Orientador: Daltro Garcia Pinatti / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T08:18:02Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Conti_RosaAna_M.pdf: 2474725 bytes, checksum: 63fc98c3193afc5db6121364b5fff327 (MD5) Previous issue date: 1984 / Resumo: É feita a revisão detalhada dos mecanismos de interação metal-gás do nitrogênio e oxigênio nos metais refratários V, Nb, Ta, Mo e W nos estados de equilíbrio, estacionário e cinético nas condições de amostras sólidas e vácuo limpo. Os dados científicos levantados no detalhamento acima são estendidos ao metal no estado liquido em condições de refino à vácuo por feixe eletrônico, partindo de eletrodos reduzidos por aluminotermia contendo como impurezas principais o AL (5% ppm-p), C (6500 ppm-p), N (500 ppm-p) e Si (2600 ppm-p). Foi verificado que a extensão é válida com completa concordância entre teoria e experiência. Foi proposta uma nova conceituação de uma planta de feixe eletrônico para refino de nióbio, baseada nos conceitos científicos acima, resultando numa planta compacta de 1 m3 de câmara, I 20.000 l/s de capacidade de bombeamento, 300 KW de potência, para uma produção realizada de nióbio de 40 t/ano e esperada de 100 t/ano. Foi implantado um sistema de análise de intersticiais H / N / O por extração por fusão a vácuo para analise dos resultados e comparação com as teorias. Esta é a primeira vez que o processo de refino por feixe eletrônico e respectiva planta são analisados do ponto de vista científico da interação metal-gás / Abstract: It has been made a review of gas-metal interaction mechanisms for Nitrogen and Oxygen in the refractory metals V, Nb, Ta, Mo and W concerning to equilibria, steady states and kinetics conditions for solid samples and clean vacuum systems. The scientific data for these conditions have been extended to the liquid metal refined in an electron beam furnace, starting from electrodes reduced by aluminothermic reaction which major impurities are: Al (5 w/o), O (6500 wt-ppm) , N (500 wt-ppm) and Si (2600 wt-ppm). It has been verified that this extension is valid and the agreement between theoretical and experimental results is complete. It has been proposed a new electron beam furnace for niobium refining based on, the scientific concepts, resulting in a compact plant with 1 m3 size for the melting chamber, 20000 l/sec of pumping capacity and 300 KW power, for 40 ton/year of realized production and 100 ton/year expected production in Niobium metal. It has been established a system for interstitial analysis (H / N / O) by vacuum hot extraction in order to compare the experimental results with the theoretical ones. This is the first time refining process and the furnace itself are analyzed based on scientific data of gas-metal interaction / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Navin B. Patel / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T11:35:18Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Bull_DouglasJohn_M.pdf: 953241 bytes, checksum: 312ca05bea9b51daf5be3c736c428664 (MD5) Previous issue date: 1977 / Resumo: Não informado / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Madan Mohan Shenkla / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-15T02:12:07Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Oliveros_MarcilioColombo_M.pdf: 1521334 bytes, checksum: 211fe52d616a2fbd5330bae37b6c99d7 (MD5) Previous issue date: 1976 / Resumo: Um modelo de força angular para metais cúbicos foi desenvolvido em bases fenomenológicas dividindo a interação interiônica total em três partes: interação eletron-ion que foi considerada com base no formalismo de Krebs, a interação central ion-ion no esquema de Born-von Karman e a interação ion-ion angular no de de Launay. A dinâmica de rede e algumas propriedades térmicas de dez metais bcc foram estudadas. O efeito das várias funções de blindagem dielétrica nos fonons foi calculado / Abstract: An angular force model for cubic metals has been developed on phenomenological basis by dividing the total interatomic interactions in three partes: electron-ion interaction that has been considered on the basis of Krebs formalism, central ion-ion interaction on Born-von Kárman scheme and angular ion-ion interaction on de Launay's one. Lattice Dynamics and several thermal properties of ten bcc metals have been studied. The effect of various forms of dielectric screening functions on the phonons have been calculated. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Carlos Henrique de Brito Cruz / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-16T09:39:48Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Silva_ValeriaLoureiroda_M.pdf: 3530989 bytes, checksum: fb86135bf40c2cda8dff4330b0b3802c (MD5) Previous issue date: 1986 / Resumo: Este trabalho tem como objetivo a construção e estudo de uma chave óptica a semicondutor. Esta chave pode ser usada tanto para gerar pulsos curtos no infravermelho como para estudar o próprio semicondutor. O tempo de resposta da. chave depende das características do semicondutor e do laser usado para controle. Apresentamos aqui os resultados obtidos com uma chave de Ge controlada por laser de N2, NdYag e corante. O tempo de resposta obtido foi de 50 ns, limitado pelo tempo de recombinação do Ge. Obtivemos um aumento na refletividade, em 10,6 mm no Ge, de 7% para 59% quando usamos o laser de N2 para controlar a chave. Apresentamos também um modelo simples para o comportamento das propriedades ópticas do semicondutor que explica bastante bem os resultados encontrados experimentalmente / Abstract: In this work we have studied a semiconductor optical switch. Its main use Is in the generation of short infrared pulses but it can also be used to study the semiconductor. The switch response time depends on the semiconductor and on the control laser characteristics. We show the results obtained using a Ge switch controlled by N2, NdYag and Dye lasers. The response time was 50ns limited by the Ge recombination time. The reflectivity increased from 7% to 59% when we use a N2 laser to control the switch. We als show a simple model for the semiconductor optical properties that explain very well the experimental results / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Daltro Garcia Pinatti / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-16T12:35:03Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Torikachvili_MiltonStarosta_M.pdf: 1041384 bytes, checksum: 2c10d7a2e18f03541daf60c103602d85 (MD5) Previous issue date: 1974 / Resumo: Foi feito o estudo da influência do campo magnético ma emissão estimulada de luz por lasers eletroluminescentes de GaAs. As amostras foram mantidas em Hélio super fluido e foram aplicados campos de até 47,5KG. Observou-se que aplicação de campo aumenta a intensidade das linhas de maior energia dos modos longitudinais, as expensas dos de menor energia, deslocando o "baricentro" do espectro para o lado de maior energia. Esse deslocamento depende da corrente de injeção do dispositivo, sem que se possa, no entanto, especificar esta dependência. A curva DE x B2 é aproximadamente linear para a maioria das amostras estudadas / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Carlos Ignacio Zamitti Mammana / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas / Made available in DSpace on 2018-07-17T04:48:56Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Costa_JoseCamargoda_M.pdf: 2051082 bytes, checksum: 1babfa00b86888a7b2f3f8d3f02b3dc6 (MD5) Previous issue date: 1982 / Resumo: Neste trabalho são apresentados os resultados de investigações acerca de características de filmes finos de SiO2 produzidos por oxidação térmica pirogênica do Si. Utilizaram-se de substratos de silício, tipo N, orientação <100>, com resistividade na faixa de 4 a 6O .cm. Foram obtidos dados de espessura de óxido x tempo de oxidação (a temperaturas de 950ºC, 1050ºC e 1150ºC); parâmetros cinéticos da oxidação e respectivas energias de ativação; densidade de cargas fixas no óxido; densidade e cargas móveis no óxido; densidade de cargas capturadas na interface SiO2 - Si; campo de ruptura do óxido e parâmetros de geração-recombinações de portadores no semicondutor. Os resultados obtidos, à exceção dos valores determinados para os parâmetros de geração-recombinação, correspondem aos resultados na literatura para filmes de SiO2 térmico de boa qualidade. / Abstract: Not informed. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientadores: Yukio Ishikawa, Carlos Ignacio Zamitti Mammana / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas / Made available in DSpace on 2018-07-17T06:02:06Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Tatsch_PeterJurgen_M.pdf: 1156829 bytes, checksum: 0df4d723173172b62f5344f5bbf1ba9c (MD5) Previous issue date: 1982 / Resumo: Este trabalho versa sobre o projeto e a construção de um sistema: para fusão zonal horizontal e a sua aplicação no crescimento e purificação de monocristais de Germânio. Inicialmente destrevem-se, de modo suscinto, as noções básicas e o modelamentodo processo da fusão zonal horizontal. Seguem-se as descrições do projeto e da construção do sistema de fusãozonal horizontal que é constituido de um forno de 1,2 kW, aquecimento resistivo e temperatura máxima de operação de 1100 -+ 0,3º C, que pode ser deslocado horizontalmente sobre dois barrameritos com velocidade variável. Finalmente descrevem-se os procedimentos utilizados no crescimento e na purificação de monocristais de Germânio a partir de sementes geradas no próprio sistema. Estes monocristais, crescidos a partir de uma matéria-prima de 99,9% de pureza foram analizados quanto à sua monocristalinidade, orientação cristalográfica e quanto as espécies e perfis de concentração de suas impurezas. Os resultados destas medidas mostram uma estrutura monocristalina em 85% da extensão dos cristais, uma pureza tipica de 99,9998% e concentrações dos elementos elétricamente ativos P, Al, Ga e In menores que 0,5 ppm. Os monocristais de Germânio crescidos foram utilizados na fabricação de dispositivos Hall e na confecção de lentes e janelas para a radiação infravermelha. / Abstract: Not informed. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador: Stephenson Caticha Ellis / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campimas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-17T16:11:59Z (GMT). No. of bitstreams: 1 DelNery_SheilaMaria_M.pdf: 1596242 bytes, checksum: 3a63a3a181824dd043753133a6d53f97 (MD5) Previous issue date: 1979 / Resumo: A espessura de um filme fino é medida, neste trabalho, com um erro relativo de 0,4%, que para o filme analisado é da ordem de uma camada atômica. A precisão conseguida é muito maior que a encontrada na literatura. São encontrados valores excepcionalmente bons para o erro quadrático médio nas transformadas de Fourier e nas intensidades da curva desconvolucionada. Expressões são deduzidas para o cálculo dos erros das transformadas e das intensidades da curva desconvolucionada e se prova que são independentes dos pontos em que estão sendo calculados. É desenvolvido um método simples para analisar a variação da espessura de um filme fino. Encontrou-se para o filme fino analisado, que em 99,5% de sua extensão ele é uniforme / Abstract: The thickness af a thin film is measured in this wark with a relative error of 0.4% which for the analysed film is of the order of one atomic layer. The precision attained is then much better than in previous reported work in the literature. Also the quadratic errors in the Fourier Transforms and in the intensities in the deconvaluted profile are much better than usual. Expressions are deduced for the errors in the transforms and in the final intensities which are shown to be independent of the individual points where they are calculated. A new and simple method to analyse the variation of the film thickness was developped. In the case analysed it was found that the thickness was uniform over about 99.5% of the surface with the above cited precision / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador : Mauricio Prates de Campos Filho / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas / Made available in DSpace on 2018-07-17T23:15:01Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Gregolin_JoseAngeloRodrigues_M.pdf: 4032635 bytes, checksum: 0942f707bb43067e2447e97b093ae575 (MD5) Previous issue date: 1979 / Resumo: Este trabalho apresenta a pesquisa realizada durante 1977 a 1979, do processo de deposição de Silício policristalino a partir de Triclorosilano e Hidrogênio. Este processo se constitui numa das etapas fundamentais da moderna tecnologia de produção do Silício com pureza de grau eletrônico. A análise experimental do processo envolveu o projeto e construção dos equipamentos para permitir a deposição de Si e simultaneamente investigar a influência de diversos parâmetros, como a temperatura e composição dos gases sobre o processo de deposição. Pode-se salientar os seguintes componentes do sistema experimental utilizado...Observação: O resumo, na integra, podera ser visualizado no texto completo da tese digital / Abstract: The present report covers work carried out from 1977 to 1979 on the deposition of policrystalline Silicon by reduction of Trichlorosilane (SiHC13). This process represents one of the fundamentals steps in modern Silicon technology towards producing electronic grade, i.e. high purity Silicon. Experimental equipment was designed and constructed to deposit Si from SiHCl3 and simultaneously to analyse the influence upon deposition of such parameters as temperature and gas composition. Among the components of the equipment one can distinguish between ...Note: The complete abstract is available with the full electronic digital thesis or dissertations / Mestrado / Mestre em Engenharia Mecânica

Orientador: Stephenson Caticha Ellis / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-17T22:10:52Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Lamas_AmiltondaCosta_M.pdf: 4593546 bytes, checksum: c8e7d5ff23dd760ca8f83321695c24f3 (MD5) Previous issue date: 1979 / Resumo: Para o estudo da transição de fase Nitrito de Sódio é especialmente empregada a difração de raios-X de monocristais de NaNO2 na determinação dos parâmetros de ordem a partir da medida das intensidades refratadas. Embora o uso da difratometria de monocristais tenha a vantagem de revelar os picos satélites na fase senoidal para este caso particular, é limitada pelo fato de que a medida da intensidade pode ser realizada somente para uma reflexão fixa para um determinado corte no cristal. A investigação em várias reflexões, portanto, exige a preparação de várias amostras ou ter o mesmo cristal cortado diferentemente. Ainda mais devido a expansão térmica a variação dos parâmetros de rede, que são usualmente determinadas por métodos dilatométricos, não pode ser estimada diretamente da difração de raios-X tendo-se uma única amostra numa montagem de cristal fixo. Por estas razões, nós usamos o método de nó para redeterminar os parâmetros de rede com erros máximos da ordem de 0,003 Å em função da temperatura 16 reflexões, e para revelar as fases ferroelétricas, FS - proposta na literatura, a antiferroelétrica senoidal e a fase paraelétrica através de medidas das intensidades integradas de cinco reflexões apropriadas. São também calculados o parâmetro de ordem ferroelétrico, a energia dipolar e a constante elástica ( compliance ). Tendo em vista que a resolução angular do método de pó não é suficiente para separar os picos satélites dos principais, o parâmetro de ordem da fase senoidal não pode ser obtida. Nós sugerimos para estudo posterior, o uso do método de ajuste de perfil, recentemente desenvolvido por Huang e Parrish ( Appl. Phys. Lett 27 (1975) 123 ) para resolver os picos satélites e então estimar o parâmetro de ordem senoidal / Abstract: For the study of phase transition of Sodium Nitrite, X-ray diffraction from single crystal of NaNO2 is usually employed in determining the order parameters from the measurement of diffracted intensity. Although the use of single crystal diffractometry has the advantage of revealing the satellite peaks in the sinusoidal phase for this particular case, it is limited by the fact that the intensity measurement can be carried out only for a fixed reflection for a certain cut crystal. Investigation on various reflections, therefore, needs to have different samples prepared or have the same crystal cut differently. In addition, due to thermal expansion the variation of lattice constant, which is usually determined by dilatometric methods, can not be estimated directly from X-ray diffraction through a unique sample at a fixed crystal mounting. For these reasons, we have therefore used the powder method to re-determine the lattice constants with maximum error about 0.003 Å in function of temperature from 16 reflections; and to reveal the ferroelectric, the FS, the sinusoidal antiferroelectric and the paraelectric phases through the measurement of integrated intensity from 5 proper ref1ections. The ferroelectric order parameter, the interaction energy of dipole, and the coeficient of compliance are also presented. Owing to that the angular resolution of the powder method is not enough to separate the satellite peaks from the principal ones, the order parameter of sinusoidal phase can not be obtairied. We suggest, for further study, using the profile fitting method, recently developed by Huang and Parrish ( Appl. Phys. Lett 27 (1975) 123 ), to resolve the satellite peaks and the to estimate the sinusoidal order parameter / Mestrado / Física / Mestre em Física