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1	Nonlinear Optical Effects in Pure and N-Doped Semiconductors Donlagic, Nias Sven 02 November 2000 (has links) No description available. 530 Physik Mathematics and Computer Science quantum kinetic equations phonons excitons Fermi-edge singularity Tomonaga-Luttinger model four-wave-mixing 33.10 RVQ 000: Halbleiter {Physik}
2	Wechselwirkungen von Gold und Versetzungen in Silizium / Interactions of gold and dislocations in silicon Voß, Oliver 28 May 2009 (has links) No description available. 530 Physik Mathematics and Computer Science Kristalldefekte Versetzungen metallische Verunreinigungen Silizium DLTS crystal defects dislocations metallic impurities silicon DLTS 33.05 33.61 33.72 RDE 000: Experimentalphysik RVQ 000: Halbleiter {Physik}
3	Transmissionselektronenmikroskopische Untersuchungen zur Koausscheidung von Übergangselementen in kristallinem Silizium / Co-precipitation of transition metal impurities in crystalline silicon investigated by transmission electron microscopy Rudolf, Carsten 24 February 2009 (has links) No description available. 530 Physik Mathematics and Computer Science Silizium metallische Verunreinigungen Metallsilizidausscheidungen Elektronenmikroskopie ternäre Phasen silicon metal impurities metal silicide precipitates ternary phases electron microscopy 33.05 33.61 33.72 RPV 750: Elektronenmikroskopie {Physik} RDE 000: Experimentalphysik RVQ 000: Halbleiter {Physik}
4	Dimensionseffekte in Halbleiternanodrähten / Dimensional Effects in Semiconductor Nanowires Stichtenoth, Daniel 23 June 2008 (has links) No description available. 530 Physik Mathematics and Computer Science Nanodraht Zinkoxid Photolumineszenz Ionenimplantation Leuchtzentren Dotierung nanowire zinc oxide photoluminescence ion implantation color center doping 33.61 33.07 33.72 RVQ 000: Halbleiter {Physik}
5	Structural and optical impact of transition metal implantation into zinc oxide single crystals and nanowires / Strukturelle und optische Auswirkungen derÜbergangsmetallimplantation in ZnO Einkristalle und Nanodrähte Müller, Sven 30 March 2009 (has links) No description available. 530 Physik Mathematics and Computer Science Nanodraht Zinkoxid Photolumineszenz Kathodolumineszenz Ionenimplantation Leuchtzentren Dotierung Übergangsmetalle Eisen Nickel Mangan Kobalt Vanadium interstitieller Sauerstoff interstitielles Zink grünes Lumineszenzband rot-gelbes Lumineszenzband intra-3d Lumineszenz Zweiphasen Raman Röntgenbeugung nanowire zinc oxide photoluminescence cathodoluminescence ion implantation color center doping transition metals iron nickel manganese cobalt vanadium interstitial oxygen interstitial zinc green luminescence band red-yellow luminescence band intra-3d-shell luminescence secondary phases raman X-ray diffraction 33.07 33.61 33.72 RVC 520: Gitterschwingungen RVQ 000: Halbleiter {Physik}
6	Lanthanide Doped Wide Band Gap Semiconductors: Intra-4f Luminescence and Lattice Location Studies / Lanthanid-dotierte Halbleiter mit großer Bandlücke: Intra-4f Lumineszenz- und Gitterplatzuntersuchungen Vetter, Ulrich 15 July 2003 (has links) No description available. Mathematics and Computer Science Lanthanide Kathodoluminesznez intra-4f Elektronenübergänge Europium Thulium Gadolinium Halbleiter mit großer Bandlücke Aluminiumnitrid kubisches Bornitrid Siliziumkarbid Diamant dünne Schichten tetraedrischer amorpher Kohlenstoff Lichtemitter Starkniveau-Spektroskopie Kristallfeldanalyse Kathodolumineszenz Energiematrix Judd-Ofelt-Theorie Ionenimplantation massenselektierte Ionenstrahldeposition Emissionschanneling Gitterplatz Mössbauerspektroskopie radioaktive Lanthanidisotope 530 Physik lanthanides cathodoluminescence intra-4f electron transitions europium thulium gadolinium wide band gap semiconductors aluminum nitride cubic boron nitride silicon carbide diamond thin films tetrahedral amorphous carbon light emitters Stark level spectroscopy crystal field analysis energy matrix Judd-Ofelt theory ion implantation mass-selected ion beam deposition emission channeling lattice location Mössbauer spectroscopy radioactive lanthanide isotopes 33.60 33.30 33.07 33.06 33.43 33.72 RTF 400: Ionenimplantation {Physik} RTG 400: Anregung von Atomen atomare Energiezustände {Atomphysik} RRJ 000: Emissions- Absorptionsspektroskopie {Physik} RVQ 000: Halbleiter {Physik}

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