Comprendre la supraconductivité des pnictures et séléniures de fer nécessite de bien connaître leurs propriétés électroniques et magnétiques. Dans ce cadre, j'ai aidé à réaliser et j'ai automatisé un dispositif cryogénique capable d'étudier ces propriétés, à basse température (jusqu'à ~1 K) et sous application d'un champ magnétique statique (jusqu'à 2 T) ou oscillant. Les techniques implémentées sont la spectroscopie de pointe et la microscopie à sonde de Hall, et le dispositif est conçu de sorte qu'il soit possible de basculer de l'une à l'autre sans manipuler l'échantillon.J'ai ensuite utilisé ce dispositif pour étudier par spectroscopie de pointe les gaps supraconducteurs du pnicture Ba(Fe,Ni)2As2, puis rechercher la signature du couplage de ses électrons de conduction à des modes bosoniques. Ce faisant, il a été observé dans la conductance différentielle de jonctions métal-supraconducteur un signal oscillant dont la période varie en température comme le gap supraconducteur de l'échantillon. Ce signal dépend de la résistance de contact de la jonction d'une façon qui prouve clairement qu'il est issu d'effets hors équilibre.J'ai modélisé ce signal en étudiant théoriquement la physique de jonctions métal-métal-supraconducteur, dont la seconde région métallique serait formée par transition locale du supraconducteur vers l'état normal. Le modèle que j'ai ainsi construit permet de prédire la conductance différentielle d'une telle jonction, moyennant une connaissance préalable de la loi L(V) reliant la taille de la seconde région métallique à la tension aux bornes de la jonction. J'ai ensuite proposé plusieurs modèles pour cette loi.Après comparaison avec l'expérience, il semble possible que la région métallique se forme par dépassement local de la densité de courant critique Jd du supraconducteur associée à la brisure de paires de Cooper, ou "courant de depairing". Mais il serait aussi vraisemblable que l'injection d'électrons perturbe localement la distribution électronique f(E) de l'échantillon, au point de déstabiliser l'état supraconducteur. Cette dernière interprétation suppose une forte dépendance en température du couplage électron-boson à basse énergie.Enfin, je présente en annexe les fonctionnalités de microscopie magnétique du dispositif réalisé, ainsi que les premiers résultats scientifiques qu'elles ont permis d'obtenir : la mise en évidence du rôle joué par le fluage quantique dans la relaxation des vortex piégés au sein de Fe(Se,Te). / Reaching a good understanding of the superconductivity of iron pnictides and selenides requires an accurate knowledge of their electronic and magnetic properties. To this end, I helped building and I automated a cryogenic device that is suitable for the study of these properties, at low temperatures (down to ~1 K) and under the application of a magnetic field, either static (up to 2 T) or oscillating. The device implements the experimental techniques of point contact spectroscopy and scanning hall probe microscopy, and it allows switching between them without requiring sample manipulations.I subsequently used this device to study the superconducting gaps of Ba(Fe,Ni)2As2 by point contact spectroscopy, before I began looking for signatures of the coupling of conduction electrons to bosonic modes. However, in this process, the differential conductance of metal-superconductor junctions turned out to exhibit oscillating features, whose period evolves in temperature like the superconducting gap of the sample. This signal also depends on a junction's contact resistance in such a manner that it appears unmistakably out-of-equilibrium in nature.I derived a model of this signal by undertaking a theoretical study of metal-metal-superconductor junctions. In these junctions, the second metallic region would emerge from a local transition of the superconductor to the normal state. The resulting model is able to predict the differential conductance of such a junction, given prior knowledge of the L(V) law linking the size of the second metallic region to the voltage being applied across the junction. I subsequently derived several models for this law.Comparing these models to experimental data, it appears that the observed phenomenology could emerge from a local increase of current density above the "depairing current" Jd associated to Cooper pair breaking in the superconductor. Alternatively, electron injection could also locally alter the electron energy distribution f(E) of the sample to the point of destabilizing the superconducting state. This last explanation requires a strong temperature dependence of the electron-boson coupling at low energies.Finally, in an appendix, I describe the magnetic microscopy capabilities of the experimental device. Those capabilities enabled us to understand the role played by quantum creep in the relaxation of trapped vortices within Fe(Se,Te).

BaVS3 est un composé unidimensionnel constitué de chaînes d'octaèdres de VS6 liés par face. Ce composé est conducteur à température ambiante et présente de fortes corrélations électroniques. Deux types d'électrons interviennent dans ce composé: des électrons dz2 délocalisés selon l'axe des chaînes de vanadium et des électrons de type e(t2g) à caractère localisé.<br /><br />Plusieurs transitions de phases se succèdent en température: à 240 K une transition structurale, à 70 K une transition métal-isolant et à 30 K une transition de nature magnétique. L'objet de cette thèse est l'étude de la transition métal-isolant d'un point de vue structural en utilisant la diffraction des rayons X.<br /><br />Une transition structurale associée à la transition métal-isolant a été mise en évidence par l'apparition d'une surstructure précédée d'un régime de fluctuations prétransitionnelles unidimensionnelles. La structure basse température a été affinée à l'aide d'une diffraction sur poudre haute résolution. Par diffraction anomale, il a été mis en évidence l'absence d'un ordre de charge.<br /><br />Cette transition est interprétée comme une transition de type Peierls. Un modèle impliquant des ondes densité de charge sur les deux types d'électrons est proposé pour rendre compte de l'absence d'ordre de charge. Ce modèle implique un ordre orbitalaire.<br /><br />Des échantillons substitués ont aussi été observés. Ces échantillons présentent une déficience en soufre qui semble être responsable<br />de forts changements des propriétés par rapport au composé pur.

L'étude des systèmes désordonnés est un problème ancien mais dont de nombreux aspects ne sont toujours pas élucidés. En effet, l'existence de désordre a le double effet de i. modifier et augmenter l'importance des interférences quantiques et de ii. renforcer les interactions coulombiennes. De plus, la prise en compte d'éventuelles fluctuations supraconductrices enrichit considérablement la problématique. Peuvent alors émerger des phénomènes - localisation, Transition Métal-Isolant, Transition Supraconducteur-Isolant, systèmes fortement corrélés... - qui sont au cœur de la recherche actuelle en matière condensée. En particulier, la dimension 2 est la dimension critique inférieure pour l'existence de la supraconductivité et d'un état métallique. Il est donc particulièrement intéressant d'étudier les systèmes désordonnés au voisinage de cette dimension. Le présent travail vise à étudier les états fondamentaux possibles à 2D et les Transitions de Phase Quantiques (TPQ) entre ces états. Nous menons une étude approfondie de ces transitions sur un système modèle, le NbxSi1-x en couches ultra-minces, à très basse température (5 mK), afin de mesurer les lois d'échelle qui régissent les transitions et de sonder en détail les mécanismes mis en jeu lors des TPQ ainsi que la nature microscopique (fermionique ou bosonique) des phases en présence. Nous avons, en particulier, mené une étude détaillée sur les effets et la nature du désordre dans ces systèmes.

Cette thèse comprend une analyse d'un système de N bosons de masse m, à une dimension (1D). Vue des efforts expérimentaux récents et de la perspective d'étudier plusieurs effets quantiques intéressants, nous choisissons une géométrie circulaire avec une circonférence L. Un potentiel extérieur dépendant du temps nous permet d'introduire un mécanisme qui change l'état du moment angulaire des bosons. Ce potentiel est de la forme d'une fonction delta de Dirac qui se déplace le long de l'anneau à une vitesse v et la force de ce potentiel vaut U_0. Il peut être vu comme une barrière qui met les bosons en rotation. Les interactions entre les bosons sont des interactions de contact, décrites dans le modèle de Lieb et Liniger. Puisque le potentiel extérieur ne garde pas la symétrie de translation de L'Hamiltonien du système l'équation de Schrödinger n'est pas résoluble de manière exacte en utilisant un Ansatz de Bethe. Cependant, dans les limites des bosons libres et des bosons impénétrables de Tonks et Girardeau des méthodes alternatives existent pour trouver une solution exacte. Le but de cette thèse est de résoudre l'équation de Schrödinger dans ces cas limites. La solution nous permet d'accéder aux observables intéressantes concernant les propriétés superfluides des bosons libres et du gaz de Tonks. Nous effectuons une analyse du courant des particules, de ses fluctuations et de la force de traînée. Nous trouvons un comportement superfluide en-dessous d'une vitesse critique v_c=ħπ/(mL) de la barrière. Une oscillation du courant et la force de traînée est observée pour une vitesse de la barrière v=n*v_c, avec n un entier naturel. De plus, nous étudions la nature de l'état quantique du gaz de Tonks. Dans les analyses de la distribution des impulsions, de la fonction de Wigner et des images ''temps de vol'' pour une vitesse de la barrière v=n*v_c, on trouve que l'état du système est une superposition macroscopique de deux sphères de Fermi, l'une centrée autour de l'impulsion égale à zéro et l'autre autour de l'impulsion égale à 2q, avec q=mv/ħ. Cet état est un état fortement corrélé, non-classique car la fonction de Wigner atteint des valeurs négatives.

La durée de vie des porteurs minoritaires est l'un des principaux paramètres mesurés dans les semi-conducteurs et la décroissance de photoconductivité (PCD) l'une des méthodes les plus largement utilisées pour ce type de mesure. Aujourd'hui, grâce aux divers équipements automatisés, la mesure de durée de vie est devenue une caractérisation de routine qui permet de juger de la qualité d'un matériau dans tous les secteurs utilisant les semi-conducteurs. Cependant, l'utilisation de micro- et nano-matériaux dans l'industrie du photovoltaïque et de la microélectronique requière l'adaptation des techniques existantes (PCD, photoluminescence etc.). En effet, avec la réduction des dimensions (couches ultraminces telles que les couches épitaxiées, couches SOI « silicon on insulator », et nanostructures), l'influence de la surface (états d'interfaces, pièges, etc.) devient prépondérante. La présence des substrats utilisés pour les croissances ou report de couche de ces différentes structures perturbe également les mesures. Ceci rend difficile l'adaptation des méthodes de mesure de durée de vie classiques comme, par exemple, le déclin de photoconductivité. Au cours de cette thèse nous nous sommes attachés à adapter des techniques de caractérisation de durée de vie à des matériaux de faibles dimensions. Nous avons tout d'abord caractérisé des échantillons massifs et des couches épitaxiées d'une épaisseur de l'ordre de la dizaine de micromètres. Nous avons proposé une technique qui consiste à déterminer simultanément la durée de vie en volume et la vitesse de recombinaison en surface des porteurs minoritaires dans d'une couche épitaxiée, à partir de la mesure de l'intensité de photoluminescence. La méthode développée consiste à calculer le rapport de l'intensité de photoluminescence (RPL) mesurée à différentes longueurs d'onde et pour différentes puissances d'excitation. Ces rapports RPL expérimentaux sont ensuite comparés aux rapports RPL simulés, ce qui permet d'évaluer la vitesse de recombinaison en surface et le temps de vie en volume. Nous avons ensuite étudié des couches semi-conductrices ultraminces de l'ordre de la centaine de nanomètres dans des structures de type SOI (silicon on insulator). Après un rappel des méthodes de fabrication et de quelques-unes des utilisations, nous avons analysé les méthodes électriques existantes permettant de déterminer la qualité des substrats SOI. Cela nous a amené à proposer une nouvelle méthode de caractérisation apportant des solutions aux limitations de ces techniques. Cette méthode se base sur une mesure courant-tension sous obscurité et sous éclairement en configuration PSEUDO-MOSFET où le substrat de la structure SOI sert de grille du transistor et deux pointes déposées sur le film de silicium servent de source et drain. Nous avons appliqué cette nouvelle méthode de caractérisation de la durée de vie des porteurs de charge à un substrat SOI et avec l'aide de la simulation numérique, nous avons pu expliquer les phénomènes de recombinaison aux interfaces et extraire les paramètres associés. Enfin, la dernière partie de ce travail de thèse concerne l'étude des nanofils pour des applications photovoltaïques. Dans les nanofils, le rapport surface sur volume augmente considérablement ce qui entraîne une diminution de la durée de vie effective due à l'augmentation de l'influence des surfaces. Le fonctionnement des cellules solaires à base de nanofils que nous avons étudiées est très dépendant de la qualité des interfaces. Nous avons analysé ces cellules grâce à la méthode RRT (« Reverse Recovery Transient ») basée sur la proportionnalité qui existe entre la quantité de charges stockées dans les régions neutres des jonctions pn polarisées et la durée de vie des porteurs minoritaires. Ce type de structure étant assez complexe, nous avons utilisé des simulations numériques pour analyser les phénomènes de recombinaison au sein de la cellule solaire et extraire les densités de défauts aux interfaces. / The minority carrier lifetime is one of the main parameters used to analyse the semiconductors quality and photoconductivity decay (PCD) is one of the most widely used lifetime characterization method. Thanks to the variety of automated equipment that has developed, lifetime measurement has become a routine technique to assess the quality of semiconductors. However, the micro and nano materials used in the photovoltaic and microelectronics industry require an adaptation of the existing methods (PCD, photoluminescence etc.). Indeed, with reduced dimensions (epitaxial layers, SOI “Silicon on Insulator”, nanostructures and nanowires), the influence of the surface (interface states density, traps, etc.) becomes predominant. The presence of the substrates used for the material growth or for the layer transfer can also influence the measures. Consequently traditional methods of lifetime measurement are difficult to apply to low dimensional materials. This thesis is focused on the measurement of minority carrier lifetime in micro and nano materials (bulk, epitaxial layer, silicon on insulator and nanowires) with a special emphasis on the adaptation of the characterization tools to the material thickness. We have studied first bulk samples and epitaxial layers (with thicknesses around 50µm) by photoluminescence. We have developed a method to determine simultaneously the bulk lifetime and the surface recombination velocity using room temperature photoluminescence measurement. The procedure consists in measuring the photoluminescence intensity ratio at different incident laser wavelengths and power. These photoluminescence ratios are then compared with analytical simulations, which allow us to evaluate the surface recombination velocity and the bulk lifetime. We have then investigated SOI (Silicon on insulator) structures with ultrathin semiconductor layers of the order of 100 nanometers. After a brief description of the manufacturing methods and of some of their uses, we have analyzed the existing electrical methods used to evaluate the quality of SOI substrates. This led us to propose a new characterization method to overcome the limitations of these techniques. This method is based on a current-voltage measurement in the dark and under illumination called PSEUDO-MOSFET (the substrate of the SOI structure serves as the transistor gate and the two contact points deposited on the silicon film are used as the source and drain). We applied this new method to characterize the lifetime of a SOI substrate and with the help of numerical simulation, we were able to explain the recombination mechanism associated with interfaces and extract the parameters. Finally, the last chapter concerns the study of nanowires for photovoltaic applications. In the nanowires, the surface to volume ratio greatly increases leading to a decrease of the effective lifetime due to the increased influence of the surfaces. In this chapter, we have studied the minority carrier lifetime in core-shell nanowire-based solar cells under dark conditions with a purely electrical approach called reverse recovery transient (RRT). This method is based on storage time measurement which depends essentially on the amount of stored charges in the biased junction and can be used to calculate the minority carrier lifetime. Numerical simulations have also been done to explain the measurements and to validate the theory and the hypotheses used for parameter extraction.

Ce travail de thèse est consacrée à l'étude des interractions de gaz de Bose de polaritons avec leurs environnements dans le but de déterminer l'impact de la densité, de la dimmensinalité du confinement, du potentiel ressentis par le gaz et du bain de phonons sur les propriétés du gaz de Bose.Le premier chapitre présente un condensat de polaritons unidimensionel au sein de microfils d'oxyde de zinc qui présente d'une nature quasi excitonique.En déterminant les propriétés de corrélation spatiale du gaz et en utilisant un modèle champ moyen nous déterminons l'influence combinée de la nature quasi-excitonique, du potentiel confinant et de la densité sur les propriétés de cohérence du gaz. La fin du chapitre décrit une application de ces polaritons très excitoniques à une nouvelle technique d'imagerie de Sub-longueur d'onde basée sur le concept lentilles solides à immersion.Dans la deuxième partie, nous abordons les interactions du champ de polaritons avec une caractéristique intrinsèque de l'environnement à l'état solide : les excitations thermiques du réseau appelées phonons.Dans cette partie, nous utilisons la spectroscopie Raman résolue en angle pour étudier la Fluorescence Anti-Stokes qui consiste en l'absorption d'un phonon par un état excité pour refroidir la microcavité étudiée.L'étude réalisée a exploité la fluorescence anti Stokes de polaritons en exploitant respectivement leur très courte durée de vie et leur très faible masse pour accéder à une dynamique de refroidissement extrêmement rapide rapide et une gamme d'énergie allant de 150K à 4K. / This work is devoted to the study of the interaction of a Bose gas of polariton with its environment it aims to determine the impact of the gas density, the dimensionality of the confinement, the experienced potential and the surrounding phonon bath on the polariton Bose gas characteristics.In the first chapter, we study a one dimensional polariton condensate in Zinc Oxide microwires that features a quasi excitonic nature.By determining the spatial correlation properties of the gas, and using a mean field driven dissipative model developed by our colleagues of the Laboratoire de Physique et de Mod'elisation des Milieux Condens'es we were able to determine the influence of the combined quasi excitonic nature, disordered one dimensional confining potential and density on the coherence properties of the gas. The end of the chapter describes an application of those highly excitonic polaritons to a novel subwavelength imaging technic based on the Solid Immersion Lens concept.In the second part we address the interactions of the polariton field with an intrinsic characteristic of the solid state environment : the thermal excitations of the lattice called phonons.In this part, we use angle resolved Raman spectroscopy to study Anti-Stokes Fluorescence (ASF) which consists in the the absorption of a phonon by an excited states to cool down the studied microcavity. The state of the art technics are using ion doped materials or bare excitons in semiconductors as emitters.The study performed exploited the polaritons as emitters, using respectively their very short lifetime and their very light mass to access a faster cooling dynamics and an energy range going from 150K to 4K.

Cette thèse vise à étudier la stabilité des phases métalliques et isolantes en compétition dans les systèmes 2D 1T-VS2 et composés dérivés, Cu⅔V⅓V2S4 et Sr3V5S11. Pour atteindre cet objectif, nous avons développé et optimisé des voies ad hoc de synthèse à hautes pressions pour stabiliser les nouvelles phases sous forme de monocristal de haute qualité, qui nous permettrait d’étudier les propriétés électroniques et de transport. Un important résultat de notre étude est le contrôle de la concentration, x, des atomes interstitiels V situés entre les plans adjacents VS2 dans le système V1+xS2, qui est obtenu en variant la pression de synthèse. Cela nous a permis d’explorer le diagramme de phase T-x du système. Le résultat principal de cette étude est que la phase CDW observée dans la phase stoichiométrique (x = 0) disparait rapidement avec x, alors que les propriétés métalliques sont augmentées. Dans Cu⅔V⅓V2S4, la substitution partielle du V par Cu dans le site interstitiel change complètement le système en un fermion semi-lourd aux caractéristiques prononcées du liquide de Fermi jusqu’à ~ 20 K, où la transition de Kondo apparait. Ce phénomène inattendu dans les sulfures suggère que la force des corrélations électroniques dans ces composés peut être pilotée en variant simplement la nature chimique et la concentration de l’atome intercalé. La force modérée des corrélations dans Cu⅔V⅓V2S4 ouvre le chemin vers une description théorique fiable de la disparition du régime de liquide de Fermi. Les corrélations électroniques apparaissent importantes aussi pour piloter une phase isolante dans Sr3V5S11, qui devrait être un métal d’après la théorie conventionnelle de bande. Dans ce cas, les corrélations peuvent être augmentées par la dimensionnalité réduite créée par un large écartement des couches VS2 et par une modulation structurale 1D des couches. Des études supplémentaires pourront clarifier s’il s’agit d’un mécanisme d’Anderson de faible localisation qui contribue à la stabilisation d’un état isolant dans les plans pristine métalliques VS2. / This thesis work aims at studying the stability of the metallic and insulating phases that compete in the two-dimensional 1T-VS2 system and related compounds, Cu⅔V⅓V2S4, and Sr3V5S11. We have developed and optimized ad hoc high-pressure synthesis routes in order to stabilize the above novel phases in the form of high-quality single crystals, which enabled us to reliably investigate their electronic and transport properties. An important achievement of our study is the control of the concentration, x, of interstitial V atoms located between adjacent VS2 planes in the V1+xS2 system, which is obtained by varying synthesis pressure. This has enabled us to explore the T-x phase diagram of the system. The main result of this study is that the CDW phase observed in the stoichiometric (x=0) phase quickly disappears with x, whilst the metallic properties are enhanced. In Cu⅔V⅓V2S4, the partial substitution of V for Cu in the interstitial site is found to completely change the system into a semi-heavy fermion with pronounced Fermi-liquid characteristics down to ~20 K, where a Kondo transition occurs. These unexpected phenomena in sulfides suggest that the strength of the electronic correlations in these compounds can be tuned by simply varying the chemical nature and concentration of the intercalant atom. The moderate strength of the correlations in Cu⅔V⅓V2S4 opens the way towards a reliable theoretical description of the breakdown of the Fermi liquid regime. Electronic correlations appear to be important also to drive an insulating phase in Sr3V5S11, which should be a metal within a conventional band picture. In this case, the correlations may be enhanced by the reduced dimensionality caused by a large spacing between VS2 layers and by a 1D structural modulation of the layers. Further studies may clarify whether the Anderson’s mechanism of weak localization contributes to the stabilization of an insulating state in the pristine metallic VS2 planes.

La première étape de cette étude vise à évaluer, selon les données de terrain, la validité prédictive des outils les plus utilisés quant à prédire le risque de récidive auprès des délinquants sexuels, soit la Statique-99R et la Stable-2007. Au cours de la première étape de cette étude, la validité prédictive de la Statique-99R et de la Stable-2007 a été évaluée via les données d’expertise d’un échantillon d’un échantillon de 797 délinquants sexuels hommes. Ces données ont été obtenues par la recension des archives du Centre d’Intervention en Délinquance sexuelle (CIDS) au Québec, Canada, de 1998 à 2021 et pairées aux données officielles de récidive obtenues par la Sûreté du Québec pour la même période. Les scores totaux et les niveaux de risques évalués par la Statique-99R prédisaient significativement la récidive générale, sexuelle et violente (non-sexuelle). Bien que cela n’ait pas été le cas pour la Stable-2007, cet outil contribuait à prédire, lorsqu’ajoutée à la Statique-99R, la récidive générale, sexuelle et violente (non-sexuelle) pour ces trois types de récidive. La seconde partie de cette étude s’intéressait aux dimensions latentes de ces instruments. Les analyses factorielles exploratoire ont permis de relever 3 dimensions pour la Statique-99R, soit Jeune/Célibataire, Persistance (sexuelle et non-sexuelle) et Conduite de Prédation détachée, similaires à certain de ceux identifiés par Barbaree et al. (2006). Pour la Stable-2007, deux dimensions ont été identifiées, soit la présence de Caractéristiques antisociales et la Déviance sexuelle. Toutefois, aucune des dimensions extraites pour la Statique-99R et la Stable-2007 ne permettait de prédire significativement la récidive sexuelle. L’interprétation de ces résultats, les limites de cette étude et les implications possibles pour de plus amples recherches sont discutées. / The first phase of this study aimed to evaluate, based on field data, the predictive validity of the most used tools for predicting the risk of recidivism among sexual offenders, the Static-99R and the Stable-2007. Predictive validity of the Static-99R and the Stable-2007 was firstly assessed using legal expertise data from a sample of 797 male sex offenders. These data were obtained by reviewing the archives of the Centre d'Intervention en Délinquance sexuelle (CIDS) in Quebec, Canada, from 1998 to 2021 and matched with official recidivism data obtained by the Sûreté du Québec for the same period. The total scores and risk categories assessed by the Static-99R significantly predicted general, sexual, and violent (non-sexual) recidivism. Although this was not the case for the Stable-2007, scores and risk categories from the Stable-2007, when added to the Static-99R, helped predict general, sexual, and violent (non-sexual) recidivism for all three types of recidivism. The second part of this study focused on the latent dimensions of these instruments. Exploratory factor analyses identified 3 dimensions for the Static-99R, namely Youth/Single, Persistence (sexual and non-sexual), and Detached Predatory Conduct, similar to some of those identified by Barbaree et al. (2006). For the Stable-2007, two dimensions were identified, which were Antisociality and Sexual Deviance. However, none of the dimensions extracted for the Static-99R and the Stable-2007 significantly predicted sexual recidivism. The interpretation of these results, the limitations of this study, and possible implications for further research are discussed.

Ce mémoire de thèse est composé de deux parties. La première présente les récents résultats concernant les gaz de Bose bidimensionnels (2D). Dans un gaz de Bose 2D homogène avec interactions, malgré l'absence de condensat de Bose-Einstein à température non nulle, une transition entre une phase normale et une phase superfluide a été prédite par Berezinskii, Kosterlitz et Thouless. Notre expérience a consisté à étudier cette transition pour un gaz d'atomes dans un piège harmonique. Pour cela, nous avons coupé un condensat de Bose-Einstein tridimensionnel en deux nuages 2D indépendants. Nous avons étudié à la fois la perte de la quasi-cohérence du système au dessus d'une température critique et la prolifération de vortex libres issus de la brisure des paires vortex/antivortex présentes dans la phase quasi-cohérente. La coïncidence entre ces deux phénomènes est typique de la transition prévue par Kosterlitz et Thouless. La seconde partie concerne la conception et la réalisation d'une nouvelle expérience de condensation de Bose-Einstein. Les dix années d'expérience depuis la création du premier condensat d'atomes froids ont été mises à profit pour construire un montage simple et robuste. La particularité principale de ce montage est la mise en œuvre d'un transport magnétique permettant aux atomes de voyager entre deux chambres distinctes, la seconde autorisant un excellent accès optique.

Le développement de nouveaux capteurs multispectraux en imagerie astronomique permet l'acquisition de données d'une grande richesse. Néanmoins, la classification d'images multidimensionnelles se heurte souvent au phénomène de Hughes : l'augmentation de la dimensionnalité s'accompagne d'un accroissement du nombre de paramètres du modèle et donc inévitablement une baisse de précision de leur estimation entrainant une dégradation de la qualité de la segmentation. Il est donc impératif d'écarter l'information redondante afin de réaliser des opérations de segmentation ou de classification robustes. Dans le cadre de cette thèse, nous avons propose deux méthodes de réduction de la dimensionnalité pour des images multispectrales : 1) le regroupement de bandes suivis de projections locales ; 2) la réduction des cubes radio par un modèle de mélange de gaussiennes. Nous avons également propose un schéma de réduction/segmentation jointe base sur la régularisation du mélange d'analyseurs en composantes principales probabilistes (MACPP). En se qui concerne la tâche de segmentation, nous avons choisie une approche bayésienne s'appuyant sur des modèles hiérarchiques récents a base d'arbres de Markov cache et couple. Ces modèles permettent en effet un calcul rapide et exact des probabilités a posteriori. Pour le terme d'attache aux données, nous avons utilisée la loi gaussienne multidimensionnelle classique, la loi gaussienne généralisée multidimensionnelles formulée grâce à la théorie des copules et la vraisemblance par rapport au modèle de l'ACP probabiliste (dans le cadre de la MACPP régularisée). L'apport majeur de ce travail consiste donc a proposer différents modèles markoviens hiérarchiques de segmentation adaptés aux données multidimensionnelles multirésolutions. Leur exploitation pour des données issues d'une analyse par ondelettes adaptée au contexte astronomique nous a permis de développer des techniques de débruitage et de fusion d'images astronomiques multispectrales nouvelles. Tous les algorithmes sont non supervises et ont été valides sur des images synthétiques et réelles.