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Estudo teórico de linhas de defeitos em nanoestruturas

Guerra, Thiago Brito Gonçalves 24 February 2017 (has links)
Submitted by Vasti Diniz (vastijpa@hotmail.com) on 2017-09-11T13:33:18Z No. of bitstreams: 1 arquivototal.pdf: 2568503 bytes, checksum: df847883585ac25cc1e993ba9c1fcd9f (MD5) / Made available in DSpace on 2017-09-11T13:33:18Z (GMT). No. of bitstreams: 1 arquivototal.pdf: 2568503 bytes, checksum: df847883585ac25cc1e993ba9c1fcd9f (MD5) Previous issue date: 2017-02-24 / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - CAPES / The opening a energy gap in graphene is probably one of the most important and urgent topics in its research currently, since most of the proposed applications for graphene in nanoelectronic devices require the ability to adjust its gap. In materials similar to graphene as BN and BC2N, the tuning of some properties is also indispensable so that they can be used as basic components of future nanoelectronic and spintronic. Graphene nanoribbons are strong candidates in this regard. All these systems have widely tunable properties and there are several theoretical and experimental methods which can be used for this purpose, one of them is to incorporate defects, since these defects have been obtained experimentally in these systems. In this context, using first-principles calculations, based on the density functional theory (DFT), we investigate alterations in the structural, electronic, energetic and magnetic properties due to the inclusion of different types of defects in monolayers and nanoribbons of graphene, BN and hybrid graphene-BC2N. As a result of the controlled inclusion of these defects, a series of new results were observed, as well as the tuning of the structural, electronic, energetic and magnetic properties in these systems. / A abertura de um gap de energia no grafeno é provavelmente um dos temas mais importantes e urgentes em sua pesquisa atualmente, uma vez que, a maioria das aplicações propostas para o grafeno em dispositivos nanoeletrônicos requer a capacidade de ajustar seu gap. Em materiais similares ao grafeno como BN e o BC2N o ajuste de algumas propriedades também é indispensável para que eles possam fazer parte como componentes ativos na nanoeletrônica e spintrônica no futuro. As nanofitas são fortes candidatas nesse sentido. Todos esses sistemas possuem propriedades bastante ajustáveis e existem vários métodos teóricos e experimentais que podem ser usados para este fim, um deles, é a inclusão de defeito, defeitos têm sido obtido experimentalmente nesses sistemas. Neste contexto, usando cálculos de primeiros princípios baseados na teoria do funcional da densidade (DFT), investigamos as mudanças provocadas nas propriedades eletrônicas, energéticas, estruturais e magnéticas devido à inclusão de vários tipos de defeitos em monocamadas e nanofitas de grafeno, BN e híbridas de grafeno-BC2N. Como resultado da inclusão controlada desses defeitos, observamos uma série de novos resultados, bem como o ajuste de várias propriedades para esses sistemas através da inclusão controlada de defeitos.
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Influência de vacâncias de spin na dinâmica de vórtices em sistemas magnéticos bidimensionais / Influence of spin vacancies in the vortex dynamics in two-dimensional magnetic systems

Paula, Fagner Muruci de 21 March 2006 (has links)
Made available in DSpace on 2015-03-26T13:35:21Z (GMT). No. of bitstreams: 1 texto completo.pdf: 1163668 bytes, checksum: 64200c64d035a7079604e87dcef40c01 (MD5) Previous issue date: 2006-03-21 / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior / In this work we have studied the spin dynamics in the two-dimensional classical XY model, including nonmagnetic impurities. The analytic results, tested by simulations, indicate two forms of "pinning" a vortex by means of two spin vacancies. Besides, they reveal an effective interaction of attractive nature among these defects. We have also analyzed the neutron scattering function Sxx(->q; w) for a system containing a percentage of nonmagnetic sites. The central and spin waves peaks obtained in our simulations are completely different from the that of the pure case and, in addition, a small inelastic peak arises. We propose a phenomenological theory based on the vortex-vacancy interactions to explain the observed modifications. / Neste trabalho estudamos a dinâmica de spins no modelo XY 2D clássico, incluindo impurezas não-magnéticas. Os resultados analíticos, testados por simulações, indicam duas formas de "aprisionar" um vórtice por meio de duas vacâncias de spin. Além disso, revelam uma interação efetiva do tipo atrativa entre estes defeitos. Analisamos também a função espalhamento de nêutrons Sxx(->q, w) para um sistema contendo uma porcentagem de sítios não-magnéticos. O pico central e o de ondas de spin obtidos em nossas simulações são completamente diferentes do caso puro e, em adição, um pequeno pico inelástico surge. Propomos uma teoria fenomenológica baseada na interação vórtice-vacância para explicar as modificações observadas.
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Gerando modelos de dois campos escalares

Alves Júnior, Francisco Artur Pinheiro 28 September 2012 (has links)
Made available in DSpace on 2015-05-14T12:14:11Z (GMT). No. of bitstreams: 1 arquivototal.pdf: 1469905 bytes, checksum: 95c9e3653497fa18a127fc9aae221421 (MD5) Previous issue date: 2012-09-28 / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - CAPES / We focus this work in scalar field theory. We review the basic aspects of models containing one scalar field, like the 4, and the two scalars field theory, like the BNRT. We still review the deformation procedure, in order to generate new soluble one field models. The main result is concerned to a new procedure wich makes possible to generate new two field models and its static solutions. / Focamos este trabalho em teoria de campos escalares. Revisamos os aspectos básicos dos modelos contendo um campo, como o 4 e modelos contendo dois campos escalares, como o BNRT. Ainda, revisamos o procedimento de deformação, para gerar novos modelos solúveis com um campo escalar. Nosso principal resultado é um novo procedimento que possibilita a geração de modelos solúveis de dois campos escalares.
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Teorias de campos com dinâmica generalizada

Sousa Junior, Altemar Lobão de 17 July 2014 (has links)
Made available in DSpace on 2015-05-14T12:14:13Z (GMT). No. of bitstreams: 1 arquivototal.pdf: 1997320 bytes, checksum: 4c8f461d3c824767b9436a0f9d6abfff (MD5) Previous issue date: 2014-07-17 / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - CAPES / This thesis discusses the mathematical formalism to obtain solutions of topological defects in theories of field with modified dynamics. We will check that defect solutions, in generalized theories, can be obtained so much in 4-dimensional spacetime of Minkowski as in a spacetime with extra dimension of the deformed geometry. Will be shown both in four-dimensional spacetime as in spacetime as an extra dimension, that the solution characteristics, such as energy density and perturbative spectrum, which appears in the theories with modified dynamic may be profoundly diferent from those that arise in the theories with dynamics standard. We also find the necessary conditions for that the energy density and the perturbative spectrum remain unchanged compared to that obtained in a theory with dynamics standard. In the case of a defect in a spacetime of extra dimension with warped geometry, we use models with generalized dynamic to describe the so-called braneworld scenarios. The study of brane will be divided into two parts: in the first the modification will be performed in the dynamics of the Lagrangian density and the second will be an analogy to called gravity F(R), being added new terms dependent of scalar curvature in the action of Einstein-Hilbert. / Esta tese discute o formalismo matemático para se obter soluções de defeitos topológicos em teorias de campo com dinâmica modificada. Verificaremos que soluções de defeito, em teorias generalizadas, podem ser obtidas tanto no espaço tempo quadridimensional de Minkowski como em um espaço tempo de dimensão extra com geometria deformada. Será mostrado, tanto no espaço tempo quadridimensional, quanto no espaço tempo de dimensão extra, que as características da solução, como densidade de energia e espectro perturbativo, que surge nas teorias com dinâmica modificada, podem ser profundamente distintas das que surgem nas teorias com dinâmica padrão. Encontraremos também quais as condições necessárias para que a densidade de energia e espectro perturbativo permaneçam inalterados em relação ao obtido em uma teoria com dinâmica padrão. Em se tratando de defeito em um espaço tempo de dimensão extra com geometria deformada, utilizaremos modelos com dinâmica generalizada para descrever os chamados cenários de mundo brana. O estudo de brana será dividido em duas partes: na primeira será realizada uma modificação na dinâmica da densidade de lagrangiana e na segunda será feito uma analogia às chamadas gravidade F(R), sendo adicionado novos termos dependentes do escalar de curvatura à ação Einstein-Hilbert.
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Caracterização de juntas soldadas em paw e gtaw de chapas finas em aço maraging 300 submetidas a vários reparos /

Sakai, Paulo Roberto. January 2015 (has links)
Orientador: Antonio Jorge Abdalla / Coorientador: Marcelo dos Santos Pereira / Banca: Tomaz Manabu Hashimoto / Banca: Marcelino Pereira do Nascimento / Banca: Miguel Justino Ribeiro Barbosa / Banca: Dilermando Nagle Travessa / Resumo: Este trabalho tem como objetivo caracterizar mecanica e metalograficamente, juntas soldadas de chapas finas em aço Maraging 300, submetidas a até três reparos, usadas na fabricação de envelopes motores foguete a propelente sólido desenvolvidos no Instituto de Aeronáutica e Espaço (IAE) em atendimento às necessidades de sua gama de lançadores. O envelope motor atua como elemento estrutural e também possui a função primária de suportar a pressão de trabalho durante a queima do propelente. Atualmente, o envelope motor é fabricado em aço 300M-ESR e o IAE tomou a decisão de substituí-lo pelo aço Maraging 300. Em função dos processos existentes no Instituto, neste trabalho utilizaram-se os processos de soldagem Plasma Arc Welding - PAW com a técnica keyhole e Gas Tungsten Arc Welding - GTAW, ambos em passe único, com metal de adição. Antes de serem submetidas aos ensaios, as juntas passaram por inspeção não destrutiva de acordo com os critérios da norma AWS D17.1. Os reparos foram feitos de forma manual e processo GTAW. Amostras da junta soldada e reparadas foram submetidas a ensaios de tração, dureza Vickers (HV) por microindentações, análises químicas, análises metalográficas e fractográficas. Corpos de prova dos cordões adjacentes aos reparos também foram avaliados. Os resultados mostram que após a solda e reparos e o tratamento térmico de solubilização e envelhecimento, a zona fundida e a região da linha de fusão da solda apresentam uma dureza abaixo das outras regiões afetadas termicamente. Para as condições da solda sem reparo e reparadas, o processo PAW apresentou um valor menor de dureza em todas estas regiões com relação ao processo GTAW. As análises da superfície dos corpos de prova soldados rompidos indicam o predomínio de um processo de ruptura iniciado próximo à linha de fusão da solda e que se propaga em direção ao interior do ... (Resumo completo, clicar acesso eletrônico abaixo) / Abstract: This work aims at mechanic and metallographic characterization of Maraging 300 welded joints sheets, submitted to up to three repairs, used for the fabrication of solid propellant rocket motors at the Institute of Aeronautics and Space - IAE as to comply with its range of launchers. The rocket motor is a structural part and also has the primary function of supporting the nominal pressure during the propellant burning. At present, the rocket motor is fabricated in 300M-ESR steel and IAE has decided to replace such a steel for the Maraging 300 one. Due to IAE's existing processes, Plasma Arc Welding - PAW with the keyhole technique and the Gas Tungsten Arc Welding - GTAW have been used, both single-pass welding with filler. Before they have been submitted to the tests, the joints went through non-destructive inspection according to AWS D17.1 Standard. Manual repairs and GTAW process have been made. Samples of the welded and repaired joints were submitted to tensile testing, Vickers hardness, chemical analysis, fractrographic and metallographic analysis. Body tests of the beads adjacent to the repairs have also been assessed. Results show that after welding, repairs and solubilization and aging heating treatment, the melted zone as well as the weld joins lines zone present hardness below other heat affected zones. As for the conditions of the non-repaired and repaired welds, the PAW process has demonstrated lower hardness values in all zones in what regards the GTAW process. The welded and fractured body tests surfaces analysis indicate the predominance of a fracture process started next to the weld joins lines which goes towards the bead interior. The nature of the fracture has shown the predominance of dimples. The GTAW welded body tests presented higher mechanical strength than that of the PAW process. Similarly, the PAW welded body tests obtained from the beads of the zones ... (Complete abstract click electronic access below) / Doutor
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Teste baseado em defeitos para ambientes de data warehouse

Oliveira, Itelvina Silva de 13 August 2015 (has links)
As organizações necessitam gerenciar informações para obter a melhoria contínua dos seus processos de negócios e agregar conhecimento que ofereça suporte ao processo decisório. Estas informações, muitas vezes, são disponibilizadas por ambientes de Data Warehouse (DW), nos quais os dados são manipulados e transformados. A qualidade dos dados nesses ambientes é essencial para a correta tomada de decisão, tornando-se imprescindível a aplicação de testes. O objetivo deste trabalho é elaborar e validar a aplicação de uma abordagem de teste para DW com o emprego de critérios da técnica de teste baseado em defeitos. A aplicação da abordagem possibilitou testar três fases de desenvolvimento do DW, nas quais estão as Fontes de Dados, processo ETL (Extraction, Transformation and Load) e dados do DW. O critério de teste Análise de Mutantes foi aplicado ao processo ETL por meio de operadores de mutação SQL e a Análise de Instâncias de Dados Alternativas foi aplicada nas fontes de dados e nos dados do DW por meio de classes de defeito nos dados. Essas classes foram geradas por meio da análise e associação dos problemas de qualidade de dados nas fases de desenvolvimento do DW. Os resultados obtidos em estudos de caso permitiram a validação da aplicabilidade e eficácia da técnica de teste baseado em defeitos para ambientes de DW, possibilitando assim revelar quais defeitos podem ocorrer na geração do DW que poderiam prejudicar a qualidade dos dados armazenados nesses ambientes. / Organizations need to manage information for a continuous improvement of its business processes and aggregate knowledge that help in the decision-making process. This information often is provided by Data Warehouse environments (DW), in which data are handled and processed. The quality of data in these environments is essential to make correct decisions, becoming it necessary the application of tests. The objective of this work is to develop and validate the implementation of a testing approach for DW using criteria of Fault-based Testing techniques. The application of the approach enabled tests in three phases of development of the DW, which are the data sources, ETL and DW data. The test criteria Mutation Analysis was applied to the ETL process (Extraction, Transformation and Load) through SQL mutation operators and the Alternative Data Instances Analysis was applied to the data sources and DW data through fault classes on the data. These classes were generated by analyzing and associating of data quality problems in the DW development stages. The results obtained through the case studies allowed assessment of the applicability and effectiveness of testing technique fault for DW environments, thus enabling to reveal faults, which may occur in the generation of DW that could harm the quality of the data stored in these environments.
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Teste baseado em defeitos para ambientes de data warehouse

Oliveira, Itelvina Silva de 13 August 2015 (has links)
As organizações necessitam gerenciar informações para obter a melhoria contínua dos seus processos de negócios e agregar conhecimento que ofereça suporte ao processo decisório. Estas informações, muitas vezes, são disponibilizadas por ambientes de Data Warehouse (DW), nos quais os dados são manipulados e transformados. A qualidade dos dados nesses ambientes é essencial para a correta tomada de decisão, tornando-se imprescindível a aplicação de testes. O objetivo deste trabalho é elaborar e validar a aplicação de uma abordagem de teste para DW com o emprego de critérios da técnica de teste baseado em defeitos. A aplicação da abordagem possibilitou testar três fases de desenvolvimento do DW, nas quais estão as Fontes de Dados, processo ETL (Extraction, Transformation and Load) e dados do DW. O critério de teste Análise de Mutantes foi aplicado ao processo ETL por meio de operadores de mutação SQL e a Análise de Instâncias de Dados Alternativas foi aplicada nas fontes de dados e nos dados do DW por meio de classes de defeito nos dados. Essas classes foram geradas por meio da análise e associação dos problemas de qualidade de dados nas fases de desenvolvimento do DW. Os resultados obtidos em estudos de caso permitiram a validação da aplicabilidade e eficácia da técnica de teste baseado em defeitos para ambientes de DW, possibilitando assim revelar quais defeitos podem ocorrer na geração do DW que poderiam prejudicar a qualidade dos dados armazenados nesses ambientes. / Organizations need to manage information for a continuous improvement of its business processes and aggregate knowledge that help in the decision-making process. This information often is provided by Data Warehouse environments (DW), in which data are handled and processed. The quality of data in these environments is essential to make correct decisions, becoming it necessary the application of tests. The objective of this work is to develop and validate the implementation of a testing approach for DW using criteria of Fault-based Testing techniques. The application of the approach enabled tests in three phases of development of the DW, which are the data sources, ETL and DW data. The test criteria Mutation Analysis was applied to the ETL process (Extraction, Transformation and Load) through SQL mutation operators and the Alternative Data Instances Analysis was applied to the data sources and DW data through fault classes on the data. These classes were generated by analyzing and associating of data quality problems in the DW development stages. The results obtained through the case studies allowed assessment of the applicability and effectiveness of testing technique fault for DW environments, thus enabling to reveal faults, which may occur in the generation of DW that could harm the quality of the data stored in these environments.
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Estudo Químico-Quântico do Óxido Ti(1-x)CexO2-δ na Fase Anatase / Quantum Chemical Study of Ti(1-x)CexO2-δ Oxide in Anatase Phase

Albuquerque, Anderson dos Reis 02 September 2014 (has links)
Made available in DSpace on 2015-05-14T13:21:41Z (GMT). No. of bitstreams: 1 arquivototal.pdf: 10515395 bytes, checksum: 24068367353a0ab8bc6c91ecaae5abf5 (MD5) Previous issue date: 2014-09-02 / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - CAPES / Titanium dioxide (TiO2) in anatase phase has been the most studied metal oxide in the last two decade due to its potential technological aplication in many areas, such as dyes, (photo)catalysts and solar cells. Computational and experimental methods has been employed to understand the mechanical, electronical and catalytic properties of anatase. In this context, the introduction of dopants and induction of point deffects formation (mainly oxygen vacancies) are responsible for tunning those properties in many situatuions, e.g. increasing the (photo)catalytic efficience. In the present study, we investigated the effect of Ce-doping on the formation of oxygen vacancy and reduced Ti3+ and Ce3+ centers in anatase TiO2 (bulk and (001) surfaces) by means of computational quantum chemical calculations. All calculations were performed at the density functional theory (DFT) level taking into account the periodicity of the systems. The bulk phase was initially studied without dopant, and the Grimme DFT-D2 dispersion potential was reparameterized for octahedral [TiO6] interaction in anatase polymorph within the B3LYP (GTO) approach (hereafter named B3LYP-D*). Several properties were calculated from bulk with B3LYP-D* in good agreement with experimental values from anatase single crystals, such as: Wulff construction of single crystal in thermodynamic equilibrium, elastic constants, infrared and Raman vibrational frequencies, and electronic structure calculations (band structure and density of states). Two DFT approachs were used for mitigate the self-interaction error (SIE) in both reduced and/or Ce-doped systems: the on-site Dudarev DFT+U correction and the hybrid B3LYP (20% HF) functional with plane-wave or Gaussian-type basis set. Only a small local perturbation was associated with the Ce-dopant introduction in the octahedral site (bulk) and Ce(5c) (surface). The Ce-doped systems presented lower oxygen vacancy formation energy than pristine TiO2. The most stable VO configuration in the bulk were in the next neighbors from the reduced [CeO6]/ center, instead the low-coordinated [CeO5] centers. Similarly, the dopant on the subsurface distoted octahedral [CeO6]d site of (001) surface boosted the remotion of O(2c) in the outmost layer of the surface. This behavior was not observed with the dopant on the low-coordinated [CeO5] site. The Ti3+ [3d 1] and Ce3+ [4f 1] midgap states were found up to ~ 1.0 eV bellow de conduction band. These founds are in agreement with experimental evidences of the enhanced facilitation of VO formation in Ce-doped anatase, and superior (photo)catalytic activity when compared with undoped TiO2. In the general way, the vacancy formation energy decreased significantly in the following situations: (i) oxide reduction in the presence of Ce as dopant; (ii) VO in the nearest neighbor sites of the reduced [CeO6]/ octahedra (iii) introduction of two Ce dopants around VO; (iv) VO in the outmost layers plus [CeO6]/ at the subsurface. / Dióxido de titânio (TiO2) na fase anatase tem sido o óxido mais estudado nas últimas décadas devido à sua potencial aplicação tecnológica em diversas áreas, dentre as quais como pigmento, (foto)catalisador e em células solares. Não obstante, métodos experimentais e computacionais têm sido empregados na compreensão de suas propriedades mecânicas, eletrônicas e catalíticas da anatase. Nesse contexto, a introdução de dopantes com formação de defeitos pontuais do tipo vacâncias de oxigênio tem sido responsável por aumentar a eficiência desse material como catalisador sobre muitas reações. No presente estudo, investigamos, por meio de cálculos computacionais, o efeito da dopagem do TiO2 anatase com o lantanídeo Ce sobre a formação de vacâncias de oxigênio e exploramos suas consequências na formação de centros reduzidos Ti3+ e Ce3+, no bulk e na superfície (001). Todos os cálculos foram realizados ao nível da teoria do funcional da densidade (DFT) utilizando códigos computacionais que levam em consideração a periodicidade dos sistemas cristalinos (2D para superfícies ou 3D para bulk). Para uma maior compreensão da anatase sem o dopante, exploramos inicialmente o efeito das interações de dispersão entre os poliedros [TiO6] e reparametrizamos o potencial de Grimme DFT-D2 com funções de base GTO (o qual chamamos B3LYP-D*), a partir do qual várias propriedades estruturais foram obtidas, como construção de Wulff do hábito cristalino sob equilíbrio termodinâmico, propriedades elásticas, vibracionais e eletrônicas. Na presença do dopante e com os sistemas reduzidos, duas principais metodologias foram adotadas na tentativa de reduzir o erro de autointeração da DFT: o uso do funcional híbrido B3LYP e a correção de Dudarev DFT+U. Orbitais do tipo Gaussiana e ondas planas foram utilizadas como funções de base. Apenas uma pequena deformação local ocorreu com a introdução do dopante no sítio octaédrico do Ti no bulk e no sítio Ce(5c) da superfície. Em ambos bulk e superfície (001) a introdução do dopante levou à diminuição da energia de formação de VO. As configurações mais estáveis de VO no bulk ocorreram nos vizinhos próximos ao octaedro reduzido [CeO6]/ em vez daquelas que envolviam a diminuição da coordenação do dopante para [CeO5]. Analogamente, a presença do dopante na subsuperfície da (001) formando o poliedro distorcido [CeO6]d impulcionou a remoção de um O(2c) na camada mais externa da superfície, o que não foi observado quando a dopagem acontecia na última camada de cátions com coordenação [CeO-5]. Assim como no bulk, os estados intermediários no band gap associados com a vacância mais estável na superfície (001) foram referentes ao Ti3+ [3d 1] e Ce3+ [4f 1] localizados em torno de 0.5-1.0 eV abaixo da banda de condução, de acordo com achados experimentais e evidências no aumento da atividade (foto)catalítica dado pela criação destes canais de transferência eletrônica. De modo geral, a energia de formação das vacâncias de oxigênio diminuiu consideravelmente nas seguintes situações: (i) redução do óxido na presença do dopante Ce, (ii) desde que os sítios de criação das VO localizem-se nos primeiros vizinhos ao octaedro [CeO6]/ distorcido por expansão polarônica, (iii) introdução de dois dopantes, em direções opostas, em torno de VO, e (iv) criação de VO nas camadas mais externas da superfície, desde que o dopante esteja na subsuperfície e com coordenação [CeO6].
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Implantação iônica de oxigênio em silício

Cima, Carlos Alberto January 2001 (has links)
Foi estudada a produção de danos cristalográficos em silício por implantação de íons de oxigênio empregando-se doses na faixa de 1 x 1016 cm-2 a 4x 1017 cm-2 , energias entre 90 keV e 240 keV e temperaturas do substrato entre 25°C e 600°C. Os efeitos destas implantações sobre a estrutura cristalina foram determinados por espectroscopia de retroespalhamento de Rutherford (RBS), microscopia eletrônica de transmissão (TEM) e difração de Raios-X de alta resolução (HRXRD). O padrão de acumulação de danos sofre uma transição em ~200°C, com o deslocamento da região de máxima danificação da profundidade correspondente à maior deposição de energia por colisões nucleares para uma profundidade próxima ao alcance médio projetado dos íons. Abaixo de 200°C, a implantação iônica produz uma camada amorfa normalmente enterrada no substrato cristalino. Acima desta temperatura, não há formação de camada amorfa, mas observa-se a existência de duas regiões bem distintas. Na primeira delas, próxima da superfície, a densidade e a acumulação de danos são extremamente baixas mesmo para doses de oxigênio relativamente altas, ao passo que na segunda, centrada em torno do alcance projetado, detecta-se a presença de uma grande concentração de defeitos de natureza intersticial. Experimentos adicionais, utilizando íons de nitrogênio, neônio e magnésio em condições similares de dose, energia e temperatura, forneceram um quadro comparativo para a implantação de íons leves em alta temperatura. A produção de danos também é afetada pelas propriedades químicas dos íons, seja pela participação destes na formação de compostos, sob a forma de precipitados na matriz cristalina, seja pela sua associação a estruturas de defeitos. Verificou-se que a deformação mecânica da rede provocada pela implantação iônica depende da temperatura do substrato, energia, dose e da espécie química do íon implantado, podendo variar de uma deformação positiva de magnitude relativamente baixa, associada à expansão da distância interplanar, até um elevado valor de deformação negativa (de contração). A descrição das técnicas experimentais e dos dados obtidos numa extensa série de experiências constituem o núcleo deste trabalho científico. Os dois últimos capítulos, contudo, são devotados à análise dos resultados experimentais e à discussão das conclusões. / The production of damage in crystalline silicon by implantation of oxygen ions at elevated temperatures has been studied employing doses in the range of 1 x 1016 cm-2 to 4x1017 cm-2 • The ion energy was varied from 90 keV to 240 keV and the substrate temperature, held constant during the implantation, comprised the range from room temperature to 600°C. The effects of the implantation on the crystalline structure were monitored using three different experimental techniques : Rutherford backscattering spectrometry (RBS), transmission electron microscopy (TEM) and high resolution x-ray diffraction (HRXRD). The damage accumulation shows a transition around 200°C, since the region of maximum damage shifts from the maximum deposited energy depth to a depth near the mean projected range of the implanted ions. Below 200°C, the ion implantation creates a buried amorphous layer in the crystalline substrate. Above this temperature threshold, no amorphous layer is formed, but there are two distinct regions in the silicon samples. In the first one, dose to the surface, the damage accumulation is very low, even at relatively high oxygen doses. The second region, located around the mean projected range depth, is caracterized by a high concentration of interstitial type defect structures. Additional experiments, using nitrogen, neon and magnesium ions with implantation conditions similar to those of oxygen ions, provided a comparative picture of damage and strain accumulation by implantation with light mass ions at elevated temperatures. The damage production is affected by the chemical properties of the ions, which can participate in a variety of processes, such as the precipitation of compounds in the crystalline matrix and the formation of defective structures. The mechanical deformation dueto the ion implantation was found to be dependent on the substrate temperature, energy, dose and chemical species of the ion. The strain calculated values may vary from a relatively low positive deformation, associated with an increase in the distance between crystalline planes, to a high value of negative deformation (of contraction). The description of the data obtained in an extensive series of experiments constitutes the core of this scientific work. The last two chapters are devoted to the analysis of the experimental results and to the presentation of some conclusions.
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Um estudo sobre centros DX em AlxGa1-xAs / On DX centers in A1xGa1-xAs

Luis Vicente de Andrade Scalvi 27 August 1991 (has links)
É feito um resumo dos principais modelos criados para se explicar as intrigantes propriedades do centro DX e atualizar o problema. O decaimento da fotocondutividade persistente (PPC) é medido em AlxGa1-x As dopado com Si e se discute a validade dos modelos em função da cinética de captura dos elétrons pelos centros DX. Boa concordância com o modelo de Chadi e Chang é encontrada desde que se postule a existência de um nível doador mais raso. O crescimento por MBE assim como todo o processamento de amostras para os experimentos realizados é descrito sinteticamente. É discutido também o problema dos contatos a baixa temperatura e a possível influência dos centros DX nos desvios do comportamento ôhmico observados. Inclui-se também a descoberta da. fotocondutividade persistente em AlxGa1-xAs dopado com Pb, que também é relacionado à existência dos centros DX. / A short discussion about the main models created to explain the striking properties of the DX center is done in order to bring the problem up-to-date. The decay of persistent photoconductivity is measured and it is analyzed as a function of the kinetics of electron trapping by DX centers in Si-doped AlxGa1-xAs, according to these models. Good agreement with Chadi and Chang\'s model is found as long as we postulate the existence of a shallower donor. The M.B.E. growth as well as the whole sample processing is shortly described. It in siso diacussed the problem of low temperature contacts and the possible influence of DX centers in the deviation from ohmic behavior. Persistent Photoconductivity has been found in Pb-doped AlxGa1-xAs and it is also related to the DX center existence.

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