Diese Dissertation besteht aus vier eigenständigen Aufsätzen. Das erste Kapitel liefert eine Einleitung uns einen Literaturüberblick. Im zweiten Kapitel schätzen wir die Effekte eines geldpolitischen Schocks in einer Bayesianischen faktorerweiterten Vektorautoregression. Als ein Identifikationsschema schlagen wir theoretisch fundierte Vorzeichenrestriktionen vor, welche auf die angemessenen Impuls-Antwortfolgen auferlegt werden können. Der Vorteil der faktorbasierten Vorzeichenrestriktion liegt in der Möglichkeit sehr viele theoretische fundierte Restriktionen zu setzen um so exakter zu identifizieren. Im dritten Kapitel untersuchen wir die Rolle der Geldpolitik während der Weltwirtschaftskrise in den USA. Die besondere Rolle der Geldpolitik gilt seit Friedman and Schwartz [1963] als gängige Meinung. In diesem Papier versuchen wir die entscheidenden Dynamiken der Zwischenkriegszeit mit dem BFAVAR Modell abzubilden und die Effekte geldpolitischer Schocks zu analysieren. Weiterhin schauen wir uns die Effekte der systematischen Komponente der Geldpolitik an. Wir finden heraus, dass der Anteil der Geldpolitik insgesamt zwar präsent allerdings recht gemäßigt vorhanden. Im vierten Kapitel werden die makroökonomischen Dynamiken innerhalb des Euroraumes untersucht. Hierbei schlage ich einen neuen Ansatz vor um die vielen relevanten Interrelationen effizient und sparsam zu vereinbaren. Ein faktorbasiertes DSGE Modell wird gemeinsam mit einem dynamischen Faktormodell geschätzt. Hierbei wird explizit ökonomische Theorie zur Datenanalyse verwendet. Zur Identifikation makroökonomischer Schocks verwende ich sowohl Vorzeichenrestriktionen wie auch die DSGE Rotation. / This thesis consists of four self-contained chapters. The first chapter provides an introduction with a literature overview. In Chapter 2 we estimate the effects of monetary policy shocks in a Bayesian Factor- Augmented vector autoregression (BFAVAR). We propose to employ as an identification strategy sign restrictions on the impulse response function of pertinent variables according to conventional wisdom. The key strength of our factor based approach is that sign restrictions can be imposed on many variables in order to pin down the impact of monetary policy shocks. Thus an exact identification of shocks can be approximated and monitored. In chapter 3 the role of monetary policy during the interwar Great Depression is analyzed. The prominent role of monetary policy in the U.S. interwar depression has been conventional wisdom since Friedman and Schwartz [1963]. This paper attempts to capture the pertinent dynamics through a BFAVAR methodology of the previous chapter. We find the effects of monetary policy shocks and the systematic component to have been moderate. Our results caution against a predominantly monetary interpretation of the Great Depression. This final chapter 4 analyzes macroeconomic dynamics within the Euro area. To tackle the questions at hand I propose a novel approach to jointly estimate a factor-based DSGE model and a structural dynamic factor model that simultaneously captures the rich interrelations in a parsimonious way and explicitly involves economic theory in the estimation procedure. To identify shocks I employ both sign restrictions derived from the estimated DSGE model and the implied restrictions from the DSGE model rotation. I find a high degree of comovement across the member countries, homogeneity in the monetary transmission mechanism and heterogeneity in transmission of technology shocks. The suggested approach results in a factor generalization of the DSGE-VAR methodology of Del Negro and Schorfheide [2004].

Im Rahmen dieser Arbeit wurden InSb- und verdünnt-magnetische In_{1-x}Mn_xSb Filme mittels Gasquellen-Molekularstrahlepitaxie hergestellt und deren strukturelle und elektronische Eigenschaften untersucht. Die 2 μm InSb-Dünnschichten wurden sowohl auf GaAs(001)-Substrat als auch um 4° in Richtung [110] fehlgeschnittenem Si(001)-Substrat hergestellt. Optimierte InSb-Schichten direkt auf GaAs zeigen eine hohe kristalline Qualität, niedriges Rauschen und eine Elektronenbeweglichkeit von 41100 cm^2/Vs bei 300 K. Die Ladungsträgerkonzentration beträgt etwa 2,9e16 cm^{-3}. Um InSb-Dünnschichten guter Qualität auf Si-Substrat zu realisieren, wurden fehlgeschnittene Substrate benutzt. Zur Reduzierung der Gitterfehlanpassung wurden Pufferschichten gewachsen. Eine Elektronenmobilität von 24000 cm^2/Vs und Ladungsträgerkonzentration von 2,6e16 cm^{-3} wurden bei 300 K nachgewiesen. Diese Probe enthält ein 0,06 μm GaAs/AlSb-Supergitter als Pufferschicht (Wachstumstemperatur war 340°C). Diese Probe zeigt der höheren Dichte der Microtwins und Stapelfehler als auch den Threading-Versetzungen in der schnittstellennahen Region geschuldet. Die Deep-Level Rauschspektren zeigen die Existenz von Deep-Levels sowohl in GaAs- als auch in Si-basierten Proben. Die InSb-Filme auf Si-Substrat zeigen einen kleineren Hooge-Faktor im Vergleich zu Schichten auf GaAs (300 K). Unter Anwendung der optimierten Wachstumsbedingungen für InSb/GaAs wurden verdünnt-magnetische In_{1-x}Mn_xSb-Schichten (bis zum 1% Mangan) auf GaAs (001)-realisiert. Mn verringert die Gitterkonstante und damit den Grad der Relaxation von (In,Mn)Sb-Filmen. In den Proben befindet sich Mn in zwei magnetischen Formen, sowohl als verdünnt-magnetischer Halbleiter (In,Mn)Sb, als auch als MnSb-Cluster. Die Cluster dominieren auf der Oberfläche. Die Curie-Temperatur, Tc, unterscheidet sich für die beiden Formen. Für (In,Mn)Sb ist Tc kleiner als 50 K. Die MnSb-Cluster zeigen dagegen ein Tc über 300 K. / This dissertation describes the growth by molecular beam epitaxy and the characterization of the semiconductor InSb and the diluted magnetic semiconductor (DMS) In_{1-x}Mn_xSb. The 2 µm-thick InSb films were grown on GaAs (001) substrate and Si (001) offcut by 4° toward (110) substrate. After optimizing the growth conditions, the best InSb films grown directly on GaAs results in a high crystal quality, low noise, and an electron mobility of 41100 cm^2/V s Vs with associated electron concentration of 2.9e16 cm^{-3} at 300 K. In order to successfully grow InSb on Si, tilted substrates and the insertion of buffer layers were used. An electron mobility of 24000 cm^2/V s measured at 300 K, with an associated carrier concentration of 2.6e16 cm^{-3} is found for the best sample that was grown at 340°C with a 0.06 μm-thick GaSb/AlSb superlattice buffer layer. The sample reveals a density of microtwins and stacking faults as well as threading dislocations in the near-interface. Deep level noise spectra indicate the existence of deep levels in both GaAs and Si-based samples. The Si-based samples exhibit the lowest Hooge factor at 300 K, lower than the GaAs-based samples. Taking the optimized growth conditions of InSb/GaAs, the DMS In_{1-x}Mn_xSb/GaAs is prepared by adding Mn (x < 1%) into the InSb during growth. Mn decreases the lattice constant as well as the degree of relaxation of (In,Mn)Sb films. Mn also distributes itself to result in two different and distinct magnetic materials: the DMS (In,Mn)Sb and clusters MnSb. The MnSb clusters dominate only on the surface. For the DMS alloy (In,Mn)Sb, the measured values of Curie temperature Tc appears to be smaller than 50 K, whereas it is greater than 300 K for the MnSb clusters.