Kyoto University (京都大学) / 0048 / 新制・課程博士 / 博士(人間・環境学) / 甲第10941号 / 人博第228号 / 15||183(吉田南総合図書館) / 新制||人||57(附属図書館) / UT51-2004-G788 / 京都大学大学院人間・環境学研究科文化・地域環境学専攻 / (主査)教授 森谷 敏夫, 教授 津田 謹輔, 助教授 小田 伸午 / 学位規則第4条第1項該当

碩士 / 國立交通大學 / 電子物理學研究所 / 84 /

碩士 / 國立清華大學 / 材料科學工程研究所 / 84 /

碩士 / 國立清華大學 / 材料科學(工程)研究所 / 82 / PtSi/p-Si(100) 蕭基二極體在 3-5 微米紅外線偵測器有很廣泛的應用， 一般PtSi薄膜的厚度在 20-100 埃有最大的量子效率。本論文將討論在超 高真空 (ultra high vacuum) 下製程所得到的超薄 PtSi/p-Si(100)蕭基 二極體的電性與光性。本實驗使用 25-35 Ω-cm 的 p-Si(100) 晶圓，經 過標準的清洗步驟，再送進Ulvac 雙電子鎗共鍍系統的真空腔，待真空度 至 1E-10 torr 後，再進行蒸鍍 Pt 的程序。蒸鍍的條件有四︰在低溫蒸 鍍 15，25，100埃的 Pt，接著升溫至 450℃ 進行一小時的真空退火，形 成 PtSi/p-Si(100 ) 的結構，或在 450℃ 的高溫下蒸鍍 Pt，並逕行退 火。在電性方面, 室溫蒸鍍 Pt 的理想因子最好，在 77K 至 100K 均為 1.02，不隨溫度而異。其他試片則出現了理想因子的溫度效應，溫度升高 ，理想因子下降。理想因子的溫度效應歸因於 PtSi/p-Si(100) 的界面 有 interfacial states 而引發的再結合電流所導致。理想因子的溫度效 應出現與否，可作為判斷 PtSi/p-Si(100) diodes 的好壞。在光性方面 ，在 500-4000 cm-1 之間，PtSi 的吸收由 free carri- -er absorption 所主導，由二維量子效應產生的 interband transition很小 。　　本文分五章：第一章緒論；第二章實驗方法；第三章電性量測；第 四章紅外光吸收量測；第五章結論。

博士 / 國立清華大學 / 物理研究所 / 70 /

博士 / 國立清華大學 / 材料科學工程研究所 / 79 /

碩士 / 國立清華大學 / 動力機械工程學系 / 96 / 僅管健康醫療的科技不斷推陳出新，至今卻甚少可提供即時偵測患者健康狀況的醫療設備。因此，本研究從事穿戴式即時健康監測系統，能夠隨時了解身體狀況，還可以輔助使用者及早預防疾病、監督慢性病、追蹤健康狀況，並立即提供正確的醫學診斷。此概念可藉由將微感測器與微制動器整合於生物相容之撓性基材上來達成。生物相容撓性基材上導線製程與元件整合構裝技術在本研究中成功地設計與實現。本研究利用聚醯亞胺(polyimide)當作撓性基材製作電路，利用打線或覆晶接合技術將晶片與基材上導線連接，並利用聚二甲基矽氧烷(PDMS)當作保護層將晶片密封。此封裝方式可將電路、靜態元件和動態元件成功整合在撓性基材上，使其能夠在非平面上工作。此封裝技術最大的特色就是利用封蓋將微鏡面等動態元件成功封裝，使其能在封裝體內活動。經過測試，此封裝方式擁有良好的氣密性、抗拉性和撓性，能夠輕易緊貼於人體皮膚上並提供適當強度。在應用方面，此撓性封裝技術可使用在需要撓性條件之傳輸或感測設備上。本篇論文也對聚二甲基矽氧烷的機械性質做一研究，其楊氏模數實驗結果為固化劑比例越高、固化溫度越高、加熱時間越長，聚二甲基矽氧烷的楊氏模數值就會越大，反之則越小。在密度方面則是幾乎不受固化劑比例的影響。

碩士 / 國立成功大學 / 礦冶及材料科學研究所 / 74 / TiO燒結體適量添加０．１－１．５mol ％Nb2O5 和／０．１－１．０mol ％BaO 在１２５０－４００℃空氣中，１，２和４小時燒製而成。電子顯微照片顯示燒結體 晶粒大小變化，４－３０℃，與晶粒成長和燒成溫度，時間和Nb2O5 添加量有關，小 於０．４mol ％Nb2O5 添加量有抑制晶粒成長之現象。在晶粒界有一厚度０．３－１ ．０含多量鋇元素之偏析相存在，呈羯狀型態，不相連接，其鋇元素量無法確定。且 大都位於晶粒接合處。 TiO燒結體之導電率，ο和電容值，C ，隨溫度和電壓變化之情形被量測。電阻率 ，ρ，由１０Ω－ 被降至１０－１０Ω－ ，隨Nb2O5 添加量，燒成溫 度和時間而定。logο和１／T 關係呈直線可算得平均活化能０．１７２eV。在TiO 燒結體中，有一部份呈現半導體性質可當作變咀器。Ba，Nb添加之TiO燒結體α值 隨添加物之量而變，最高值３左右。 根據Mukae et al.所導出之Schottky二極體背向連接模式，（１／C－１／２C0） 和 V 之曲線，而得Nd和 值分別為１０－１０cm和０．８８－１．７３V 視BaO添加量而定。 由顯微結構和電子性質之關係來看，這晶界偏析相所扮演之角色，需更進一步的研究 、瞭解。然而，這晶界相之存在和Mukae et al.和Fujimoto et al. ，分別在ZnO 和 SrTiO 材料中發現的相一致，這偏析相有增加晶粒表面缺陷，在晶粒形成Schottky障 壁，使得燮阻器性質更顯著。

科技的進步改變人們生活習慣，兩者週而復始的相互影響，也深深改變產業的發展與動向。尤其IT產業的變化與其產品的生命週期更是快速與短暫。 本研究個案公司其營業內容為內需型之工程業服務業，以承接業主的工程案件，進行採購→發包→施工→營運，結合各項工程的施作與管理達到滿足客戶的需求。在面對產業外移或痿縮的經濟環境下，微利成為台灣大數企業的經營結果，在如此艱困的環境中公司該如何使自己能於產業中取得一席之地，為重要的經營課題。 企業經營其產業市場的展望及外在環境、法令的變動、內部的資源累積或特有組織文化、習慣都深深影響企業經營方向。而面對外在變動的經營環境時，企業能長久立於市場中唯有知己知彼，找出本身的競爭立基點及外在的需求因子，適時的調整。是故本研究從分析個案公司產業相關環境及其於在該產業中所處角色，就產業特性及公司本身的經營現況與內部的優、劣勢作深入的分析，歸結公司的經營狀況、人員組織配置、資源運用與盤點，找出當下的營業狀況並對此提出因應方式。在經營方向、組織調整變革、經營管理上提出具體之策略方法，提供建議參考，期以使個案公司能強化本身的競爭力與有效整合資源，順應外在環境的機會與威脅作出因應，並發展強化企業的競爭優勢以面對外部競爭激烈又快速變動的經濟環境。

Titano dioksidas, pasižymintis unikaliomis fizikinėmis bei cheminėmis savybėmis, yra gerai žinoma, plačiai naudojama bei tyrinėjama medžiaga. Tiriant TiO2 elektrines savybes, galima gauti informacijos, kokios naujos medžiagos fazės formuojasi plonasluoksnėse dangose. Elektrinė titano dioksido varža priklauso nuo bandinio stechiometriškumo, nusakančio vyraujančius defektus bei laidumo tipą. Siekiant gauti norimų savybių plonasluoksnes dangas, būtina atsižvelgti į bandinių paruošimo ir gamybos procesus. Bandinių nusodinimui naudojama vakuuminė užnešimo technika leidžia kontroliuoti procesus, lemiančius dangos savybes. Šiame darbe buvo atliekama literatūros analizė apie elektrines TiO2 savybes bei įvairių faktorių įtaką šio parametro kitimui. Taip pat atkreiptas dėmesys į plonasluoksnių struktūrų nusodinimą, naudojant fizikinį dangų nusodinimą iš garų fazės (PVD). Paviršinės TiO2 varžos tyrimas buvo atliekamas panaudojant 4 zondų metodą. / Titanium dioxide is well known, widely used and investigated material that shows unique physical and chemical properties. Investigations of TiO2 electrical conductivity gives an information about the new phases formed in thin films. Surface resistance of titanium dioxide depends on sample‘s stoichiometry and it shows predominant defects and type of conductivity being in the thin film structure. It is very important to pay an attention into processes of sample‘s preparation and formation technique in order to get thin films with desirable properties. Thin films were formed using vacuum deposition technique. There has been done a scientific literature survey in order to know the main factors that causes changes of TiO2 electrical properties in this work. An attention was paid into deposition of thin film structures using physical vapor deposition (PVD) technique as well. Measurements of TiO2 surface resistance were done using four probe method.