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Apalpador optoeletronico para maquina de medir por coordenadas

Valle, Odilson Tadeu January 1993 (has links)
Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina. Centro Tecnologico / Made available in DSpace on 2016-01-08T18:02:33Z (GMT). No. of bitstreams: 1 93391.pdf: 2126828 bytes, checksum: dbcd4014ab00aa75a2b6b492a3b00212 (MD5) Previous issue date: 1993 / Neste trabalho é apresentado um estudo sobre apalpadores para Máquina de Medir por Coordenadas (CMM) e o desenvolvimento de um apalpador optoeletrônico, com aplicação em medições de perfis, sem contato e com alta velocidade. Através de uma análise de mercado e literatura optou-se pelo estudo e desenvolvimento de um apalpador baseado no princípio de apalpação por interrupção de feixe. Este princípio, ainda pouco explorado por trabalhos científicos, revela-se bastante promissor. O princípio baseia-se na identificação e medição de fronteiras de peças através da utilização de um feixe de diodo laser com diâmetro de 30mm, fotodetetor e eletrônica de processamento de sinal. Um protótipo funcional de apalpador, utilizando este princípio, foi projetado, construído e qualificado através de uma bancada especial de ensaios. Os resultados dos ensaios realizados mostram que o protótipo é capaz de determinar a coordenada da borda de uma peça, com uma repetibilidade na ordem de ± 04mm. Quanto ao erro sistemático, o protótipo mostrou-se sensível ao raio de curvatura da superfície da peça, com um erro na ordem de 15mm para diâmetros de 0.5 a 10mm, compensáveis por software. Acima de 10mm a variação do erro sistemático tende a valores desprezíveis.
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Sistema optoeletronico automatizado para a medição de roscas externas de precisão

Santos Junior, Manuel Joaquim dos January 1993 (has links)
Tese (doutorado) - Universidade Federal de Santa Catarina. Centro Tecnologico / Made available in DSpace on 2016-01-08T18:03:52Z (GMT). No. of bitstreams: 1 90642.pdf: 5269010 bytes, checksum: dac4cd0c4db9adb0a53749bfaeed22e4 (MD5) Previous issue date: 1993 / O controle dimensional de roscas externas de precisão apresenta uma série de problemas que ainda não foram satisfatoriamente resolvidos pelos métodos de medição existentes. Por exemplo: são necessários mais de um sistema de medição para realizar a calibração; o tempo total dispendido é muito elevado e as incertezas de medição são maiores que as normalmente admissíveis. Em conseqüência do exposto acima foi realizada uma análise dos métodos de medição existentes, com o objetivo de levantar vantagens e desvantagens de cada um e através das desvantagens identificar a origem dos problemas. Com esta análise e com o estudo dos modernos métodos de medição chegou-se a um sistema automatizado de medição por coordenadas com transdutor optoeletrônico que testado e aperfeiçoado constitui-se num avanço às medições de roscas externas de precisão. Os testes realizados e os resultados das medições de calibradores roscados e pinos padrão comprovam a viabilidade do sistema de medição e da metodologia propostos. Dentre as vantagens do método proposto pode-se ressaltar a possibilidade de medição simultânea de todas as grandezas de interesse e uma significativa redução no tempo de medição e nas incertezas de medição.
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Planejamento de dispositivos moleculares e supramoleculares para a detecção de espécies aniônicas em meio orgânico, orgânico-aquoso e micelar

Nicoleti, Celso Rodrigo January 2015 (has links)
Tese (doutorado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro de Ciências Físicas e Matemáticas, Programa de Pós-Graduação em Química, 2015. / Made available in DSpace on 2016-03-01T04:01:20Z (GMT). No. of bitstreams: 1 337297.pdf: 5463795 bytes, checksum: 5dbbd7aee7017ba6922aedc855149909 (MD5) Previous issue date: 2015 / Uma série de (E)-4-[(4-Nitrobenzilideno)amino]fenóis (1a-3a) e seus análogos sililados (5-7) foi sintetizada e completamente caracterizada. O composto (E)-4-[(4-Nitrobenzilideno)amino]fenol (1a) em acetonitrila (CH3CN) age como um quimiossensor cromogênico devido ao fato de que ânions básicos levam ao seu desprotonamento, resultando numa solução colorida. A detecção seletiva de CN- sobre F- foi obtida adicionando-se 1,4% (v/v) de água ao sistema: a água solvata preferencialmente o F-, enquanto o CN- fica relativamente livre para desprotonar 1a. Outra estratégia envolveu um ensaio de competição do fenolato e do analito pelo calix[4]pirrol (CP) em CH3CN. O fenolato e o CP formam um complexo por ligação de hidrogênio, com mudança na cor do meio. Dentre diversos ânions, somente o F- foi capaz de restaurar a cor original correspondendo ao fenolato, pelo fato do ânion deslocá-lo do sítio de complexação. Em uma segunda parte do trabalho, os compostos (E)-N-(4-nitrobenzilideno)-4-[(triisopropilsilil)oxi]anilina (5) e (E)-3,5-Dimetil-N-(4-nitrobenzilideno)-4-[(triisopropilsilil)oxi]anilina (6) apresentaram-se como quimiodosímetros cromogênicos baseados na quebra da ligação silil éter seletivos em CH3CN para o ânion F- em relação a vários ânions testados. O (E)-3,5-Dibromo-N-(4-nitrobenzilideno)-4-[(triisopropilsilil)oxi]anilina (7) foi aplicado para a detecção seletiva de CN- ou F- em CH3CN com 2,0% (v/v) de água, utilizou-se o CP para interagir com F- e o iodeto cuproso para interagir com CN-, deixando CN- ou F- livres para reagir com o composto 7. Confirmou-se através das técnicas de RMN de 1H e HRMS que os compostos gerados na quebra da ligação silil éter são os fenolatos correspondentes coloridos em solução. Nos estudos cinéticos em CH3CN, verificou-se o maior valor de k2 e menor t1/2 das reações dos quimiodosímetros com F- foram obtidos para o quimiodosímetro 7. Entretanto, em CH3CN na presença de 4,0% (v/v) de água, 7 apresentou o maior valor de k2 e menor t1/2 com o ânion CN-. Na parte final do trabalho, foi desenvolvida uma estratégia simples e eficiente utilizando o quimiodosímetro 7 para a detecção altamente seletiva de CN- em sistema aquoso micelar de brometo de cetiltrimetilamônio e plasma sanguíneo humano, baseado na clivagem da ligação silil éter.<br> / Abstract : (E)-4-(4-Nitrobenzylideneamine)phenols (compounds 1a-3a) and their silylated (compounds 5-7) analogues were synthesized and fully characterized. (E)-4-[(4-Nitrobenzylidene)amine]phenol (1a) in acetonitrile (CH3CN) acts as a chromogenic chemosensor based on the idea that more basic anions cause its deprotonation, generating a colored solution. The discrimination of CN- over F- was obtained by addition 1.4% (v/v) of water to CH3CN: water preferentially solvates F-, leaving the CN- free to deprotonate 1a. Another strategy involved an assay in CH3CN comprised of the competition between phenolate dye and the analyte for calix[4]pyrrole (CP). The phenolate and CP form a hydrogen-bonded complex, which changes the color of the medium. On the addition of various anions, only F- was able to restore the original color corresponding to phenolate in solution due to the fact that the anion dislodges phenolate from the complexation site. In a second part of this thesis, (E)-N-(4-nitrobenzylidene)-4-[(triisopropylsilyl)oxy]aniline (5) and (E)-3,5-dimethyl-N-(4-nitrobenzylidene-4-[(triisopropylsilyl)oxy]aniline (6) were studied as chromogenic anionic chemodosimeters based on Si-O cleavage selective for F- over other anionic species in CH3CN. (E)-3,5-Dibromo-N-(4-nitrobenzylidene)-4-[(triisopropylsilyl)oxy]aniline (7) was applied to selective detection of CN- or F- in CH3CN with 2.0% (v/v) of water, using CP to interact with F- and cuprous iodide to interact with CN-, which makes CN- or F- free to react with 7. Experimental evidences were collected for the Si-O cleavage, which leads to the release of the corresponding phenolates colored in solution. Kinetic studies showed in CH3CN that the highest value of k2 and lowest t1/2 value of chemodosimeters reactions with F- were obtained for 7.Thus, in CH3CN with 4.0% (v/v) of water, 7 showed the highest valued of k2 and lowest t1/2 value to CN-. In the last part of the thesis, a simple and efficient strategy was developed based on the chemodosimeter approach, for the highly selective detection of CN- in an aqueous cetyltrimethylammonium bromide micellar system and human blood plasma, based on the Si-O bond cleavage.
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Fabricação e caracterização de dispositivos fotovoltaícos orgânicos utilizando dióxido de titânio nanoestruturado

Thomazi, Fabiano January 2016 (has links)
Orientador: Prof. Dr. Cesar Augusto Dartora / Coorientador: Prof. Dr. Ezequiel Burkarter / Tese (doutorado) - Universidade Federal do Paraná, Setor de Tecnologia, Programa de Pós-Graduação em Engenharia e Ciência dos Materiais - PIPE. Defesa: Curitiba, 11/08/2016 / Inclui referências : f. 134-149 / Área de concentração: Engenharia e ciência de materiais / Resumo: O presente trabalho investiga a utilização de um conjunto de técnicas de processamento simples para obtenção ou conversao de camadas inorganicas e/ou organicas tendo como objetivo a confeccao de ceiulas solares organicas em estrutura de multicamada. Como materiais empregados na camada ativa da celula temos o poli (3-hexiltiofeno) (P3HT), polímero conjugado e fornecido comercialmente pela Sigma Aldrich e o dióxido de titanio obtido por processo de oxidaçao do titanio metalico em celula eletroquímica. O titanio tambem atua como primeiro eletrodo na celula fotovoltaica organica, como segundo eletrodo temos o conjunto PEDOT:PSS e FTO. A deposicao da camada organica de P3HT ocorreu por meio de spin coating e aerospray foi utilizada para o PEDOT:PSS, usando ar como propelente, ambas as camadas organicas foram submetidas a tratamento termico. Os dispositivos fotovoltaicos orgânicos contendo TiO2 e P3HT como camadas principais mostraram excelentes resultados dada a simplicidade de confeccão. Os resultados obtidos por esses dispositivos foram melhorados com a adiçcãao da umbeliferona, molecula pertencente a família das cumarinas, como elemento dopante na camada de PEDOT:PSS. Medidas eletricas foram realizadas nas celulas organicas para determinar seu comportamento fotovoltaico, essas medidas foram realizadas em duas situações sem incidencia luminosa e com incidencia luminosa. Alem da caracterizaçao eletrica tambem foram realizadas medidas para avaliar propriedades morfologicas e químicas das camadas de TiO2 por meio de microscopia eletrânica de varredura e da tecnica de EDS. / Abstract: This study investigates the use of a single processing set of techniques for obtaining or converting inorganic and/or organic layers with the objective of making organic solar cells in multilayer structure. As materials used in the active layer of the cell have poly (3-hexylthiophene) (P3HT), the polymer conjugate and supplied commercially by microarray Sigma-Aldrich and titanium dioxide obtained by the titanium metal oxidation process in the electrochemical cell. Titanium also serves as the first electrode in organic photovoltaic cell, as the second electrode have the PEDOT set: PSS and FTO. The deposition of the organic layer of P3HT was through spin coating and aerospray techenique was used for the PEDOT:PSS, using air as propellant, both organic layers were subjected to heat treatment. Organic photovoltaic devices containing TiO2 P3HT and main layers showed excellent results given the simplicity of preparation. The results obtained by these devices have been improved with the addition of umbelliferone molecule belonging to the family of coumarins, such as the doping element in the PEDOT layer: PSS. Electrical measurements were performed in organic cells to determine its photovoltaic behavior, these measurements were performed in two situations without light incidence and light incidence. In addition to the electrical characterization measurements were also performed to assess morphological and chemical properties of the layers of TiO2 by scanning electron microscopy and EDS technique.
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Estrutura eletrônica e propriedades elétricas fotoinduzidas em filmes finos de SnO2 com dopagem de Sb, e formação de heteroestruturas com TiO2

Floriano, Emerson Aparecido [UNESP] 30 August 2012 (has links) (PDF)
Made available in DSpace on 2014-06-11T19:35:45Z (GMT). No. of bitstreams: 0 Previous issue date: 2012-08-30Bitstream added on 2014-06-13T19:06:02Z : No. of bitstreams: 1 floriano_ea_dr_bauru.pdf: 1682344 bytes, checksum: a9dc55dd1f9da48c4cd793193ef74aea (MD5) / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES) / Este trabalho apresenta uma abordagem teórico-experimental na investigação de filmes finos de dióxido de estanho (SnO2) não dopado, de SnO2 dopado com antimônio (Sb), de dióxido de titânio (TiO2) e também de heteroestrutura Tio2/SnO2, produzidos pelo processo sol-gel-dip-coating. O conhecimento dos mecanismos de transporte elétrico de SnO2:Sb é fundamental para o desenvolvimento de dispositivos opto-eletrônicos. Neste sentido, a contribuição deste trabalho está principalmente no estudo das propriedades elétricas de SnO2:Sb, no qual foi analisado a captura de elétrons fotoexcitados por centros de Sb e/ou vacâncias de oxigênios termicamente ativados. Os resultados, surpreendentemente, mostraram que a taxa de variação da condutividade diminui com o aumento temperatura, independente da energia da fonte de excitação (acima ou abaixo da energia do bandgap). Este comportamento está provavelmente relacionado à mobilidade eletrônica, que é dominado pelo espalhamento de portadores de carga na região do contorno de grão. Quanto à heterojunção TiO2/SnO2, o conhecimento do tipo de estrutura cristalina dos semicondutores óxidos é fundamental para sua utilização em determinadas aplicações tecnológicas. A avaliação das propriedades estruturais de filmes finos de TiO2 apresentada nesta tese mostrou que o substrato de quartzo, utilizado para deposição dos filmes, exerce influência na temperatura de transição de fase anatásio-rutilo. De modo geral, apresentamos aqui uma avaliação das propriedades ópticas, estruturais, elétricas e eletrônicas de filmes finos de SnO2 e de SnO2:SB e também das propriedades ópticas, estruturais e eletrônicas de TiO2 e heterojunção TiO2/SnO2. As propriedades eletrônicas foram obtidas a partir de simulações computacionais de SnO2 SnO2:Sb e TiO2 desenvolvidas com o programa CRYSTAL06, baseadas na Teoria do Funcional da Densidade / This work presents a theoretical-experimental approach in the investigation of undoped and Sb-doped SnO2 thin flims, TiO2 thin films and also the heterostructure TiO2/SnO2 deposited through the sol-gel-dip-coating technique. The knowledge of the electrical transport mechanisms in SnO2:Sb is fundamental towards the devolping of optoelectronic devices. Then, our contribution concerns the analysis of the electronic structure and, mainly, the investigation of the electrical properties of SnO2:Sb, where the electron capture by thermally activated Sb centers and/or oxygen vacancies was proposed. Results, surpisingly, show that the conductivity variation rate increases with temperature, independent on excitation source energy (above or below the gandgap energy). This behavior is probaly related to the electronic mobility, which is dominated by the charge carrier scattering at boundary layer. Concerning the heterojunction TiO2/SnO2, the determination of the crystalline structure type of oxide semiconductors if fundamental for application in specific technologies. The evalution of structural properties of TiO2 films show that the quartz substrate, used for film deposition, influences the transition temperature of the anatase-rutile phases. In summary, we present an evalution of optical, structural, electrical and electronic properties of SnO2 and SnO2:Sb as well as optical, structured, and electronic properties of TiO2/SnO2. Electronic properties were obtained from computacional simulations of SnO2, SnO2:Sb, TiO2 and TiO2/SnO2, developed with the program CRYSTAL06, through the Density Functional Theory
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Estudo das propriedades de fotogeração e transporte de portadores de cargas em dispositivos optoeletrônicos orgânicos

Pereira, Clayton José [UNESP] 30 August 2012 (has links) (PDF)
Made available in DSpace on 2014-06-11T19:22:54Z (GMT). No. of bitstreams: 0 Previous issue date: 2012-08-30Bitstream added on 2014-06-13T19:49:15Z : No. of bitstreams: 1 pereira_cj_me_sjrp.pdf: 4585703 bytes, checksum: 2f751deb0c13952d939c128cd3139b81 (MD5) / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES) / Esta dissertação de mestrado apresenta um estudo sobre as propriedades de foto-geração de portadores de carga e sua condução em dispositivos optoeletrônicos orgânicos construídos em estruturas de diodo tipo sanduíche – ITO/Polímero/Metal – sendo empregados como sua camada ativa dois polímeros orgânicos conjugados distintos, o poly[2-methoxy-5-(3’,7’-dimethyloctyloxy)-1,4-phenylene vinylene) ou MDMO-PPV, e o copolímero fenil substituído do poli(p-fenileno vinileno) conhecido como Super Yellow® ou SY-PPV. As características da foto-geração e de transporte de cargas dos dispositivos foram determinada através da análise de medidas de corrente-tensão (I-V) em regime d.c., e de espectroscopia de impedância/capacitância no regime da frequência (1Hz-1MHz). As propriedades elétricas dos dispositivos foram estudadas com os dispositivos iluminados em diferentes faixas de comprimentos de onda na região do visível, a diferentes intensidades, e comparadas com as propriedades dos dispositivos no escuro. Para iluminação através do eletrodo transparente (ITO), tanto um efeito fotovoltaico quanto fotocondutivo foram claramente observados. Em particular, o efeito da foto-geração no espectro de capacitância em função da frequência foi estudado em maiores detalhes. Um modelo semiempírico, levando em conta as distribuições de cargas espaciais devidas à foto-geração de portadores de carga e propriedades de transporte como, por exemplo... / This dissertation presents a study on the properties of photo-generation and conduction of charge carriers in organic optoelectronic devices built in sandwich diode structures – ITO/Polymer/Metal – with the active layer comprised by two different organic conjugated polymers: poly[2-methoxy-5-(3’,7’-dimethyloctyloxy)-1,4-phenylene vinylene) MDMO-PPV, and a phenyl-substituted copolymer of poly(p-phenylene vinylene) known as Super Yellow®, SY-PPV. The photo-generation and charge transport properties have been determined from the analysis of current-voltage (I-V) measurements in the d.c. regime and impedance/capacitance spectroscopy in the regime of frequency (1Hz-1MHz). The electrical properties of the devices were studied with the devices under illumination, in different ranges of wavelength in the visible region, at different intensities and compared with the properties of devices in the dark. By illuminating the devices through the transparent electrode (ITO), both photovoltaic and photoconductive effects were clearly observed. Particularly, the photo-generation effect in the frequency-dependent capacitance spectrum was studied in detail. A semiempirical model taking into account the spatial distribution of charges due the photo-generation and material properties... (Complete abstract click electronic access below)
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[en] STUDY OF THE CHARACTERISTICS OF MODULATORS OF AMPLITUDE MANUFACTURED WITH SEMICONDUCTING STRUCTURES INALAS/INGAAS AND ALGAAS/GAAS MQW / [pt] ESTUDO DAS CARACTERÍSTICAS DE MODULADORES DE AMPLITUDE FABRICADOS COM ESTRUTURAS SEMICONDUTORAS INALAS/INGAAS E ALGAAS/GAAS MQW

MARIA CRISTINA LOPEZ AREIZA 16 August 2005 (has links)
[pt] No presente trabalho de tese, se faz uma avaliação de moduladores de amplitude baseados no efeito de electro-absorção. As estruturas usadas para a fabricação dos dispositivos foram estruturas com poços quânticos múltiplos de InAlAs/InGaAs e AlGaAs/GaAs. As estruturas de InAlAs/InGaAs foram projetadas para trabalhar na faixa comercial das telecomunicações (1.55 µm). Por isto a importância de aperfeiçoar os parâmetros de desempenho do dispositivo, tais como Stark shift, chirp, razão de contraste, perda por inserção, entre outros. Um estudo sistemático prévio destas estruturas foi realizado por Pires [Pires,1998]. Ele propõe variar a concentração de gálio na liga para produzir uma leve tensão na estrutura e modificar desta forma as propriedades ópticas do material. O estudo de [Pires,1998] propôs uma faixa de valores para variar a concentração de gálio (entre 46 por cento e 52 por cento) onde pode ser encontrada a melhor condição de operação do dispositivo. Cabe a esta tese aprofundar o estudo nesta faixa de valores, e decidir os parâmetros mais adequados para operação. No referente às estruturas de AlGaAs/GaAs, se toma como partida uma proposta teórica de [Batty et al, 1993], e estudada posteriormente por [Tribuzy, 2001], onde se sugere usar finas camadas de dopagem delta nos poços de GaAs para melhorar o deslocamento Stark em 87% para um campo aplicado de 40 kV/cm. O dispositivo foi desenhado e fabricado, obtendo-se um valor de 78 por cento para o mesmo campo aplicado, resultado relevante, pois é a verificação experimental de uma proposta teórica. / [en] In this thesis work, is made an evaluation of modulators of amplitude based in the electrum-absorption effect. The structures used for the devices were multiple quantum wells of InAlAs/InGaAs and AlGaAs/GaAs. The structures of InAlAs/InGaAs are used to work in the commercial band of the telecommunications (1,55 µm). This is the reason it is important to optimize the parameters of performance of the device, such as the Stark shift, chirp, contrast reason, insertion loss, etc. Previously, a systematic study of these structures was made by [Pires, 1998], the gallium concentration was varied to produce a strain in the structure and to modify the optic properties of the material. In the study of [Pires, 1998] considered the Gallium concentration was varied between 46 percent and 52 percent in which range the best condition to operate the device can be found. This is part of the work here presented. In this thesis this range of values was studied in more detail. For the structures of AlGaAs/GaAs, a theoretical proposal of [Batty et al, 1993] was experimentally investigated. It was suggested a nipi structure to use a fine delta doped in the GaAs wells, this delta doped will improve in 87 percent the Stark shift for a field of 40 KV/cm. The device was simulated and manufactured, obtaining a value of 78 percent for the same field applied, this is a excellent result, because this confirm the theoretical prediction.
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[en] CONTROL SYSTEM TO SUPPRESS GAIN DYNAMIC INSTABILITIES OF AN EDFA / [pt] SISTEMA DE CONTROLE PARA SUPRESSÃO DE INSTABILIDADES DINÂMICAS DE GANHO DE UM EDFA

DJEISSON HOFFMANN THOMAS 01 October 2003 (has links)
[pt] Objetivando suprimir as instabilidades dinâmicas de ganho em um amplificador à fibra dopada com Érbio (EDFA), uma nova configuração de laser em anel é apresentada e demonstrada. Neste trabalho, analizamos os efeitos da variação do nível de atenuação no laço de re-alimentação sobre a resposta transitória do EDFA. Particularmente, observamos as excursões de ganho experimentadas pelo canal sobrevivente quando sete dentre oito canais da rede são adicionados ou removidos, à exemplo do que ocorre em sistemas WDM reais. Sob esta análise, avaliamos o desempenho do sistema em suprimir as instabilidades dinâmicas de ganho do EDFA. / [en] A new ring laser configuration to eliminate the gain dynamic instabilities of an erbium doped fiber amplifier (EDFA) is proposed and demonstrated. We examine the effect of the attenuation level in the optical feedback path over thetransient response of the EDFA. In particular, we look at the transient gain excursions experienced by surviving channel when seven of eight channels are added or dropped, like in real WDM systems. Using this analysis as a guide, we highlight the robustness of the approach and evaluate its performance to EDFA gain stabilization.

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