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1	Zuverlässigkeit von AlGaN/GaN-Leistungsbauelementen Franke, Jörg 09 January 2023 (has links) Zur Ermittlung der Zuverlässigkeit von leistungselektronischen Bauelementen sind eine Reihe von Testverfahren etabliert. In Lastwechseltests ist die Temperatur der dominierende Parameter für bekannte Lebensdauermodelle. Aufgrund des Aufbaus und der Eigenschaften von AlGaN/GaN-Bauelementen ist es notwendig, neue Methoden zur Temperaturbestimmung zu etablieren. Die Untersuchungen berücksichtigen dabei verschiedene Bauteilkonzepte. Dazu gehören High Electron Mobility Transistors (HEMT) mit Schottky/p-Gate, für die eine Verwendung des Gateleckstromes als temperatursensitiver elektrischer Parameter (TSEP) untersucht und zur Temperaturbestimmung empfohlen wird. Für Gate Injection Transistors (GIT) wird ein ähnlicher Ansatz verfolgt. Aufgrund der Gatestruktur dieser stromgesteuerten Bauelemente wird vorgeschlagen, den vorhandenen pn-Übergang am Gate des GIT HEMT unter Verwendung der Gate-Source-Spannung als TSEP zu nutzen. In beiden Fällen erreichen die temperatursensitiven Parameter eine Messauflösung, die mindestens der des pn-Übergangs bei Si-Bauelementen entspricht. Im Lastwechseltest bestimmt im Wesentlichen die verwendete Aufbau- und Verbindungstechnik außerhalb des diskreten Packages die mögliche Zyklenzahl. Werden SMD-Bauelemente auf PCB gelötet, dominiert die Lotverbindung zwischen Bauteil und PCB den Ausfall. Durch ein neues Aufbaukonzept mit in Module gesinterten AlGaN/GaN Packages sind Zyklenzahlen möglich, die bis Faktor 10 über dem Erwartungswert für vergleichbare Si-Bauelemente mit Standard AVT liegen. info:eu-repo/classification/ddc/621.3 ddc:621.3
2	Raman-Spektroskopie kleiner Moleküle und Molekülaggregate im Überschallstrahl nach thermischer Anregung / Raman spectroscopy of small molecules and clusters in supersonic jets after thermal excitation Otto, Katharina 31 March 2015 (has links) Mittels spontaner Raman-Streuung im Überschallstrahl wurden kleine Moleküle und Molekülaggregate untersucht. Es wird gezeigt wie Schwingungs- und Rotationstemperaturen im Jet mittels des Stokes/Anti-Stokes-Intensitätsverhältnisses bestimmt werden können. In Studien kleiner Wassercluster konnten Kopplungskonstanten der gebundenen OH-Oszillatoren verschiedener Ringcluster von Trimeren bis Pentameren bestimmt werden, die auch zum Verständnis der Dynamik in kondensierten Phasen relevant sind. Außerdem wird die experimentelle Ermittlung von Enthalpiedifferenzen verschiedener Monomerkonformere zweier isomerisierungsdynamisch sehr unterschiedlicher Systeme vorgestellt. Des Weiteren wurde die Weiterentwicklung der bestehenden Raman-Technik durch Kopplung mit einer IR-Laseranregung realisiert und erste Tests des neuen Aufbaus durch Studien des Methanol-Dimers durchgeführt. 540 Wasser Raman-Spektroskopie Aggregation Überschallexpansion Temperaturbestimmung Enthalpiedifferenzen IR-Laseranregung water Raman spectroscopy aggregation supersonic expansion Stokes/anti-Stokes intensity ratio temperature determination enthalpy differences IR laser excitation Chemie (PPN62138352X)
3	Temperaturbestimmung an IGBTs und Dioden unter hohen Stoßstrombelastungen / Temperature measurement of IGBTs and Diodes under high surge current loads Simon, Tom 03 June 2015 (has links) (PDF) Diese Arbeit beschäftigt sich mit drei verschiedenen Temperaturmessmethoden VCE, VGTH sowie über die Messung der thermsichen Impedanz mit 10ms langen Lastimpulsen und vergleicht die Messergebnisse mit zwei Simulatoren. Dabei wird ein Schaltungs- sowie ein Halbleitersimulator verwendet und das bisherige Simulationsmodell angepasst. Temperaturbestimmung IGBT GaAs SiC Si Diode Gatethreshold Kalibrierung VCE-Methode Wurzel(t)-Methode thermische Simulation Sentaurus Portunus thermsiche Impedanz Zth temperature measurement IGBT GaAs SiC Si Diode Gatethreshold calibration VCE-method square root(t)-method thermal simulation Sentaurus Portunus thermal impedance Zth ddc:600 Halbleiter Stoßstrom IGBT Diode
4	Temperaturbestimmung an IGBTs und Dioden unter hohen Stoßstrombelastungen Simon, Tom 16 April 2015 (has links) Diese Arbeit beschäftigt sich mit drei verschiedenen Temperaturmessmethoden VCE, VGTH sowie über die Messung der thermsichen Impedanz mit 10ms langen Lastimpulsen und vergleicht die Messergebnisse mit zwei Simulatoren. Dabei wird ein Schaltungs- sowie ein Halbleitersimulator verwendet und das bisherige Simulationsmodell angepasst.:Aufgabenstellung Inhaltsverzeichnis Nomenklatur Einleitung 1. Grundlagen 1.1. Halbleitermaterialien 1.2. Dioden Grundlagen 1.2.1. pn-Übergang 1.2.2. Temperaturabhängigkeit der Diffusionsspannung des pn-Übergangs 1.2.3. Diodenstrukturen 1.3. IGBT Grundlagen 1.3.1. Funktionsweise und ESB 1.3.2. Statisches Verhalten des IGBTs 1.4. Messtechnische Bestimmung der virtuellen Sperrschichttemperatur 1.4.1. VCE(T)- und VGth(T)-Methode 1.4.2. Temperaturreferenzmessung – Kalibrierkennlinie 1.4.3. Wurzel(t)-Methode 1.5. Simulation der virtuellen Sperrschichttemperatur mittels thermischer Ersatzschaltbilder 1.5.1. Thermische Kenngrößen Rth, Cth 1.5.2. Transiente thermische Impedanz Zth 1.5.3. Ersatzschaltbild – Cauer-Netzwerk 1.6. Simulation der virtuellen Sperrschichttemperatur mittels Halbleitersimulator 1.7. Stoßstromereignisse 2. Vormessungen 2.1. Prüflinge 2.2. Messung der Sperrfähigkeit 2.2.1. Testaufbau – Schaltung 2.2.2. Testergebnisse 2.3. Messung des Ausgangskennlinienfeldes/ Durchlassmessungen 2.3.1. Testaufbau – Schaltung 2.3.2. Testergebnisse 2.4. Messung der Transferkennlinie 2.4.1. Testaufbau – Schaltung 2.4.2. Testergebnisse 2.4.3. Bestimmung des “pinch-off”-Bereiches 2.5. Aufnahme der Kalibrierkennlinien 2.5.1. Testaufbau – Schaltung 2.5.2. Testergebnisse 3. Temperaturbestimmung mittels thermischer Impedanz Zth 3.1. Testaufbau – Schaltung 3.2. Testergebnisse 4. Temperaturbestimmung am Stoßstrommessplatz 4.1. Ermittlung der Halbleitertemperatur nach einem Stoßstromereignis 4.1.1. Anpassung des Stoßstrommessplatzes 4.1.2. Pulsmuster VCE(T)-, VGth(T)-Messung 4.1.3. Testergebnisse 4.2. Ermittlung des Halbleitertemperaturverlaufes während des Stoßstromereignisses 4.2.1. Testaufbau - Schaltung 4.2.2. Pulsmuster VCE(T)-, VGth(T)-Messung 4.2.3. Testergebnisse 5. Simulation der Temperaturverläufe 5.1. Temperatursimulation mittels Halbleitersimulator 5.2. Temperatursimulation mittels Cauer-Netzwerk 5.3. Angepasste Temperatursimulation mittels Cauer-Netzwerk 6. Zusammenfassung und Ausblick Anhang Literaturverzeichnis Selbstständigkeitserklärung Danksagung info:eu-repo/classification/ddc/600 ddc:600 Halbleiter; Stoßstrom; IGBT; Diode

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