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Lanthanide Doped Wide Band Gap Semiconductors: Intra-4f Luminescence and Lattice Location Studies / Lanthanid-dotierte Halbleiter mit großer Bandlücke: Intra-4f Lumineszenz- und Gitterplatzuntersuchungen

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1. http://hdl.handle.net/11858/00-1735-0000-0006-B555-B
2. urn:nbn:de:gbv:7-webdoc-363-1
3. webdoc-363
4. 386174113

Identifer	oai:union.ndltd.org:uni-goettingen.de/oai:ediss.uni-goettingen.de:11858/00-1735-0000-0006-B555-B
Date	15 July 2003
Creators	Vetter, Ulrich
Contributors	Hofsäss, Hans Christian Prof. Dr.
Source Sets	Georg-August-Universität Göttingen
Language	English
Detected Language	German
Type	doctoralThesis
Format	application/pdf
Rights	http://webdoc.sub.gwdg.de/diss/copyrdiss.htm