way, the designer must change his library at each technology improvement. The automatic layout synthesis methods overcomes these problems (design rules dependence and transistor sizing). Examples of layout styles are gate-matrix and linear-matrix. The technology independence is achieved by symbolic description (layout under an unitary grid), and the transistor sizes are defined by the designer or by a sizing tool. From these two constraints, we develop an automatic layout synthesis tool, using a linear-matrix multi-row layout style. The input description for our tool is a Spice file. This descriptions allows to define a greater number of cells (mainly AOIs gates), resulting a technology mapping with less constraints. The generated macro-cells must be assembled in order to construct a complete circuit. Two additional constraints are then imposed to the generator : variable aspect ratio and placement of the inputs/outputs pins in the macro-cell border. The macro-cells are assembled by an industrial CAD environment. The main contributions of this thesis are the development of a macro-cell generator (with the characteristics of technology independence and easy integration in a macro-cell environment) and the analysis of the parameters playing a role in the area, delay and power consumption.
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Synthese topologique de macro-cellules en technologie cmos

Moraes, Fernando Gehm January 1994 (has links)
Les problèmes majeurs de la génération automatique du dessin des masques des circuits intégrés sont la dépendance vis-à-vis des règles de dessin et le dimensionnement correct des transistors. Les méthodes traditionnelles, telles que l'utilisation de cellules pré-caractérisées, manquent de flexibilité, car les portes des bibliothèques (en nombre limité) sont dessinées et dimensionnées (independarnment de l'application) pour une technologie donnée. Les méthodes de synthèse automatique du dessin des masques ont pour but de surmonter ces problèmes. Les techniques les plus couramment utilisées sont le "gate-matrix" et le "linear-matrix". L'indépendance vis-à-vis des règles de dessin est obtenue en utilisant la technique de description symbolique (dessin sous une grille unitaire), et les dimensions des transistors sont définies par le concepteur ou par un outil de dimensionnement. Nous proposons une méthode et un prototype logiciel pour la synthèse automatique des masques, en utilisant le style "linear-matrix multi-bander". La description d'entree du générateur est un fichier format SPICE (au niveau transistor), ce qui permet d'avoir un nombre très élevé de cellules, en particulier les portes complexes (A01), et ainsi avoir une meilleure optimisation lors de la phase d'assignation technologique. Les macro-cellules générées doivent être assemblées afin de réaliser un circuit complet. Deux contraintes supplémentaires sont ainsi imposées au générateur: malléabilité de la forme et position des broches d'entrées/sorties sur la périphérie de la macro-cellule. Les macro-cellules sont assemblées en utilisant un environnement de conception industriel. Les contributions de ce mémoire de doctorat sont d'une part le développement d'un générateur de macro-cellules flexible ayant les caracteristiques d'indépendance aux règles de dessin et d'intégration dans un environnement de macro-cellules, et d'autre part l'étude detailée des paramètres qui déterminent la surface occupée, les performances électriques et la puissance dissipée des macro-cellules générées automatiquement. / The main problems of the automatic layout synthesis are the design rules dependence and the transistor sizing. The traditional layout synthesis methods, like standard-cells, are not flexible, since the cells in the libraries are designed and sized for a specific technology. In this way, the designer must change his library at each technology improvement. The automatic layout synthesis methods overcomes these problems (design rules dependence and transistor sizing). Examples of layout styles are gate-matrix and linear-matrix. The technology independence is achieved by symbolic description (layout under an unitary grid), and the transistor sizes are defined by the designer or by a sizing tool. From these two constraints, we develop an automatic layout synthesis tool, using a linear-matrix multi-row layout style. The input description for our tool is a Spice file. This descriptions allows to define a greater number of cells (mainly AOIs gates), resulting a technology mapping with less constraints. The generated macro-cells must be assembled in order to construct a complete circuit. Two additional constraints are then imposed to the generator : variable aspect ratio and placement of the inputs/outputs pins in the macro-cell border. The macro-cells are assembled by an industrial CAD environment. The main contributions of this thesis are the development of a macro-cell generator (with the characteristics of technology independence and easy integration in a macro-cell environment) and the analysis of the parameters playing a role in the area, delay and power consumption.
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LaAlO3 amorphe déposé par épitaxie par jets moléculaires sur silicium comme alternative pour la grille high-κ des transistors CMOS / Amorphous LaAlO3 deposited by molecular beam epitaxy on silicium as alternative high-κ gate in CMOS transistors

Pelloquin, Sylvain 09 December 2011 (has links)
Depuis l'invention du transistor MOS à effet de champ dans les années 60, l'exploitation de cette brique élémentaire a permis une évolution exponentielle du domaine de la microélectronique, avec une course effrénée vers la miniaturisation des dispositifs électroniques CMOS. Dans ce contexte, l'introduction des oxydes "high-κ" (notamment HfO2) a permis de franchir la barrière sub-nanométrique de l'EOT (Equivalent Oxide Thickness) pour l’oxyde de grille. Les travaux actuels concernent notamment la recherche de matériaux "high-κ" et de procédés qui permettraient d'avoir une interface abrupte, thermodynamiquement stable avec le silicium, pouvant conduire à des EOTs de l'ordre de 5Å. L’objectif de cette thèse, était d’explorer le potentiel de l’oxyde LaAlO3 amorphe déposé sur silicium par des techniques d’Épitaxie par Jets Moléculaires, en combinant des études sur les propriétés physico-chimiques et électriques de ce système. Le travail de thèse a d’abord consisté à définir des procédures d'élaboration sur Si de couches très minces (≈4nm), robustes et reproductibles, afin de fiabiliser les mesures électriques, puis à optimiser la qualité électrique des hétérostructures en ajustant les paramètres de dépôt à partir de corrélations entre résultats électriques et propriétés physico-chimiques (densité, stœchiométrie, environnement chimique…) et enfin à valider un procédé d'intégration du matériau dans la réalisation de MOSFET. La stabilité et la reproductibilité des mesures ont été atteintes grâce à une préparation de surface du substrat adaptée et grâce à l'introduction d'oxygène atomique pendant le dépôt de LaAlO3, permettant ainsi une homogénéisation des couches et une réduction des courants de fuite. Après optimisation des paramètres de dépôt, les meilleures structures présentent des EOTs de 8-9Å, une constante diélectrique de 16 et des courants de fuite de l'ordre de 10-2A/cm². Les caractérisations physico-chimiques fines des couches par XPS ont révélé des inhomogénéités de composition qui peuvent expliquer que le κ mesuré soit inférieur aux valeurs de LaAlO3 cristallin (20-25). Bien que les interfaces LAO/Si soient abruptes après le dépôt et que LaAlO3 soit thermodynamiquement stable vis-à-vis du silicium, le système LAO amorphe /Si s’est révélé instable pour des recuits post-dépôt effectués à des températures supérieures à 700°C. Un procédé de fabrication de MOSFETs aux dimensions relâchées a été défini pour tester les filières high-κ. Les premières étapes du procédé ont été validées pour LaAlO3. / Since MOS Field Effect Transistor invention in the 60's, the exploitation of this elementary piece of technology allowed an exponential evolution in the microelectronic field, with a frantic race towards miniaturization of CMOS electronic devices. In this context, the introduction of "high-κ" oxides (notably HfO2) allowed to cross the sub-nanometer barrier of EOT (Equivalent Oxide Thickness) for the gate oxide. Current work are notably related to "high-κ" research materials and processes that would allow an abrupt and thermodynamically stable interface with respect to silicon, that may lead to EOTs of about 5Å. The purpose of this thesis was to explore the potential of amorphous oxide LaAlO3 deposited on silicon by techniques of molecular beam epitaxy, combining studies of the physicochemical and electrical properties of this system. The thesis work has first consisted in defining procedures for the preparation of very thin (≈ 4 nm), robust and reproducible layers on Si in order to allow reliable electrical measurements then to optimize the electrical quality of the hetero-structures by adjusting deposition parameters from correlations between electrical results and physicochemical properties (density, stoichiometry, chemical environment...) and finally to validate a method for integrating the material in the realization of MOSFET. The stability and reproducibility of the measurements were achieved thanks to an adapted surface preparation of the substrate and by the introduction of atomic oxygen during the LaAlO3 deposition, thus allowing homogenization of layers and reducing leakage currents. After optimizing the deposition parameters, the best structures exhibit EOTs of 8-9 A, a dielectric constant of 16 and leakage currents in the range of 10-2 A/cm². Accurate physico-chemical characterizations of thin layers by XPS revealed composition inhomogeneities that can explain why the measured κ is less than values of crystalline LaAlO3 (20-25). Although the LAO/Si interfaces are steep after deposition and LaAlO3 is thermodynamically stable with respect to the silicon, amorphous system LAO/Si has proven unstable during post-deposition annealing carried out at temperatures above 700 ° C. A process for producing MOSFETs with released dimensions was defined to test high-κ field. The first stages of the process have been validated for LaAlO3.

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