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21	Chalcogen modification of GaAs(100) surfaces and metal/GaAs(100) contacts Hohenecker, Stefan 03 May 2001 (has links) Der Einfluss der Modifikation der technologisch relevanten GaAs(100) Oberfläche durch Chalkogene, i.e. Selen, Schwefel und Tellur, wird in dieser Arbeit untersucht. Es wird ein Modell vorgestellt, das die Eigenschaften der modifizierten Oberfläche beschreibt. In einem zweiten Schritt werden die so modifizierten Oberflächen mit Metallen unterschiedlicher Reaktivität und verschiedenen Elektronegativitäten bedampft. Die Bandbreite dieser Eigenschaften wird durch die Metalle Indium und Silber, das Alkalimetall Natrium, das Erdalkalimetall Magnesium und das Halbmetall Antimon abgebildet. Die Untersuchung des Einflusses der Chalkogene auf die chemischen Eigenschaften und die Barrierenhöhe der Metall/GaAs(100) Grenzfläche bilden einen weiteren Schwerpunkt. Die Änderung der Barrierenhöhe wird dabei mit Hilfe des Modells metallinduzierter Bandlückenzustände (metal induced gap states) erklärt. Als experimentelle Techniken werden Photoemissionsspektroskopie, Raman Spektroskopie und Strom-Spannungsmessungen verwendet. / The influence of a modification of the technological relevant GaAs(100) surface by chalcogens, i.e. selenium, sulphur and tellurium, is evaluated in this work. A model is proposed, which describes the properties of the modified surface. In a second step metals of different reactivity and electronegativity have been evaporated onto these modified surfaces. Among these materials were the metals indium and silver, the alkali metal sodium, the earth alkali metal magnesium and the half metal antimony. The investigation of the influence of chalcogens on the chemical properties and the barrier height of the metal/GaAs(100) interface is another point of interest. The change in barrier height is explained by the model of metal induced gap states (MIGS). Photoemission spectroscopy, Raman spectroscopy and current-voltage-measurement have been used as experimental techniques. info:eu-repo/classification/ddc/530 ddc:530 Galliumarsenid Oberflächenphysik Vakuum-UV-Spektroskopie Halbleitergrenzfläche Schottky-Kontakt Passivierung Chalkogene Ultrahochvakuum Photoemissionsspektrum GaAs(100) Sulphur Selenium Schottky contacts Passivation Schottky barrier Metal induced gap states (MIGS) Band bending Surface Photoemission spectroscopy
22	Herstellung anwendungsbezogener SiO2-Grabenstrukturen im sub-μm-Bereich durch RIE und ICP-Prozesse. Schäfer, Toni 15 June 2006 (has links) Herstellung anwendungsbezogener SiO2- Grabenstrukturen im sub-μm-Bereich durch RIE und ICP-Prozesse. info:eu-repo/classification/ddc/620 ddc:620 Anisotropie Elektromigration Fluidik ICP Lag Passivierung Photoresist Plasmaätzen Polymere Rasterelektronenmikroskop Siliciumdioxid Trench <Mikroelektronik> CF4 CHF3 FIB Plasmapolymer RIE RIE grass Selektivität bowing differential charging facetting microtrenching Ätzrate

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Chalcogen modification of GaAs(100) surfaces and metal/GaAs(100) contacts

Herstellung anwendungsbezogener SiO2-Grabenstrukturen im sub-μm-Bereich durch RIE und ICP-Prozesse.