SIGRADI 2013. XVII Congreso de la Sociedad Iberomaericana de Gráfica Digital: Knowledge Design 20, 21 y 22 de Noviembre del 2013. Universidad Técnica Federico Santa María. Valparaiso, Chile / Teaching programming to architects, in academic and professional contexts, occurs in Latin America through self-­‐management, and focused on results, without analyzing the processes and establishing a follow-­‐up to participants, to establish patterns of application. The pointing out of these problems and the proposal of how to make said education sustainable has allowed finding variables specific to the region and to the very same tools and instruments, which are constantly evolving. At the same time, it is proposed after the analysis, that hetero-­‐education (shared learning) itself requires self-­‐education (self-­‐teaching processes) as a complementary process.

Thesis advisor: Marc L. Snapper / Tandem Reactions have proven themselves to be useful reactions for the synthesis of highly complex materials. Ruthenium alkylidenes are shown to be useful precursors for the development of new tandem processes. First, a new tandem metathesis/hetero-Pauson-Khand process is developed using Grubbs' second generation catalyst. Next, various metatheis/olefin isomerization processes are explored. / Thesis (PhD) — Boston College, 2009. / Submitted to: Boston College. Graduate School of Arts and Sciences. / Discipline: Chemistry.

New processes that leads to formation of new carbon-carbon bond (the Michael reaction, the Mannich reaction and alkylation reaction) or carbon-heteroatom bond (á-halogenation, á-hydroxylation and á-amination) on bridged bicyclic ketones such as tropinone and TBON were investigated, utilizing LDA in the deprotonation step. All reactions, in which new carbon-heteroatom bond is formed, were not successful either due to low selectivity and/or yields. In case of new carbon-carbon bond forming processes, careful choice of electrophile (electrophile having the ester group in á-position to leaving group), allows for alkylation of tropinone with moderate yield and good selectivity. Application of new conditions to the aldol reaction of TBON and tropinone (e.g. MgI2 catalyzed aldol reaction), gave new aldol products that were not detected from the lithium enolate chemistry of these ketones. Modification of reaction conditions in case of MgI2 catalyzed aldol reaction provides, in a one pot process, bis-aldol product from TBON in good yield and high selectivity, as a single diastereoisomer. Finally, TBON is used as a suitable scaffold for the synthesis of thiacocaine. The first known synthesis of racemic thiacocaine is presented, via deprotonation of TBON with LDA, as a key step.

New processes that leads to formation of new carbon-carbon bond (the Michael reaction, the Mannich reaction and alkylation reaction) or carbon-heteroatom bond (á-halogenation, á-hydroxylation and á-amination) on bridged bicyclic ketones such as tropinone and TBON were investigated, utilizing LDA in the deprotonation step. All reactions, in which new carbon-heteroatom bond is formed, were not successful either due to low selectivity and/or yields. In case of new carbon-carbon bond forming processes, careful choice of electrophile (electrophile having the ester group in á-position to leaving group), allows for alkylation of tropinone with moderate yield and good selectivity. Application of new conditions to the aldol reaction of TBON and tropinone (e.g. MgI2 catalyzed aldol reaction), gave new aldol products that were not detected from the lithium enolate chemistry of these ketones. Modification of reaction conditions in case of MgI2 catalyzed aldol reaction provides, in a one pot process, bis-aldol product from TBON in good yield and high selectivity, as a single diastereoisomer. Finally, TBON is used as a suitable scaffold for the synthesis of thiacocaine. The first known synthesis of racemic thiacocaine is presented, via deprotonation of TBON with LDA, as a key step.

In this work, the interfacial electronic property between N-type LaAlO3/TiO2-SrTiO3 has been investigated by using scanning tunneling microscopy and spectroscopy (STM/S). With the consideration of the tip-induced band bending effect during STM measurements and in conjunction with the three-dimensional theoretically analysis, the schematic band structure of the hetero-structured SrTiO3/LaAlO3 is also revealed. Results indicate that the magnitude of the built-in field on the LaAlO3 is (30¡Ó5) mV/Å. The band bending on SrTiO3 side at the heterointerface is also observed. The band downshift of SrTiO3 side at the interface is 0.31 eV with about 0.8 nm decay length.

Polymers containing bulky tetraphenylthiophene (TP) moieties were prepared by different coupling reactions. Firstly, 2,5-bis(4-bromophenyl)-3,4-diphenylthiophene (TP-Br) was coupled together by either NiCl2/PPh3 or n-BuLi to form polymers with TP as the repeat unit. The resulting polymers (PTP-NiCl2 and PTP-BuLi) are easily soluble in organic solvents and are photoluminescent (PL) materials (

Marburg, Universiẗat, Diss. : 1994.

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior / A partir dun questionnement concernant la possibilité daborder le normal en tant quobjet détudes de lAnalyse du discours française (Maing xxx), ce travail a pour but de sinterroger sur le mode de production de la normalité dans des textes adressés au public hétérosexuel masculin. A cette fin, nous avons eu recours au cadre théorique qui sest consolidé en la matière (Foucault, xxx) afin de mettre laccent sur ce qui pourrait être considéré comme normalité sexuelle et nous avons fait appel à une approche cartographique de la normalisation en tant que dispositif constitutivement diffus. Pour aboutir à notre fin, nous avons examiné, dune part, la Loi de lorgueil hétéro et sa justification (São Paulo, 2005) et, dautre part, les réponses aux doutes des lecteurs du magazine Playboy, ayant pour base lanalyse des présupposés linguistiques. Compte tenu des multiples lignes et discours qui traversent ces énoncés, nous avons choisi les notions didéalité et dacceptabilité, basées sur la nature et la morale, comme éléments constituants dune notion de normalité toujours fuyante. Finalement, nous avons identifié la normalisation à lindividuation comme processus de production de subjectivité molaire (Guattari, xxx). / O objetivo deste trabalho foi, a partir de pergunta acerca da possibilidade de o normal ser objeto dos estudos da Análise do Discurso francesa de base enunciativa (Maingueneau, 1997, 2008c, 2013), investigar o modo de produção da normalidade em textos voltados para o público heterossexual masculino. Para tanto, utilizamo-nos do quadro teórico já consolidado sobre o assunto (Foucault, 2006, 2010a, 2010d; Canguilhem, 2011) a fim de problematizar aquilo que se consideraria a normalidade sexual e procuramos nos valer do método cartográfico (Deleuze, Guattari, 1995b; Passos, Kastrup, Escóssia, 2010) para abarcar a normalização como dispositivo, constitutivamente disperso. Para atingirmos nosso fim, analisamos a Lei do Orgulho Hetero e sua justificativa (São Paulo, 2005) e uma seção de resposta à dúvida de leitores publicada em Playboy, a partir dos seus pressupostos linguísticos (Ducrot, 1977, 1987). Assim, observando as múltiplas linhas e discursos que atravessam esses enunciados, elegemos as noções de idealidade e de aceitabilidade, baseadas na natureza e na moral, como constituintes de dada noção de normalidade, sempre fugidia. E, finalmente, identificamos a normalização à individuação como processo de produção de subjetividade molar (Guattari, Rolnik, 2011).

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior / A partir dun questionnement concernant la possibilité daborder le normal en tant quobjet détudes de lAnalyse du discours française (Maing xxx), ce travail a pour but de sinterroger sur le mode de production de la normalité dans des textes adressés au public hétérosexuel masculin. A cette fin, nous avons eu recours au cadre théorique qui sest consolidé en la matière (Foucault, xxx) afin de mettre laccent sur ce qui pourrait être considéré comme normalité sexuelle et nous avons fait appel à une approche cartographique de la normalisation en tant que dispositif constitutivement diffus. Pour aboutir à notre fin, nous avons examiné, dune part, la Loi de lorgueil hétéro et sa justification (São Paulo, 2005) et, dautre part, les réponses aux doutes des lecteurs du magazine Playboy, ayant pour base lanalyse des présupposés linguistiques. Compte tenu des multiples lignes et discours qui traversent ces énoncés, nous avons choisi les notions didéalité et dacceptabilité, basées sur la nature et la morale, comme éléments constituants dune notion de normalité toujours fuyante. Finalement, nous avons identifié la normalisation à lindividuation comme processus de production de subjectivité molaire (Guattari, xxx). / O objetivo deste trabalho foi, a partir de pergunta acerca da possibilidade de o normal ser objeto dos estudos da Análise do Discurso francesa de base enunciativa (Maingueneau, 1997, 2008c, 2013), investigar o modo de produção da normalidade em textos voltados para o público heterossexual masculino. Para tanto, utilizamo-nos do quadro teórico já consolidado sobre o assunto (Foucault, 2006, 2010a, 2010d; Canguilhem, 2011) a fim de problematizar aquilo que se consideraria a normalidade sexual e procuramos nos valer do método cartográfico (Deleuze, Guattari, 1995b; Passos, Kastrup, Escóssia, 2010) para abarcar a normalização como dispositivo, constitutivamente disperso. Para atingirmos nosso fim, analisamos a Lei do Orgulho Hetero e sua justificativa (São Paulo, 2005) e uma seção de resposta à dúvida de leitores publicada em Playboy, a partir dos seus pressupostos linguísticos (Ducrot, 1977, 1987). Assim, observando as múltiplas linhas e discursos que atravessam esses enunciados, elegemos as noções de idealidade e de aceitabilidade, baseadas na natureza e na moral, como constituintes de dada noção de normalidade, sempre fugidia. E, finalmente, identificamos a normalização à individuação como processo de produção de subjetividade molar (Guattari, Rolnik, 2011).

Conselho Nacional de Desenvolvimento CientÃfico e TecnolÃgico / Os materiais semicondutores sÃo responsÃveis pelo grande desenvolvimento na indÃstria eletrÃnica e surgimento de novas tecnologias. O conceito de hetero-estrutura deu um grande impulso à fÃsica do estado sÃlido. à impossÃvel imaginar a moderna fÃsica do estado sÃlido sem hetero-estruturas semicondutoras. A fÃsica de semicondutores està atualmente concentrada no estudo dos chamados sistemas de dimensÃes reduzidas: poÃos, fios, pontos e anÃis quÃnticos, assunto de pesquisa de dois terÃos da comunidade de fÃsica de semicondutores. Neste trabalho, investigaremos o confinamento dos portadores e dos excitons em hetero-estruturas de baixas dimensÃo; poÃo, ponto e anel quÃntico. Iniciaremos com o estudo das propriedades excitÃnicas de poÃos quÃnticos Si/Si_{1-x}Ge_x, considerando duas possibilidades para o alinhamento de banda: tipo-I, onde os portadores de cargas, elÃtron e buraco, estÃo confinados no mesmo material, e tipo-II, onde os portadores estÃo espacialmente localizados em materiais diferentes. Usaremos um Hamiltoniano que, na aproximaÃÃo da massa efetiva, leva em conta a existÃncia de interfaces nÃo abruptas entre os materiais que compÃe o sistema. Nos sistemas tipo-I, observamos que a energia do exciton sofre um aumento quando consideramos campos elÃtricos aplicados. Jà em sistemas tipo-II, o campo magnÃtico afeta bem mais o confinamento do elÃtron do que o do buraco. Investigamos alguns fenÃmenos nos anÃis quÃnticos, como: impurezas, efeitos geomÃtricos, rugosidade e anÃis duplos. Calculamos os nÃveis de energia do elÃtron em anÃis quÃnticos considerando um campo magnÃtico perpendicular, levando em conta um modelo realÃstico, que consiste em anÃis com barreiras e potenciais finitos, nÃo limitado a pequenas pertubaÃÃes. Quando consideramos a presenÃa de uma impureza no anel quÃntico, hà uma quebra de simetria no sistema e consequetemente as oscilaÃÃes Aharanov-Bohm (AB) sÃo anuladas. Entretanto, para duas impurezas, as oscilaÃÃes AB sÃo recuperadas se as distÃncias entre as impurezas e o plano forem iguais, no caso das impurezas positivas e para impurezas negativas as oscilaÃÃes sÃo recuperadas independente das posiÃÃes das impurezas. A existÃncia de interfaces rugosas à responsÃvel por um considerÃvel deslocamento nas energias dos portadores. AlÃm disso, a degenerescÃncia nos pontos de transiÃÃo do momento angular nas oscilaÃÃes AB à levantada quando consideramos superfÃcies rugosas, em casos especiais, as oscilaÃÃes AB nas energias do estado fundamental pode ser anuladas. Fizemos tambÃm um estudo teÃrico da energia dos portadores em pontos quÃnticos tipo-I e tipo-II, alÃm de um estudo em pontos quÃnticos duplos $InGaAs/GaAs$ analisando o efeito de afastamento entre os pontos e considerando dois tipos de acoplamento: lateral e vertical. A equaÃÃo de Schodinger em trÃs dimensÃes, na aproximaÃÃo da massa efetiva, à resolvida para elÃtrons e buracos a partir de um mÃtodo de evoluÃÃo temporal da funÃÃo de onda. Observamos que as curvas do Stark shift das energias de ligaÃÃo e total do exciton em pontos quÃnticos Si/Si_{0.85}Ge_{0.15} tipo-I sÃo assimÃtricas devido à existÃncia de um dipolo elÃtrico intrÃnseco nestes sistemas. No entanto, quando consideramos o efeito de um campo magnÃtico paralelo ao plano, o Stark shift torna-se mais simÃtrico. No caso dos pontos duplos, vimos que a energia de confinamento do elÃtron em pontos quÃnticos acoplados lateralmente, quando consideramos os raios dos pontos iguais, degeneram à medida que a distÃncia entre os pontos aumenta. Entretanto, quando os raios dos pontos sÃo diferentes, essas energias nÃo tÃm mudanÃas significativas. Para o caso do acoplamento vertical, o comportamento à semelhante ao dos pontos lado a lado: Para raios iguais em ambos os pontos quÃnticos, os pares de estados tornam-se degenerados à medida que a distÃncia entre os pontos aumenta, o que nÃo acontece quando consideramos o caso de pontos com raios diferentes.