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Management von Diskontinuitäten : das Beispiel der Mechatronik in der Automobilzulieferindustrie /Zohm, Frederik. January 2004 (has links) (PDF)
Techn. Hochsch., Diss.--Aachen, 2003.
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Ein Beitrag zur experimentellen Untersuchung und Modellierung von Wärmeübergang und Druckverlust bei einer Zweiphasenströmung in MikrokanälenSynowzik, Sven January 2008 (has links)
Zugl.: Dresden, Techn. Univ., Diss., 2008
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About single-electron devices and circuits /Wasshuber, Christoph. January 1998 (has links)
Zugl.: Wien, Techn. University, Diss., 1997.
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Einsatz bruchmechanischer Integralkonzepte zur thermomechanischen Zuverlässigkeitsbewertung in der mikroelektronischen Aufbau- und VerbindungstechnikBadri Ghavifekr, Habib. Unknown Date (has links) (PDF)
Techn. Universiẗat, Diss., 2004--Berlin.
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Bruchmechanische Analyse von viskoelastischen Werkstoffen in elektronischen BauteilenWittler, Olaf. Unknown Date (has links) (PDF)
Techn. Universiẗat, Diss., 2004--Berlin.
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Werner Hartmann und der Aufbau der Mikroelektronikindustrie in der DDRAugustine, Dolores L. 14 April 2014 (has links) (PDF)
No description available.
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Werner Hartmann und der Aufbau der Mikroelektronikindustrie in der DDRAugustine, Dolores L. January 2003 (has links)
No description available.
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Entwurf, Herstellung und Charakterisierung von GaN/AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistoren für Leistungsanwendungen im GHz-BereichWächtler, Thomas 28 December 2005 (has links) (PDF)
High Electron Mobility Transistoren (HEMTs),
basierend auf
dem Materialsystem GaN/AlGaN/GaN, wurden entworfen,
hergestellt und elektrisch charakterisiert.
Für das Maskendesign kam das CAD-Programm LasiCAD
zum Einsatz. Das Design umfasste bis zu sechs
Lithographieebenen.
Die Herstellung der Bauelemente geschah unter
Reinraumbedingungen und unter Nutzung einer
vorhandenen Technologie für Transistoren mit
kleiner Gate-Peripherie (Doppelgate-Transistoren),
die teilweise optimiert wurde. Daneben wurden
Prozesse zur Herstellung von Multifinger-HEMTs
entwickelt, wobei die Metallisierung der
Drainkontakte mittels Electroplating von Gold
vorgenommen wurde.
Zur elektrischen Charakterisierung der
Bauelemente wurden sowohl
Gleichstromcharakteristiken,
d.h. die Ausgangskennlinienfelder und
Verläufe der Steilheit, als auch das
Großsignalverhalten für cw-Betrieb bei 2 GHz
gemessen. Dabei zeigten die Transistoren
eine auf die Gatebreite bezogene
Ausgangsleistungsdichte
von mehr als 8 W/mm
und eine Effizienz größer als 40%,
einhergehend mit vernachlässigbarer
Drainstromdispersion der unpassivierten
Bauelemente.
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Ternäre Oxide zur Passivierung von GaN-basierten elektronischen BauelementenSeidel, Sarah 12 September 2023 (has links)
In der Arbeit wurden die zwei ternären Oxide GdScO3 und AlTiOx strukturell und elektrisch charakterisiert und in laterale AlGaN/GaN-MISHEMTs integriert. GdScO3 wächst hexagonal und epitaktisch bei einer Abscheidung mittels PLD bei 700°C auf einer AlGaN/GaN Heterostruktur auf. Die demonstrierten MISHEMTs zeigen einen deutlich verringerten Gate-Leckstrom. Zeit- und beleuchtungsabhängige Drain-Strom Messungen im ausgeschaltetem Transistor weisen allerdings auf photoinduzierte Trapzustände mit langer Lebensdauer im Oxid hin, die den Drain-Leckstrom limitieren. Die AlTiOx Mischoxide wurden mittels ALD abgeschieden. Dabei wurde die Stöchiometrie über das Zyklenverhältnis zwischen Al2O3 und TiO2 variiert. Es konnte gezeigt werden, dass der Brechungsindex, die Permittivität, die Bandlücke und das Bandalignment zum GaN über die Stöchiometrie eingestellt werden können. Durch die Implementierung eines high-k last Prozesses konnten schaltbare MISHEMTs prozessiert werden. Durch die Simulation der Bandstruktur konnten die Einsatzspannungsverschiebung und ein Maximum des Drain-Stroms im ausgeschaltetem Zustand über die Ermittlung der Barrierendicke für Elektronen erklärt werden. Für eine Passivierung mit TiO2 wurde ein um 2,5 Größenordnungen reduzierter Drain-Leckstrom bei gleichzeitig nur minimal verschobener Einsatzspannung gemessen.:Inhaltsverzeichnis
1 Einleitung 7
2 Grundlagen 9
2.1 Der III-V Halbleiter Galiumnitrid . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
2.2 Der Hetero-Feldeffekttransisor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
2.3 Performance Einschränkungen am unpassivierten HFET . . . . . . . . 14
2.4 Gatedielektrika für MISHEMTs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
2.4.1 Verwendete Dielektrika . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
2.4.2 Limitationen in MISHEMTs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
2.5 Atomlagenabscheidung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
2.5.1 Der ALD-Prozess . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
2.5.2 Abscheidung ternärer Verbindungen . . . . . . . . . . . . . . . . 27
3 Charakterisierungsmethoden 31
3.1 Kapazitäts-Spannungs-Messungen an MIS-Kondensatoren . . . . . . . . 31
3.2 Photo-assisted Kapazitäts-Spannungsmessungen . . . . . . . . . . . . . 34
3.3 Messungen am Transistor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
4 Probenherstellung 39
4.1 Atomlagenabscheidung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
4.2 Prozessoptimierung am HFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
4.2.1 Mesa-Ätzung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
4.2.2 Formierung der ohmschen Kontakte . . . . . . . . . . . . . . . . 47
4.3 Strukturierung der Oxide . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
5 Gadoliniumscandiumoxid 53
5.1 Strukturelle Charakterisierung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
5.2 PhotoCV-Messungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
5.3 MISHEMT mit GdScO3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
5.4 Zusammenfassung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64
6 Aluminium-Titanoxid Mischschichten 65
6.1 Voruntersuchungen am TiO2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65
6.2 Strukturelle Charakterisierung an AlTiOx . . . . . . . . . . . . . . . . 67
6.2.1 Stöchiometrie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68
6.2.2 Kristallisationsverhalten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70
6.3 Bestimmung des Bandalignments . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72
6.3.1 UV/Vis Messungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72
6.3.2 Röntgenphotoelektronenspektroskopie . . . . . . . . . . . . . . . 74
6.3.3 Bandalignment zum GaN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77
6 Inhaltsverzeichnis
6.4 Elektrische Charakterisierung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79
6.4.1 CV-Messungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79
6.4.2 IV-Messungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 81
6.4.3 PhotoCV-Messungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 82
6.5 Zusammenfassung der AlTiOx Charakterisierung . . . . . . . . . . . . . 86
6.6 MISHEMTs mit AlTiOx . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 88
6.6.1 high-k first MISHEMTs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 88
6.6.2 High-k last MISHEMTs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 89
6.7 Einordnung der Transistorergebnisse . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 94
7 Zusammenfassung 99
Anhang 103
Abkürzungsverzeichnis 111
Symbolverzeichnis 113
Abbildungsverzeichnis 115
Tabellenverzeichnis 121
Literatur 123
Publikationen 141
Danksagung 143
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Entwurf, Herstellung und Charakterisierung von GaN/AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistoren für Leistungsanwendungen im GHz-BereichWächtler, Thomas 28 December 2005 (has links)
High Electron Mobility Transistoren (HEMTs),
basierend auf
dem Materialsystem GaN/AlGaN/GaN, wurden entworfen,
hergestellt und elektrisch charakterisiert.
Für das Maskendesign kam das CAD-Programm LasiCAD
zum Einsatz. Das Design umfasste bis zu sechs
Lithographieebenen.
Die Herstellung der Bauelemente geschah unter
Reinraumbedingungen und unter Nutzung einer
vorhandenen Technologie für Transistoren mit
kleiner Gate-Peripherie (Doppelgate-Transistoren),
die teilweise optimiert wurde. Daneben wurden
Prozesse zur Herstellung von Multifinger-HEMTs
entwickelt, wobei die Metallisierung der
Drainkontakte mittels Electroplating von Gold
vorgenommen wurde.
Zur elektrischen Charakterisierung der
Bauelemente wurden sowohl
Gleichstromcharakteristiken,
d.h. die Ausgangskennlinienfelder und
Verläufe der Steilheit, als auch das
Großsignalverhalten für cw-Betrieb bei 2 GHz
gemessen. Dabei zeigten die Transistoren
eine auf die Gatebreite bezogene
Ausgangsleistungsdichte
von mehr als 8 W/mm
und eine Effizienz größer als 40%,
einhergehend mit vernachlässigbarer
Drainstromdispersion der unpassivierten
Bauelemente.
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