Amostras de antimoneto de cobalto, preparadas pela fusão de quantidades estequi- ométricas de Co e Sb, foram submetidas a diferentes condições de pressão, temperatura e tempo com objetivo de maximizar a produção de uma fase de alta pressão previamente ob- servada em experimentos com uma câmara de bigornas de diamantes. A partir dos dados de difração de raios X (convencional e síncrotron), refinamentos Rietveld foram realizados para determinar a composição de fases e os parâmetros estruturais. O maior rendimento foi obtido a 7,7 GPa, 550 ◦C e, ao menos, 5 min de processamento (89(2)% em massa da fase de SbxCoSb3−x).O método de maximização da entropia foi utilizado para obtenção de mapas de densidade eletrônica da fase SbxCoSb3−x à temperatura ambiente e a 155 ◦C. Os resultados revelaram uma distribuição de carga com um conjunto de seis máximos fora do centro da cavidade em condições ambiente, compatível com o sítio 12d do grupo espacial de simetria Im3. A 155 ◦C a distribuição da densidade de carga associada ao átomo inserido na cavidade está uniformemente distribuída por cerca de 0,5 Å a partir do centro da cavidade (sítio 2a), ao longo de seis direções equivalentes. O pico endotérmico observado em resul- tados de calorimetria exploratória de varredura a 145 ◦C foi atribuido à transição reversível da espécie hóspede, do sítio 12d para o sítio 2a. A carga total dentro da cavidade, obtida a partir da análise de Bader, foi de aproximadamente 50,6e. Isto confirma a hipótese original de que são átomos de Sb que se encontram dentro da cavidade do antimoneto de cobalto. Contudo, o mecanismo de formação da fase SbxCoSb3−x em alta pressão e alta temperatura é diferente daquele nos experimentos com a câmara de bigornas de diamantes. Nas amostras processadas a 7,7 GPa e 550 ◦C são encontradas as fases Sb0,20CoSb2,80, CoSb2,79 e CoSb2, sendo que a primeira é formada pela inserção de Sb resultante da decomposição do antimo- neto de cobalto. A condutividade térmica e o coeficiente Seebeck foram medidos para esta amostra e, usando modelos para materiais compósitos, as propriedades termoelétricas foram estimadas para as fases CoSb2,79 e Sb0,20CoSb2,80. A condutividade térmica do CoSb2,79 e Sb0,20CoSb2,80 é igual a 1,5 W·m−1· ◦C−1 e 1,4 W·m−1· ◦C−1, respectivamente, à tempe- ratura ambiente. De acordo com os resultados obtidos para o coeficiente Seebeck, as fases CoSb2,79 e Sb0,20CoSb2,80 apresentam comportamento semicondutor tipo n. A figura de mé- rito termoelétrico do Sb0,20CoSb2,80 é cerca de 33% maior que a do CoSb2,79 à temperatura ambiente. / Cobalt antimonide samples, prepared by melting stoichiometric quantities of Co and Sb, were submitted to different conditions of pressure, temperature and time, aiming to maximize the production of the high pressure phase previously observed in experiments with a diamond anvil cell. From x-ray powder diffraction data (both conventional and syn- chrotron), Rietveld refinements were performed to determine the phase composition and structural parameters. The maximum yield was obtained at 7.7 GPa, 550 ◦C and, at least, 5 min of processing (89(2)wt.% of SbxCoSb3−x phase). The maximum-entropy method was used to obtain electronic charge density maps for SbxCoSb3−x at room temperature and at 155 ◦C. The results revealed a charge distribution with a set of six maxima off the center of the cage at ambient conditions, compatible with 12d site of Im3 space group. At 155 ◦C the charge density distribution associated to the guest atom is evenly spread over about 0.5 Å from the center of the cage (2a site), along six equivalent directions. The endothermic peak previously observed in differential scanning calorimetry analysis at 145 ◦C was thus attribu- ted to the reversible transition guest species, 12d site to 2a site. The total charge inside the cage, obtained from Bader’s analysis, was approximately 50,6e. This confirms the original hypothesis that Sb atoms occupy the cages of the cobalt antimonide. However, the forma- tion mechanism of the SbxCoSb3−x phase at high pressure and high temperature is different from that in the experiments with the diamond anvil cell. Indeed, in samples processed at 7.7 GPa and 550 ◦C we observe the presence of Sb0.20CoSb2.80, CoSb2.79 and CoSb2 phases, end evidences suggest that the former is formed by insertion of Sb resulting from decompo- sition of cobalt antimonide. Thermal conductivity and Seebeck coefficient were measured for this sample and, using models for composite materials, the thermoelectric properties were estimated for CoSb2.79 and Sb0.20CoSb2.80 phases. Thermal conductivity of CoSb2.79 and Sb0.20CoSb2.80 is 1.5 W·m−1· ◦C−1 and 1.4 W·m−1· ◦C−1, respectively, at room tem- perature. According to the results obtained for the Seebeck coefficient, the CoSb2.79 and Sb0.20CoSb2.80 phases exhibit n-type semiconducting behavior. The thermoelectric figure of merit for Sb0.20CoSb2.80 is about 33% greater than that for CoSb2.79 at room temperature.

Discute-se os resultados experimentais de resistividade elétrica de ligas de Heusler, B2 e C1b. Obtém-se sistemáticas comuns ás várias ligas em temperaturas altas e intermediárias e faz-se a sua interpretação. Evidencia-se o surgimento de um espelhamento magnético somente acima de 20 K em algumas ligas, enquanto que outras ligas apresentam resistividades em baixas temperaturas que ainda fogem à interpretação precisa. Pela primeira vez são apresentados resulados de ESCA em ligas de Heusler. / Experimental electrical resistivity results in Heusler, B2 and C1b are discussed. The systematics common to the various alloys can be explained in the intermediate and high temperature range. Some alloys show magnetic scattering only above 20 K, while other alloys still present interpretation difficulties in the low temperature range. ESCA results are presented for the first time in Heusler alloys.

Made available in DSpace on 2014-06-11T19:25:35Z (GMT). No. of bitstreams: 0 Previous issue date: 2002-11-29Bitstream added on 2014-06-13T20:33:19Z : No. of bitstreams: 1 leite_dr_me_araiq.pdf: 1062321 bytes, checksum: 11dd1388d9d38f07bddc258ae780e508 (MD5) / Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP) / A influência do Cr na condutividade elétrica e propriedades microestruturais de cerâmicas à base de SnO2-Mn-Nb foi investigada. Também foi estudada a influência do método de preparação nas características dos pós precursores cerâmicos e nas propriedades e características das cerâmicas resultantes. Sistemas SnO2-Mn-Nb com concentrações variadas de Cr foram preparados pelo método convencional de mistura de óxidos e pelo método Pechini (rota orgânica). Foram utilizadas medidas de área superficial (método BET), difração de raios X, espectroscopia vibracional no infravermelho e microscopia eletrônica de varredura a fim de caracterizar os pós preparados. Análises de condutividade elétrica e impedância complexa confirmaram uma diminuição da condutividade em função do aumento da concentração de Cr também relacionado a esta segregação que limita a passagem de corrente pelo contorno de grão. Os sistemas preparados pelo método Pechini mostraram-se mais resistivos nas curvas I-V em relação aos sistemas preparados por mistura de óxidos. A adição de Cr levou a uma diminuição do coeficiente de não-linearidade uma vez que o Cr parece segregar no contorno de grão, diminuindo o tamanho de grão, levando a uma microestrutura porosa e conseqüentemente degradando as propriedades varistoras dos sistemas. / The influence of Cr in the electrical conductivity and in microstuctural properties of SnO2-based ceramics was studied. In addition, the influence of preparation method in the characteristics of ceramics precursor powders and in the characteristics and properties of the resultant ceramics was investigated. SnO2-Mn-Nb systems with varied Cr concentration were prepared by the conventional method of mixture of oxides and by Pechini method (organic route). Surface area measurements (BET method), X-ray diffraction, infrared spectroscopy and scanning electronic microscopy were utilized to characterize the prepared powders. Analysis of electrical conductivity and complex impedance confirm a decrease of conductivity as a function of the increase of Cr concentration also related to this segregation that limits the current passage by the grain boundary. The systems prepared by Pechini method turned out to be more resistive in the I-V curves than systems prepared by mixture of oxides. The Cr addition led to a decrease of non-linear coefficient since the Cr seem to segregate on grain boundary, decreasing the grain size, leading to a porous microstructure and, consequently, degraded of varistors properties of systems.

Made available in DSpace on 2016-06-02T20:15:19Z (GMT). No. of bitstreams: 1 2279.pdf: 5355843 bytes, checksum: 5509e9a3eed14a9111bbc32b09b09896 (MD5) Previous issue date: 2009-01-28 / Financiadora de Estudos e Projetos / In disordered systems the pinning strength on the carriers due to impurities or defects is one of the most important mechanisms that produce insulator behavior. A transition to a metal phase should occur if a driving field is applied to the system. In the last three decades, such transition in two-dimensional systems has attracted much attention in light of the fascinating experimental observations. However, the physics behind these observations is at the moment not entirely understood. Experiments relating nonlinear behavior of the conductivity and the dynamical response in such systems in the presence of disorder have motivated several theoretical proposals and numerical calculations in order to establish a better understanding of these phenomena. In this work we have studied, by means of Langevin molecular dynamics simulation, a classical two-dimensional system of electrons on liquid helium films adsorbed on a solid substrate subject to an external electric field parallel to the surface of the helium, which produces a driving force. This system is an ideal prototype for the two-dimensional electron gas formed on semiconductor heterostructures. Also, electrons floating on a liquid helium surface have been one of the most promising candidates as a base for quantum computing. To simulate a pinning center we constrain our system by imposing an in-plane potential with lorentzian shape. Firstly, we analyze the influence of the film thickness and the kind of substrate on the drift electron velocity as a function of the external driven force, which is directly related with the dc conductivity. Secondly, the dependence with temperature and disorder strength of the depinning was considered in the extent of the scaling behavior. Our results are in excellent agreement with several experiments and should elucidate better the dynamical response phenomena in 2D electronic systems in the presence of pinning disorder. / Em sistemas desordenados, a intensidade do ancoramento sobre os portadores devido às impurezas ou defeitos é um dos mecanismos principais no aparecimento do comportamento isolante. Uma transição para um estado metálico deve ocorrer se um campo de arrasto externo for aplicado ao sistema. Nas últimas três décadas, tal transição em sistemas bidimensionais (2D) tem despertado muito interesse diante de fascinantes observações experimentais. Entretanto, a Física por trás de tais observações não está, até o momento, completamente entendida. Experimentos relatando comportamento não linear da condutividade e a resposta dinâmica de tais sistemas na presença de desordem motivaram várias abordagens teóricas e cálculos numéricos na busca por uma melhor compreensão destes fenômenos. Neste trabalho, estudamos, usando simulação por Dinâmica Molecular de Langevin, um sistema clássico 2D de elétrons sobre filmes de hélio líquido adsorvidos sobre um substrato sólido e submetido a um campo elétrico externo paralelo à superfície do hélio, o qual produz uma força de arrasto. Este sistema é um protótipo ideal para o gás de elétrons 2D formado em heteroestruturas semicondutoras. Além disso, elétrons sobre a superfície de hélio líquido têm sido um dos candidatos mais promissores como base para o computador quântico. Para simular um centro de ancoramento, o sistema é colocado na presença de uma barreira de potencial na forma de uma lorentziana. Em primeiro lugar, analisamos a influência da espessura do filme e do tipo do substrato na velocidade de arrasto dos elétrons como função da força externa, que está diretamente relacionada com a condutividade dc. Em segundo lugar, a dependência do desancoramento com a temperatura e intensidade da desordem foi considerada no âmbito do comportamento de escala. Nossos resultados estão em excelente acordo com vários experimentos e podem esclarecer melhor o fenômeno da resposta dinâmica em sistemas eletrônicos 2D na presença de desordem de ancoramento.

Made available in DSpace on 2016-06-02T20:36:09Z (GMT). No. of bitstreams: 1 DissRGV.pdf: 2375377 bytes, checksum: 96cd7d2fee32c839f7f7b6bf37717948 (MD5) Previous issue date: 2006-08-01 / In this work was done a review of the data published in inorganic chemistry journals (Inorganic Chemistry and Inorganica Chimica Acta in the years 1973-2005 and 1983-2005, respectively) on values of measurements of conductivity of coordination compounds in organic solvents and water. The main objective of the work was up to date the data collect by GEARY in his paper The use of conductivity measurements in organic solvents for the characterization of coordination compounds published in the journal in 1971 . The data of the conductivity of the complexes were listed o a table according to the solvent used for the measurements in the respective electrolyte and the final propose of the work was to establish a range of conductivity for each type of electrolyte. / No presente trabalho foi feita uma revisão dos dados publicados em periódicos de química inorgânica (Inorganic Chemistry and Inorganic Chimica Acta nos anos 1973-2005 e 1983-2005. respectivamente) sobre valores de medidas de condutividade de compostos de coordenação em solventes orgânicos e água. O trabalho teve como objetivo principal atualizar os dados coletados por GEARY, em seu artigo The use of conductivity measurements in organic solvents for the characterisation of coordination compounds publicado no periódico de 1971. Os valores de condutividade dos complexos foram tabelados de acordo com o solvente utilizado na medida dos respectivos eletrólitos, sendo que o propósito final do trabalho foi estabelecer uma faixa de condutividade para cada tipo de eletrólito.

A resistividade elétrica de ligas CoFe, onde a concen tração de ferro varia de 0 a 10 at%, foi medida no intervalo de temperatura entre 4°K e 300°K. Os resultados permitiram separar as ligas em diluídas e concentradas. Para as ligas diluídas interpretou-se os desvios da regra de Matthiessen em termos de um modelo de condução por duas bandas acopladas. Nas amostras concentradas, os efeitos de transições de fase estruturais tornam a resistividade elétrica em função complicada da temperatura e da concentração. / The electric resistivity measurements on CoFe alloys have been performed as a function of temperature in the interval 4 < T < 300°K, and iron concentration 0 < c < 10 at%. The deviations from Matthiessen's rule for up to 4 at% Fe was possible to interpret in terras of a coupled two band conduction model. The electric resistivity of the high iron concentration alloys (c > 4 at% Fe) has been proved to be an involved function of the temperature and concentration, due to phase transition effects.

Neste trabalho estudamos o problema da condução utilizando o modelo das duas correntes de elétrons de spins opostos, incluindo efeitos de espalhamento com inversão de spin. Em particular, discutimos teoricamente a contribuição de espalhamnetos elétron-magnon à parte da resistividade elétrica que depende da temperatura, em metais e ligas magnéticas, no limite de baixas temperaturas. / In this work we study the conductivity problem by spin up and spin down eléctron currents, taking spin-flip process into account. In particular we discuss theoretically the low temperature contribution to the temperature-dependent part of the electrical resistivity from electron-magnon scattering in magnetic metals and dilute alloys.

O presente trabalho consiste da realização de um estudo experimental sobre os efeitos das substituições químicas na irreversibilidade magnética e na magnetocondutividade do supercondutor YBa2Cu3O7-δ. Para tanto, o comportamento da linha de irreversibilidade magnética (LIM) bem como dos regimes de flutuações na magnetocondutividade foram pesquisados em amostras policristalinas e moncristalinas de YBa2-xSrxCu3O7-δ (x = 0, 0.1, 0.25, 0.37 e 0.5) e YBa2Cu2.97D0.03O7-δ (D = Zn ou Mg). Além de reduzir drasticamente o valor da temperatura crítica de transição, Tc, os dopantes introduzem um caráter granular nos monocristais. No monocristal puro, o comportamento da LIM é descrito pela lei de potências prevista pelo modelo de "flux creep" gigante para dinâmica de fluxo de Abrikosov convencional. Por outro lado, o comportamento da LIM para as amostras supercondutoras granulares apresenta características própias bastante relevantes. Os dados do limite de irreversibilidade, Tirr(H) seguem a lei de potência ditada pelas teorias de "flux creep" somente em altos campos magnéticos.Na região de baixos campos magnéticos, dois diferentes regimes de dinâmica de fluxo surgem: Nos campos magnéticos mais baixos que 1 kOe, os dados de Tirr(H) seguem uma lei de potência do tipo de Almeida-Thouleess (AT). Perto de 1 kOe, ocorre um "crossover" e em campos magnéticos intermediários passa a ter seu comportamento descrito por uma lei de potências do tipo Gabay-Toulouse (GT). A ocorrência de um comportamento AT-GT na LIM é a assinatura de um sistema frustrado onde a dinâmica de fluxo intergranular ou de Josephson é dominante. Na ausência de teorias específicas para este comportamento em baixos campos, descrevemos o comportamento da LIM de nossos supercondutores granulares, na região de baixo campo, em analogia aos sistemas vidros de spin. No entanto, o comportamento de Tirr(H) na região de altos campos, ocorre de acordo com a teoria de "flux creep" gigante. Particularmente, para valores acima de 20 kOe, a LIM nos monocristais de YBa2-xSrxCu3O7-δ para H // ab, exibe fortes propriedades direcionais para a orientação de H próximo aos planos de maclas (PMCs). Este comportamento é do tipo "cusp", similar ao observado em supercondutores com defeitos colunares, o qual caracteriza uma fase vidro de Bose. Por outro lado, a magnetoresistividade elétrica revela que a transição resistiva dos supercondutores granulares ocorre em duas etapas. Quando a temperatura é decrescida, inicialmente ocorre a transição de pareamento no interior dos grãos. Em temperaturas inferiores, na proximidade do estado de resistência nula, ocorre a transição de coerência, observada pela primeira vez num monocristal. Na transição de coerência, o parâmetro de ordem adquire ordem de longo alcance. Na região de temperaturas imediatamente acima de Tc, nossos resultados de flutuações na magnetocondutividade revelam a ocorrência de regimes críticos e Gaussianos. Abaixo de Tc, na região paracoerente, que antecede à transição de coerência, observaram-se regimes críticos cujo expoente é consistente com o esperado para o modelo 3D-XY com desordem relevante e dinâmica do tipo vidro de spin.

Made available in DSpace on 2014-06-11T19:28:27Z (GMT). No. of bitstreams: 0 Previous issue date: 2009-07-23Bitstream added on 2014-06-13T18:57:40Z : No. of bitstreams: 1 magalhaes_sc_me_jabo.pdf: 624079 bytes, checksum: 37a746a1dac768fd2d8f6dcc974b9b8d (MD5) / Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq) / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES) / A maioria dos métodos utilizados para estimar o vigor de amostras de sementes são qualitativos, portanto sujeito a erros do avaliador e de interpretação dos resultados. Metodologias quantitativas podem constituir alternativas mais confiáveis. Este trabalho teve como objetivo verificar se os níveis de alguns minerais armazenados nas sementes e disponibilizados durante etapas iniciais do processo de germinação constituem indicadores sensíveis e confiáveis do nível de vigor de sementes de milho. Vinte lotes de milho foram avaliados pelos testes de germinação, de condutividade elétrica, frio e de emergência da plântula. Após 12 h, 24 h, 36 h e 48 h do início da germinação, foram avaliados também as concentrações de fósforo inorgânico (Pi), fósforo, cálcio, potássio e magnésio por meio das técnicas de análise de injeção em fluxo (FIA) e de espectrometria de emissão ótica acoplada a plasma de argônio induzido (ICP-OES). Para estas análises, os minerais foram extraídos de amostras moídas com água a 95ºC, agitadas por 30 minutos e centrifugadas. Concluiu-se que as concentrações de Pi, P, Ca, Mg e K, extraídos pelo método da água aquecida, em sementes de milho híbrido após determinados períodos de germinação, permitiram agrupar amostras de lotes de sementes de forma idêntica à permitida pelos resultados obtidos com vários testes utilizados para avaliar o nível de vigor de amostras de sementes. Nesse trabalho isso foi verificado pelas avaliações dos níveis de Pi após 12 h e 48 h, de P após 12 h, 36 h e 48 h, de Ca após 24 h, 36 h e 48 h, de Mg após 36 h e 48 h e de K após 36 h e 48 h de germinação. / Most of the traditional methods used for seed vigor evaluation are qualitative and, as such, prone to errors and results misinterpretation. Quantitative methods may constitute more reliable alternatives. The aim of this work was to verify if the concentrations of some minerals stored in the seeds and made available during the initial stages of the germination process constitute sensitive and reliable indicators of the level of corn seed vigor. Twenty seed lots were evaluated by means of the germination, electrical conductivity, cold and seedling field emergence tests. Additionally, the concentrations of inorganic phosphorus, phosporus, calcium, potassium and magnesium at 12 h, 24 h, 36 h and 48 h after the initiation of the germination process were also evaluated by means of the injection analysis in flow (FIA) and the spectrometry of optic emission coupled to plasma of induced argon (ICP-OES) techniques. For these analyses grinded seed samples were extracted with water at 95ºC, agitated for 30 minutes and centrifuged . It was concluded that the concentrations of Pi, P, Ca, Mg and K, extracted by the warm water method, in hybrid corn seeds after certain stages of the germination process, allowed the rating the of seed lots in a way similar to that obtained with the results of several other seed vigor tests. Specifically, this was achieved by evaluating the concentratrions of Pi after 12 h and 48 h, of P after 12 h, 36 h and 48 h, of Ca after 24 h, 36 h and 48 h, of Mg after 36 h and 48 h and of K after 36 h and 48 h after the beginning of the germination process.

Made available in DSpace on 2014-06-11T19:28:31Z (GMT). No. of bitstreams: 0 Previous issue date: 2011-01-24Bitstream added on 2014-06-13T18:34:44Z : No. of bitstreams: 1 silva_cb_me_jabo.pdf: 2648759 bytes, checksum: 11269f5f7ec29529935ef54ee49855c3 (MD5) / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES) / Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP) / O desenvolvimento de procedimentos sensíveis para rápida obtenção de informações precisas sobre o potencial fisiológico de lotes de sementes é essencial para o desenvolvimento de programas de controle de qualidade pelas empresas produtoras das mesmas. Nesta pesquisa, foi avaliada a eficiência de diferentes testes de vigor na determinação do potencial fisiológico de sementes de crotalária e, o desempenho das mesmas sob condições de estresse hídrico. O estudo foi conduzido em duas etapas, sendo a primeira relativa à seleção de procedimentos adequados para a condução dos testes de condutividade elétrica, envelhecimento acelerado, tetrazólio e de um sistema automatizado de análise de imagem de plântulas (Seed Vigor Imaging System – SVIS). Na segunda etapa, as sementes foram submetidas a diferentes situações de disponibilidade hídrica, utilizando-se soluções aquosas de polietileno glicol (PEG 6000). Para tal, foram utilizados cinco lotes de sementes. Os testes de condutividade elétrica, envelhecimento acelerado com solução salina saturada e o uso do software SVIS em plântulas com três dias de idade podem detectar eficientemente diferenças de vigor entre lotes de sementes de crotalária. O desempenho fisiológico de sementes dessa espécie é fortemente afetado pelo estresse hídrico / The development of sensitive procedures for quickly obtaining accurate information on the physiological potential of seed lots is essential for developing quality control programs by seed companies. In this research, were evaluated the efficiency of different vigor tests to determine the physiological potential of sunn-hemp seeds, and the performance of seeds under water stress. The study was conducted in two stages: the first consisted of the selection of appropriate procedures for the electrical conductivity, accelerated aging and tetrazolium tests, and of an automated system of seedling imaging analysis (Seed Vigor Imaging System – SVIS). In the second stage, the seeds were submitted to different water stress using aqueous solutions of polyethylene glycol (PEG 6000). The electrical conductivity, and accelerated aging with a saturated salt solution tests, and the SVIS on 3-day old seedlings can efficiently detect differences in vigor between sunn-hemp seed lots. The seeds physiological performance is strongly affected by water stress