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1	Modelling and simulation of surface morphology driven by ion bombardment / Modellieren und Simulation der Oberflächenmorphologie gefahren durch Ionenbombardierung Yewande, Emmanuel Oluwole 02 May 2006 (has links) No description available. 530 Physik Mathematics and Computer Science Non-equilibrium Oberflächen Ionenbombardierung Selbst--organisierte nano Muster Monte-Carlo Simulation Kontinuumtheorie die coarsening Kräuselung Topographie Quantenpunkt Non-equilibrium surfaces ion bombardment self-organized nano patterns Monte Carlo simulation continuum theory ripple coarsening topography quantum dot 33.06 33.10 33.68 RTF 400: Ionenimplantation {Physik}
2	Lanthanide Doped Wide Band Gap Semiconductors: Intra-4f Luminescence and Lattice Location Studies / Lanthanid-dotierte Halbleiter mit großer Bandlücke: Intra-4f Lumineszenz- und Gitterplatzuntersuchungen Vetter, Ulrich 15 July 2003 (has links) No description available. Mathematics and Computer Science Lanthanide Kathodoluminesznez intra-4f Elektronenübergänge Europium Thulium Gadolinium Halbleiter mit großer Bandlücke Aluminiumnitrid kubisches Bornitrid Siliziumkarbid Diamant dünne Schichten tetraedrischer amorpher Kohlenstoff Lichtemitter Starkniveau-Spektroskopie Kristallfeldanalyse Kathodolumineszenz Energiematrix Judd-Ofelt-Theorie Ionenimplantation massenselektierte Ionenstrahldeposition Emissionschanneling Gitterplatz Mössbauerspektroskopie radioaktive Lanthanidisotope 530 Physik lanthanides cathodoluminescence intra-4f electron transitions europium thulium gadolinium wide band gap semiconductors aluminum nitride cubic boron nitride silicon carbide diamond thin films tetrahedral amorphous carbon light emitters Stark level spectroscopy crystal field analysis energy matrix Judd-Ofelt theory ion implantation mass-selected ion beam deposition emission channeling lattice location Mössbauer spectroscopy radioactive lanthanide isotopes 33.60 33.30 33.07 33.06 33.43 33.72 RTF 400: Ionenimplantation {Physik} RTG 400: Anregung von Atomen atomare Energiezustände {Atomphysik} RRJ 000: Emissions- Absorptionsspektroskopie {Physik} RVQ 000: Halbleiter {Physik}

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Modelling and simulation of surface morphology driven by ion bombardment / Modellieren und Simulation der Oberflächenmorphologie gefahren durch Ionenbombardierung

Lanthanide Doped Wide Band Gap Semiconductors: Intra-4f Luminescence and Lattice Location Studies / Lanthanid-dotierte Halbleiter mit großer Bandlücke: Intra-4f Lumineszenz- und Gitterplatzuntersuchungen