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[en] SEMICONDUCTOR NANOSTRUCTURE FABRICATION IN MECHANICAL DEFECTS PRODUCED BY ATOMIC FORCE MICROSCOPY / [pt] FABRICAÇÃO DE NANOESTRUTURAS SEMICONDUTORAS EM DEFEITOS PRODUZIDOS POR MICROSCOPIA DE FORÇA ATÔMICAHENRIQUE DUARTE DA FONSECA FILHO 23 January 2009 (has links)
[pt] A combinação de alta densidade, locais seletivos de
nucleação e controle da distribuição de tamanho de
nanoestruturas semicondutoras tem acelerado o
desenvolvimento de dispositivos ópticos e eletrônicos. Para
construir estruturas satisfazendo essas necessidades,
várias combinações de técnicas deposição de
pontos quânticos e nanolitografia foram desenvolvidas. A
nanolitografia por AFM foi aplicada em diversos materiais
abrindo uma possibilidade para fabricar
dispositivos opto-eletrônicos.Nesta tese de Doutorado,
apresentamos um estudo sistemático de crescimento de
nanoestruturas de InAs em buracos produzidos na
superfície (100) de substratos de InP por nanoindentação
com o AFM. Para isto, a ponta precisa exercer uma força no
InP que produz deformações plásticas na
superfície. A pressão aplicada entre a extremidade da ponta
de AFM e a superfície da amostra pode ser variada de modo
controlado através do ajuste de alguns parâmetros
operacionais do microscópio tais como setpoint, raio da
ponta e constante de mola do cantilever. A habilidade para
controlar a forma do padrão indentado assim como a natureza
dos defeitos cristalinos permite controlar o
crescimento seletivo de InAs por epitaxia em fase de vapor
de metais orgânicos. Também é apresentada a fabricação de
nanoestruturas de InAs/InP alinhadas em uma dimensão. A
nanoindentação é produzida pelo arraste da ponta do AFM sob
força constante ao longo das direções <100> e <110> do InP.
Observamos que o número e o tamanho das nanoestruturas
nucleadas são dependentes da distância entre as linhas
litografadas. Esses resultados sugerem que o mecanismo de
crescimento das nanoestruturas de InAs não é governado por
degraus atômicos gerados durante a indentação. Os dados
sugerem que, a densidade de defeitos induzidos
mecanicamente, tais como discordâncias e fraturas, é o
responsável pelo número de nanoestruturas nucleadas. / [en] The combination of high density, site selective nucleation,
and size
distribution control of semiconductor nanostructures has
become a challenge in the
development of effective optical and electronic devices. In
order to build structures
satisfying these requirements, various combinations of
quantum dot deposition and
nanolithography techniques have been developed. The AFM
nanolithography
technique has been applied on several materials opening a
possibility to fabricate
opto-electronic devices. In this Phd Thesis, we present a
systematic study of
growth of InAs nanostructures on pits produced on (100) InP
by nanoindentation
with the AFM. For that purpose, the AFM tip needs to exert
a force on the InP that
produces plastic deformation on the surface. The applied
pressure between the very
end of the AFM tip and the sample surface may be varied in
a controlled way by
adjusting some of the microscope operational parameters
like set point, tip radius
and cantilever normal bending constant. The ability to
control the shape of the
indentation pattern as well as the nature of the
crystalline defects allows control of
the selective growth of InAs by metal organic vapor phase
epitaxy. We also report
the fabrication of one-dimensional arrays of InAs/InP
nanostructures. The
nanoindentation is produced by dragging the AFM tip under
constant force of the
substrate, along the <100> and <110> InP crystallographic
directions. We have
observed that the number and the size of nucleated
nanostructures are dependent on
the distance between the lithographed lines. These results
suggest that the growth
mechanism of the InAs nanostructures on the pits produced
by AFM on InP is not
governed by the number of atomic steps generated during the
scratching. Instead,
the data suggests that, the density of mechanically induced
defects, like dislocations
and cracks, are responsible for the number of nucleated
nanostructures.
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[en] OPTICAL AND MORPHOLOGICAL CHARACTERIZATION OF INAS QUANTUM DOTS / [pt] CARACTERIZAÇÃO ÓPTICA E MORFOLÓGICA DE PONTOS QUÂNTICOS DE INASJOSE EDUARDO RUIZ ROSERO 29 April 2016 (has links)
[pt] Se faz um estudo detalhado da produção de pontos quânticos de InAs crescidos sobre ligas de InGaAlAs que, por sua vez, são depositadas em substratos de InP de forma casada. Através da caracterização óptica e morfológica dos pontos quânticos obtém-se a dependência tanto da altura quanto da densidade dos pontos produzidos em função das condições de crescimento. Os pontos quânticos são produzidos em condições de crescimento variadas. A temperatura, o tempo de crescimento e a taxa de deposição são os parâmetros alterados de uma amostra para a outra. São utilizadas técnicas de microscopia de força atômica (AFM) e fotoluminescência (PL) para avaliar o efeito dos parâmetros de crescimento epitaxial sobre a qualidade óptica das estruturas obtidas, as alturas dos pontos quânticos nucleados, a homogeneidade e a densidade da distribuição resultante. É desenvolvida a otimização no processamento digital das imagens de AFM para obter melhores resultados em suas análises. São correlacionados e analisados os resultados obtidos em AFM como a altura e a densidade dos pontos quânticos e seus respectivos picos de emissão de PL. Finalmente foram feitas simulações dos níveis de energia dos pontos quânticos para correlacioná-las com os valores dos picos dos sinais de PL e as alturas dos pontos quânticos. / [en] A detailed study is performed of the production of InAs quantum dots grown on InGaAlAs lattice matched to InP. Performing the optical and morphological characterization of the quantum dots the dependence of the height and density of the quantum dots with the growth conditions is obtained. The quantum dots were produced under different growth conditions. Temperature, growth time and growth rate were changed from one sample to another. We use atomic force microscopy (AFM) and photoluminescence (PL) techniques to evaluate the effect of the growth conditions on the optical quality of the obtained structures, as well as the quantum dots heights, their homogeneity and density distribution. Image processing of AFM images was optimized to allow better accuracy in the analysis of quantum dot height. The AFM results, such as quantum dots height and density, were related and analyzed with their respective PL emission. Finally, simulations of the quantum dots energy levels were performed to correlate them with the quantum dots height and PL signal.
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[en] CHARACTERIZATION OF MECHANICAL DEFECTS PRODUCED BY NANOINDENTATION IN INP / [pt] CARACTERIZAÇÃO DE DEFEITOS MECÂNICOS PRODUZIDOS POR NANOINDENTAÇÃO NO INPCLARA MUNIZ DA SILVA DE ALMEIDA 11 May 2009 (has links)
[pt] Nesta tese foi estudado o mecanismo de deformação mecânica de
semicondutores III-V, em especial do InP, através da criação de defeitos utilizando
um microscópio de força atômica e o indentador Triboscope. A liberdade de torção
da ponta do AFM dificulta o controle e a reprodutibilidade dos experimentos de
nanoindentação, por outro lado, através desta liberdade da técnica foi possível
medir a pressão necessária para a criação das primeiras discordâncias no cristal.
Foi realizado um estudo da deformação mecânica do óxido nativo presente na
superfície do InP(100) e do GaAs(001) através de indentações utilizando o
nanoindentador. Impressões plásticas residuais atribuídas à camada de óxido nativo
foram observadas na superfície dos semicondutores. O processo de deformação
plástica do InP foi estudado a partir de nanoindentações utilizando uma ponta
Berkovich e uma ponta conosférica. O processo de deformação do InP com a ponta
Berkovich apresenta descontinuidades para indentações realizadas com altas forças
que são associadas a sucessivos escorregamentos de planos {111} seguidos de
travamento das discordâncias. A distribuição de pressão na região indentada para a
ponta conosférica é isotrópica, permitindo uma melhor visualização da transição
elástico/plástico da deformação do material. Para essa ponta a deformação plástica
do InP é iniciada com um evento catastrófico, que aparece nas curvas de
indentação como uma descontinuidade. Foram observadas características ao redor
das indentações, indicando o aparecimento de discordâncias na superfície do
cristal. Microscopia eletrônica de transmissão foi utilizada para a observação das
seções transversais das indentações que apresentaram alta densidade de
discordâncias formadas pelos planos {111} escorregados. / [en] In this thesis, the mechanical deformation mechanism of semiconductors
III-V was studied, especially for InP. Defects were produced by indentations using
an atomic force microscope and a Triboscope nanoindenter. The AFM tip torsion
during indentation difficult the control and the reproducibility of AFM
nanoindentation experiments. Nevertheless, the tip torsion allowed the
measurement of the materials Yield stress. A study of the mechanical deformation
mechanism of the native oxide that is presented in the surface of InP (100) and
GaAs (100) was done. The residual plastic impressions attributed to native oxides
were observed on the semiconductors surface. The plastic deformation process of
the InP was studied in nanoindentation experiments using a Berkovich and a
conosferical tip. The InP deformation mechanism observed with a Berkovich tip
presents discontinuities for indentations performed at high loads, that are
associated with successive slip of {111} planes along the <110> directions. The
pressure distribution on the indented region, applied by the conosferical tip, is
isotropic allowing a better visualization of the elastic/plastic transition in a material
deformation process. The plastic deformation of InP using this tip is initialized
with a catastrophic event, that appears in the indentation curves as a discontinuity.
Small cracks were observed around the indentations using both tips, suggesting
that some dislocations loops ends on the InP surface. Bigger cracks were observed
in indentations with the conosferical tip and they were attributed to material
fracture produced by the locking of dislocations near the surface. Transmission
electron microscopy was done in the nanoindentation cross section showing a high
density of defects created by the slip of the {111} planes.
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[en] DSC, DMA, XPS, CONTACT ANGLE E AFM ANALYSIS OF DE ACC/PHAMCL THICK FILMS SURFACES / [pt] ANÁLISE DE FILMES POLIMÉRICOS DENSOS DE ACC/PHAMCL POR TÉCNICAS DE DSC, DMA, XPS, ÂNGULO DE CONTATO E AFMSAMANTHA FONSECA DOS SANTOS 10 March 2006 (has links)
[pt] Neste trabalho, foram estudadas filmes poliméricos densos
formadas por acetato de celulose (AcC) e
polihidroxialkanoato de cadeia
média PHAmcl, com diferentes concentrações relativas de
cada polímero.
Os filmes de PHAmcl/DAC foram preparadas a partir de
soluções
poliméricas, diluídas em dimetil cetona, na qual se
realiza uma mistura
com agitação contínua. Foram preparadas as amostras: AcC
puro,
PHAmcl puro e seis misturas com concentrações variando
de
2 porcento a 12 porcento
(m/v) de PHAmcl em AcC. Medidas de calorimetria
diferencial exploratória
e análise dinâmica mecânica foram realizadas a fim de se
conhecer a
miscibilidade das blendas formadas A composição química
das
superfícies desses filmes foi caracterizada utilizando a
técnica de
espectroscopia de fotoelétrons induzida por raios-X
(XPS).
A morfologia e
as propriedades mecânicas das amostras foram estudadas
com
o auxílio
da microscopia de força atômica (AFM). Observou-se nas
misturas um
enriquecimento na superfície de PHAmcl e uma alteração
da
morfologia
para toda a superfície com a incorporação de PHAmcl. Foi
observada
uma diminuição na dureza com o aumento a concentração de
PHAmcl no
filmes. Os filmes apresentaram miscibilidade até 10
porcento
PHAmcl/90porcentoAcC
em volume. / [en] In this work, the study of thick films formed by cellulose
acetate and
medium chain length polyhydroxyalkanotes with different
molar
concentration of PHB is presented. The films were prepared
by polymeric
solutions diluted in dimethil ketone with continued
agitation. The solvent
evaporation occurs on a glass plate in controlled
atmosphere of 300 C.
Eight samples were prepared: pure AcC and PHAmcl and
mixtures with
PHAmcl bulk concentrations in the range of 2 to 12 percent
(w/v).
Differential
scanning calorimetry and dynamic mechanical analysis
measurements
were performed in order to know the samples miscibility.
The surface
chemical composition of the samples was characterized by X-
ray
photoelectron spectroscopy (XPS). The morphology and
mechanical
properties were studied by atomic force microscopy (AFM).
PHAmcl
surface enrichment and morphology modification of the
films were
observed on the whole surface with the increasing of
PHAmcl. A decrease
in the films hardness was observed for increasing PHAmcl
bulk
concentration. The films were found to be miscible until
10percentPHAmcl/90percentAcC bulk concentration.
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[pt] EMPREGO DE MICROSCOPIA DE FORÇA ATÔMICA E NANOINDENTAÇÃO NA CARACTERIZAÇÃO TRIBOMECÂNICA DE MINERAIS E MATÉRIA ORGÂNICA: UMA APLICAÇÃO EM FOLHELHOS DA FORMAÇÃO IRATI / [en] USE OF ATOMIC FORCE MICROSCOPY AND NANOINDENTATION IN THE TRIBOMECHANICAL CHARACTERIZATION OF MINERALS AND ORGANIC MATTER: ON SHALE OF THE IRATI FORMATIONDOUGLAS LUIZ PINTO DE LACERDA 04 February 2021 (has links)
[pt] Folhelhos desempenham tanto a função de rocha capeadora, camada
de rocha de baixa permeabilidade que contém os hidrocarbonetos no reservatório
, quanto de rocha geradora de petróleo em sistemas petrolíferos convencionais.
Mais recentemente passaram a ser exploradas como reservatórios
não convencionais. As suas propriedades mecânicas são importantes na determinação
da estabilidade estrutural de poços e na avaliação da fraturabilidade
de reservatórios não convencionais. Além disso, permitem a conexão
entre os dados de prospecção de petróleo e as características geoquímicas
da rocha geradora. Nesta tese, as propriedades nanomecânicas de amostras
de folhelho Irati, provenientes da Bacia do Paraná, foram caracterizadas
por microscopia de força atômica e nanoindentação em conjunto com microscopia
eletrônica de varredura. Procedimentos de processamento de imagens
foram desenvolvidos para construir imagens de propriedades tribomecânicas
dos minerais e da matéria orgânica presentes na superfície. A identificação
mineralógica realizada no microscópio eletrônico permitiu associar o contraste
verificado nas imagens obtidas no microscópio de força atômica às
propriedades tribomecânicas dos minerais e matéria orgânica. Esses constituintes
do folhelho também foram caracterizados por nanoindentação para
permitir a medida de duas propriedades mecânicas por um método independente.
Por fim, um conjunto de nanoindentações aleatoriamente distribuídas
na superfície foi executada em uma amostra da mesma região, sendo
o resultado estatisticamente analisado para permitir a comparação com as
propriedades macroscópicas. / [en] Shales perform both the cap rock, low permeability rock layer that
restrain hydrocarbons in the reservoir, and petroleum source rock in conventional
petroleum systems. More recently they have been exploited as
unconventional reservoirs. Their mechanical properties are important in determining
the structural stability of wells and in evaluating the fracability
of unconventional reservoirs. In addition, they allow the connection between
oil prospecting data and the geochemical characteristics of the source rock.
In this thesis, the nanomechanical properties of Irati shale samples from the
Paraná Basin were characterized by atomic force microscopy and nanoindentation
together with scanning electron microscopy. Image processing procedures
were developed to construct images of tribomechanical properties
of minerals and organic matter present on the surface. The mineralogical
identification performed by electron microscopes allowed to associate the
contrast found in the images obtained with the atomic force microscope to
the tribomechanical properties of minerals and organic matter. These shale
constituents were also characterized by nanoindentation to allow the measurement
of two mechanical properties by an independent method. Finally, a
set of randomly distributed nanoindentations on the surface was performed
on a sample from the same region, and the result was statistically analyzed
to allow comparison with macroscopic properties.
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[pt] AVALIAÇÃO METROLÓGICA DA MEDIÇÃO DO MÓDULO DE ELASTICIDADE DE MATERIAIS POLIMÉRICOS PELA MICROSCOPIA DE FORÇA ATÔMICA, NO MODO PEAK FORCE TAPPING / [en] METROLOGICAL EVALUATION OF THE MEASUREMENT OF THE MODULUS OF ELASTICITY OF POLYMERIC MATERIALS BY ATOMIC FORCE MICROSCOPY, IN THE PEAK FORCE TAPPING MODEJUAN DAVID CAICEDO VASQUEZ 01 September 2020 (has links)
[pt] Ao longo das últimas décadas, mais intensamente, a microscopia de força atômica (AFM) tem sido utilizada em atividades de pesquisa e desenvolvimento, notadamente para a caracterização de materiais. Não obstante os avanços e sofisticações da técnica, a determinação do módulo de elasticidade de materiais poliméricos continua sendo um desafio dada a complexidade de caracterização de materiais complexos, comumente gerando expressivo espalhamento nos resultados de medição. Esta pesquisa de mestrado apresenta mapeamentos da morfologia e medições do módulo de elasticidade de celulose comercial (fibras de bambu e de eucalipto) e lignocelulósico, referenciados a materiais poliméricos sintéticos já caracterizados (considerados como padrão). A microscopia de força atômica (AFM), no modo peak force tapping, alternativamente fundamentada no modelo Derajaguin-Muller-Toporo, DMT (que é o modelo incorporado no software da Bruker, fabricante do equipamento AFM) e no modelo JohnsonKendall-Robert, JKR (proposto neste trabalho, fazendo-se uso de um algoritmo Matlab), foi utilizada como técnica de medição do módulo de elasticidade dos materiais investigados. A partir dos ensaios realizados, foi possível avaliar o método de medição com base em critérios metrológicos e determinar o modelo de cálculo mais apropriado para a caracterização dos materiais investigados. Para os materiais padrão utilizados como referência, e cujos valores do módulo de elasticidade são informados pelos respectivos fornecedores (E igual 2,7 mais ou menos 0,1 GPa, para o poliestireno e E igual 1,8 GPa, para a poliamida), o modelo JKR mostrou-se mais adequado para fundamentar o cálculo do módulo de elasticidade. Enquanto o modelo JKR reproduziu o valor do fabricante com 6,3 porcento, para o caso do poliestireno (E igual 2,540754 mais ou menos 0,056 GPa) e com 12,5 porcento, para o caso da poliamida (E igual 1,680050 mais ou menos 0,041 GPa), o modelo DMT produziu resultados com desvios superiores a 50 porcento do valor de referência considerado como padrão. Fundamentado nesses mesmos modelos DMT e JKR, o trabalho avaliou o módulo de elasticidade de outros materiais, mais especificamente: (i) filme de celulose extraída do eucalipto; (ii) filme de celulose microfobrilada comercial; (iii) filme de celulose microfibrilada, depositada no laboratório pela técnica de ultrassom e (iv) amostras de bambu (Dendrocalamus Giganteus), extraídas da seção externa e interna do colmo d o bambu. Os resultados são discutidos em conformidade ao rigor metrológico dos componentes estocásticos e determinísticos da incerteza associada às medições realizadas, confirmando que a microscopia de força atômica (AFM), no modo peak force tapping se apresenta como técnica promissora para ser utilizada como ferramenta metrológica para a caracterização de materiais poliméricos na escala nanométrica. / [en] Over the past few decades, more intensely, atomic force microscopy (AFM) has been used in research and development activities, notably for the characterization of materials. Despite the advances and sophistications of the technique, the determination of the modulus of elasticity of polymeric materials remains a challenge given the complexity of characterizing complex materials, commonly generating significant spread in the measurement results. This research presents mappings of the morphology and measurements of the elasticity modulus of commercial cellulose (bamboo and eucalyptus fibers) and lignocellulosic, referenced to already characterized synthetic polymeric materials (considered as standard). Atomic force microscopy (AFM), in the peak force tapping mode, alternatively based on the Derajaguin-Muller-Toporo model, DMT (which is the model incorporated by Bruker in its AFM software) and the Johnson-KendallRobert model, JKR (proposed in this work, using a Matlab algorithm), was used as a technique for measuring the elasticity module of the investigated materials. From the tests performed, it was possible to evaluate the measurement method based on metrological criteria and determine the most appropriate calculation model for the characterization of the investigated materials. For the standard materials used as a reference, whose elasticity modulus values are reported by the respective suppliers (E equal 2.7 more or less 0.1 GPa, for polystyrene and E equal 1.8 GPa, for polyamide), the JKR model proved to be most suitable to support the calculation of the modulus of elasticity. While the JKR model reproduced the manufacturer s value with 6.3 percent, for the case of polystyrene (E equal 2.540754 more or less 0.056 GPa) and with 12.5 percent, for the case of polyamide (E equal 1.680050 more or less 0.041 GPa), the DMT model produced results with deviations greater than 50 percent from the reference value taken as standard reference values. Based on these DMT and JKR models, the work evaluated the elasticity module of other materials, more specifically: (i) cellulose film extracted from eucalyptus; (ii) commercial microfiltered cellulose film; (iii) microfibrillated cellulose film, deposited in the laboratory by and ultrasound technique and (iv) samples of bamboo (Dendrocalamus Giganteus), extracted from the external and internal section of the bamboo stem. The results are discussed in accordance with the metrological rigor of the stochastic and deterministic components of the uncertainty associated with the measurements performed, confirming that the atomic force microscopy (AFM), in the peak force tapping mode, presents itself as a promising technique to be used as a metrological tool for the characterization of polymeric materials at the nanoscale.
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