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Decaimento de potencial de superfície em monocristais de naftaleno / Surface potential decay on naphtalene single crystals

Giacometti, José Alberto 10 August 1977 (has links)
Usando a técnica de decaimento do potencial de superfície e de correntes termo estimuladas, foi investigado em cristais de naftaleno, o movimento de cargas elétricas injetadas por uma descarga corona. Os resultados obtidos nas medidas de decaimento, foram explicados satisfatoriamente usando um modelo teórico de transporte de cargas, na presença de armadilhas rasas e profundas. A partir desse modelo foram calculadas: a mobilidade modulada dos portadores, o tempo de captura das armadilhas profundas e estimada a sua seção de captura. Nas medidas de corrente termo-estimuladas, foram identificadas as armadilhas rasas e profundas e determinada as suas profundidades energéticas. / Using the method of surface potential decay, and thermal stimulated currents, it was possible to study the motion of electrical charges, injected in naphthalene single crystals, by a negative corona discharge in the air. The results obtained in the measurements of the decay, were explained by using a theoretical model of transport of charges in the presence of shallow and deep traps. With the help of this model, the trap modulated mobility of the carriers, the trapping time of the deep traps, and the capture cross section were calculated. In the measurements of thermal stimulated currents, it was possible to identify the deep and shallow traps and also to calculate their activation energies.
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Caracterização de filmes finos polimerizados por plasma a partir dos monômeros hexametildisilazano e acetileno e posteriormente expostos à descarga por barreira dielétrica /

Siqueira, Marcelo Barbosa. January 2014 (has links)
Orientador: Rogério Pinto Mota / Banca: Roberto Yzumi Honda / Banca: Elver Juan de Dios Mitma Pillaca / Resumo : Dois grupos de filmes finos foram feitos por polimerização em plasma, um a partir do HMDSN e outro a partir do C2H2 sob, respectivamente, uma pressão de 4Pa e de 10Pa e em um mesmo reator de aço inoxidável. A descarga foi excitada por rádio-frequencia (13,56MHz) durante 15 minutos para a polimerização a partir do C2H2 e 1 hora no caso do HMDSN. Posteriormente, esses filmes foram tratados por DBD produzida por uma fonte alternada (60 Hz) com pico de voltagem de 35kV. O tempo de tratamento para os filmes feitos a partir do acetileno foi de 1 a 5 minutos e de 2 a 10 minutos para os filmes a partir do HMDSN. Os filmes foram caracterizados quanto à estrutura molecular por meio de FTIR, a topografia por microscopia de força atômica e a molhabilidade por ângulo de contato. As medidas de ângulo de contato dos filmes feitos a partir do C2H2 após a exposição à DBD inicialmente apresentaram valores próximos de zero independente do tempo de tratamento. Posteriormente, esses valores aumentaram estabilizando em 30°, 45° e 54°, respectivamente, para 1, 3 e 5 minutos de tratamento. Esses valores são todos menores que o medido antes do tratamento, ou seja, 60°. Já no caso do HMDSN, o ângulo de contato médio, logo após o DBD, foi de 57°, 60° e 71°, respectivamente, para 5, 10 e 2 minutos de tratamento. Esses valores também aumentaram com o passar do tempo estabilizando próximo de 90° e abaixo dos 97° medidos antes do tratamento. Os espectros no infravermelho dos dois grupos de filmes indicaram alterações na estrutura molecular, contudo, sem a introdução de novos grupos funcionais. O filme feito a partir do C2H2 logo após a deposição apresentou uma rugosidade média igual a 64nm - menor que os 70nm do substrato. Com o aumento do tempo de tratamento, esse valor chegou a ser igual a 152nm. Já no caso do HMDSN, logo após a deposição ... (Resumo completo, clicar acesso eletrônico abaixo) / Abstract: Two thin film groups were made by plasma polymerization from HMDSN at 4 Pa and C2H2 at 10 Pa. Both groups were made in the same stainless steel reactor. The discharge was produced by radio-frequency (13.56 MHz) during 15 minutes for polymerization from C2H2 and 1 hour for HMDSN. Thereafter, the films were exposed to DBD produced by an AC power supply at a frequency of 60 Hz with 35 kV of peak voltage. The time for treatment of films made from acetylene is from 1 to 5 minutes and from 2 to 10 minutes for films made from HMDSN. The film characteristics were evaluated from some techniques. Thus, molecular structure was characterized by FTIR, topography by atomic force microscopy and wettability by contact angle. After DBD exposure, contact angle measurements obtained on the films made from the C2H2 initially presented values close to zero no matter what the time for treatment was used. Thereafter, these values increased to 30°, 45° and 54°, respectively, for 1, 3 and 5 minutes for treatment. All these values are smaller than the ones measured before treatment (60°). After DBD, the films from HMDSN showed 57°, 60° and 71°, respectively, for 5, 10 and 2 minutes for treatment. As time went by, these values also increased to 90°, which is lower than measurements made before treatment (97°). The FTIR spectrum from two film groups showed changes in molecular structure, however without introducing new functional groups. After deposition, the films made from acetylene presented an average surface roughness equal to 64 nm, which is lower than the substrate surface (70 nm). As time for treatment increase, this value became equal to 152 nm. On the other hand, the films from HMDSN after deposition presented an average roughness equal to 4 nm for 5 minutes for treatment. After treatment, these films showed an average roughness equal to 15 nm for 7,5 minutes for treatment / Mestre
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Dispositivo de plasma atmosférico com precursor e sua aplicação em deposição polimérica /

Reis, Diego Glauco Azarias. January 2017 (has links)
Orientador: Milton Eiji Kayama / Banca: Elson de Campos / Banca: Nilson Cristino Cruz / Resumo: O tratamento de materiais utilizando plasma tem sido utilizado amplamente nos dias atuais com o desenvolvimento de novas tecnologias baseadas em descargas elétricas a pressão atmosférica. Dentre os diversos métodos para produzir plasmas nestas condições destaca-se a descarga por microplasmas. No presente trabalho, um novo dispositivo foi desenvolvido e utilizado para deposição de filmes finos. Em estudos de arrasto de vapores no dispositivo foi verificado a relação linear entre a vazão do gás e a massa arrastada. Deposições poliméricas foram obtidas pela mistura de gás argônio com o monômero hexametildissiloxano (HMDSO) em substratos de vidro. A deposição de filmes ocorreu com a vazão de gás entre 0,07 L/min e 0,4 L/min para potências entre 100 mW e 650 mW. Para outras vazões, ocorreu a formação de material sólido em forma de grânulos submilimétricos. A caracterização dos filmes por espectroscopia infravermelha com transformada de Fourier (FTIR) mostrou a presença de grupos moleculares como trimetilsilil Si(CH3)3, siloxano SiOSi e metino CHx. Os testes de adesão realizados no padrão D3359 ASTM com fita Scotch 3M mostraram boa adesão dos filmes aos substratos. Medições de ângulo de contato mostraram a diminuição da hidrofilicidade da superfície dos substratos com valores variando de 40° sem tratamento para quase 90° com o filme fino. Os resultados mostraram que dispositivo desenvolvido foi utilizado com sucesso na deposição em pressão atmosférica de filmes de HMDSO indicando ... (Resumo completo, clicar acesso eletrônico abaixo) / Abstract: The treatment of materials using plasma has been used widely nowadays with the development of new technologies based on electrical discharges at atmospheric pressure. Among the various methods of producing plasma in these conditions, we gave attention to microplasmas. In this study, a new device was developed and applied to the deposition of polymeric thin films. The dragging of the vapour in the device was investigated for various organic compounds and gas flow rate. It was observed a linear relation between these parameters. The polymeric depositions were obtained with the mixture of argon gas and hexamethyldisiloxane (HMDSO) on glass slides. The thin film deposition occurred with gas flow rate between 0.07 L/min and 0.4 L/min with potencies around 100 mW and 650 mW. The formation of solid submilimeter grains was observed at others gas glow rates. The regular thin films was analysed by Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) and showed the molecular groups of trimethylsilyl Si(CH3)3, siloxane SiOSi and methyne CHx. The films had a good adhesion when subjected to the D3359 ASTM standard test using adhesive tape Scotch 3M. Contact angle characterization has shown a decrease of the hydrophilicity surface property with values changing from 40o without treatment up to 90 o with thin film. The results has shown that the developed device was successfully used for deposition of HMDSO films at atmospheric pressure indicating that can be used with other monomers as well / Mestre
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Modelagem, simulação e fabricação de circuitos analógicos com transistores SOI convencionais e de canal gradual operando em temperaturas criogênicas. / Modeling, simulation and fabrication of analog circuits with standard and graded-channel SOI transistors operating at cryogenic temperatures.

Souza, Michelly de 16 October 2008 (has links)
Neste trabalho apresentamos a análise do comportamento analógico de transistores MOS implementados em tecnologia Silício sobre Isolante (SOI), de canal gradual (GC) e com tensão mecânica aplicada ao canal, operando em baixas temperaturas (de 380 K a 90 K), em comparação com dispositivos SOI convencionais. Este estudo foi realizado utilizando-se medidas experimentais de transistores e pequenos circuitos fabricados, bem como através da utilização de simulações numéricas bidimensionais e modelos analíticos. No caso dos transistores de canal gradual, inicialmente foi proposto um modelo analítico contínuo para a simulação da corrente de dreno em baixas temperaturas. Este modelo foi validado para temperaturas entre 300 K e 100 K e incluído na biblioteca de modelos de um simulador de circuitos. Foram analisadas características importantes para o funcionamento de circuitos analógicos, tais como a distorção harmônica de dispositivos operando em saturação e o descasamento de alguns parâmetros, como tensão de limiar e corrente de dreno, em diversas temperaturas. No caso da distorção, foi verificada uma melhora significativa promovida pela utilização da estrutura de canal gradual, ultrapassando 20 dB em 100 K. O descasamento apresentou piora em relação ao transistor convencional, devido a imperfeições de alinhamento que podem ocorrer no processo de fabricação, principalmente na etapa de definição da região fracamente dopada do canal. Foi observada uma piora de até 2,5 mV na variação da tensão de limiar e mais de 2% na corrente de dreno, em temperatura ambiente, em relação ao transistor uniformemente dopado. O impacto da utilização de transistores GC SOI em espelhos de corrente e amplificadores dreno comum também foi também avaliado. Os resultados experimentais mostraram que a estrutura de canal gradual é capaz de promover a melhora no desempenho destes dois blocos analógicos em comparação com transistores uniformemente dopados em todo o intervalo de temperaturas estudado. Amplificadores dreno comum com ganho praticamente constante e próximo do limite teórico e espelhos de corrente com precisão de espelhamento superior àquela apresentada por transistores convencionais, com maior excursão do sinal de saída e maior resistência de saída, foram obtidos. Foram também comparadas características analógicas de transistores SOI com tensão mecânica uniaxial e biaxial agindo sobre o canal em função da temperatura. Os resultados obtidos indicam que a tensão mecânica sobre o canal resulta em ganho de tensão melhor, ou no mínimo igual, àquele obtido com um transistor convencional com as mesmas dimensões e tecnologia. / In this work an analysis of the analog behavior of MOS transistors implemented in Silicon-on-Insulator technology, with graded-channel (GC) and mechanical strain applied to the channel, operating at low temperatures (from 380 K down to 90 K), in comparison to standard SOI devices is presented. This study has been carried out by using experimental measurements of transistors and small circuits, as well as through two-dimensional numerical simulations and analytical models. In the case of graded-channel transistors, an analytical model for the simulation of the drain current at low temperatures has been initially proposed. This model has been validated from 300 K down to 100 K and included to the models library of a circuit simulator. Important characteristics for analog circuits have been evaluated, namely the harmonic distortion of devices biased in saturation regime and the mismatching of parameters like the threshold voltage and the drain current, at several temperatures. Regarding the distortion, it has been verified a significant improvement due to the use of the graded-channel architecture, which reached more than 20 dB at 100 K. The matching has been worsened in comparison to standard transistor, due to misalignements that may take place in the devices processing, mainly in the definition of the lightly doped region in the channel. It has been observed a worsening of up to 2.5 mV in the threshold voltage variation and more than 2 % in the drain current, at room temperature, in comparison to the uniformly doped device. The impact of the application of GC transistors in current mirrors and commondrain amplifiers has been also evaluated. The experimental results showed that the graded-channel structure is able to provide improved performance of these analog blocks in comparison with uniformly doped transistors in the entire studied range of temperatures. Commom-drain amplifiers with virtually constant gain, close to the theoretical limit and current mirrors with improved mirroring precision in comparison to standard transistors, with increased output swing and output resistance have been obtained. Analog characteristics of SOI transistors with uniaxial and biaxial mechanical strain in the channel have been also compared as a function of the temperature. The analysis of experimental measurements indicates that the use of mechanical strain results in better or, at least, similar voltage gain than stardard transistors, for the same dimensions and technology.
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Estudo computacional sobre a influência de sinapses elétricas entre bastonetes na faixa dinâmica escotópica da retina de vertebrados / A computational study on the influence of rod coupling by electrical synapses on the scotopic dynamic range of the vertebrate retina.

Publio, Rodrigo 07 August 2008 (has links)
Recentes estudos sugerem a existência de sinapses elétricas mediadas por junções gap entre fotorreceptores na retina de vertebrados. Neste trabalho, descrevemos um modelo computacional dos circuitos primário e secundário mediados pelos bastonetes da retina de vertebrados. O modelo é composto pelas seguintes populações de células: bastonetes, cones, células bipolares dos bastonetes, células bipolares dos cones, células amácrinas do tipo AII e células ganglionares. As células do modelo estão acopladas entre si por sinapses químicas e elétricas segundo padrões realísticos de convergência e divergência. As sinapses elétricas ocorrem entre os bastonetes, entre os bastonetes e os cones, entre as células amácrinas AII e entre as células bipolares dos cones e a células amácrinas AII. O modelo assume que um estímulo luminoso de baixa intensidade, simulando condições escotópicas, atinge todos os bastonetes da camada receptora, porém menos da metade deles é excitada. A resposta dos bastonetes excitados é controlada por uma fotocorrente cuja amplitude pode ser alterada para simular estímulos de diferentes intensidades dentro da faixa escotópica. O modelo é utilizado para investigar os efeitos dos diferentes graus de acoplamento elétrico entre as células receptoras e entre as células amácrinas AII, além do efeito de diferentes valores de condutância do canal Ih ativado pela hiperpolarização nos bastonetes, sobre a faixa dinâmica da retina. Os resultados das simulações mostram que, para valores realísticos da condutância do canal Ih, a faixa dinâmica medida na camada receptora é maximizada para o índice de conectividade crítico para que haja percolação de ligação. No entanto, quando a faixa dinâmica é medida para as células bipolares ou ganglionares o valor máximo é obtido para um índice de conectividade subcrítico. Este resultado é conseqüência da alta convergência de sinapses químicas entre os bastonetes e células bipolares. / Recent studies suggest the existence of electrical synapses (gap junctions) connecting photoreceptors in the vertebrate retina. In this work we describe a computer model of the primary and secondary rod pathways in the vertebrate retina. The model is composed of the following cell populations: rods, cones, rod bipolar cells, cone bipolar cells, AII amacrine cells and ganglion cells. Cells of the model are connected via chemical as well as electrical synapses according to realistic convergence and divergence factors. There are electrical synapses between rods, rods and cones, AII amacrine cells, and cone bipolar cells and AII amacrine cells. The model assumes that low intensity stimuli simulating scotopic conditions reach all rods in the receptor array but less than half of them are excited. The excited rods response is controlled by a photocurrent waveform whose amplitude can be manipulated to simulate stimuli of different intensities within the scotopic range. The model is used to investigate the effects of different degrees of coupling among photoreceptors and among AII amacrine cells, as well as values of rod hyperpolarization activated current Ih on the dynamic range of the retina. Results show that for realistic values of Ih conductance the dynamic range of the rod array is maximized at the critical connectivity degree for bond percolation. However, the dynamic range of the rod bipolar and ganglion cells is maximized for a photoreceptor connectivity degree below the critical value. The latter result is a consequence of the high convergence of chemical synapses from rods to rod bipolar cells.
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Desenvolvimento de algoritmo de controle de tração para regeneração de energia metroviária - ACTREM: melhoria da eficiência energética de sistemas de tração metroviária. / Development traction control algorithm for subway energy regeneration - ACTREM: improving the energy efficiency of subway traction systems.

Sousa, Carlos Alberto de 01 September 2015 (has links)
Esta tese propõe um modelo de regeneração de energia metroviária, baseado no controle de paradas e partidas do trem ao longo de sua viagem, com o aproveitamento da energia proveniente da frenagem regenerativa no sistema de tração. O objetivo é otimizar o consumo de energia, promover maior eficiência, na perspectiva de uma gestão sustentável. Aplicando o Algoritmo Genético (GA) para obter a melhor configuração de tráfego dos trens, a pesquisa desenvolve e testa o Algoritmo de Controle de Tração para Regeneração de Energia Metroviária (ACTREM), usando a Linguagem de programação C++. Para analisar o desempenho do algoritmo de controle ACTREM no aumento da eficiência energética, foram realizadas quinze simulações da aplicação do ACTREM na linha 4 - Amarela do metrô da cidade de São Paulo. Essas simulações demonstraram a eficiência do ACTREM para gerar, automaticamente, os diagramas horários otimizados para uma economia de energia nos sistemas metroviários, levando em consideração as restrições operacionais do sistema, como capacidade máxima de cada trem, tempo total de espera, tempo total de viagem e intervalo entre trens. Os resultados mostram que o algoritmo proposto pode economizar 9,5% da energia e não provocar impactos relevantes na capacidade de transporte de passageiros do sistema. Ainda sugerem possíveis continuidades de estudos. / This thesis proposes a subway energy regeneration model, based on control stops and train departures throughout his trip, with the use of energy from the regenerative braking in the drive system. The goal is to optimize the power consumption, improve efficiency, in view of sustainable management. Applying Genetic Algorithm (GA) to get the better of the trains traffic configuration, the research develops and tests the Traction Control Algorithm for Subway Energy Regeneration (ACTREM), using the C ++ programming language. To analyze the performance of ACTREM control algorithm in enhancing energy efficiency, there were fifteen simulations of applying ACTREM on line 4 - Yellow subway in São Paulo. These simulations showed the ACTREM efficiency to generate automatically diagrams schedules optimized for energy savings in metro systems, taking into account the system\'s operational constraints such as maximum each train capacity, total wait time, total travel time and interval between trains. The results show that the proposed algorithm can save 9.5% of the energy and not cause significant impacts on the transportation system capacity passengers. Also suggest possible continuities studies.
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Caracterização de conexinas neuronais no desenvolvimento pós-natal do hipocampo de ratos. / Characterization of neuronal connexins in the post-natal development of rat hippocampus.

Higa, Guilherme Shigueto Vilar 16 November 2017 (has links)
Durante o desenvolvimento pós-natal do hipocampo, as junções comunicantes (JC) formadas por conexinas (Cxs) neuronais participam na maturação da circuitaria hipocampal promovendo a regulação da atividade espontânea sincronizada neuronal. Neste estudo investigamos as duas Cxs neuronais mais abundantes no hipocampo, a Cx36 e Cx45, durante o desenvolvimento pós-natal. Identificamos mudanças nos níveis de transcritos e proteicos da Cx36 e Cx45 ao longo deste período. Nossos resultados revelaram que ambas as Cxs neuronais estão presentes nas sub-regiões do hipocampo e que sua distribuição é modulada em função da progressão do desenvolvimento. Atráves da avaliação dos níveis de atividade neuronal identificamos diferenças exercidas pelo bloqueio das JCs em hipocampo de neonatos e na segunda semana de vida. Nossos resultados mostram que as Cxs neuronais são reguladas durante o desenvolvimento pós-natal do hipocampo, assim como sua ação sobre sua excitabilidade, mostrando que as Cxs podem contribuir de forma distinta em periodo específicos do desenvolvimento hipocampal. / Gap junctions (GJ) composed of neuronal connexins (Cx) play a significant role in the activity-dependent circuitry maturation promoting modulation of coherent spontaneous neuronal activity. Herein, we evaluate two major hippocampal neuronal Cxs, Cx36 and Cx45 during postnatal development. We identified changes in Cx36 and Cx45 transcript and protein levels during these developmental periods. Interestingly, immunofluorescence analyses showed that Cx36 and Cx45 are located in all hippocampal subregions. Also, neuronal Cx distribution in these sub-regions is modulated throughout postnatal development. Using electrophysiological recording, we identified changes imposed by GJ blocker over the hippocampal activity in neonates and two-week-old rats. Our finds demonstrate a regulation of neuronal Cxs and distinct GJ role in activity modulation during postnatal hippocampal development, which might be essential to physiological processes that govern proper hippocampal development.
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Lógica fuzzy aplicados ao registro de alarmes e eventos em subestações no padrão IEC 61850. / Fuzzy logic applied to registration of alarms and events in substations in standard IEC 61850.

Ribeiro, Luiz Gustavo 23 November 2015 (has links)
A aplicação de técnicas de Inteligência artificial em sistemas elétricos de potência permite a resolução de problemas onde soluções tradicionais não mostram bons resultados. Por exemplo, após a ocorrência de uma falta, um sistema automatizado toma todas as medidas necessárias para proteger o sistema e assumir um estado seguro de operação. Nessa ocasião, cabe aos operadores verificar todas as mensagens e dados disponíveis, selecionando aquelas relevantes, para então chegar a uma conclusão sobre o evento ocorrido. Apenas após esse diagnóstico, com base em seu conhecimento, o operador pode ordenar o restabelecimento do sistema ou sua manobra para outro estado. Esse processo é lento e passível de falhas, pois as informações são usualmente conflitantes e confusas, devido à avalanche de eventos, alarmes e alertas decorrentes. Diante desta dificuldade, é interessante dispor de uma ferramenta automática de diagnóstico e apoio na tomada de decisão que torne essa tarefa mais ágil e com menores riscos. Este trabalho aborda a integração e a interoperabilidade de equipamentos de uma subestação elétrica em conformidade com a norma IEC 61850, e a utilização de sistemas inteligentes com lógica Fuzzy executados em um controlador programável moderno. O sistema proposto faz uso de recursos de comunicação da IEC 61850, com mensagens prioritárias padrão GOOSE incluindo valores analógicos de corrente de falta, além de mensagens no padrão TCP/IP MMS. Essas informações, alarmes e eventos, são processadas de forma automática por um motor Fuzzy que permite aproximar a decisão computacional à decisão humana, incluindo zonas de incerteza e lógica ponderada, permitindo respostas mais abstratas do que algo puramente binário. O sistema proposto foi submetido a um grande número de eventos com um simulador em tempo real, com equipamentos reais, tais como IEDs e um controlador programável de alto desempenho. Além disso o sistema usou um esquema de comunicação inovador para o módulo do processador de dados em tempo real (RTDP), inteiramente baseado nos protocolos da IEC 61850. / The application of artificial intelligence techniques in electric power systems allows solving problems where traditional solutions do not show good results. For example, in electric power systems, after the occurence of a fault, an automated system takes all necessary measures to protect the system and assume a safe state of operation. On this occasion, it is for operators to review all messages and data available, selecting those relevant to then come to a conclusion about the event that occurred. Only after this diagnosis, based on his knowledge the operator may order the restoration of the system or their operation to another state. This process is therefore slow and subject to failure, because the information is usually conflicting and confusing because of the avalanche of events, alarms and warnings arising. Faced with this difficulty, it is interesting to have an automatic diagnostic tool and support in decision making that makes this task quicker and with less risk. This paper addresses the integration and interoperability of an electrical substation equipment in accordance with IEC 61850, and the use of intelligent systems Fuzzy logic running on a modern programmable controller. The proposed system makes use of the IEC 61850 communication resources with priority GOOSE messages including standard analog values of fault current, as well as messages on standard TCP / IP MMS. This information, alarms and events, are processed automatically by a fuzzy engine that allows the computational approach to human decision making, including areas of uncertainty and weighted logic, allowing more abstract answers than purely binary. The proposed system has undergone a large number of events with a simulator in real time with actual equipment such as a programmable controller IEDs and high performance. In addition the system used an innovative communication scheme for the module\'s real-time data processor ( RTDP ), based entirely on the IEC 61850 standard protocols such as MMS and GOOSE messages.
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Técnica de correntes termo-estimulada em circuito aberto. Aplicação ao estudo do transporte de cargas no polímero PETP / Thermo stimulated technique in open circuit. Application to the investigation of charge transport in PETP polymer

Malmonge, José Antonio 13 July 1988 (has links)
Foi construída uma nova versão de um sistema para medidas de correntes termo-estimuladas em circuito aberto (DTE). Mostrou-se que no Teflon FEP, carregado com corona negativa, os ruídos que aparecem nas curvas de DTE , que são devidos a micro rupturas elétricas na amostra, causam uma variação de potencial considerável na mesma. Verificou-se também que a corrente anômala originada pelo deslocamento de cargas na camada de ar entre a amostra e a placa sensora pode perturbar as medidas de DTE com amostras virgens carregadas positivamente. A inversão de polaridade da corrente nas medidas de DTE na região próxima a temperatura ambiente, foi explicado como sendo devido a variação da capacitância da amostra em função da temperatura. Medidas de DTE, realizadas com o polímero PETP (Mylar), mostraram que o processo de transporte que dá origem ao pico de corrente acima de 100 C é devido a uma condutividade intrínseca originária da geração de portadores em centros neutros de ionização. Essa geração possui uma dependência com o campo elétrico do tipo Poole-Frenkel e a mobilidade dos portadores livres, depende do volume livre o qual tem valor maior que o de equilíbrio abaixo da temperatura da transição vítrea / A new version of thermo stimulated current setup (DTE) in open circuit was built. It was shown in measurements electric noise is present in the DTE curve in Tefon FEP negatively charged which is due to micro electric breakdown in the sample. It was also found that the electric current in air gap between the sample surface and the sensor plate can disturb DTE measurements performed in positively charged samples. The polarity inversion on the DTE curves at room temperature range is due to the capacitance variation with the temperature. DTE measurements on PETP (Mylar) showed that the charge transport gives a current peak at 100 C due to an intrinsic conductivity generated by carriers from ionization centers. This process is described by a Poole-Frenkel
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Efeitos elétricos de ácidos graxos livres em bicamadas lipídicas planas. / Electrical effects of free fatty acids in planar lipid bilayers.

Miranda Filho, Manoel de Arcisio 16 August 2007 (has links)
Ácidos graxos livres (FFA) são importantes mediadores do transporte de prótons através de membranas. Porém, pouco se sabe sobre a influência estrutural tanto dos FFA como do ambiente lipídico na translocação de prótons através de membranas. Tanto os efeitos do comprimento da cadeia e número de insaturações dos FFA como a composição da membrana foram analisados por medidas elétricas em bicamadas lipídicas planas. Condutância a prótons (GH+) e condutância de vazamento (Gleak) foram calculadas a partir de medidas de voltagem em circuito aberto e de corrente de curto-circuito obtidas através de um eletrômetro ou um amplificador de patch-clamp (modo de voltage-clamp). Nossos resultados mostram que FFA com cis-insaturações causam um efeito mais pronunciado no transporte de próton quando comparados com FFA saturados ou trans-insaturação. Colesterol e cardiolipina diminuem Gleak de membranas. Cardiolipina também diminui GH+. Esses efeitos indicam uma dupla modulação do transporte de prótons: pelo mecanismo de flip-flop dos FFA e por uma via difusional simples adicional. / Free fatty acids (FFA) are important mediatiors of proton transport across membranes. However, little is known about the structural influence of both FFA and the membrane environment have in proton translocation across phospholipid membranes and by which means this influence is brought about. Both the effects of FFA chain length and insaturation and membrane composition on proton transport have been addressed in this study by electrical measurements in planar lipid bilayers. Proton conductance (GH+) and leak conductance (Gleak) were calculated from open-circuit voltage and short-circuit current measurements obtained using either an electrometer or a patch-clamp amplifier (voltage-clamp mode). We found that cis-unsaturated FFA caused a more pronounced effect on proton transport as compared to saturated or trans-unsaturated FFA. Cholesterol and cardiolipin decreased Gleak. Cardiolipin also decreased GH+. These effects indicate a dual modulation of protein-independent proton transport by FFA through flip-flop and by an additional simple diffusional pathway.

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