Orientador : Carlos Alberto dos Reis Filho / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-08-02T13:09:22Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Campos_MarcelodePaula_M.pdf: 1989000 bytes, checksum: 04719353d8fb82d1065509a7f925083d (MD5) Previous issue date: 2002 / Mestrado

Made available in DSpace on 2014-06-12T18:07:33Z (GMT). No. of bitstreams: 2 arquivo7893_1.pdf: 5607936 bytes, checksum: 2c143217d3c4127d61414fc472c6815f (MD5) license.txt: 1748 bytes, checksum: 8a4605be74aa9ea9d79846c1fba20a33 (MD5) Previous issue date: 2004 / Neste trabalho adaptamos para o íon de Tm3+ um modelo e técnica experimental usados para a determinação da seção de choque de emissão da transição 4F3/2 !4I11/2 correspondente à emissão 1.06μm do íon de Nd3+ dopado em fibra ´óptica, de forma não destrutiva. O modelo adaptado foi utilizado no cálculo da seção de choque de emissão da transição 3H4!3F4 relativa à emissão em 1.47μm do íon de túlio em fibras fluorozirconadas e de silicato. A determinação do valor desta seção de choque é de grande importância porque varia bastante na literatura de acordo com a fibra e o método utilizado. A técnica explora a medida do tempo de vida 2 da transição de interesse, o ganho G e a seção de choque de emissão s sem injetar um sinal na fibra. O método é baseado no estudo da dependência temporal da fluorescência em função da potência absorvida do bombeio no instante anterior ao desligamento do bombeio. O experimento consistiu no bombeamento da fibra dopada com Tm3+ por um laser de titânio safira, operando no regime contínuo, emitindo em 800nm modulado com um chopper. Foi feita então a coleção dos decaimentos exponenciais da fluorescência do estado excitado 3H4 após o desligamento do laser e a medição das potências na entrada e saída da fibra dopada. A partir destes dados experimentais e das propriedades da fibra calculamos a seção de choque da transição 3H4!3F4 com o ajuste de uma curva teórica deduzida a partir do modelo adaptado para o túlio. Foram realizadas medidas para fibras de Tm3+ em silicato e ainda para uma fibra fluorozirconada com alta concentração de Tm3+ (5000ppm). Porém, na fibra de silicato os decaimentos das fluorescências ficaram limitados pela resolução do sistema e, na fibra fluorozirconada de alta concentração, não pudemos aplicar o modelo porque o tempo de vida ´e ajustado por uma dupla exponencial na maioria das potências absorvidas. Os resultados com a fibra fluorozirconada com 2000ppm de Tm3+ demonstraram a validade do modelo e da técnica, havendo uma boa concordância com resultados descritos na literatura

Cuando una comunicación celular se ve afectada por pérdidas e interferencia es necesario añadir equipos que contrarresten estas pérdidas de modo que se tenga una comunicación efectiva. Para solucionar esa problemática, actualmente destacan el uso de repetidores de señal, amplificadores y de femtoceldas. Del estudio de estos se desprende que los amplificadores resultan ser soluciones sencillas de implementar y económicas respecto de las femtoceldas. Al analizar los repetidores se observa que su componente principal es un amplificador RF; de la consideración de los tipos de este amplificador se encuentra que el más relevante dentro de un repetidor es el amplificador de bajo ruido (LNA) ya que asegura que la señal se amplificará añadiendo el menor ruido posible respecto del que se tenga en la entrada del sistema. De la investigación de la tecnología de transistores, se determina el uso de un PHEMT. Por lo tanto, el asunto de estudio se restringe al diseño de un LNA a partir de un PHEMT a través del empleo de parámetros S y el software de diseño ADS. La técnica de diseño a emplear es en una sola etapa por adaptación de impedancias a través del emparejamiento reflectante. El diseño se elabora en los rangos de emisión 824- 849MHz y 869-894MHz de recepción, logrando una ganancia superior a los 13dB con una figura de ruido inferior a los 5dB. Previamente al diseño de las redes de adaptación en el software ADS se elaboró un módulo de evaluación para comprobar que el transistor elegido cumplía con las características deseadas en cuanto a frecuencia y ganancia. Los resultados se verificaron a través de simulaciones en software respecto a la figura de ruido y a la ganancia, ambas variables en el rango de frecuencia deseado. Asimismo, se comprobó solamente la ganancia sobre circuitos prototipo debido a que no se contaba con un generador de ruido. / Tesis

Orientador: Carlos Alberto dos Reis Filho / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-08-19T10:35:49Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Santos_FilipedeAndradeTabarani_M.pdf: 11362655 bytes, checksum: 2e42c97ddd2bc2cb397c41f31568dc37 (MD5) Previous issue date: 2011 / Resumo: Este trabalho apresenta o estudo aprofundado e a confecção de amplificadores realimentados por corrente (CFA). São analisadas as principais características de um CFA e comparado com o amplificador realimentado por tensão (VOA). Buscou-se esclarecer as aplicações nas quais a primeira célula apresenta-se como melhor alternativa e como importante ferramenta a ser disponibiliza aos projetistas. Ao longo desta analise são frisadas as principais dificuldades na implementação da célula em tecnologia CMOS mencionando as soluções encontradas pela na literatura. Estas dificuldades impedem a confecção de CFAs CMOS comerciais. Um dos principais problemas da implementação de amplificadores realimentados por corrente em tecnologia CMOS e a baixa transcondutância dos transistores. A literatura propõe contornar esta deficiência da tecnologia utilizando células que obtêm alta transcondutância através do uso de realimentação interna [1]. Entretanto, a topologia proposta possui um severo compromisso entre transcondutância e banda de freqüência. O trabalho apresentado nesta dissertação deixa sua contribuição a literatura propondo dois métodos para amenizar este compromisso, que resultam no deslocamento da freqüência de -3dB, tornando-a significantemente maior que a original. No exemplo de projeto, aqui ilustrado, foi obtida banda 3,25 vezes a original,mantendo as características DC.O projeto de duas topologias, sendo uma baseada no primeiro CFA monolítico comercializado e a outra que utiliza transistores compostos, foi realizado visando a implementação monolítica em tecnologia 0,35 ?m CMOS da fabrica Austriamicrosystems. Os protótipos fabricados foram medidos e os resultados comparados com o esperado por simulação / Abstract: This work presents the study and design of current-feedback amplifiers (CFA).It is analyzed the main characteristics of a CFA as it compares to a typical voltage feedback amplifier (VOA). It was attempted to clarify in which applications the first mentioned cell excels at and why it can serve as an important tool for the designers. Throughout the analysis, the main difficulties regarding the implementation of the cell using CMOS technology are highlighted and the solutions proposed by the literature exposed. Those characteristics restrain the conception of CMOS commercials CFAs. One of the primary obstacles for the implementation of current-feedback amplifiers using CMOS technology is the low transconductance of the transistors. The literature proposes the use of cells with internal feedback in order to solve this issue [1].However, the proposed cell has a severe trade-off between transconductance and frequency bandwidth. This work provides its contribution to the literature by proposing two methods to loosen this trade-off. Using the proposed modification, it was obtained 3.25 times the original bandwidth while maintaining all of its native DC characteristics. The design of two topologies was carried out using monolithic Austriamicrosystems0.35?m CMOS technology; one based on the topology of the first commercialized monolithic CFA and the other using compound transistors. The produced prototypes were measured and the results compared with expected by simulation / Mestrado / Eletrônica, Microeletrônica e Optoeletrônica / Mestre em Engenharia Elétrica

Made available in DSpace on 2014-06-12T17:40:24Z (GMT). No. of bitstreams: 2 arquivo7015_1.pdf: 1468897 bytes, checksum: 59ac71f866f8c192b42bc20f5122f2d7 (MD5) license.txt: 1748 bytes, checksum: 8a4605be74aa9ea9d79846c1fba20a33 (MD5) Previous issue date: 2003 / Com a crescente demanda por tráfego de dados tornou-se necessário expandir a capacidade dos sistemas de comunicações ópticas. Isto pode ser obtido aumentando a quantidade de canais transmitidos, através da multiplexação de comprimentos de onda. Devido à melhora dos processos de fabricação das fibras ópticas, atualmente é possível a utilização de todo o espectro de baixas perdas da sílica (1460nm 1625nm), abrangendo várias bandas de transmissão. Para compensar as perdas nestas bandas de transmissão são necessários amplificadores ópticos. Entre eles podemos citar: amplificadores Raman, amplificadores Paramétricos, amplificadores de semicondutor e amplificadores a fibra dopada com terras raras. No caso da banda S (1460nm 1530nm) o mais promissor é o Amplificador de Fibra Dopada com Túlio (TDFA), foco desta dissertação de mestrado. Com o bombeamento mais utilizado para TDFA, em 1050nm, construímos amplificadores com diferentes fibras tipo ZBLAN dopadas com Túlio e obtivemos ganhos da ordem de 27dB e figuras de ruído menores que 5dB, reproduzindo resultados semelhantes aos relatados na literatura. Adicionamos ao laser de bombeamento principal outro bombeamento (1550nm) que otimiza a absorção de estado fundamental, mostrando o aumento da eficiência do sistema. Também utilizamos a técnica de Reflectometria Óptica Coerente no Domínio da Freqüência (COFDR), onde analisamos pela primeira vez a dinâmica de amplificação dentro da fibra dopada quando esta é bombeada por dois comprimentos de onda simultaneamente. Com esta técnica podemos otimizar o comprimento da fibra dopada

Orientador: Adriano Péres. / Co-orientador: Sérgio Vidal Garcia Oliveira. / Dissertação (mestrado) - Universidade Regional de Blumenau, Centro de Ciências Tecnológicas, Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica.

Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2016

Páginas numeradas: III-XIII, 15-129 / Tese de mestrado integrado. Engenharia Electrotécnica e de Computadores (Major Telecomunicações). Faculdade de Engenharia. Universidade do Porto. 2010

Dedicatória manuscrita pelo autor ao Prof. Manuel Correia de Barros / Dissertação apresentada para obtenção do grau de Doutor na Faculdade de Engenharia da Universidade do Porto

Dissertação (Mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico. / Made available in DSpace on 2012-10-17T03:11:52Z (GMT). No. of bitstreams: 0Bitstream added on 2016-01-08T22:37:37Z : No. of bitstreams: 1 150782.pdf: 4318033 bytes, checksum: 5453d29de998ee6dacc20aa6dd822776 (MD5)