Muitos trabalhos científicos têm sido publicados relatando os diferentes métodos de preparação e as propriedades de corpos cerâmicos e filmes finos de niobato de bismuto (BiNbO4 - BN). Provido de características como alta permissividade dielétrica e excelentes propriedades ferroelétricas, esse composto tem despertado o interesse da comunidade científica. No entanto, uma literatura restrita e conflitante é encontrada sobre esse composto na forma de monocristais. A ocorrência de transições de fase estrutural mostrou-se a maior dificuldade na preparação desses compostos como monocristais. A potencial aplicação como material de dispositivos eletrônicos, devido suas propriedades ferroelétricas, assim como o desafio da preparação de materiais que apresentam transição estrutural de fase, serviram de motivação para a realização desse estudo. O objetivo desse trabalho foi a realização do estudo da síntese e do crescimento de cristais de BiNbO4. Para isso foram utilizadas as técnicas de Czochralski (CZ), Laser Heated Pedestal Growth (LHPG) e fluxo. As dificuldades encontradas quando utilizada cada uma das técnicas, assim como suas variações, foram discutidas. A transição estrutural de fase (\'alfa\'-BiNbO4 - \'beta\'-BiNbO4) mostrou-se uma barreira na preparação desse tipo de material com qualidade óptica. O comportamento da permissividade dielétrica (\'épsilon\') e fator de perda (tg\'teta\') em função da temperatura e freqüência foram determinados através de estudos de espectroscopia de impedância. / Many scientific works have been published reporting different procedures to the preparation and properties of ceramic bodies and thin films of bismuth niobate (BiNbO4 - BN). Characterized by high dielectric permittivity and excellent ferroelectric properties, this compound has attracted the interest of the scientific community. However, a restricted and conflict literature is found about this compound in the single crystal form. The appearance of structure phase transitions was demonstrated in the most difficulty for the preparation of this compounds as single crystals. The potential applications as electronic device material, due its ferroelectrics properties, as well as the challenge to preparation materials which indicate structural transition were used as motivations to the development of this work. The main purposes of this work were to make synthesis and the crystal growth of BiNbO4. For this propose, techniques as Czochralski (CZ), Laser Heated Pedestal Growth (LHPG) and self-flux were used. The difficulties found when used each one of the techniques and their variations are discussed. The structural phase transition (\'alfa\'-BiNbO4 - \'beta\'-BiNbO4) was the principal barrier in the preparation of this material with optical quality. The behavior of dielectric permittivity (\'épsilon\' ) and lost factor (tg\' teta\') by the temperature and frequency were determined through studies of Impedance Spectroscopy

Muitos trabalhos científicos têm sido publicados relatando os diferentes métodos de preparação e as propriedades de corpos cerâmicos e filmes finos de niobato de bismuto (BiNbO4 - BN). Provido de características como alta permissividade dielétrica e excelentes propriedades ferroelétricas, esse composto tem despertado o interesse da comunidade científica. No entanto, uma literatura restrita e conflitante é encontrada sobre esse composto na forma de monocristais. A ocorrência de transições de fase estrutural mostrou-se a maior dificuldade na preparação desses compostos como monocristais. A potencial aplicação como material de dispositivos eletrônicos, devido suas propriedades ferroelétricas, assim como o desafio da preparação de materiais que apresentam transição estrutural de fase, serviram de motivação para a realização desse estudo. O objetivo desse trabalho foi a realização do estudo da síntese e do crescimento de cristais de BiNbO4. Para isso foram utilizadas as técnicas de Czochralski (CZ), Laser Heated Pedestal Growth (LHPG) e fluxo. As dificuldades encontradas quando utilizada cada uma das técnicas, assim como suas variações, foram discutidas. A transição estrutural de fase (\'alfa\'-BiNbO4 - \'beta\'-BiNbO4) mostrou-se uma barreira na preparação desse tipo de material com qualidade óptica. O comportamento da permissividade dielétrica (\'épsilon\') e fator de perda (tg\'teta\') em função da temperatura e freqüência foram determinados através de estudos de espectroscopia de impedância. / Many scientific works have been published reporting different procedures to the preparation and properties of ceramic bodies and thin films of bismuth niobate (BiNbO4 - BN). Characterized by high dielectric permittivity and excellent ferroelectric properties, this compound has attracted the interest of the scientific community. However, a restricted and conflict literature is found about this compound in the single crystal form. The appearance of structure phase transitions was demonstrated in the most difficulty for the preparation of this compounds as single crystals. The potential applications as electronic device material, due its ferroelectrics properties, as well as the challenge to preparation materials which indicate structural transition were used as motivations to the development of this work. The main purposes of this work were to make synthesis and the crystal growth of BiNbO4. For this propose, techniques as Czochralski (CZ), Laser Heated Pedestal Growth (LHPG) and self-flux were used. The difficulties found when used each one of the techniques and their variations are discussed. The structural phase transition (\'alfa\'-BiNbO4 - \'beta\'-BiNbO4) was the principal barrier in the preparation of this material with optical quality. The behavior of dielectric permittivity (\'épsilon\' ) and lost factor (tg\' teta\') by the temperature and frequency were determined through studies of Impedance Spectroscopy

Made available in DSpace on 2014-07-29T15:07:07Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Dissertacao_Zanine Vargas Fabris.pdf: 925190 bytes, checksum: ae29d90dbb80066939ad2bdf09d18bc1 (MD5) Previous issue date: 2010-07-30 / Bi2TeO5 (bismuth tellurite) crystals are photorefractive materials appropriate for permanent holographic recording. They are capable to retain a hologram for a long time, several years in the dark, without further fix processes. Just some groups around the world have grown bismuth tellurite single crystals even with their interesting properties. It may be caused by the relatively difficulty for grow this crystal, mainly due to the high vapor pressure of tellurium oxide and the easy crystal cleavage. The present work was dedicated to study the crystal growth process of Bi2TeO5 by Czochralski method in a low thermal gradient system. Tellurium oxide excess was used in the starting composition to compensate its lost during crystal growth, and also this starting material was previously synthesized by solid state reaction before fusion. We have performed tests with 1Bi2O3 : 1,03TeO2 and 1Bi2O3 : 1,10TeO2 liquid phase compositions. Also, we tried to use a double crucible configuration, with pure tellurium oxide between the walls. Pulling and rotate rates are critical parameters. Pulling and rotate rates of 0,1 to 0,4 mm/h and 10 to 15 rpm, respectively, were appropriated parameters for our growth system. Good size and crystalline quality crystals have been grown. We have obtained samples of sufficient quality to perform preliminary optical measurements and structural characterization. / Cristais de Bi2TeO5 (telurato de bismuto) são materiais fotorrefrativos adequados para gravação holográfica permanente. São capazes de reter um holograma por longo tempo, vários anos se no escuro, sem necessidade de tratamentos posteriores para fixação. Apenas poucos grupos no mundo obtiveram monocristais deste material, apesar de suas propriedades interessantes. Uma possível razão para isto é a relativamente grande dificuldade para o crescimento deste cristal, devido, principalmente, à alta pressão de vapor do óxido de telúrio e a grande facilidade para clivagem do cristal. Este trabalho foi dedicado ao domínio do processo de crescimento de cristais de Bi2TeO5. Utilizamos o método de Czochralski em um sistema de baixo gradiente térmico. Para tentar compensar a perda de óxido de telúrio durante o crescimento devido sua elevada pressão de vapor, a composição de partida conteve excesso deste óxido e, além disto, o material foi sintetizado por reação no estado sólido previamente à fusão. Foram testadas duas diferentes composições da fase líquida, 1Bi2O3 : 1,03TeO2 e 1Bi2O3 : 1,10TeO2. Testes usando uma configuração de duplo cadinho, na qual óxido de telúrio puro foi colocado na parte externa, foram realizados. A velocidade de puxamento e a taxa de rotação são parâmetros críticos do processo. Em nosso sistema, velocidades de puxamento entre 0,1 e 0,4 mm/h e rotação entre 10 e 15 rpm mostraram-se adequadas. Cristais com boas dimensões e qualidade cristalina foram crescidos durante este trabalho. Deles obtivemos amostras com qualidade suficiente para realizar medidas preliminares de caracterização óptica e estrutural.

Submitted by Izabel Franco (izabel-franco@ufscar.br) on 2016-10-26T17:47:35Z No. of bitstreams: 1 TeseBLS.pdf: 15809941 bytes, checksum: e94eb4f0e858901ec9568dacd81ecf51 (MD5) / Approved for entry into archive by Marina Freitas (marinapf@ufscar.br) on 2016-11-08T18:28:27Z (GMT) No. of bitstreams: 1 TeseBLS.pdf: 15809941 bytes, checksum: e94eb4f0e858901ec9568dacd81ecf51 (MD5) / Approved for entry into archive by Marina Freitas (marinapf@ufscar.br) on 2016-11-08T18:28:33Z (GMT) No. of bitstreams: 1 TeseBLS.pdf: 15809941 bytes, checksum: e94eb4f0e858901ec9568dacd81ecf51 (MD5) / Made available in DSpace on 2016-11-08T18:28:40Z (GMT). No. of bitstreams: 1 TeseBLS.pdf: 15809941 bytes, checksum: e94eb4f0e858901ec9568dacd81ecf51 (MD5) Previous issue date: 2016-10-07 / Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP) / The present research aims to develop a theoretical/experimental analysis of the combined effects of solidification thermal parameters, Bi content and addition of ternary elements (Cu, Ag) on the final microstructure aspects and on the final mechanical resistances of directionally solidified Sn-Bi, Sn-Bi-Ag and Sn-Bi-Cu solder alloys under transient heat flow conditions. Hence, experimental interrelations between microstructure and thermal parameters and between mechanical properties and microstructure could be established. The microstructures regarding the Sn-34wt.%Bi and Sn-52wt.%Bi alloys show the presence of β-Sn dendrites with Bi precipitates on their own, being enveloped by a lamellar binary Sn-Bi eutectic. The Sn-58wt.%Bi eutectic alloy show a variety of microstructures along the length of the directionally solidified casting, which includes binary eutectic, Bi plates, Bi trifoils and fishbone eutectic. In the case of the ternary Sn-Bi-Ag and Sn-Bi-Cu chemistries, microstructures are constituted by β-Sn dendrites decorated with Bi particles, Bi-Sn eutectic and Cu6Sn5 and Ag3Sn intermetallic particles for the Cu and the Ag bearing alloys, respectively. Experimental growth laws have been derived for both dendritic (λ1, λ2, λ3) and eutectic (λfine, λcoarse) arrangements considering the following alloys: binary Sn-34wt.%Bi, Sn-52wt.%Bi e Sn-58wt.%Bi alloys and ternary Sn- 34wt.%Bi-0.1wt.%Cu, Sn-34wt.%Bi-0.7wt.%Cu e Sn-33wt.%Bi-2wt.%Ag. Considering the binary Sn-Bi, it has been observed that increasing Bi content (34wt.%-->52wt.%-->58wt.%Bi), may cause a decrease on both strength and ductility, except for the sample at P=6mm of the Sn-52wt%Bi alloy. Hall-Petch type functional correlations have been able to represent the evolution of the tensile mechanical properties for the examined Sn-Bi and Sn-Bi-X alloys. / A presente proposta objetiva desenvolver uma análise teórico/experimental sobre os efeitos combinados dos parâmetros térmicos de solidificação (velocidade de solidificação VL e taxa de resfriamento, ṪL), do teor de Bi e das adições de terceiros elementos (Cu, Ag) na microestrutura e na resistência mecânica de ligas Sn-Bi, Sn-Bi-Ag e Sn-Bi-Cu solidificadas unidirecionalmente, estabelecendo correlações experimentais do tipo microestrutura/parâmetros térmicos e microestrutura/propriedades mecânicas. As microestruturas para as ligas binárias Sn-34%Bi e Sn-52%Bi são constituídas de dendritas de Sn com precipitados de Bi em seu interior, circundadas por um eutético lamelar binário, Sn-Bi. A liga eutética Sn-58%Bi mostrou uma ampla gama de microestruturas ao longo de todo o lingote, englobando o eutético binário Sn-Bi, placas e trifoils de Bi e eutético fishbone. Quanto às ligas ternárias Sn-Bi-Cu e Sn-Bi-Ag observa-se que as microestruturas são constituídas de dendritas β-Sn “decoradas” com partículas de Bi em seu interior, circundadas por uma mistura eutética irregular (Bi+Sn) e seus respectivos compostos intermetálicos primários Cu6Sn5 e Ag3Sn, respectivamente. As leis de crescimento experimentais dendrítico (λ1, λ2, λ3) e eutético (λfino, λgrosseiro) para as ligas binárias Sn-34%Bi, Sn-52%Bi e Sn-58%Bi e para as ligas ternárias Sn-34%Bi- 0,1%Cu, Sn-34%Bi-0,7%Cu e Sn-33%Bi-2%Ag em função de V e Ṫ foram caracterizadas por equações na forma de potência com aplicação de expoentes típicos. No caso das ligas binárias Sn-Bi, foi observado que com o aumento do teor de Bi (34%-->52%-->58%Bi), tanto o limite de resistência à tração (σt) quanto o alongamento específico diminuem, com exceção dos resultados para a amostra P=6mm da liga Sn-52%Bi. Relações funcionais do tipo Hall-Petch foram capazes de descrever a variação das propriedades mecânicas de tração de ligas Sn-Bi e Sn-Bi-X.

nÃo hà / O objetivo deste trabalho foi o de verificar a existÃncia de uma relaÃÃo dinÃmica entre a polÃtica monetÃria e fiscal no Brasil, considerando a possibilidade de ciclos econÃmicos, a partir de dados mensais para o perÃodo de 1997 a 2011. A anÃlise das interaÃÃes entre da taxa de juros e do resultado primÃrio como proporÃÃo do PIB baseia-se em um modelo de vetor autoregressivo com mudanÃas de Markov (MS-VAR) proposto por Hamilton (1989) e aperfeiÃoado por Krolzig (1997), uma vez que a relaÃÃo entre essas polÃticas pode nÃo ser constantes ao longo das diferentes fases da economia. Os resultados empÃricos mostram uma correlaÃÃo positiva entre a taxa de juros e o resultado primÃrio, evidÃncia empÃrica em favor de que as autoridades fiscal e monetÃria compartilham objetivos comuns. / The aim of this paper is to verify the existence of a dynamic relationship between monetary and fiscal policy in Brazil, considering the possibility of economic cycles, from monthly data for the period 1997 to 2011. The analysis of co-movement between interest rate and the primary outcome/GDP is based on a vector autoregressive model with Markov changes (MSVAR) proposed by Hamilton (1989) and perfected by Krolzig (1997), a since the relationship between these policies may not be constant throughout the different phases of the economy. The empirical results show a positive correlation between interest rate and the primary outcome, the empirical evidence in favor of and monetary authorities share common goals.