Submitted by Rosivalda Pereira (mrs.pereira@ufma.br) on 2017-06-02T17:36:04Z No. of bitstreams: 1 FredLima.pdf: 2679751 bytes, checksum: 8a9326e9ee9ea66d443e002ab6b30712 (MD5) / Made available in DSpace on 2017-06-02T17:36:04Z (GMT). No. of bitstreams: 1 FredLima.pdf: 2679751 bytes, checksum: 8a9326e9ee9ea66d443e002ab6b30712 (MD5) Previous issue date: 2016-12-06 / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES) / In this dissertation is performed a study of collisions of topological defects in both integrable and non-integrable models of (1+1) dimensional scalar real elds. As integrable theory it is studied the sine-Gordon model; as non-integrable theories it is studied the φ4, double sine-Gordon and φ6 models. The research of collision is make through numerical solution of the motion equation. For this purpose, rst are obtained the topological solutions for each model by using the Bolgomol'nyi-Prasad-Sommerfeld (BPS) formalism. We explained the results analytically through of a exchange energy mechanism, which is associated to the normal vibrational modes of kinks solutions. This mechanism explains the large di erence between dynamics of the integrable and non-integrable models. It is also carried out a study of kinks collision for both φ4 and φ6 on a half line with a Neumann boundary condition. The results show a variety of new features which do not observed for kink-antikink collisions on full line. / Nesta dissertação é realizado um estudo de colisões de defeitos topológicos em modelos de campos escalares reais de natureza integrável e não-integrável, em (1 + 1) dimensões. Como teoria integrável, estuda-se o modelo sine-Gordon; como teorias não-integráveis estuda-se os modelos φ4, duplo sine-Gordon e φ6. O estudo de colisões é realizado através da solução numérica da equação de movimento. Para tanto, as soluções topológicas para cada modelo são primeiramente encontradas por meio do formalismo de Bolgomol'nyi-Prasad-Sommerfeld (BPS). Os resultados são explicados qualitativamente através de um mecanismo de troca de energia que envolve os modos normais de vibração das soluções kinks. Tal mecanismo elucida a grande diferença na dinâmica de modelos integráveis e não-integráveis. Também é realizado um estudo de colisões de kinks em uma semi linha, com condição de contorno de Neumann, para os modelo φ4 e φ6. Os resultados mostram uma variedade de novos comportamentos que não são observados em colisões kink-antikink no espaço ilimitado.

Submitted by Rosivalda Pereira (mrs.pereira@ufma.br) on 2017-06-07T18:48:31Z No. of bitstreams: 1 AlexsandroLucenaMota.pdf: 2757687 bytes, checksum: 04b1d52c9ca203ed571f49aacf10eeac (MD5) / Made available in DSpace on 2017-06-07T18:48:31Z (GMT). No. of bitstreams: 1 AlexsandroLucenaMota.pdf: 2757687 bytes, checksum: 04b1d52c9ca203ed571f49aacf10eeac (MD5) Previous issue date: 2014-09-30 / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES) / The first studies on Lorentz-violating BPS vórtices were accomplished within the framework of the Standard Model Extension (SME). Specifically, it was studied the effects of the Lorentz violation in the vortex solutions presented in the Maxwell-Higgs electrodynamics. The formation of vórtices was also analyzed in (1+2)-dimensional models obtained by dimensional reduction of the SME Abelian sector. Among the several effects of the Lorentz violation we can mention: the control of both the amplitude as the width of the vortex, magnetic field reversion, magnetic flux quantization with explicit dependence on the Lorentz-violating coefficients. In this dissertation we study the existence of topological BPS vórtices in a Maxwell-Higgs model in which the covariant derivative is modified by the addition of a CPT-odd term, which breaks the CPT- and Lorentz symmetry due to the presence of a vectorial background. The interaction generating a set of self-dual or first-order equations includes a potential jφj4 and a derivative coupling j@iφj4. Although the self-dual equations are very different of those belonging to the usual MaxwellHiggs model, the new vortex solutions behave just like the Aharonov-Nielsen-Olesen ones, but the mass scale depends explicitly on the Lorentz-violating coefficient. / Os primeiros estudos sobre vórtices BPS no contexto da violação da simetria de Lorentz foram realizadas no marco teórico do modelo padrão estendido (MPE). Especificamente, foram estudados os efeitos da quebra de Lorentz sobre os vórtices existentes na eletrodinâmica de Maxwell-Higgs. Também, foram estudadas a formação de vórtices em modelos (1+2)-dimensionais obtidos via redução dimensional do setor Abeliano do MPE. Entre os diversos efeitos da quebra de Lorentz podemos citar: controle da amplitude e largura do vórtice, inversão do campo magnético, fluxo magnético quantizado com dependência explícita nos coeficientes da quebra de Lorentz, etc. Nesta dissertação estudamos a existência de vórtices topológicos em um modelo de MaxwellHiggs cuja derivada covariante é modificada pela inclusão de um termo CPT-ímpar, o qual quebra a simetria de Lorentz devido a presença de um campo de fundo vetorial. A interação, que gera um sistema de equações auto-duais de primeira ordem, inclui um potencial jφj4 e um acoplamento derivativo j@iφj4. A pesar das equações auto-duais serem bem diferentes daquelas do modelo de Maxwell-Higgs, os vórtices obtidos se comportam como aqueles de Aharonov-Nielsen-Olesen, mas a escala de massa depende explicitamente do coeficiente que controla a quebra de Lorentz.

Submitted by Daniella Santos (daniella.santos@ufma.br) on 2017-10-04T14:57:37Z No. of bitstreams: 1 FabianoSimas.pdf: 1533418 bytes, checksum: 83eb429346cc89e3e1a7b9309cde9761 (MD5) / Made available in DSpace on 2017-10-04T14:57:37Z (GMT). No. of bitstreams: 1 FabianoSimas.pdf: 1533418 bytes, checksum: 83eb429346cc89e3e1a7b9309cde9761 (MD5) Previous issue date: 2011-08-29 / FAPEMA / In this work we consider rings constructed with a scalar field ϕ with radial symmetry embedded in the (3, 1) Minkowski spacetime. Such topological defects have radius and thickness related to the energy density and can be attained from a lagrangian density explicitly dependent with the distance,which can be interpreted as an effective theory from a more fundamental model. Neglecting the backreaction on a weak scalar field Φ coupled with the strong field ϕ, a standard mode decomposition leads to a standard action for one-dimensional Klein-Gordon fields living along the ring axis and a two-dimensional Schr¨odinger-like equation, describing massive spin-0 particles. A specific choice of the coupling between the scalar fields Φ and ϕ is able to transform the Schr¨odinger-like equation in a one-dimensional form depending on the radial distance. The interaction is compatible with a repulsive character of the core of the ring and with the presence of resonances around the ring radius. The presence of tachyonic and physical modes are described in a phase space diagram, which is confronted with the numerical analysis of the massive modes. It is found that, for the scale of rings considered, larger radius favor the localization process, and for small radius the leaking of the massive modes is compatible with a repulsive interaction acting between the rings walls and the massive spin-0 particles. / Neste trabalho nós consideramos anéis construídos com um campo escalar ϕ com simetria radial imerso no espaço-tempo de Minkowski-(3, 1). Tais defeitos topológicos tˆem raio e espessura relacionados com a densidade de energia e podem ser obtidos a partir de uma densidade lagrangeana explicitamente dependente da distância, o que pode ser interpretada como uma teoria efetiva a partir de um modelo mais fundamental. Negligenciando a backreaction em um campo escalar fraco Φ acoplado com o campo forte ϕ, um modo padrão de decomposição leva `a uma ação padrão para os campos de Klein-Gordon 1-dimensional vivendo ao longo do eixo do anel e uma equação do tipo Schrödinger 2-dimensional, descrevendo partículas massivas de spin-0. Uma escolha especificado acoplamento entre os campos escalares Φ e ϕ é capaz de transformar a equação do tipo Schrödinger em uma forma 1-dimensional dependendo da distância radial. A interação e compatível com um caráter repulsivo do núcleo do anel e com a presença de ressonâncias ao redor do raio do anel. A presença taquiônica e modos físicos são descritos em um diagrama de espaço de fase, que é confrontado com a análise numérica dos modos massivos. Verifica-se que, para a escala de an´eis considerados, raios maiores favorecem o processo de localiza¸c˜ao e quanto aos anéis de raios menores, o vazamento dos modos massivos é compatível com uma interação repulsiva agindo entre as paredes do anel e as partículas massivas de spin-0.

Objetivo: Registrar em incisivos centrais e primeiros molares superiores e inferiores permanentes de pacientes com fissura de lábio e/ou palato e sem fissura a prevalência de defeitos de esmalte e sua relação com a fissura. Modelo: Estudo transversal. Local de execução: Setor de Odontopediatria do Hospital de Reabilitação de Anomalias Craniofaciais - Universidade de São Paulo (HRAC-USP), Bauru/SP ? Brasil e na Escola Estadual, Agudos/SP ? Brasil. Participantes: 100 pacientes, regularmente matriculados no HRAC-USP, sendo 50 com fissura de lábio e palato e 50 com fissura isolada de palato e 50 pacientes sem fissura pertencentes à Escola Estadual-Agudos, de ambos os sexos, de 6 a 12 anos. Metodologia: A freqüência, a extensão e a localização das alterações de esmalte na face vestibular dos dentes foram avaliadas clinicamente, segundo o índice DDE modificado, após teste intra-examinador. Resultados: Existiu maior manifestação dos defeitos de esmalte em incisivos e molares superiores nos grupos com fissuras, com significado estatístico, quando comparados ao grupo NF. Os terços médio e cervical dos incisivos superiores nos grupos com fissura envolvendo o alvéolo, principalmente no dente do lado fissurado e os terços incisal e médio nos grupos com FP e NF foram os mais acometidos; nos incisivos inferiores e molares superiores os defeitos ocorreram mais nos três terços dentários avaliados e no molares inferiores nos terços oclusal e médio para os grupos com FP e FLP. A opacidade apresentou a maior ocorrência em todos os grupos estudados. Conclusões: Os resultados mostraram que a ocorrência de defeitos do esmalte foi comum nos incisivos e molares permanentes estudados e sua relação com a fissura é um fator clínico importante que deve ser considerado. / Objective: To record the enamel defects on permanent maxillary and mandibular central incisors and first molars of patients with cleft lip and/or palate and without cleft for detect the prevalence of the development of defects and their cleft relation. Design: Cross-sectional. Setting: Pediatric Dentistry sector, HRAC-USP and School-Agudos/SP. Participants: 100 patients registered at HRAC-USP, of which 50 with cleft lip and palate and 50 patients with cleft palate and 50 without cleft student at School-Agudos, of both genders, aged 6 to 12 years. Methods: The frequency, extent and location of enamel alterations on the buccal aspect of teeth were evaluated by the modified DDE index, after evaluation of intra-examiner agreement. Results: There was a higher demonstration of enamel defects in maxillary incisors and molars in group with cleft, with result statistically significant when was compared with group without cleft. The middle and cervical thirds of maxillary incisors on the group with complete cleft mainly of the teeth cleft side and incisal and middle thirds most affected in group cleft palate and group without cleft; the larger prevalence of enamel defects in mandibular incisors and maxillary molars was observed in three thirds of teeth and oclusal and middle thirds for mandibular molars the patients with cleft palate and cleft lip and palate. Enamel opacity was observed with greater prevalence in all studed groups. Conclusions: Results show that the occurrence of enamel defects is common in studed permanents incisor and molars and its association with cleft is an important clinical factor to be considered.

Introdução: O Sistema de Informação sobre Nascidos Vivos (SINASC) é um instrumento importante para o monitoramento de defeitos congênitos (DC) ao nascer, porém há falhas de preenchimento dessa informação e possivelmente são registrados nas Declarações de Nascido Vivo (DN) os DC mais aparentes, o que pode subestimar a prevalência dos mesmos. A linkage de bancos de dados do SINASC e do SIM (Sistema de Informação de Mortalidade) permite recuperar as informações sobre DC registrados no SIM complementando os dados e fornecendo uma estimativa mais real da prevalência dos DC. Objetivo: Estimar a prevalência de DC em uma coorte de nascidos vivos (NV) vinculando-se os bancos de dados do SIM e do SINASC. Método: Estudo descritivo para avaliar as DN como fonte de informação sobre DC. A população de estudo são os NV hospitalares do 1º semestre de 2006 de mães residentes e ocorridos no Município de São Paulo no período de 01/01/2006 a 30/06/2006 e óbitos neonatais provenientes da coorte. As diferenças entre portadores e não portadores de DC foram testadas através do risco relativo, valor de p e IC 95%. Resultados: Os defeitos congênitos mais prevalentes segundo o SINASC foram: malformações congênitas e deformidades do aparelho osteomuscular (44,7%), malformação congênita do sistema nervoso (10,0%) e anomalias cromossômicas não classificadas em outra parte (8,6%). Através da linkage, houve uma recuperação de 48 casos (80,0%) de DC do aparelho circulatório, 11 casos (73,3%) de DC do aparelho respiratório e 5 casos (62,5%) de outros DC do aparelho digestivo. O SINASC fez 55,2% das notificações de DC e o SIM notificou 44,8%, mostrando-se importante para a recuperação dos dados de DC presentes na Declaração de Óbito (DO). A taxa de prevalência para os DC da coorte segundo o SINASC foi de 75,4/10.000 NV; com os dados corrigidos pelo SIM, essa taxa passou para 86,2/10.000 NV. As variáveis idade da mãe, idade gestacional, tipo de parto, Apgar, sexo e peso ao nascer mostraram-se associadas à presença de DC (p<0,001). Não foi encontrada associação entre anos de estudo, estado marital, paridade, filhos mortos anteriores, pré-natal, tipo de gravidez, raça/cor e a presença de DC. Conclusão: A complementação dos dados pelo SIM fornece um perfil diferente da prevalência de DC do que aquele que seria registrado apenas pelo SINASC, mostrando a importância do uso conjunto das duas fontes de dados. / Introduction: Live Birth Information System (SINASC) is an important instrument to monitor birth defects (BD) at the birth, however it has fulfilling imperfections of this information and they are probably registered in the Birth Certificates (BC) the BD more apparent, what can under estimate the prevalence of the some ones. The linkage of the data of SINASC and of SIM (Mortality Information System) allows the recovery of information about BD registered in SIM complementing the data and supplying a more real estimate of the prevalence of BD. Objective: Come with the prevalence of BD in a cohort of live birth (LB) associating the data base of SIM and the SINASC. Methods: Descriptive study to evaluate BD as source of information about BD. The population of study is the LB hospital of 1° semester of 2006 of resident mothers and that had happened in São Paulo city in the period from 01/01/2006 to 06/30/2006 and neonatal deaths from the cohort. The differences of carriers and not carrying of BD had been tested through the relative risk, p value and CI 95%. Results: According to SINASC the most prevalent birth defects were: birth defects and osteomuscular system deformity (44,7%), birth defects of nervous system (10,0%) and cromossomics anomalies not classified in another part (8,6%). Through linkage, it had a recovery of 48 cases (80,0%) of BD of circulatory system, 11 cases (73,3%) of BD of respiratory system and 5 cases (62,5%) of other BD of digestive system. SINASC made 55,2% of the notifications of BD and SIM notified 44,8%, showing its importance to recovery data of BD presents in Death Certificate (DC). The tax of prevalence for the BD of cohort according to SINASC was 75,4/10.000 LB; with all the data corrected by SIM, this tax changed for 86,2/10.000 LB. The variable age of mother, pregnancy age, birth type, Apgar, sex and weight at birth are associated to the presence of BD (p<0,001). Association between the years of study, marital status, parity, previous dead children, prenatal, pregnancy type, race and the presence of BD were not found. Conclusion: Data complementing by SIM supplies a different profile of prevalence of BD from those ones that would be registered only by SINASC showing the importance of the usage of two data sources.

O dioxido de estanho na estrutura rutila (SnO2) é um semicondutor de gap largo e faz parte da classe dos óxidos condutores transparentes (TCO). Possui gap direto de 3,6 eV e condutividade do tipo n, mesmo quando não dopado intencionalmente. Estudos teóricos e experimentais atribuem este comportamento à presença de defeitos intrínsecos. Por outro lado, impurezas de hidrogênio, em sítios intersticiais ou substituindo o átomo de oxigênio, poderiam ser responsáveis pelo caráter n do SnO2. Neste trabalho apresentamos nossos resultados de estrutura eletrônica, a partir de cálculos de primeiros princípios, para o dióxido de estanho puro, assim como levando em conta a presença de defeitos intrínsecos - VO, VSn, Sni, Oi, OSn, SnO, SnO+OSn, Sni+VO - e para vários centros de impureza de hidrogênio - Hi, HO, HBC, Hi-Hi, Hi-HO, Hi-HBC, HBC-HBC, onde V significa vacância e BC a impureza localizada em um sítio entre ligação. Os resultados para a impureza de hidrogênio são confrontados com os dos defeitos intrínsicos. Nossas análises mostram, tanto para o caso das impurezas de H isoladas quanto para os pares complexos H-H, que estes centros apresentam caráter doador. Em todas as configurações, as energias de formação são suficientemente baixas, comparadas com as dos defeitos intrínsecos, mostrando competitividade e sugerindo que a impureza de hidrogênio poderia ser responsável pela característica de condutividade n do cristal SnO2. Apresentamos também resultados de propriedades eletrônicas e magnéticas para impurezas de metal de transição MT (MT = V, Cr, Fe, Mn, Co e Ni) em SnO2 em uma configuração estrutural de baixa concentração. Estes sistemas são denominados semicondutores magnéticos diluídos (DMS - diluted magnetic semiconductor), isto é, ligas diluídas do tipo Sn1-xMTxO2 e Sn1-xMTxO2-y(VO)y. Consideramos neste estudo as concentrações x = 0,04 e y = 0,02, correspondendo a valores experimentalmente possíveis de se obter. Este estudo aponta para a existência de estados magnéticos metaestáveis para estes sistemas e mostra como a vacância de oxigênio afeta este comportamento. Para todos os casos, o estado eletrônico fundamental encontrado apresenta configuraçãoo de alto spin (HS - high-spin) e o fenômeno de spin-crossover para o estado de baixo spin (LS - low-spin) é possível de ocorrer. A metaestabilidade obtida para estes sistemas DMS é estudada em conecção com as relaxações estruturais em torno da impureza, na ausência e na presença da vacância de oxigênio. Por fim, alternando respectivamente camadas magnéticas e não magnéticas de r-CrO2 e r-SnO2, foram estudados sistemas em uma configuração de super-rede (SL - superlattice), do tipo (CrO2)n(SnO2)n, com n = 1; 2; ...; 10 sendo o número de monocamadas. Para todos os valores de n foi observado comportamento meio-metal (half-metal) para os sistemas. O estado fundamental é ferromagnético (FM), com momento mangético igual a 2 mu_B por cromo ndependentemente do número de monocamadas. E como o óxido r-CrO2 é instável na temperatura ambiente, porém pode ser estabilizado, quando crescido sobre o r-SnO2, sugerimos que as super-redes (CrO2)n(SnO2)n podem ser aplicadas na tecnologia de spintrônica provendo eficiente polarização de spin de seus portadores. Os cálculos de estutura eletrônica foram realizados levando em conta a polarização de spin, usando o método PAW (Projector-Augmented-Wave) implementado no pacote computacional VASP (Vienna Ab-initio Simulation Package), dentro da teoria DFT (density functional theory) utilizando a aproximação local da densidade com correção GGA-PBE (generalized gradient corrections) e aproximação GGA-PBE+U, onde U é a correção on site de Hubbard. / Rutile tin dioxide (r-SnO2) is a wide-band-gap semiconductor and is part of a class of promising transparent conducting oxides (TCO). It has a direct band gap of 3.6 eV and shows n-type conductivity, even when not intentionally doped, which is usually attributed to intrinsic defects. On the other hand, it has been proposed theoretically that in spite of unintentionally doping, hydrogen impurities at interstitial or O substitutional sites could be responsible for the n-type conductivity in SnO2. In this work we report the results of ab initio electronic structure calculatations for pure tin dioxide as well as for some intrinsic defects VO, VSn, Sni, Oi, OSn, SnO, SnO+OSn and Sni+VO and for several H-related defect centers Hi, HO, HBC, Hi-Hi, Hi-HO, Hi-HBC, HBC-HBC, where V means vacancy and BC bond-centered sites. Our H-related results centers are confronted with those obtained for the intrinsic defects. Our findings show, for example, that hydrogen impurity has a donor character for all studied centers and that not only the isolated H, but also some of its complexes, show competitive low formation energies, suggesting that various H-related centers could be responsible for the n-type conductivity observed in the unintentionally doped SnO2. We discuss some results of the electronic and magnetic properties of TM-doped tin dioxide (TM = V, Cr, Fe, Mn, Co and Ni) in a diluted magnetic oxide configurations, i.e., Sn1-xTMxO2 and Sn1-xTMxO2-y(VO)y diluted alloys. As a prototype we will consider x = 0.04 and y = 0.02, which corresponds to a TM content just within the experimental window. Our aim is to analyze the presence of magnetic metastable states in these systems and how oxygen vacancies affect this metastability. For all cases, the ground state corresponds to the expected high spin (HS) configuration and a spin-crossover to the low-spin state is possible. The obtained magnetic metasbility in TM-doped SnO2 is discussed in connection with the structural relaxations around the impurity in absence and in presence of O vacancies. Finally, alternated magnetic and non-magnetic layers of rutile-CrO2 and rutile-SnO2 respectively, in a (CrO2)n(SnO2)n superlattice (SL) configuration, with n being the number of monolayers which are considered equal to 1, 2, ..., 10 are studied. A half-metallic behavior is observed for the (CrO2)n(SnO2)n SLs for all values of n. The ground state is found to be ferromagnetic (FM) with a magnetic moment of 2 µB per chromium atom, and this result does not depend on the number of monolayers n. As the FM rutile-CrO2 is unstable at ambient temperature, and known to be stabilized when on top of SnO2, we suggest that (CrO2)n(SnO2)n SLs may be applied to spintronic technologies since they provide efficient spin-polarized carriers. Spin-polarized electronic structure calculations were performed using the Projector-Augmented-Wave (PAW) method as implemented in the Vienna Ab-initio Simulation Package (VASP), within the spin density functional theory in the local density approximation with generalized gradient corrections (GGA-PBE) and GGA- PBE+U, where U is the Hubbard correction.

Dissertação apresentada para obtenção do grau de Mestre em Engenharia Electrotécnica e de Computadores(Área de especialização em Informática Industrial), na Faculdade de Engenharia da Universidade do Porto, sob a orientação do Professor Doutor José Alfredo Ribeiro da Silva Matos

Submitted by Emanuel Varela Cardoso (emanuel.varela@ufcg.edu.br) on 2018-10-18T18:02:30Z No. of bitstreams: 1 MARCÍLIO VERAS CARDOSO – DISSERTAÇÃO (PPGFísica) 2013.pdf: 2135603 bytes, checksum: c8ee99ac200c27d2c1445f0b6404a635 (MD5) / Made available in DSpace on 2018-10-18T18:02:30Z (GMT). No. of bitstreams: 1 MARCÍLIO VERAS CARDOSO – DISSERTAÇÃO (PPGFísica) 2013.pdf: 2135603 bytes, checksum: c8ee99ac200c27d2c1445f0b6404a635 (MD5) Previous issue date: 2013-03-27 / Capes / Neste trabalho vamos fazer correções quânticas ao potencial clássico de uma teoria com simetria ZN na intenção de entender os efeitos quânticos da teoria via correções radiativas do potencial efetivo em um loop. Para que isso aconteça é preciso que os n campos que compõem a teoria com simetria discreta, tenha valores esperado de vácuo não nulo minimizando o potencial. No entanto, sabemos que o potencial possui termos de interação, e que se olharmos para o vácuo quântico que tem interpretação física de estado de partículas, estes termos produzirão correções ao potencial e obteremos o verdadeiro valor esperado de vácuo da teoria que minimiza o potencial efetivo. Com isso esperamos que surja o fenômeno de quebra espontânea de simetria cuja nalidade é produzir defeitos topológicos tipo paredes de domínio e junções. No presente estudo também avançaremos na introdução de efeitos de temperatura nita via mecanismo de Matsubara. / In this work we make quantum corrections to the potential of a classical theory with symmetry ZN with the intention of understanding the effects quantum of theory via the radiative corrections of effective potential in a loop. For this to happen we need the n elds that make up the theory with discrete symmetry, expected values have nonzero vacuum that minimizes the potential. However, we know that the potential has interaction terms, and that if we look at the quantum vacuum that has physical interpretation of the state of particles, these terms yield corrections to the potential and obtain the true vacuum expectation value of the theory that minimizes the effective potential. With this we hope that arises the phenomenon of spontaneous symmetry breaking whose purpose is to produce topological defects like domain walls and junctions. In the present study advance the introduction of nite temperature effects via mechanism Matsubara.

91f. / Submitted by Suelen Reis (suziy.ellen@gmail.com) on 2013-04-23T13:36:16Z No. of bitstreams: 1 Dissertacao Ana Emilia.pdf: 3842407 bytes, checksum: 06b8d72eed292f7ebdf42b0a223ed0f6 (MD5) / Approved for entry into archive by Rodrigo Meirelles(rodrigomei@ufba.br) on 2013-05-08T11:44:00Z (GMT) No. of bitstreams: 1 Dissertacao Ana Emilia.pdf: 3842407 bytes, checksum: 06b8d72eed292f7ebdf42b0a223ed0f6 (MD5) / Made available in DSpace on 2013-05-08T11:44:00Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Dissertacao Ana Emilia.pdf: 3842407 bytes, checksum: 06b8d72eed292f7ebdf42b0a223ed0f6 (MD5) Previous issue date: 2010 / A bioengenharia tecidual tem possibilitado o desenvolvimento de biomateriais e técnicas inovadoras capazes de restituir a qualidade de vida aos pacientes com perdas ósseas, após a remoção de grandes tumores ósseos, traumas e em algumas doenças metabólicas. Dentre os biomateriais empregados nas terapias regenerativas destacam-se as biocerâmicas sintéticas, na forma de microesferas. Estas microesferas constituem um arcabouço que possibilita, no interstício formado entre as esferas, a difusão de fatores de crescimento e angiogênicos, a migração de cálulas osteogênicas essenciais à regeneração deste tecido. Ainda apresentam características físico-químicas semelhantes ao componente inorgânico do tecido ósseo e biocompatibilidade. O objetivo deste trabalho foi avaliar a regeneração de defeitos ósseos críticos, em calvária de rato. Para tanto, utilizou-se uma amostra composta de 60 animais, dividida em quatro grupos: Gl - defeito sem biomaterial, preenchido por coágulo; Gll - microesferas de hidroxiapatita e alginato (HA - Alg); Glll - microeferas de hidroxiapatita dopadas com estrôncio (HASr); GlV - microesferas de hidroxiapatita dopadas com estrôncio e alginato (HASr -Alg), avaliados aos 15, 45 e 120 dias de pós operatório. As análises histológicas, por microscopia de luz, demonstraram neoformação óssea mais evidente no grupo Gll em todos os pontos biológicos quando comparado aos demais grupos. As microesferas implantadas nos grupos lll e lV apresentaram maior fragmentação quando comparadas com as do grupo ll, provavelmente devido à adição de estrôncio à estrutura da HA. A neoformação óssea caracterizada pela osteocondução foi observada de permeio a esses fragmentos do biomaterial. No grupo lll, a ausência do alginato tornou as microesferas mais porosas, com formação de septos de tecido conjuntivo e células fusiformes no interior das microesferas. Em conclusão, os biomateriais apresentaram potencial osteogênico e osteocondutor formando um arcabouço tridimensional que favoreceu a neoformação óssea. A HA associada ao alginato apresentou características histológicas mais evidentes quanto a biocompatibilidade e a osteogênese, quando comparada a HA dopada com estrôncio. / Salvador

Foi estudada a produção de danos cristalográficos em silício por implantação de íons de oxigênio empregando-se doses na faixa de 1 x 1016 cm-2 a 4x 1017 cm-2 , energias entre 90 keV e 240 keV e temperaturas do substrato entre 25°C e 600°C. Os efeitos destas implantações sobre a estrutura cristalina foram determinados por espectroscopia de retroespalhamento de Rutherford (RBS), microscopia eletrônica de transmissão (TEM) e difração de Raios-X de alta resolução (HRXRD). O padrão de acumulação de danos sofre uma transição em ~200°C, com o deslocamento da região de máxima danificação da profundidade correspondente à maior deposição de energia por colisões nucleares para uma profundidade próxima ao alcance médio projetado dos íons. Abaixo de 200°C, a implantação iônica produz uma camada amorfa normalmente enterrada no substrato cristalino. Acima desta temperatura, não há formação de camada amorfa, mas observa-se a existência de duas regiões bem distintas. Na primeira delas, próxima da superfície, a densidade e a acumulação de danos são extremamente baixas mesmo para doses de oxigênio relativamente altas, ao passo que na segunda, centrada em torno do alcance projetado, detecta-se a presença de uma grande concentração de defeitos de natureza intersticial. Experimentos adicionais, utilizando íons de nitrogênio, neônio e magnésio em condições similares de dose, energia e temperatura, forneceram um quadro comparativo para a implantação de íons leves em alta temperatura. A produção de danos também é afetada pelas propriedades químicas dos íons, seja pela participação destes na formação de compostos, sob a forma de precipitados na matriz cristalina, seja pela sua associação a estruturas de defeitos. Verificou-se que a deformação mecânica da rede provocada pela implantação iônica depende da temperatura do substrato, energia, dose e da espécie química do íon implantado, podendo variar de uma deformação positiva de magnitude relativamente baixa, associada à expansão da distância interplanar, até um elevado valor de deformação negativa (de contração). A descrição das técnicas experimentais e dos dados obtidos numa extensa série de experiências constituem o núcleo deste trabalho científico. Os dois últimos capítulos, contudo, são devotados à análise dos resultados experimentais e à discussão das conclusões. / The production of damage in crystalline silicon by implantation of oxygen ions at elevated temperatures has been studied employing doses in the range of 1 x 1016 cm-2 to 4x1017 cm-2 • The ion energy was varied from 90 keV to 240 keV and the substrate temperature, held constant during the implantation, comprised the range from room temperature to 600°C. The effects of the implantation on the crystalline structure were monitored using three different experimental techniques : Rutherford backscattering spectrometry (RBS), transmission electron microscopy (TEM) and high resolution x-ray diffraction (HRXRD). The damage accumulation shows a transition around 200°C, since the region of maximum damage shifts from the maximum deposited energy depth to a depth near the mean projected range of the implanted ions. Below 200°C, the ion implantation creates a buried amorphous layer in the crystalline substrate. Above this temperature threshold, no amorphous layer is formed, but there are two distinct regions in the silicon samples. In the first one, dose to the surface, the damage accumulation is very low, even at relatively high oxygen doses. The second region, located around the mean projected range depth, is caracterized by a high concentration of interstitial type defect structures. Additional experiments, using nitrogen, neon and magnesium ions with implantation conditions similar to those of oxygen ions, provided a comparative picture of damage and strain accumulation by implantation with light mass ions at elevated temperatures. The damage production is affected by the chemical properties of the ions, which can participate in a variety of processes, such as the precipitation of compounds in the crystalline matrix and the formation of defective structures. The mechanical deformation dueto the ion implantation was found to be dependent on the substrate temperature, energy, dose and chemical species of the ion. The strain calculated values may vary from a relatively low positive deformation, associated with an increase in the distance between crystalline planes, to a high value of negative deformation (of contraction). The description of the data obtained in an extensive series of experiments constitutes the core of this scientific work. The last two chapters are devoted to the analysis of the experimental results and to the presentation of some conclusions.