No description available.

abstract: The scaling of transistors has numerous advantages such as increased memory density, less power consumption and better performance; but on the other hand, they also give rise to many reliability issues. One of the major reliability issue is the hot carrier injection and the effect it has on device degradation over time which causes serious circuit malfunctions. Hot carrier injection has been studied from early 1980's and a lot of research has been done on the various hot carrier injection mechanisms and how the devices get damaged due to this effect. However, most of the existing hot carrier degradation models do not consider the physics involved in the degradation process and they just calculate the change in threshold voltage for different stress voltages and time. Based on this, an analytical expression is formulated that predicts the device lifetime. This thesis starts by discussing various hot carrier injection mechanisms and the effects it has on the device. Studies have shown charges getting trapped in gate oxide and interface trap generation are two mechanisms for device degradation. How various device parameters get affected due to these traps is discussed here. The physics based models such as lucky hot electron model and substrate current model are presented and gives an idea how the gate current and substrate current can be related to hot carrier injection and density of traps created. Devices are stressed under various voltages and from the experimental data obtained, the density of trapped charges and interface traps are calculated using mid-gap technique. In this thesis, a simple analytical model based on substrate current is used to calculate the density of trapped charges in oxide and interface traps generated and it is a function of stress voltage and stress time. The model is verified against the data and the TCAD simulations. Finally, the analytical model is incorporated in a Verilog-A model and based on the surface potential method, the threshold voltage shift due to hot carrier stress is calculated. / Dissertation/Thesis / Masters Thesis Electrical Engineering 2017

No description available.

Τις τελευταίες δεκαετίες το επιστημονικό ενδιαφέρον έχει στραφεί στη μελέτη οργανικών ημιαγώγιμων υλικών με σκοπό να κατασκευαστούν ηλεκτρονικές διατάξεις με χαμηλότερο κόστος και μεγαλύτερη απόδοση από τις εμπορικές διατάξεις με ανόργανους ημιαγωγούς, που κυκλοφορούν ήδη στην αγορά. Η οικογένεια των φθαλοκυανινών (Phthalocyanines, Pcs) ανήκει στα οργανικά υλικά που ανταγωνίζονται επάξια τους ανόργανους ημιαγωγούς στις εφαρμογές σε ηλεκτρονικές διατάξεις όπως φωτοεκπομπές δίοδοι (LEDs), τρανζίστορ επίδρασης πεδίου (FETs), φωτοβολταϊκά στοιχεία (PVs), ηλιακά στοιχεία (solar cells), αισθητήρες (sensors), διατάξεις αποθήκευσης πληροφορίας (data storage devices) και μπαταρίες (batteries). Τα υλικά αυτά είναι εύκαμπτα, εύκολα επεξεργάσιμα, με χαμηλό κόστος παρασκευής και αξιόλογη χημική και θερμική σταθερότητα, ενώ οι ηλεκτρικές και οπτικές τους ιδιότητες τα καθιστούν ελκυστικά υλικά για εφαρμογή στη μικροηλεκτρονική. Σε αυτού του είδους τις εφαρμογές παίζουν σημαντικό ρόλο οι φυσικές και χημικές αλληλεπιδράσεις που συμβαίνουν στις διεπιφάνειες μεταξύ των ενεργών οργανικών υμενίων και των υλικών που χρησιμοποιούνται ως ηλεκτρόδια, καθώς επηρεάζουν τη συμπεριφορά των διατάξεων ως προς την αγωγή του ρεύματος και επομένως τη λειτουργία τους. Καθίσταται επομένως σαφές ότι η μελέτη της ηλεκτρονικής δομής των οργανικών υμενίων και των διεπιφανειών που αυτά σχηματίζουν με μέταλλα, ανόργανους, αλλά και οργανικούς ημιαγωγούς είναι απαραίτητη και καθοριστική για την κατανόηση του τρόπου λειτουργίας των ηλεκτρονικών διατάξεων και για την εύρεση τρόπων βελτίωσης της απόδοσής τους. Στην παρούσα εργασία έγινε η πρώτη πειραματική μελέτη με φασματοσκοπίες φωτοηλεκτρονίων από ακτίνες-Χ και υπεριώδη ακτινοβολία (XPS και UPS) της ηλεκτρονικής δομής μεταλλικών φθαλοκυανινών, νικελίου (NiPc) και κοβαλτίου (CoPc), και των διεπιφανειών που σχηματίζονται κατά την απόθεση, με θερμική εξάχνωση, του οργανικού αυτού υλικού πάνω σε διάφορα υποστρώματα, σε συνθήκες υπερυψηλού κενού. Αρχικά μελετήθηκαν υμένια NiPc πάνω σε φασματοσκοπικά καθαρή επιφάνεια φύλλου πολυκρυσταλλικού χρυσού (Au) και αργύρου (Ag). Η επιλογή των μετάλλων αυτών οφείλεται στην ευρεία εφαρμογή που έχουν ως ηλεκτρόδια ή υποστρώματα σε πολλές διατάξεις, όπως FETs και LEDs. Υμένια NiPc αποτέθηκαν επίσης πάνω σε οξείδιο ινδίου-κασσιτέρου (ITO), το οποίο αποτελεί υλικό ανόδου σε OLEDs εξαιτίας της υψηλής ηλεκτρικής αγωγιμότητας και της εξαιρετικής του διαπερατότητας στο ορατό, καθώς και σε κρύσταλλο Si(100) με σκοπό να διερευνηθεί αν η παρουσία NiPc ως επίστρωση στην επιφάνεια του πυριτίου μπορεί να βελτιώσει τη λειτουργία των ανόργανων ηλεκτρονικών διατάξεων όπως τα FETs. Τέλος, μελετήθηκε η αλληλεπίδραση μεταξύ NiPc και οργανικών υλικών όπως το PEDOT:PSS και το PEDOT:PTSA, που είναι μίγματα πολυμερών και τα οποία, σύμφωνα με τη βιβλιογραφία, διευκολύνουν την έγχυση οπών σε μια διάταξη. Η χρήση του PEDOT:PTSA έχει στόχο να αντικαταστήσει σε διάφορες εφαρμογές το PEDOT:PSS του οποίου η σύνθεση είναι αρκετά περίπλοκη. Επίσης, μελετήθηκαν οι διεπιφάνειες μεταξύ υμενίων φθαλοκυανίνης κοβαλτίου (CoPc) και υποστρωμάτων πολυκρυσταλλικού χρυσού και ITO, με σκοπό να διερευνηθεί η επίδραση του κεντρικού μεταλλικού στοιχείου του μορίου της φθαλοκυανίνης, στη συμπεριφορά και τις ιδιότητες των διεπιφανειών με αντίστοιχα υποστρώματα. Από τα πειραματικά αποτελέσματα (XPS και UPS), προσδιορίζονται οι μεταβολές των ενεργειακών ζωνών των οργανικών και ανόργανων ημιαγωγών, η δομή της ζώνης σθένους και η τιμή του έργου εξόδου όλων των υλικών που χρησιμοποιούνται, καθώς και η θέση του υψηλότερου κατειλημμένου μοριακού τροχιακού (Highest Occupied Molecular Orbital, HOMO) των οργανικών ημιαγωγών (NiPc, CoPc). Επίσης προσδιορίζονται η διεπιφανειακή διπολική ροπή (eD) και το φράγμα έγχυσης οπών (Φbh) στις σχηματιζόμενες διεπιφάνειες, μεγέθη τα οποία καθορίζουν και επηρεάζουν τη μεταφορά φορτίου μεταξύ των υλικών σε επαφή κατά τον σχηματισμό της διεπιφάνειας. Η μελέτη των παραπάνω διεπιφανειών έδειξε ότι καταλληλότερο ηλεκτρόδιο για την έγχυση οπών είναι το PEDOT:PSS, καθώς το ύψος του φράγματος έγχυσης οπών στη διεπιφάνεια με υμένιο NiPc προσδιορίστηκε ίσο με 0.5 eV και είναι χαμηλότερο από αυτό που δίνουν οι διεπιφάνειες με τα μέταλλα (~0.9 eV), το ITO (1.0 eV) αλλά και το PEDOT:PTSA (0.8 eV). Από τη μελέτη της διεπιφάνειας NiPc/Si προέκυψε ότι η επιφανειακή δομή του Si(100) πιθανόν να επηρεάζει την διάταξη των μορίων της NiPc, τα οποία στα πρώτα στάδια ενδεχομένως να αναπτύσσονται στρωματικά πάνω στο υπόστρωμα, με αποτέλεσμα τα χαρακτηριστικά του οργανικού υμενίου να σχηματίζονται πλήρως στις αρχικές αποθέσεις μέχρι τα ~2 μονοστρώματα (ML). Σε κανένα από τα υπό μελέτη συστήματα δεν παρατηρήθηκε χημική αντίδραση των οργανικών μορίων με το υπόστρωμα, ενώ διαπιστώθηκε αλληλεπίδραση μέσω μεταφοράς φορτίου με σκοπό την αποκατάσταση θερμοδυναμικής ισορροπίας στη διεπιφάνεια. Επίσης, όλα τα συστήματα αποκλίνουν από τον κανόνα Schottky-Mott. Στη διεπιφάνεια NiPc/PEDOT:PSS παρατηρείται πάγωμα του επιπέδου Fermi εντός του χάσματος της NiPc. Συγκρίνοντας τα αποτελέσματα για τις δύο μεταλλικές φθαλοκυανίνες, προκύπτει ότι η παρουσία υμενίων CoPc διευκολύνει την έγχυση οπών στην επαφή με το ΙΤΟ, δίνοντας χαμηλότερες τιμές Φbh από την αντίστοιχη διεπιφάνεια με υμένια NiPc, ενώ οι διεπιφάνειες των MePcs με τον χρυσό παρουσιάζουν παρόμοια συμπεριφορά. Τέλος, έγιναν ηλεκτρικές μετρήσεις σε διατάξεις τύπου ΟFET με παχύτερα υμένια NiPc και CoPc, τα οποία παρασκευάστηκαν με εξάχνωση πάνω σε υπόστρωμα SiO2/Si αλλά και με τα παράγωγά τους με υποκαταστάτες θειϊκές ομάδες (SO3Na), τα οποία παρασκευάστηκαν από διάλυμα με τη μέθοδο της εναπόθεσης με σταγόνα (drop-casting) ή με περιστροφή (spin-coating). Οι διατάξεις ΟFET που προέκυψαν και ιδιαίτερα αυτές των σουλφονωμένων φθαλοκυανινών νικελίου, παρουσιάζουν ικανοποιητικές ευκινησίες. Τα κύρια ηλεκτρικά χαρακτηριστικά που προκύπτουν είναι ικανοποιητικά για το είδος των εφαρμογών για τις οποίες προορίζονται τα υλικά αυτά. / Recently, there is a great interest in the application of organic semiconductor thin films as active layers in electronic devices, in order to improve their efficiency and reduce the cost of their preparation. The family of Phthalocyanines (Pcs) present some of the most promising materials that can be compared to the conventional inorganic semiconductors for application in electronic devices, such as light emitting diodes (LEDs), field effect transistors (FETs), photovoltaic cells (PVs), solar cells, gas-sensors, data storage devices and batteries. The Pcs possess beneficial properties, such as quite high conductivity, thermal and chemical stability, compatibility with plastic substrates and low cost of deposition processes and are already used in gas sensor technology and in electronic devices. In this kind of devices, the properties of the interface between the active organic layer and the materials used as electrodes (metals, inorganic and organic semiconductors) affect the device performance therefore, it is important that they be determined. The present work, concerns the first experimental study by X-Ray and UV Photoelectron Spectroscopies (XPS, UPS), of the electronic structure of the interfaces formed upon evaporating, under UHV conditions, thin films of metal phthalocyanines (MePcs), such as Nickel (NiPc) and Cobalt (CoPc), on substrates with different chemical and physical properties. The choice of the substrates depends on the materials that are applied as electrodes and substrates in conventional electronic devices. Thin films of NiPc were deposited on the clean surface of metals with different work function values (polycrystalline gold and silver foils), on Indium-Tin Oxide (ITO) coated-glass substrate, a common electrode in OLEDS due to its excellent transparency in the visible, and on a silicon wafer (Si(100) n-type) used in FET structures. Also, the interaction of NiPc with organic substrates, such as PEDOT:PSS and PEDOT:PTSA which are polymer mixtures, is investigated. It has been reported that when PEDOT:PSS is applied at the anode of a device it enhances the injection of positive charge carriers. The PEDOT:PTSA substrate is investigated in order to decide whether it can replace PEDOT:PSS in several applications, as its synthesis is simpler than that of PEDOT:PSS. Also, the interfaces formed between CoPc and polycrystalline Au foil, as well as ITO, were studied by XPS and UPS and compared with the corresponding NiPc layers, in order to determine the role of the central metal atom of the metal phthalocyanine molecule in the properties of the interface. The experimental results (XPS and UPS) provide information about the valence band structure and the work function of the materials, the position of the highest occupied molecular orbital (HOMO) of the organic semiconductor (NiPc, CoPc) and the possible shifts of the energy levels of the materials. Furthermore, factors which affect and specify the charge transfer and the carrier mobility across the interface, such as the interfacial dipole (eD) and the barrier for the injection of holes (Φbh), can be determined. The results showed that the most appropriate material for the injection of holes is PEDOT:PSS, as the Φbh at the interface with NiPc was determined equal to 0.5 eV, significantly lower than that in the case of metals (0.9 eV), ITO (1.0 eV), as well as PEDOT:PTSA (0.8 eV). The study of the NiPc/Si(100) interface showed that the structure of the Si surface might affect the arrangement of the NiPc molecules, which could lay with their molecular plane parallel to the substrate, as evidenced by the fact the characteristics of the NiPc layer are fully developed at the early steps of deposition up to ~2 monolayers. No chemical interaction was observed in any of the studied systems, while in all cases charge transfer occurs in order to achieve thermodynamic equilibration. All the interfaces divert from the Schottky-Mott rule. In the case of the NiPc/PEDOT:PSS interface, a pinning of the Fermi level at the energy gap of NiPc occurs. Comparing the results for the interfaces formed between NiPc and CoPc with polycrystalline Au foil and ITO, it is found that in the case of Au the results are similar, while in the case of ITO substrate the presence of the CoPc layer leads to lower Φbh compared to NiPc layers, which would facilitate the mobility of positive carriers injected from the anode of a device. Finally, electrical measurements were performed on OFET structures using thicker NiPc and CoPc films, prepared by thermal evaporation on SiO2/Si substrates, as well as the same MePcs substituted with SO3Na groups, which were prepared from solution by drop-casting or spin-coating. All studied OFET structures and especially those of the sulfonated MePcs showed quite promising results for such type of applications.

Les nanotubes de carbone forment une structure quasi-unidimensionnelle de diamètre nanométrique, dont les propriétés mécaniques et électroniques, en particulier leur remarquable conductivité électrique, présentent un grand potentiel pour la conception de dispositifs électroniques. Les nanotubes fonctionnalisés, c’est-à-dire dont la paroi a été chimiquement modifiée, présentent aussi un intérêt majeur pour leur mise en œuvre facilitée et pour la formation d’une interface active entre le nanotube et l’environnement, cette dernière étant essentielle pour la conception de nanocapteurs chimiques et biologiques. La présente thèse porte sur l’étude des mécanismes gouvernant le transport électrique dans les nanotubes de carbone et leurs dérivés fonctionnalisés. Les travaux, de nature expérimentale, ont été réalisés sur des dispositifs électroniques constitués d’un nanotube individuel monoparoi ou biparoi, additionné de groupes fonctionnels au besoin. En première partie, on s’intéresse à l’effet de la dimensionnalité sur les mécanismes d’injection des porteurs de charge au niveau des contacts électriques avec le nanotube. En seconde partie, on étudie l’effet de la fonctionnalisation covalente sur les propriétés de transport électrique des nanotubes, et on montre notamment que l’impact de l’addition des greffons varie fortement selon leur valence et qu’il est possible d’obtenir des nanotubes fonctionnalisés avec une bonne conductance. En troisième partie, on explore les phénomènes de saturation du courant et de claquage électrique survenant à haut voltage. Enfin, on discute de l’impact des résultats obtenus sur l’avancement de la compréhension des mécanismes de transport électrique dans les systèmes hautement confinés, ainsi que des perspectives fondamentales et technologiques ouvertes par ces travaux. / Carbon nanotubes are highly promising for building electronic devices because of their quasi-unidimensional nanometer-sized geometry, and their mechanical and electronic properties, including their remarkable electrical conductance. Their functionalized derivatives, in which the nanotube sidewall is chemically modified, are also interesting for their better processability and for creating a chemically active interface between the nanotube and the environment, which is essential for applications such as nanosensors or biosensors. In this thesis, we study the mechanisms governing electrical transport in carbon nanotubes and their functional derivatives. Our experimental work was performed on electronic devices made of individual single-walled or double-walled carbon nanotubes, with or without functional adducts. In the first part, we focus on the effect of reduced dimensionality on the physics of charge injection at electrical contacts. In the second part, we study the effect of covalent functionalization on carbon nanotubes electrical transport properties. We show that the impact of chemical addition is strongly dependent on graft valence, and that it is possible to produce covalently functionalized carbon nanotube devices with excellent electrical conductance. In the third part, we explore current saturation and electrical breakdown phenomena occurring at high bias. Finally, the impact of our results on the global understanding of electrical transport in highly confined systems is discussed, along with fundamental and technological perspectives unveiled by our work.

Les nanotubes de carbone forment une structure quasi-unidimensionnelle de diamètre nanométrique, dont les propriétés mécaniques et électroniques, en particulier leur remarquable conductivité électrique, présentent un grand potentiel pour la conception de dispositifs électroniques. Les nanotubes fonctionnalisés, c’est-à-dire dont la paroi a été chimiquement modifiée, présentent aussi un intérêt majeur pour leur mise en œuvre facilitée et pour la formation d’une interface active entre le nanotube et l’environnement, cette dernière étant essentielle pour la conception de nanocapteurs chimiques et biologiques. La présente thèse porte sur l’étude des mécanismes gouvernant le transport électrique dans les nanotubes de carbone et leurs dérivés fonctionnalisés. Les travaux, de nature expérimentale, ont été réalisés sur des dispositifs électroniques constitués d’un nanotube individuel monoparoi ou biparoi, additionné de groupes fonctionnels au besoin. En première partie, on s’intéresse à l’effet de la dimensionnalité sur les mécanismes d’injection des porteurs de charge au niveau des contacts électriques avec le nanotube. En seconde partie, on étudie l’effet de la fonctionnalisation covalente sur les propriétés de transport électrique des nanotubes, et on montre notamment que l’impact de l’addition des greffons varie fortement selon leur valence et qu’il est possible d’obtenir des nanotubes fonctionnalisés avec une bonne conductance. En troisième partie, on explore les phénomènes de saturation du courant et de claquage électrique survenant à haut voltage. Enfin, on discute de l’impact des résultats obtenus sur l’avancement de la compréhension des mécanismes de transport électrique dans les systèmes hautement confinés, ainsi que des perspectives fondamentales et technologiques ouvertes par ces travaux. / Carbon nanotubes are highly promising for building electronic devices because of their quasi-unidimensional nanometer-sized geometry, and their mechanical and electronic properties, including their remarkable electrical conductance. Their functionalized derivatives, in which the nanotube sidewall is chemically modified, are also interesting for their better processability and for creating a chemically active interface between the nanotube and the environment, which is essential for applications such as nanosensors or biosensors. In this thesis, we study the mechanisms governing electrical transport in carbon nanotubes and their functional derivatives. Our experimental work was performed on electronic devices made of individual single-walled or double-walled carbon nanotubes, with or without functional adducts. In the first part, we focus on the effect of reduced dimensionality on the physics of charge injection at electrical contacts. In the second part, we study the effect of covalent functionalization on carbon nanotubes electrical transport properties. We show that the impact of chemical addition is strongly dependent on graft valence, and that it is possible to produce covalently functionalized carbon nanotube devices with excellent electrical conductance. In the third part, we explore current saturation and electrical breakdown phenomena occurring at high bias. Finally, the impact of our results on the global understanding of electrical transport in highly confined systems is discussed, along with fundamental and technological perspectives unveiled by our work.

Carrier, spin, charge current, and spin current injection by one- and two-color optical schemes are investigated within 30-band k·p theory. Parameters of the band model are optimized to give full-Brillouin zone band structures for GaAs and Ge that give accurate Γ-point effective masses and gyromagnetic factors and give access to the L valley, and to the E₁ and E₁+Δ₁ critical points in the linear optical absorption. Calculations of one- and two-photon carrier and spin injection and two-color current injection are performed for excitation energies in the range of 0—4 eV in GaAs and 0—3.5 eV in Ge. Significant spin and spin current injection occurs with 30% spin polarization in GaAs and Ge at photon energy matching the E₁ critical point. Further, the anisotropy and disparity of the current injection between parallel and perpendicular linearly-polarized beam configurations are calculated. For light propagating along a <111> crystal axis, anisotropic contributions in coherent current control and two-photon spin injection give rise to normal current components and in-plane spin components. In Ge, contributions from the holes to spin, electrical current, and spin current injection are investigated. Optical orientation results in 83% spin-polarized holes at the band edge. The effects of carrier dynamics in Ge are treated within a rate-equation model. The detection of spin dynamics in a pump-probe setup is considered, and the Fermi-factor approach is justified for electrons but not for holes. Carrier and current injection are further investigated in single-layer and bilayer graphene within the tight-binding model. In single-layer graphene, the linear-circular dichroism in two-photon absorption yields an absorption coefficient that is twice as large for circularly polarized light compared to linearly polarized light. Coherent current injection is largest for co-circularly polarized beams and zero for cross-circularly polarized beams. For linearly polarized beams, the magnitude of the injected current is independent of beam polarizations. In contrast, the injected current in bilayer graphene shows disparity between parallel and perpendicular configurations of the beams. The resulting angular dependence of the current is a macroscopic, measurable consequence of interlayer coupling in the bilayer.

Carrier, spin, charge current, and spin current injection by one- and two-color optical schemes are investigated within 30-band k·p theory. Parameters of the band model are optimized to give full-Brillouin zone band structures for GaAs and Ge that give accurate Γ-point effective masses and gyromagnetic factors and give access to the L valley, and to the E₁ and E₁+Δ₁ critical points in the linear optical absorption. Calculations of one- and two-photon carrier and spin injection and two-color current injection are performed for excitation energies in the range of 0—4 eV in GaAs and 0—3.5 eV in Ge. Significant spin and spin current injection occurs with 30% spin polarization in GaAs and Ge at photon energy matching the E₁ critical point. Further, the anisotropy and disparity of the current injection between parallel and perpendicular linearly-polarized beam configurations are calculated. For light propagating along a <111> crystal axis, anisotropic contributions in coherent current control and two-photon spin injection give rise to normal current components and in-plane spin components. In Ge, contributions from the holes to spin, electrical current, and spin current injection are investigated. Optical orientation results in 83% spin-polarized holes at the band edge. The effects of carrier dynamics in Ge are treated within a rate-equation model. The detection of spin dynamics in a pump-probe setup is considered, and the Fermi-factor approach is justified for electrons but not for holes. Carrier and current injection are further investigated in single-layer and bilayer graphene within the tight-binding model. In single-layer graphene, the linear-circular dichroism in two-photon absorption yields an absorption coefficient that is twice as large for circularly polarized light compared to linearly polarized light. Coherent current injection is largest for co-circularly polarized beams and zero for cross-circularly polarized beams. For linearly polarized beams, the magnitude of the injected current is independent of beam polarizations. In contrast, the injected current in bilayer graphene shows disparity between parallel and perpendicular configurations of the beams. The resulting angular dependence of the current is a macroscopic, measurable consequence of interlayer coupling in the bilayer.

Frontend and backend wearout mechanisms are major reliability concerns for modern microprocessors. In this research, a framework which contains modules for negative bias temperature instability (NBTI), positive bias temperature instability (PBTI), hot carrier injection (HCI), gate-oxide breakdown (GOBD), backend time-dependent dielectric breakdown (BTDDB), electromigration (EM), and stress-induced voiding (SIV) is proposed to analyze the impact of each wearout mechanism on state-of-art microprocessors and to accurately estimate microprocessor lifetimes due to each wearout mechanism. Taking into account the detailed thermal profiles, electrical stress profiles and a variety of use scenarios, composed of a fraction of time in operation, a fraction of time in standby, and a fraction of time when the system is off, this work provides insight into lifetime-limiting wearout mechanisms, along with the reliability-critical microprocessor functional units for a system. This enables circuit designers to know if their designs will achieve an adequate lifetime and further make any updates in the designs to enhance reliability prior to committing the designs to manufacture.

Avec la tendance continue vers la technologie nanométrique et l'augmentation des fonctions complexes intègres dans les électroniques systèmes embarqués, Assurant la compatibilité électromagnétique (CEM) des systèmes électroniques est un grand défi. CEM est devenu une cause majeure de redesign des Circuits intègres (CI). D’ailleurs, les performances des circuits pourraient être affectés par les mécanismes de dégradation tels que hot carrier injection (HCI), negative bias temperature instability (NBTI), gate oxide breakdown, qui sont accélérés par les conditions d'exploitation extrême (haute / basse température, surcharge électrique, le rayonnement). Ce vieillissement naturel peut donc affecter les performances CEM des circuits intégrés.Les travaux développés dans notre laboratoire vise à clarifier le lien entre les dégradations induites par le vieillissement et les dérives CEM, de développer les modèles de prédiction et de proposer des "insensibles au cours du temps" structures pour CEM protection, afin de fournir des méthodes et des guidelines aux concepteurs d'équipements et CI pour garantir la CEM au cours de durée de vie de leurs applications. Ce sujet de recherche est encore sous-exploré en tant que communautés de recherche sur la «fiabilité IC» et «compatibilité électromagnétique IC» n’a souvent pas de chevauchement.Ce manuscrit de thèse introduit une méthode pour quantifier l'effet du vieillissement sur les CEM des circuits intégrés par la mesure et la simulation. Le premier chapitre donne un aperçu du contexte général et le deuxième chapitre est dédié a l’état de l'art de CEM des circuits intégrés et de problèmes de fiabilité IC. Les résultats expérimentaux de circuits CEM évolution sont présentés dans le troisième chapitre. Ensuite, le quatrième chapitre est consacré à la caractérisation et la modélisation des mécanismes de dégradation du CI. Un EMR modèle qui inclut l'élément le vieillissement pour prédire la dérive du niveau CEM de notre puce de test après stress est proposé / With the continuous trend towards nanoscale technology and increased integration of complex electronic functions in embedded systems, ensuring the electromagnetic compatibility (EMC) of electronic systems is a great challenge. EMC has become a major cause of IC redesign. Meanwhile, ICs performance could be affected by the degradation mechanisms such as hot carrier injection (HCI), negative bias temperature instability(NBTI), gate oxide breakdown, which are accelerated by the harsh operation conditions (high/low temperature, electrical overstress, radiation). This natural aging can thus affect EMC performances of ICs. The work developed in our laboratory aims at clarifying the link between ageing induced IC degradations and related EMC drifts, developing prediction models and proposing “time insensitive” EMC protection structures, in order to provide methods and guidelines to IC and equipment designers to ensure EMC during lifetime of their applications. This research topic is still under-explored as research communities on “IC reliability” and “IC electromagnetic compatibility” has often no overlap. The PhD manuscript introduced a methodology to quantify the effect of ageing on EMC of ICs by measurement and simulation. The first chapter gives an overview of the general context and the second chapter states the EMC of ICs state of the art and IC reliability issues. The experimental results of ICs EMC evolution are presented in the third chapter. Then, the fourth chapter is dedicated to the characterization and modeling IC degradation mechanism. An EMR model which includes the ageing element to predict our test chip’s EMC level drift after stress is proposed