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Lanthanide Doped Wide Band Gap Semiconductors: Intra-4f Luminescence and Lattice Location Studies / Lanthanid-dotierte Halbleiter mit großer Bandlücke: Intra-4f Lumineszenz- und Gitterplatzuntersuchungen

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Identiferoai:union.ndltd.org:uni-goettingen.de/oai:ediss.uni-goettingen.de:11858/00-1735-0000-0006-B555-B
Date15 July 2003
CreatorsVetter, Ulrich
ContributorsHofsäss, Hans Christian Prof. Dr.
Source SetsGeorg-August-Universität Göttingen
LanguageEnglish
Detected LanguageGerman
TypedoctoralThesis
Formatapplication/pdf
Rightshttp://webdoc.sub.gwdg.de/diss/copyrdiss.htm

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