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Tomografia de emissão H-alfa no tokamak TCABR / Tomography of H-alpha emission in TCABR TokamakNajera, Omar Cipriano Usuriaga 06 December 2006 (has links)
Neste trabalho foi feito um estudo do perfil tomográfico da emissão da linha do átomo de hidrogênio, H-alfa (?=656,28 nm) no plasma do TCABR, um tokamak de porte médio em operação no Laboratório de Física de Plasmas do Instituto de Física da Universidade de São Paulo. Nosso trabalho centrou-se no estudo dos efeitos da introdução de um eletrodo polarizado na borda do plasma no tokamak TCABR. O eletrodo pode ser introduzido até 1,5 cm para dentro da coluna do plasma, sem causar disrupturas para polarização positiva de 0 até +350V, e situado no plano equatorial do tokamak. Perfis tomográficos de H-alfa com e sem polarização foram medidos. A comparação dos perfis mostra um aumento da densidade de linha na posição central, quando a emissividade H-alfa diminui. A análise dos perfis tomográficos de H-alfa, tempo de confinamento das partículas e também do estudo de reciclagem das partículas neutras, indica que o plasma entra no regime de alto confinamento (modo-H). Cálculos de turbulência e de transporte na borda do plasma (SOL), feitos medindo o potencial flutuante e a corrente de saturação de íons, mostram uma diminuição forte no espectro de potência e de transporte. Também foram feitos estudos do novo regime de descargas com elétrons fugitivos (\"runaway electron\"), descoberto no tokamak TCABR. As características distintivas deste regime são um plasma de baixa temperatura fracamente ionizado, destacado do limitador devido a processos de recombinação, e instabilidade de relaxação com fortes picos de emissão H-alfa correlacionados com instabilidade dente de serra da densidade eletrônica de linha. No presente trabalho fazemos a descrição das condições experimentais para a geração destas descargas. A produção dos elétrons fugitivos é analisada; mostrando que a geração de elétrons fugitivos somente pode ser explicada pelo mecanismo de avalanche. A confirmação de baixa temperatura do plasma é obtida de uma análise do perfil tomográfico da emissão H-alfa. Esta emissão não pode ser explicada por excitação de elétrons no plasma. A recombinação, de outro lado, dá uma explicação plausível para a dependência temporal da emissão, em particular para alta densidade de partículas neutras. / A study of the tomography profile of the emission of the line of Hydrogen, atomic H-alpha line (?=656.28 nm), was carried out in TCABR, a medium-size tokamak in operation at the Laboratory of Plasma Physics of the Institute of Physics of the University of São Paulo. Our work focuses on the study of the effects of due to the introduction of a biased electrode in the plasma edge of the TCABR tokamak. The electrode could be introduced up to 1.5 cm inside the plasma, without plasma disruptions for positive voltages from 0 to +350V, and was located on the equatorial plane of the plasma column. Tomography profiles of H-alpha with and without bias were measured. Comparison of the profiles shows an increase of the central line-averaged density, while the emissivity of the line H-alpha decreases. The analysis of the tomography profiles of H-alpha, time of confinement of particles and also the study of recycling of the neutral particles, indicate that the confined plasma enters the H-mode regime. Calculations of turbulence and transport at the Scrape-Off-Layer, using measured floating potentials and ion saturation currents, show a strong decrease in the power spectra and transport. The H-alpha tomography was also employed to study the new regime of runaway discharges that has been discovered in the TCABR tokamak. The distinctive features of this regime are weakly ionized low-temperature plasma detached from the limiter due to the recombination process, and a relaxation instability with strong spikes of H-alpha emission correlated with sawtooth relaxation of the line density. In the present thesis we report experimental data on conditions for generation of these discharges. The runaway electron production is analyzed; show that generation of runaway electrons can only be explained by the runaway avalanche mechanism. The confirmation of low plasma temperature is a obtained from an analysis of the tomography profile of H-alpha emission. This emission cannot be explained by excitation by plasma electrons. Recombination, on the other hand, gives a rather plausible explanation for the time dependency of the emission, in particular at high neutral densities.
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Morfologia do útero e ovários de Artibeus planirostris (Phyllostomidae: Chiroptera) durante as fases do ciclo reprodutivo / Morphology of uterus and ovaries of Artibeus planirostris (Phyllostomidae: Chiroptera) during phases of the reproductive cycleCaun, Dianelli Lisboa [UNESP] 25 February 2016 (has links)
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Dissertação Mestrado _ Dianelli Lisboa Caun!.pdf: 3828104 bytes, checksum: 90229c28752bb69884ad8a4a0b1595eb (MD5) / Rejected by Ana Paula Grisoto (grisotoana@reitoria.unesp.br), reason: Solicitamos que realize uma nova submissão seguindo as orientações abaixo:
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Por favor, corrija esta informação realizando uma nova submissão.
Agradecemos a compreensão. on 2016-04-01T12:25:24Z (GMT) / Submitted by Dianelli Lisboa Caun null (dianellicaun@gmail.com) on 2016-04-01T13:56:46Z
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Dissertação Mestrado _ Dianelli Lisboa Caun!.pdf: 3828104 bytes, checksum: 90229c28752bb69884ad8a4a0b1595eb (MD5) / Approved for entry into archive by Ana Paula Grisoto (grisotoana@reitoria.unesp.br) on 2016-04-05T14:39:50Z (GMT) No. of bitstreams: 1
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Previous issue date: 2016-02-25 / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES) / Apesar das diferentes estratégias reprodutivas apresentadas pelos morcegos, relativamente pouca atenção tem sido dada aos estudos morfológicos das estruturas reprodutivas nesses animais. Com o intuito de gerar informações que propiciem uma descrição mais detalhada dos aspectos reprodutivos em Chiroptera, o objetivo do presente estudo foi descrever a morfologia dos órgãos reprodutivos (útero e ovários) das fêmeas de Artibeus planirostris (Phyllostomidae) durante quatro fases do ciclo reprodutivo e analisar o processo de foliculogênese. As fêmeas de A. planirostris possuem um útero simples de histologia semelhante ao padrão geral dos mamíferos, com a parede uterina sendo composta por três camadas, na qual a mais interna, o endométrio, demonstrou um processo de descamação e necrose, que ao ser associada com sangramento, caracteriza a menstruação. Artibeus planirostris produz apenas um filhote por gestação e exibe um padrão poliéstrico, evidenciado pela captura de fêmeas concomitantemente grávidas e lactantes, demonstrando a existência de um estro pós-parto. Os ovários de A. planirostris, apresentaram uma polaridade aparente, com os folículos primordiais restritos a uma zona localizada em apenas um lado do ovário, a partir da qual os folículos são recrutados para posterior crescimento e desenvolvimento. Ambos os ovários são funcionais, confirmados pela presença do corpo lúteo, mas constatamos que eles não podem ser considerados bilateralmente simétricos, uma vez que o corpo lúteo foi encontrado preferencialmente no ovário esquerdo (76,2%). Os ovários durante a gravidez apresentam diferenças significativas entre si, evidenciando um processo de regressão por parte do ovário sem corpo lúteo, que apresenta grandes quantidades de folículos atrésicos, e valores de diâmetro, área e volume significativamente menores do que o ovário que ovulou (com corpo lúteo). Quanto ao processo de foliculogênese, A. planirostris segue o padrão básico dos mamíferos e outros morcegos, tendo início com o recrutamento de folículos primordiais, visando seu crescimento e desenvolvimento, podendo se tornar um folículo maduro (de Graaf) ou morrer por um processo de atresia. Com esses resultados, fornecemos detalhes sobre o ciclo reprodutivo de A. planirostris, evidenciando características reprodutivas típicas dessa espécie. / Despite the many reproductive strategies employed by bats, there is not enough attention being given to the morphological studies of reproductive structures of the Chiroptera. Aiming to generate informations that enable a more detailed explanation of the reproductive aspects of Chiroptera, the purpose of this study is to describe the morphology of the reproductive organs (uterus and ovaries) of female Artibeus planirostris (Phyllostomidae) during four phases of the reproductive cycle and analyse the folliculogenesis. The A. planirostis female has a simple uterus, histologically similar to the mammalian general pattern, uterine wall formed by three layers, of which, the inner layer, the endometrium, has showed process of necrosis and scaling that, when combined with bleeding, typifies menstruation. Artibeus planirostis produces only one offspring per gestation and presents a poliestric pattern, corroborated by the capture of females concomitantly pregnant and lactating, desmonstrating the existence of a postpartum estrus. The ovaries of A. planirostis showed an apparent polarity, with the primary follicles restricted to an area located in only one side of the ovary, from which the follicles are recruited to the consequent growth and development. Both ovaries are functional, confirmed by the presence of the corpus luteum and it was found, however, that they can not be considered bilaterally simetrical, for the corpus luteum was predominantly found in the left ovary (76,2%). The ovaries, during pregnancy, showed significant differences among each other, evincing a regression process of the ovary that did not present corpus luteum and showing great quantity of atretic follicles, and with diameter, area and volume significantly smaller than the ovary which presented corpus luteum, i.e., which has ovulated. As for the folliculogenesis process, A. planirostis follows the basic mammalian pattern as well as other bats, starting with primary follicle recruiting, growing and developing it, and enabling it to become a mature follicle (graafian foliclle) or dying of a process of atresia. With such results, we provide details on the reproductive cycle of A. planirostis, evincing typical reproductive characteristics for this species.
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Tomografia de emissão H-alfa no tokamak TCABR / Tomography of H-alpha emission in TCABR TokamakOmar Cipriano Usuriaga Najera 06 December 2006 (has links)
Neste trabalho foi feito um estudo do perfil tomográfico da emissão da linha do átomo de hidrogênio, H-alfa (?=656,28 nm) no plasma do TCABR, um tokamak de porte médio em operação no Laboratório de Física de Plasmas do Instituto de Física da Universidade de São Paulo. Nosso trabalho centrou-se no estudo dos efeitos da introdução de um eletrodo polarizado na borda do plasma no tokamak TCABR. O eletrodo pode ser introduzido até 1,5 cm para dentro da coluna do plasma, sem causar disrupturas para polarização positiva de 0 até +350V, e situado no plano equatorial do tokamak. Perfis tomográficos de H-alfa com e sem polarização foram medidos. A comparação dos perfis mostra um aumento da densidade de linha na posição central, quando a emissividade H-alfa diminui. A análise dos perfis tomográficos de H-alfa, tempo de confinamento das partículas e também do estudo de reciclagem das partículas neutras, indica que o plasma entra no regime de alto confinamento (modo-H). Cálculos de turbulência e de transporte na borda do plasma (SOL), feitos medindo o potencial flutuante e a corrente de saturação de íons, mostram uma diminuição forte no espectro de potência e de transporte. Também foram feitos estudos do novo regime de descargas com elétrons fugitivos (\"runaway electron\"), descoberto no tokamak TCABR. As características distintivas deste regime são um plasma de baixa temperatura fracamente ionizado, destacado do limitador devido a processos de recombinação, e instabilidade de relaxação com fortes picos de emissão H-alfa correlacionados com instabilidade dente de serra da densidade eletrônica de linha. No presente trabalho fazemos a descrição das condições experimentais para a geração destas descargas. A produção dos elétrons fugitivos é analisada; mostrando que a geração de elétrons fugitivos somente pode ser explicada pelo mecanismo de avalanche. A confirmação de baixa temperatura do plasma é obtida de uma análise do perfil tomográfico da emissão H-alfa. Esta emissão não pode ser explicada por excitação de elétrons no plasma. A recombinação, de outro lado, dá uma explicação plausível para a dependência temporal da emissão, em particular para alta densidade de partículas neutras. / A study of the tomography profile of the emission of the line of Hydrogen, atomic H-alpha line (?=656.28 nm), was carried out in TCABR, a medium-size tokamak in operation at the Laboratory of Plasma Physics of the Institute of Physics of the University of São Paulo. Our work focuses on the study of the effects of due to the introduction of a biased electrode in the plasma edge of the TCABR tokamak. The electrode could be introduced up to 1.5 cm inside the plasma, without plasma disruptions for positive voltages from 0 to +350V, and was located on the equatorial plane of the plasma column. Tomography profiles of H-alpha with and without bias were measured. Comparison of the profiles shows an increase of the central line-averaged density, while the emissivity of the line H-alpha decreases. The analysis of the tomography profiles of H-alpha, time of confinement of particles and also the study of recycling of the neutral particles, indicate that the confined plasma enters the H-mode regime. Calculations of turbulence and transport at the Scrape-Off-Layer, using measured floating potentials and ion saturation currents, show a strong decrease in the power spectra and transport. The H-alpha tomography was also employed to study the new regime of runaway discharges that has been discovered in the TCABR tokamak. The distinctive features of this regime are weakly ionized low-temperature plasma detached from the limiter due to the recombination process, and a relaxation instability with strong spikes of H-alpha emission correlated with sawtooth relaxation of the line density. In the present thesis we report experimental data on conditions for generation of these discharges. The runaway electron production is analyzed; show that generation of runaway electrons can only be explained by the runaway avalanche mechanism. The confirmation of low plasma temperature is a obtained from an analysis of the tomography profile of H-alpha emission. This emission cannot be explained by excitation by plasma electrons. Recombination, on the other hand, gives a rather plausible explanation for the time dependency of the emission, in particular at high neutral densities.
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Investigação interferométrica da reação HF-Sílica (SIO2) em presença de campos elétricosSantiago Neto, Ruy Batista 08 December 2009 (has links)
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Previous issue date: 2009-12-08 / CAPES - Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior / O ataque químico de sílica (SiO2) por ácido fluorídrico (HF) é uma reação importante,
usada na fabricação de circuitos integrados, cujo mecanismo não é ainda totalmente
entendido. Um aspecto curioso desta reação é que sua velocidade pode ser alterada por
campos elétricos na interface ácido-sílica. Um modelo teórico para explicar este efeito é
baseado na suposição que a reação química somente pode acontecer quando o HF aproxima
da superfície da sílica, com os átomos de flúor voltados para esta superfície, com um eixo
molecular fazendo um pequeno ângulo com sua normal. Desta forma uma orientação parcial
dessas moléculas em um campo elétrico modifica a taxa de ataque. Este modelo prevê uma
relação não linear entre velocidade de ataque e campo elétrico. Na literatura o modelo é usado
em medidas de intensidade de campos elétricos gravados em amostras de sílica por meio de
polarização térmica. Estas medidas confiam no modelo teórico mencionado acima para o
regime não linear. Todavia este modelo havia sido testado somente na região onde a relação
entre taxa de ataque e campo elétrico é praticamente linear, em que os campos elétricos
possuem valores muito menores que os campos gravados.
No presente trabalho vamos descrever as medidas realizadas para investigar este efeito
na região não linear. Para perceber a não linearidade precisamos medir a velocidade de ataque
com extrema precisão na presença de altos valores de campo. Isto é feito por um método
interferométrico utilizando feixe de laser expandido e uma sofisticada análise de imagens de
franjas. Adotando estes procedimentos fomos capazes de obter os primeiros sinais de um
comportamento não linear. O confronto entre os valores obtidos experimentalmente e os
valores previstos no modelo teórico indicou a necessidade de se acrescentar pequenas
correções no modelo. Após as correções, a discrepância entre os valores experimentais e
teóricos se tornou da mesma ordem dos erros experimentais. Os estudos teóricos da reação
HF-sílica na literatura partem da hipótese que somente uma molécula participa no passo
inicial da reação. Mas os resultados do presente trabalho indicam que a reação de ataque é iniciada por duas moléculas de HF atuando simultaneamente. / Etching of silica (SiO2) with hydrofluoric acid (HF) is an important chemical reaction,
used in fabrication of integrated circuits, whose mechanism is not fully understood. One
curios aspect of this reaction is that its velocity can be changed by electric fields in the acid–
silica interface. A theoretical model of the effect is based on the hypothesis that the chemical
reaction can only take place if the HF molecule approaches the silica surface with the F atom
pointing towards the silica surface so that the molecular axis forms a small angle with the
surface normal vector. This way a partial orientation of the molecules in an electric field
modifies the etching velocity. This model predicts a non-linear relation between etching
velocity and electric field. In literature the model is used in order to measure electric fields
recorded in silica samples by an electro-thermal poling process. In this application, one trusts
the theoretic model in the non-linear regime although the model had been tested only in the
liner region where the electric fields are much smaller that in the poled glass samples.
In the present woke one describes measurements made to investigate the effect in the
non-linear regime. In order to detect the non-linearity one has to measure the etching velocity
with extremely high precision and in the presence of high electric fields. This was done with
an interferometric method using an expended laser beam and a sophisticated analysis of fringe
images. With these methods, one obtained first non-linear signals. A comparison of
experimental values with theoretical predictions indicated that some corrections of the
theoretical model had to be made. With these corrections theoretical values coincided the the
experimental data within experimental uncertainties. In literature, theoretic studies of the HF-
silica reaction use the hypothesis that only one HF molecule participates in the primary step of
the reaction. But the results of the present work indicate that the etching reaction initiates with two HF molecules acting at the same time.
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Estudo da dinâmica da parede de domínio transversal em nanofios magnéticos mediante aplicação de corrente de spin polarizadaGomes, Josiel Carlos de Souza 26 February 2015 (has links)
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Previous issue date: 2015-02-26 / CAPES - Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior / A nanotecnologia é uma área de estudo promissora e que nos mostra resultados bastante surpreendentes. Amostras magnéticas (Cobalto e liga de Permalloy (Ni81Fe19), por exemplo) em escala nanométrica, têm como aplicabilidade importante a gravação magnética devido à crescente demanda por meios de gravação cada vez mais rápidos e de alta capacidade de armazenamento. Para determinados tamanhos de nanofios, observa-se a presença de domínios magnéticos e paredes de domínios do tipo vórtice ou transversal que podem ser transportadas para diferentes regiões sem deformação. Pode-se usar tais paredes como bit de informação mas, para isso, precisa-se conhecer com detalhes o comportamento dessas paredes em diversas situações. Neste presente trabalho utilizamos simulações numéricas para estudar o comportamento da magnetização em nanofios retangulares (nanofitas) de Permalloy-79, que apresentam parede de domínio transversal entre domínios “head-to-head”. Utilizamos nestas simulações um modelo no qual os momentos magnéticos interagem através da interação de troca e a interação dipolar. Embora a maioria dos trabalhos encontrados utilizem campo magnético para mover a parede, optamos por aplicar corrente de spin-polarizado na direção do nanofio devido ao fato de ser mais prático de ser produzido. A dinâmica do sistema é regida pelas equações de Landau-Lifshitz-Gilbert e a atuação da corrente é introduzida nessas equações. Fizemos uma abordagem teórica na qual pode-se mostrar como esta equação de Landau-Lifshitz-Gilbert para aplicação de corrente foi obtida. A integração da equação de Landau-Lifshitz-Gilbert é feita utilizando o método de Runge-Kutta e de Predição-Correção. Baseado nessas teorias, escrevemos um programa na linguagem Fortran-90 para realizar as simulações. Em nossos resultados observamos o comportamento da velocidade da parede de domínio em função do tempo e da densidade de corrente. Comparamos estes resultados com a bibliografia. / Nanotechnology is a promising field of study and show us pretty amazing results. Magnetic samples (Cobalt and alloy Permalloy (81NiFe19), for example) at the nanometer scale, have as important applicability the magnetic recording due to the growing demand for recording media ever faster and high storage capacity. For certain sizes of nanowires, it is observed the presence of magnetic domains and vortex domain walls or transverse domain wall which can be transported to different regions without deformation. It can use such walls as bit of information, but for that it is necessary to know in detail the behavior of these walls in various situations. In this work we used numerical simulations to study the behavior of the magnetization in rectangular nanowires (nanostrip) of Permalloy-79, which have transverse domain wall between domains "head-to-head."We used in these simulations a model in which the magnetic moments interact through the exchange interaction and the dipolar interaction. Although most studies found use magnetic field to move the wall, we decided to apply spin-polarized current toward the nanowire due the fact that it is more practical to be produced. The dynamics of the system is governed by the equations of Landau-Lifshitz-Gilbert and the current performance is introduced in these equations. We made a theoretical approach in which you can show how this equation of Landau-Lifshitz-Gilbert for applying current was obtained. The integration of the equation of Landau-Lifshitz-Gilbert is done using the Runge-Kutta and Prediction-Correction methods. Based on these theories, we wrote a program in Fortran-90 language to perform the simulations. In our results we observed the behavior of the domain wall velocity as a function of time and current density. We compare these results with the literature.
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Influência da anodização pulsada nas propriedades da alumina anódica porosa (AAP) / Influence of pulsed anodization on the properties of porous anodic alumina (AAP)Santos, Caio Guilherme Pereira dos 27 April 2017 (has links)
Submitted by Caio Santos (c.dehly@gmail.com) on 2017-10-26T20:56:53Z
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Previous issue date: 2017-04-27 / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES) / Porous anodic alumina can be obtained, in addition to conventional methods such as potentiostatic and galvanostatic, or by pulsed method. Among these are the methods of discontinuous pulse, hybrid pulse and polarized pulse methods. The structures formed by these methods can be applied to sensors and photonic materials. In this work the influences of the pulse parameters for the porous anodic alumina were investigated by polarized pulse potentiostatic anodization. Data analysis was presented from the duty cycle seen in the literature, which provides important information about the structure formed for the applied conditions and, in addition, new ways of analyzing the data related to the pulse, such as the analysis of the potential difference and the pulse frequency, this latter complementing the analysis of the duty cycle. As a result it was possible to observe that the porous anodic alumina thickness obtained is proportional to the duty cycle applied, where the higher duty cycle, the greater the thickness obtained. From the potential difference, the differences in the morphological and optical parameters could be analyzed by the influence of the negative minimum voltage applied during the pulsed anodization. The pulse frequency, also discussed in this work, was used to analyze different pulse periods for the same
duty cycle, demonstrating that can be obtained structures with different values by varying the value of the pulse frequency. For the porosity calculation, an application was developed that helped to obtain the pore distance, which is one of the variables used to calculate the porosity. With the porosity values, the effective refractive index of each sample was calculated to find the effective optical thickness (EOT) and, finally, the thickness of the obtained anodic alumina film. / A alumina anódica porosa pode ser obtida, além dos métodos convencionais como potenciostático e galvanostático, ou por métodos pulsados. Dentre estes destacam-se os métodos de pulso descontínuo, pulso híbrido e pulso polarizado. As estruturas formadas por estes métodos podem ser aplicadas em sensores e materiais fotônicos. Neste trabalho foram investigadas as influências dos parâmetros de pulso para a obtenção da alumina anódica porosa pelo método de anodização potenciostática com pulso polarizado. Foram apresentadas análises de dados a partir do ciclo de trabalho visto na literatura, onde traz importantes informações sobre a estrutura formada para as condições aplicadas e, além disto, novas formas de analisar
os dados referentes aos pulsos, como a análise a partir da diferença de potencial e a frequência de pulso, este último complementando a análise do ciclo de trabalho. Como resultado foi possível observar que a espessura de alumina anódica porosa obtida é proporcional ao ciclo de trabalho aplicado, onde quanto maior o ciclo de trabalho, maior será a espessura obtida. A partir da diferença de potencial pôde-se analisar as diferenças nos parâmetros morfológicos e ópticos pela influência da tensão mínima negativa aplicada durante a anodização pulsada. A frequência de pulso, também abordada neste trabalho, foi utilizada para analisar diferentes períodos de pulsos para o mesmo ciclo de trabalho, demonstrando que variando o valor da frequência de pulso pode-se obter estruturas com valores distintos. Para o cálculo da porosidade foi desenvolvido um aplicativo que auxiliou na obtenção da distância entre poros, que é uma das variáveis utilizadas para o cálculo da porosidade. E com os valores de porosidade foi calculado o índice de refração efetivo de cada amostra para encontrar a sua espessura óptico efetivo (EOT, do inglês Effective Optical Thickness) e, por fim, a espessura do filme de alumina anódica obtido.
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