Depuis quelques décennies, les mères québécoises occupent de plus en plus un emploi rémunéré à temps plein. Ces mères bénéficient du soutien du féminisme institutionnalisé québécois qui revendique en leur nom des politiques toujours plus poussées de conciliation famille-travail. Le féminisme québécois institutionnalisé, en effet, considère le travail rémunéré des mères comme un des principaux piliers de sa lutte pour atteindre l’égalité entre les femmes et les hommes. Ce féminisme s’exprime notamment dans la Gazette des femmes, une publication trimestrielle du Conseil du statut de la femme. Au même moment, près du quart des mères québécoises, en 2011, font le choix d’être à la maison auprès de leurs enfants pendant une période dépassant le congé parental standard. Une portion non-négligeable de ces mères est scolarisée et a la possibilité de faire une carrière intéressante. Dans un contexte où le travail rémunéré des mères s’érige en norme, quel sens les nouvelles mères au foyer, scolarisées et provenant de la classe moyenne, donnent-elles à leur choix? Quelles sont les représentations dominantes au sein du féminisme québécois institutionnalisé à propos de cette option de vie? En étudiant le discours de la Gazette des femmes de 2001 à 2010 au sujet des mères au foyer québécoises et en analysant le discours de dix mères au foyer scolarisées de la classe moyenne de la ville de Québec, le présent mémoire cherche à contraster les représentations que se fait le féminisme québécois institutionnalisé des mères au foyer et le sens que donnent certaines mères au foyer à leur occupation. La recherche montre que certains conflits normatifs sont expérimentés par ces mères et que le discours du féminisme institutionnalisé n’est pas exempt de contradictions.

Depuis quelques décennies, les mères québécoises occupent de plus en plus un emploi rémunéré à temps plein. Ces mères bénéficient du soutien du féminisme institutionnalisé québécois qui revendique en leur nom des politiques toujours plus poussées de conciliation famille-travail. Le féminisme québécois institutionnalisé, en effet, considère le travail rémunéré des mères comme un des principaux piliers de sa lutte pour atteindre l’égalité entre les femmes et les hommes. Ce féminisme s’exprime notamment dans la Gazette des femmes, une publication trimestrielle du Conseil du statut de la femme. Au même moment, près du quart des mères québécoises, en 2011, font le choix d’être à la maison auprès de leurs enfants pendant une période dépassant le congé parental standard. Une portion non-négligeable de ces mères est scolarisée et a la possibilité de faire une carrière intéressante.Dans un contexte où le travail rémunéré des mères s’érige en norme, quel sens les nouvelles mères au foyer, scolarisées et provenant de la classe moyenne, donnent-elles à leur choix? Quelles sont les représentations dominantes au sein du féminisme québécois institutionnalisé à propos de cette option de vie? En étudiant le discours de la Gazette des femmes de 2001 à 2010 au sujet des mères au foyer québécoises et en analysant le discours de dix mères au foyer scolarisées de la classe moyenne de la ville de Québec, le présent mémoire cherche à contraster les représentations que se fait le féminisme québécois institutionnalisé des mères au foyer et le sens que donnent certaines mères au foyer à leur occupation. La recherche montre que certains conflits normatifs sont expérimentés par ces mères et que le discours du féminisme institutionnalisé n’est pas exempt de contradictions.

Les déficits cognitifs généralement rencontrés dans les phases initiales de la démence de type Alzheimer (DTA) risquent d'amener la personne à éprouver des difficultés à réaliser certaines tâches quotidiennes, susceptibles de mener à l'abandon d'activités significatives de loisirs. De récentes études documentent l'efficacité des méthodes de récupération espacée, d'estompage et sans erreur pour faire apprendre des tâches spécifiques à des personnes atteintes de DTA en début d'évolution. Cependant, l'effet de ces apprentissages sur certains aspects du fonctionnement quotidien demeure peu exploré. Objectifs : Explorer l'effet d'une intervention utilisant ces méthodes sur 1- l'apprentissage de tâches spécifiques et le transfert de ces apprentissages; 2- sur la réalisation spontanée d'une activité de loisirs et sa poursuite dans la vie quotidienne. Méthodologie : Étude à sujet unique réalisée auprès d'une dame atteinte de DTA en début d'évolution (77 ans, MMSE = 24/30). Dispositif : ABA à niveaux de bases multiples par tâches (cible et contrôles). Étude 1 : Écouter de la musique. Intervention : Apprendre la tâche cible et une tâche contrôle avec les méthodes, puis transférer ces apprentissages dans des situations du quotidien. Tâches : utiliser un radiocassette (cible), un vidéocassette (contrôle) et une enregistreuse (contrôle) 2 - Étude 2 : Prier en groupe. Intervention 1 : Apprendre à associer le son d'une alarme à l'heure de la prière avec les méthodes, puis à transférer cet apprentissage dans des situations du quotidien; Intervention 2 : Apprendre la tâche cible et une tâche contrôle avec les méthodes. Tâches : se rendre à la salle de chapelet (cible), de lavage (contrôle) et de jeu de poches (contrôle). Résultats : Étude 1 : Les analyses statistiques révèlent une augmentation significative de la performance (p < 0,001) uniquement pour les tâches apprises avec les méthodes. Les apprentissages relatifs à l'utilisation du radiocassette ont pu être transférés dans une proportion de 58,5%. La participante écoute rarement de la musique pendant (3 fois en 3 mois) et après l'intervention (1 fois en 3 mois). Étude 2 : La participante a appris à utiliser l'alarme en moins de 13 essais. L'apprentissage a pu être transféré dans une proportion de 55,6%. Les analyses statistiques révèlent une augmentation significative de la performance (p < 0,001) pour les trajets appris avec les méthodes. La participante va régulièrement prier en groupe, pendant et après l'intervention (2-3 fois par semaine). Discussion et conclusion : Les méthodes se sont avérées efficaces pour faire apprendre des tâches spécifiques à une personne atteinte de DTA en début d'évolution. Cependant, le transfert de ces apprentissages s'est révélé plus difficile. L'utilisation d'une alarme est apparue probante pour favoriser la réalisation spontanée et la poursuite d'une activité de loisirs. L'intégration dans la routine quotidienne de stratégies environnementales offrant des rappels réguliers pourrait ainsi contribuer à une amélioration de l'autonomie et de la qualité de vie de certaines personnes atteintes de DTA en début d'évolution.

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<p>Although radio repeaters and wireless routers are commonly used, relaying techniques have received a lot of attention in academic publications the last decade. Most of the techniques proposed in the literature are based on relaying terminals. For instance groups of mobile terminals cooperate so as to jointly communicate with an access point, or to another group of mobiles in an (infrastructure-less) mobile ad-hoc network MANET. However, it has also been suggested that these techniques can be applied to hybrid cellular-relaying architecture with fixed relays and that this would reduce the infrastructure costs.</p><p>The literature shows that the coverage or capacity of a cellular network is enhanced when using relays. A common assumption in these studies is that relays are very low cost, but little attention has been given to <i>how</i> <i>cheap</i> these relays need to be in order for the technical enhancements to translate into an economic gain. It is not obvious that the techniques proposed for mobile relaying are economically feasible when applied to fixed relays.</p><p>This thesis examines the conditions under which large scale usage of fixed relays leads to lower infrastructure cost than in a purely cellular architecture, how large the benefits of these new techniques are, compared with existing repeater/router techniques, and how sensitive the results are to traditional network design parameters.</p><p>The analysis is done by means of several study cases in which coverage should be provided for broadband services by building a network from scratch. The results are expressed in terms of how cheap a relay must be with respect to a base station's cost so that the hybrid infrastructure provides the desired service at a lower cost. If in practice this relative relay cost is much lower, then high economic gains are expected.</p><p>None of the study cases considered yield substantial cost savings when using fixed relays on a large scale. When access points are placed as high as in a cellular network, the hybrid system is feasible only if the total relay cost is 3-20% of the total base station cost. When unplanned relay deployment is used, the impact of the antenna height and/or gain on the results is much greater than the particular type of amplify-and-forward relaying scheme. Planned deployment of a few relays should be used unless the cost of planning is 1-2 times larger than all the other relay costs. A proper trade-off between route-length and how tight the radio channel can be reused is essential for the feasibility of the hybrid system. The results confirm that the planned usage of few relays together with macro-like base stations is an efficient way of providing coverage. Analysis of other scenarios, such as the use of pico base stations for coverage, is left for further studies.</p>

Techn. Hochsch., Diss., 1999--Aachen.

La réalisation de dispositifs à des dimensions sous-micrométriques et nanométriques demande une maîtrise parfaite des procédés de fabrication, notamment ceux de gravure. La réalisation des ces dispositifs est complexe et les exigences en termes de qualité et de géométrie des profils de gravure imposent de choisir les conditions opératoires les mieux adaptées. Les simulations de l'évolution spatio-temporelle des profils de gravure que nous proposons dans cette thèse s'inscrivent parfaitement dans ce contexte. Le simulateur que nous avons réalisé offre la possibilité de mieux comprendre les processus qui entrent en jeu lors de la gravure par plasma de profils dans divers matériaux. Il permet de tester l'influence des paramètres du plasma sur la forme du profil et donc de déterminer les conditions opératoires optimales. La mise au point de ce simulateur s'appuie sur les concepts fondamentaux qui gouvernent la gravure par plasma. À partir de l'état des lieux des différentes approches numériques pouvant être utilisées, nous avons élaboré un algorithme stable et adaptable permettant de mettre en évidence l'importance de certains paramètres clés pour la réalisation de profils de gravure par un plasma à haute densité et à basse pression. Les capacités de cet algorithme ont été testées en étudiant d'une part la pulvérisation de Si dans un plasma d'argon et d'autre part, la gravure chimique assistée par les ions de SiO2/Si dans un plasma de chlore. Grâce aux comparaisons entre profils simulés et expérimentaux, nous avons montré l'importance du choix de certains paramètres, comme la nature du gaz utilisé et la pression du plasma, la forme initiale du masque, la sélectivité masque/matériau, le rapport de flux neutre/ion, etc. Nous avons aussi lié ces paramètres à la formation de défauts dans les profils, par exemple celle de facettes sur le masque, de parois concaves, et de micro-tranchées. Enfin, nous avons montré que le phénomène de redépôt des atomes pulvérisés entre en compétition avec la charge électrique de surface pour expliquer la formation de profils en V dans le Pt pulvérisé par un plasma d'argon. / Sub-micrometer and nanometer-size device manufacturing requires perfect control of fabrication processing, in particular plasma etching. The fabrication of such devices is complex and the requirements in terms of quality and geometry of the etching profiles impose to use the best adapted operating conditions. Simulation of space and time-etching profile evolution that is proposed in this thesis addresses these issues. The simulator yields a better understanding of the fundamental mechanisms that occur during plasma etching of features in various materials. It enables to test the influence of plasma parameters on the profile shape and thus to determine the optimal operating conditions. The development of the simulator is based on the fundamental concepts in plasma etching. From thorough review of the various numerical approaches available to simulate etching profile evolution, we have developed a stable and flexible algorithm that enables to emphasize the importance of some key-parameters for the realization of etching profiles by high-density and low-pressure plasma. The capabilities of this algorithm were tested on the study of Si sputtering in an argon plasma and of ion-assisted chemical etching of SiO2/Si in a chlorine plasma. From comparisons between simulated and experimental profiles, we have shown the importance of some parameters, like the nature of the gas, the plasma pressure, the initial shape of the mask, the mask/material selectivity, the neutral/ion flux ratio, etc. We also linked these parameters to the formation of defects in the profile, for exemple mask facetting, sidewall bowing and microtrenching. Finally, we have shown that redeposition of sputtered atoms compete with electric surface charging to explain V-shape profiles observed on Pt sputtered in argon plasmas.

La réalisation de dispositifs à des dimensions sous-micrométriques et nanométriques demande une maîtrise parfaite des procédés de fabrication, notamment ceux de gravure. La réalisation des ces dispositifs est complexe et les exigences en termes de qualité et de géométrie des profils de gravure imposent de choisir les conditions opératoires les mieux adaptées. Les simulations de l'évolution spatio-temporelle des profils de gravure que nous proposons dans cette thèse s'inscrivent parfaitement dans ce contexte. Le simulateur que nous avons réalisé offre la possibilité de mieux comprendre les processus qui entrent en jeu lors de la gravure par plasma de profils dans divers matériaux. Il permet de tester l'influence des paramètres du plasma sur la forme du profil et donc de déterminer les conditions opératoires optimales. La mise au point de ce simulateur s'appuie sur les concepts fondamentaux qui gouvernent la gravure par plasma. À partir de l'état des lieux des différentes approches numériques pouvant être utilisées, nous avons élaboré un algorithme stable et adaptable permettant de mettre en évidence l'importance de certains paramètres clés pour la réalisation de profils de gravure par un plasma à haute densité et à basse pression. Les capacités de cet algorithme ont été testées en étudiant d'une part la pulvérisation de Si dans un plasma d'argon et d'autre part, la gravure chimique assistée par les ions de SiO2/Si dans un plasma de chlore. Grâce aux comparaisons entre profils simulés et expérimentaux, nous avons montré l'importance du choix de certains paramètres, comme la nature du gaz utilisé et la pression du plasma, la forme initiale du masque, la sélectivité masque/matériau, le rapport de flux neutre/ion, etc. Nous avons aussi lié ces paramètres à la formation de défauts dans les profils, par exemple celle de facettes sur le masque, de parois concaves, et de micro-tranchées. Enfin, nous avons montré que le phénomène de redépôt des atomes pulvérisés entre en compétition avec la charge électrique de surface pour expliquer la formation de profils en V dans le Pt pulvérisé par un plasma d'argon. / Sub-micrometer and nanometer-size device manufacturing requires perfect control of fabrication processing, in particular plasma etching. The fabrication of such devices is complex and the requirements in terms of quality and geometry of the etching profiles impose to use the best adapted operating conditions. Simulation of space and time-etching profile evolution that is proposed in this thesis addresses these issues. The simulator yields a better understanding of the fundamental mechanisms that occur during plasma etching of features in various materials. It enables to test the influence of plasma parameters on the profile shape and thus to determine the optimal operating conditions. The development of the simulator is based on the fundamental concepts in plasma etching. From thorough review of the various numerical approaches available to simulate etching profile evolution, we have developed a stable and flexible algorithm that enables to emphasize the importance of some key-parameters for the realization of etching profiles by high-density and low-pressure plasma. The capabilities of this algorithm were tested on the study of Si sputtering in an argon plasma and of ion-assisted chemical etching of SiO2/Si in a chlorine plasma. From comparisons between simulated and experimental profiles, we have shown the importance of some parameters, like the nature of the gas, the plasma pressure, the initial shape of the mask, the mask/material selectivity, the neutral/ion flux ratio, etc. We also linked these parameters to the formation of defects in the profile, for exemple mask facetting, sidewall bowing and microtrenching. Finally, we have shown that redeposition of sputtered atoms compete with electric surface charging to explain V-shape profiles observed on Pt sputtered in argon plasmas.