Spelling suggestions: "subject:"fisica dde lla materia condensada"" "subject:"fisica dde lla materia condensadas""
131 |
Deposição e caracterização de filmes ultrafinos de óxido de titânio depositados por Sputtering RFAlbuquerque, Diego Aparecido Carvalho 30 March 2012 (has links)
Made available in DSpace on 2016-06-02T19:19:55Z (GMT). No. of bitstreams: 1
ALBUQUERQUE_Diego_2012.pdf: 2909594 bytes, checksum: 91148b3e77351d9e01e62932373d67a6 (MD5)
Previous issue date: 2012-03-30 / Financiadora de Estudos e Projetos / This work studied ultrathin films of titanium oxide deposited by the technique r. f. reactive sputtering with different oxygen flows and different deposition times. Optical properties were studied (ultra-violeta/Visível) and the surface morphology (Atomic Force Microscopy). The composition and structural properties of the films were analyzed by X-ray diffraction and Rutherford Backscattering Spectroscopy. The films are amorphous and rough (fractal dimension around 2.6 to 2.7 and roughness around 1.6 to 2.5 nm). The stoichiometry was fairly close to the titanium dioxide (TiO2). The optical energy Gap obtained by three different models presented values between 3.0 to 3.5 eV. / Neste trabalho foram estudados filmes ultrafinos de óxido de titânio depositados pela técnica sputtering reativo r.f., com diferentes fluxos de oxigênio e diferentes tempos de deposição. Foram estudadas as propriedades ópticas (Ultra-Violeta/Visível), bem como a morfologia da superfície (Microscopia de Força Atômica). As propriedades estruturais e a composição dos filmes foram estudadas por Difração de raios-X e por Rutherford Backscattering Spectroscopy. Os filmes são amorfos e com superfície rugosa (dimensão fractal em torno de 2,6 - 2,7 e rugosidade em torno de 1,6 - 2,5 nm). A estequiometria ficou bastante próxima do dióxido de titânio (TiO2). A energia do Gap óptico obtido por três modelos distintos apresentou valores entre 3,0 3,5 eV.
|
132 |
Deposição e caracterizações óptica e morfológica de filmes finos de TIOX depositados por sputtering R.F.Abreu, Caio Palumbo de 19 February 2013 (has links)
Made available in DSpace on 2016-06-02T19:19:55Z (GMT). No. of bitstreams: 1
ABREU_Caio_2013.pdf: 2028939 bytes, checksum: 65ae46e6485e945dd8307afeb9a40953 (MD5)
Previous issue date: 2013-02-19 / This work studied ultrathin films of titanium oxide were deposited on two substrates, such as pure Si (100) and glass corning 7059, by using r.f. magnetron sputtering with different oxygen flows and maintaining another parameters constant. For the purpose of this work, while keeping all parameters constant, varying only the oxygen flow (reactive gas), it was expected to identify the flow of transition between films of substoichiometric TiOx and TiO2 films, and analyze whether there forming nanostructured TiO2 films because the literature shows that variation of control parameters important characteristics of the nanoparticles as medium sized fraction of coverage of the substrate crystal structure and stoichiometry. The chemistries of the ultrathin films were analyzed through technique of Rutherford Backscattering Spectroscopy (RBS), the surface morphology by Atomic Force Microscopy (AFM), the crystallinity by X-Ray Diffraction (XRD) and the optical properties by UV-vis Spectroscopy. Were deposited ultrathin films with substoichiometric compositions for depositions with 0.10% O2 and 0.35% O2. For depositions between 0.67% O2 and 6.00% O2, films were obtained with concentrations of [O]/[Ti] of about 1.9, near the chemical composition of titanium dioxide (TiO2). Films with concentrations close to the TiO2 showed amorphous, but with characteristics of formation of anatase phase. The optical properties presented optical gap values between 3.33 eV and 3,78 eV and had no significant variation, as calculated by E03, E04 and ETauc methods. The roughness of the films decreased proportionally with increasing oxygen flow in the depositions. / No presente trabalho foram estudados filmes finos de óxido de titânio, depositados em dois substratos, Si (100) e vidro Corning 7059, por meio da utilização da técnica de pulverização catódica por rádio freqüência - magnetron sputtering r.f. - com diferentes fluxos de oxigênio e os outros parâmetros mantidos constantes. Com isso, esperava-se identificar o fluxo de transição entre os filmes de TiOx subestequiométricos e filmes de TiO2, analisar se haveria formação de filmes de TiO2 nanoestruturados e diferenças entre os gaps ópticos. As composições químicas dos filmes finos foram analisadas por meio da técnica de espectroscopia de retroespalhamento Rutherford (RBS), a morfologia da superfície por Microscopia de Força Atômica (AFM), a cristalinidade por difração de raios-X (XRD) e as propriedades ópticas por espectroscopia UV-Visível. Foram depositados filmes finos com composições subestequiométricas nas deposições com 0,10% de O2 e 0,35% de O2. Para deposições de O2 entre 0,67% e 6,00%, os filmes foram obtidos com concentrações de [O]/[Ti] de aproximadamente 1,9, ou seja, perto da composição química do dióxido de titânio (TiO2). Filmes com concentrações de [O]/[Ti] próximas ao TiO2 apresentaram-se amorfas, mas com características de formação de fase anatase. As propriedades ópticas não apresentaram nenhuma variação significativa nos valores de gap óptico, com valor entre 3,33 eV e 3,78 eV, calculado pelos métodos E03, E04 e ETauc. A rugosidade dos filmes diminuiu proporcionalmente com o aumento do fluxo de oxigênio nas deposições.
|
133 |
Efeitos da hibridização e do campo magnético externo na supercondutividade de modelos multibandasSilva, Márcio Gomes da 11 February 2015 (has links)
Submitted by Izabel Franco (izabel-franco@ufscar.br) on 2016-09-19T18:31:46Z
No. of bitstreams: 1
TeseMGS.pdf: 2043252 bytes, checksum: a70365d13804598ad8c94cb75631f81d (MD5) / Approved for entry into archive by Marina Freitas (marinapf@ufscar.br) on 2016-09-20T14:01:52Z (GMT) No. of bitstreams: 1
TeseMGS.pdf: 2043252 bytes, checksum: a70365d13804598ad8c94cb75631f81d (MD5) / Approved for entry into archive by Marina Freitas (marinapf@ufscar.br) on 2016-09-20T14:01:58Z (GMT) No. of bitstreams: 1
TeseMGS.pdf: 2043252 bytes, checksum: a70365d13804598ad8c94cb75631f81d (MD5) / Made available in DSpace on 2016-09-20T14:02:06Z (GMT). No. of bitstreams: 1
TeseMGS.pdf: 2043252 bytes, checksum: a70365d13804598ad8c94cb75631f81d (MD5)
Previous issue date: 2015-02-11 / Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq) / Superconductivity one of the most intriguing physical phenomena has been extensively studied due to their potential for technological applications. Despite advances in research in physics there is still no complete theory to explain the phenomenon.
We study the behavior of a superconducting system described by a multiband model. We consider the interband interaction, i.e., the interaction is between the fermions with dierent masses at dierent bands, under the inuence hybridization. Also, we study the intraband interaction with hybridization and external magnetic eld.
Using the method of Green's functions of Zubarev, we calculate the superconducting order parameters with intra-and interbanda interaction at zero temperature, ie, T = 0, and for dierent temperatures of zero. Interband interaction obtained in the superconducting order parameter as a function of temperature and hybridization V. The phase diagram T versus V was also obtained.
The superconducting properties, such as free energy, entropy and specic heat, were also determined in the intraband interaction. Initially, we calculate the superconducting properties in zero eld, ie, for H = 0, then we consider the presence of external magnetic eld H nonzero. obtained an implicit equation that relates the magnetic field, temperature and hybridization, which allowed us to obtain the phase diagram T versus T and T versus V .
Our results show that both the hybridization V , as the external magnetic field H acts at the expense of superconductivity by suppressing it. We noticed also, and conrmed by other studies, that the intraband interaction, we have only second order transition, since the interaction interbanda, we obtained a superconducting tricritico point where we encounter a line first with a second order. Based on these results, we conclude that left a signicant contribution to research in superconductivity. / A supercondutividade, um dos fenômenos mais intrigantes da fisica, vem sendo extensivamente estudada, devido ao seu potencial para aplicações tecnológicas. Apesar do avanço nessa área de pesquisa, como a teoria BCS, teoria microscópica que explica os supercondutores convencionais, ainda não há uma teoria completa que explique os não convencionais.
Neste trabalho estudamos o comportamento de um sistema supercondutor descrito por um modelo multibandas, pois é uma extensão da teoria BCS a qual descreve bem os supercondutores de baixas temperaturas. Consideramos a interação interbanda, isto é, a interação se da entre férmions que apresentam propriedades diferentes, tais como, massas distintas, ou mesma massa, mas comportamentos diferentes que se encontram em diferentes bandas, sob a influência da hibridização. Tambem, estudamos a interação
intrabanda com hibridização e campo magnético externo.
Usando o método das funções de Green de Zubarev, calculamos os parâmetros de ordem supercondutor para as interações intra e interbanda a temperatura nula, isto é, T = 0 (transições quânticas), e para temperaturas finitas (transições térmicas ou clássicas) afim de obtermos um estudo completo do sistema. Na interação interbanda obtivemos o parâmetro de ordem supercondutor em função da temperatura e da hibridização V . O
diagrama de fase T versus V também foi obtido.
As propriedades supercondutoras, tais como energia livre, entropia e calor especifico, também foram determinadas na interação intrabanda. Inicialmente, calculamos as propriedades Supercondutoras a campo nulo, isto é, para H = 0, em seguida, consideramos a presença do campo magnético externo H diferente de zero. Obtivemos uma equação implícita que relaciona o campo magnético, temperatura e hibridização, o que nos permitiu
obter o diagrama de fase T versus H e T versus V .
Nossos resultados mostram que tanto a hibridização V , quanto o campo magnético externo H atuam em detrimento da supercondutividade, suprimindo-a, concordando com outros trabalhos, apesar de não ser isso geral, uma vez que alguns trabalhos mostram que V contribui para a supercondutividade até um determinado valor e para outros valores, suprime-a. Percebemos também que tanto na interação interbanda, quanto na interação intrabanda temos transições de primeira e segunda ordem e um ponto tricritico, no qual
temos o encontro de uma linha de primeira ordem com uma de segunda ordem.
|
134 |
Estudo experimental de efeitos de spin em heteroestruturas semicondutorasGordo, Vanessa Orsi 28 April 2015 (has links)
Submitted by Izabel Franco (izabel-franco@ufscar.br) on 2016-09-19T20:49:29Z
No. of bitstreams: 1
TeseVOG.pdf: 4526477 bytes, checksum: f864ec51b52cd413053067c5f7305ea5 (MD5) / Approved for entry into archive by Marina Freitas (marinapf@ufscar.br) on 2016-09-20T14:06:35Z (GMT) No. of bitstreams: 1
TeseVOG.pdf: 4526477 bytes, checksum: f864ec51b52cd413053067c5f7305ea5 (MD5) / Approved for entry into archive by Marina Freitas (marinapf@ufscar.br) on 2016-09-20T14:06:43Z (GMT) No. of bitstreams: 1
TeseVOG.pdf: 4526477 bytes, checksum: f864ec51b52cd413053067c5f7305ea5 (MD5) / Made available in DSpace on 2016-09-20T14:06:50Z (GMT). No. of bitstreams: 1
TeseVOG.pdf: 4526477 bytes, checksum: f864ec51b52cd413053067c5f7305ea5 (MD5)
Previous issue date: 2015-04-28 / Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP) / In this thesis, we have investigated optical and spin properties of semiconductor
nanostructures. Photoluminescence and magneto-photoluminescence measurements
were performed in high magnetic field (B ≤ 15T), in GaBiAs nanostructures and GaAs
/AlGaAs semiconductor devices. Particularly, we have studied: (i) GaBiAs layers, (ii)
GaBiAs/GaAs quantum wells (QW) (iii) standard GaAs / AlGaAs resonant tunneling
diodes (RTDs) and (iv) GaAs / AlGaAs RTDs containing quantum rings of InAs in the
QW.
We have investigated the effect of carrier localization by defects on the optical
and spin properties of GaBiAs layers and nanostructures. Our results evidence
important effects of carrier location by defects which was associate by small values of
magnetic shifts. This effect is probably due to the formation of clusters and by the Bi
composition variation on this type of alloy. It was also observed that the thermal
annealing treatment improves the optical quality of these systems and increases the
polarization degree which was associated to the reduction of spin relaxation times.
We have also investigated the optical properties, magneto-optical and of
transport in double barrier semiconductor heterostructures. Particularly, we have
investigated the optical and spin properties of two dimensional electron and hole gases
and the quantum well (QW). It was observe optical emission in the QW associate to the
criation of uncharged exciton and negative charge exciton. The two dimensional gases
acts as a spin polarize carriers injection in the QW, increasing thus the spin polarization
in this region. The experimental results indicated that this process is more efficient in
low voltage region. For high voltages region other processes, such as formation of tríons
and spin polarization loss during tunneling should result in a significant contribution to
the spin and polarization.
Furthermore, it was investigated the spin properties of double barrier diodes
containing InAs quantum rings in the center of the QW. It was observe that the degree
of circular polarization of the emission of the QRs strongly sensitive to the applied
voltage shows oscillation and besides one possible polarization oscillations tendency
with the increase of the magnetic field. / Nesta tese, investigamos as propriedades ópticas e de spin de nanoestruturas
semicondutoras. Foram realizadas medidas de fotoluminescência e magnetofotoluminescência
em altos campos magnéticos (B ≤ 15T), em nanoestruturas de
GaBiAs e em dispositivos semicondutores GaAs /AlGaAs . Em particular estudamos:
(i) filmes de GaBiAs , (ii) poços quânticos (QW) de GaBiAs/GaAs, (iii) e diodos de
tunelamento ressonante (DTR) convencionais de GaAs/AlGaAs e (iv) DTR de
GaAs/AlGaAs contendo anéis quânticos de InAs no centro do QW.
Investigamos os efeitos da localização de portadores por defeitos nas
propriedades ópticas e de spin de filmes e nanoestruturas de GaBiAs. Os resultados
evidenciam efeitos importantes de localização de portadores por defeitos que foi
associado a baixos valores do shift diamagnético. Este efeito é provavelmente devido à
formação de clusters e a variação de composição de Bi nesses tipos de ligas.
Observamos também que o tratamento térmico melhora a qualidade óptica destes
sistemas e aumenta o grau de polarização que é associado a redução de tempo de
relaxação de spin.
Também investigamos propriedades ópticas, magneto-ópticas e transporte em
heteroestruturas de dupla barreira. Particularmente, estudamos as propriedades ópticas e
de spin dos gases bidimensionais de elétron e de buraco e o poço quântico (QW). Foram
observadas emissões ópticas no QW associadas à formação de éxciton neutro e éxciton
negativamente carregado. O gás bidimensional atua como um injetor de portadores spin
polarizados no QW, aumentando assim o grau de polarização de spin nessa região. Os
resultados experimentais obtidos indicaram que este processo é mais eficiente em
regiões de baixas voltagens. Para regiões de altas voltagens outros processos, tais como
formação de tríons e perda de polarização de spin durante o tunelamento devem resultar
em uma contribuição importante na polarização e spin.
Além disso, foram investigadas as propriedades de spin de diodos de dupla
barreira contendo anéis quânticos de InAs no centro do QW. Foi observado que o grau
de polarização circular da emissão dos QRs é bastante sensível a voltagem aplicada,
apresentando oscilações e também uma possível tendência a oscilações da polarização
com o aumento do campo magnético aplicado.
|
135 |
Soluções topológicas de spins no toro / Topological spins solutions on the torusSantos, Vagson Luiz de Carvalho 15 February 2008 (has links)
Made available in DSpace on 2015-03-26T13:35:05Z (GMT). No. of bitstreams: 1
texto completo.pdf: 1289687 bytes, checksum: 1760c5305e12b5504a52ff55f7e9035d (MD5)
Previous issue date: 2008-02-15 / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior / We study Heisenberg model of classical spins lying on the toroidal support. The isotropic regime is characterised by a fractional soliton solution. Whenever the torus size is very large, R → ∞, its charge equals unity and the soliton effectively lies on a infinite cylinder. However, for R = 0 the spherical geometry is recovered and we obtain that configuration and energy of a soliton lying on a sphere. Vortex-like configurations are also supported: in a ring torus (R > r) such excitations present no core where energy could blow up. At the limit R → ∞ we are effectively describing it on an infinite annulus (or cylinder, equivalently), where the spins appear to be practically parallel to each other, yielding no net energy. On the other hand, in a horn torus (R = r) a singular core takes place, while for R < r (self- intersecting spindle torus) two such singularities appear. If R is further diminished until vanish we recover vortex configuration on a sphere. Other formal solutions, without topological stability, are obtained and discussed with some details. / Estudamos o modelo de Heisenberg para spins clássicos no suporte toroidal. O regime isotrópico é caracterizado por uma solução solitônica fracionária. Quando o tamanho do toro é muito grande, R → ∞, sua carga se iguala à unidade e o sóliton efetivamente se comporta como no caso do cilindro infinito. Entretanto, para R = 0 a geometria esférica é recobrada e obtemos a configuração e a energia de um sóliton numa esfera. Configurações tipo vórtice também são suportadas: num ring torus (R > r) tais excitações não apresentam caroço onde a energia poderia divergir. No limite R → ∞estamos efetivamente descrevendo-o em um annulus infinito (ou cilindro, equivalentemente), onde os spins aparecem praticamente paralelos um ao outro, não tendo energia líquida. Por outro lado, em um horn torus (R = r) um caroço singular toma lugar, enquanto para R < r (self-intersectind spindle torus) duas singularidades deste tipo aparecem. Se R é diminuído até se anular, recuperamos a configuração de vórtice na esfera. Outras soluções formais, sem estabilidade topológica, são obtidas e discutidas com alguns detalhes.
|
136 |
Projeto e construção de um sistema de crescimento epitaxial por feixe molecular / Project and construction of a molecular beam epitaxy growth systemGomes, Joaquim Pinto 29 May 2009 (has links)
Made available in DSpace on 2015-03-26T13:35:11Z (GMT). No. of bitstreams: 1
texto completo.pdf: 2893346 bytes, checksum: 9ae656930afe35b3a72cddee0c2cc87c (MD5)
Previous issue date: 2009-05-29 / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior / The epitaxial growth technique by molecular beams (Molecular Beam Epitaxy – MBE) can be considered as one of the most important for obtaining thin fine films, heterostructures and nanostructures nowadays, allowing the production of high quality layers, and it also allows the in situ monitoring of process through several techniques of characterization. This work presents the project, the construction and the initial tests of a MBE system for the growing of compounds containing cadmium, tellurium, manganese and zinc. The work shows a bibliographic revision of the main types of epitaxy, some of the main techniques of growth, the basic principles of vacuum technology and the necessary tools to the construction of the system. The detailed project of the system and its main components represented. Finally, the functioning tests of the vacuum systems, the effusion cells, the system of controlling and automation and the results obtained with the first obtained samples represented. The total cost of the system in the current configuration is approximately R$150.000 which is about as less as one fourth of one commercial system with approximately the same characteristics. / A técnica de crescimento epitaxial por feixes moleculares (Molecular Beam Epitaxy – MBE) pode ser considerada como uma das mais importantes para a obtenção de filmes finos, heteroestruturas e nanoestruturas nos dias atuais, permitindo a obtenção de filmes de excelente qualidade, além de permitir o acompanhamento do crescimento in situ através de diversas técnicas de caracterização. Este trabalho aborda o projeto, a construção e os testes iniciais de um sistema de MBE para o crescimento de compostos contendo Cádmio, Telúrio, Manganês e Zinco. O trabalho apresenta uma revisão bibliográfica dos principais tipos de epitaxia, algumas das principais técnicas de crescimento, princípios básicos da tecnologia de vácuo e os instrumentos necessários à construção do sistema. É apresentado o projeto detalhado do sistema e seus principais componentes. Finalmente, descrevem-se os testes de funcionamento do sistema de vácuo, das células de efusão, o sistema de controle e automatização e os resultados obtidos com as primeiras amostras obtidas. O custo total do sistema na configuração atual é de aproximadamente R$ 150.000, cerca de 4 vezes menor que o de um sistema comercial com aproximadamente as mesmas características.
|
137 |
Crescimento e caracterização de filmes espessos de CdTe para a fabricação de detectores de raios-X / Growth and characterization of thick films of CdTe for the manufacture of detectors of nuclear radiationSantos, José Antônio Duarte 30 April 2010 (has links)
Made available in DSpace on 2015-03-26T13:35:12Z (GMT). No. of bitstreams: 1
texto completo.pdf: 4918198 bytes, checksum: d8295a3e9f68661e7fe4f267ae5aa01d (MD5)
Previous issue date: 2010-04-30 / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior / The presence of nuclear radiation detectors is extremily important in various industries such as medical, astronomy and of national security. There are many types of detectors. However, the detector constructed with CdTe and CdZnTe semiconductor films has become very popular due to some characteristics as convenience, density, energy resolution and for having the possibility of operating at room temperature. In this work, a review of nuclear radiation detectors is made, especially those built with semiconductor. Here are also presented structural, superficial and electric characterization methods to inform which type of sample is the most viable for such purpose. We also present in this work the results of the of CdTe films growth using HotWall Epitaxy technique (HWE) in temperatures from 150 C and 250 C over Si (111), simple glass and glass covered with tin oxide with fluorine . It is also presented the results ofcharacterization of CdTe films by x-ray diffraction and electrical characterization by curves I x V. / A presença de detectores de radiação nuclear é de extrema importância em várias indústrias como, por exemplo, a médica, a astronômica e de segurança nacional. Existem inúmeros tipos de detectores. Um deles, o detector construído com ligas semicondutoras de CdTe e CdZnTe, tem se tornado bastante popular devido às características peculiares como: praticidade, densidade, resolução energética e pela possibilidade de operarem a temperatura ambiente. Neste trabalho, faremos uma revisão de detectores de radiação nuclear, especialmente dos construídos com semicondutores. Apresentamos também métodos de caracterização estrutural, superficial e elétrica de amostras a fim de informar qual tipo de amostra é a mais viável para tal finalidade. Mostramos os resultados do crescimento de filmes espessos de CdTe, utilizando a técnica de Epitaxia de Paredes Quentes (HWE) nas temperaturas de 150 C e 250 C sobre Si (111), vidro simples e vidro coberto com óxido de estanho dopado com flúor. São também apresentados os resultados de caracterização dos filmes de CdTe por difração de raios-X e caracterização elétrica através de curvas I x V do filme.
|
138 |
Transições de fase para estados absorventes: um estudo em redes regulares e complexas / Phase transitions to absorbing states: a study on regular and complex networksSander, Renan Servat 26 July 2011 (has links)
Made available in DSpace on 2015-03-26T13:35:17Z (GMT). No. of bitstreams: 1
texto completo.pdf: 1691868 bytes, checksum: 62324ed588f110298d6a2dc7a9e33ca9 (MD5)
Previous issue date: 2011-07-26 / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior / Phase transitions into absorbing states, configurations from which the system can not escape, are currently a topic in the frontier of nonequilibrium Statistical Physics. Along with a growing interest in phase transitions on complex topologies, there are still many problems being investigated in regular networks, such as the effects of quenched disorder, diffusion, etc. In recent decades, complex networks have been a subject of increasing interest in the scientific community due to the fact that they describe a wide diversity of systems of both technological and
intellectual relevance. Gathering the huge size and dynamic nature of real complex networks, the Statistical Physics approach has proven to be very convenient because of its connection with graph theory and the possibility of characterizing the macroscopic phenomena emerging in terms of the dynamics of the basic elements composing the system. In the first part of this dissertation, we have performed simulations using the quasi-stationary (QS) method proposed by Oliveira and Dickman for the contact process (CP), the susceptible-infected-susceptible (SIS) and the contact replication process (PRC) models in three dimensions, besides reproducing
some results already known in the literature with the QE method. Using this method, we determined, for the first time, the moment ratios of the order parameter for the directed percolation (DP) class in three dimensions. We have also shown that the mean-field exponents for
the three-dimensional PRC reported in the literature, are transients observed in the spreading analysis. In the second part, we have investigated the phase transition in a new model, proposed in this dissertation: the threshold contact process (TCP). Analyses were performed on regular and scale-free networks. We show that the TCP belongs to the DP universality class in regular networks. In scale-free networks, we show that the critical exponents for the finite-size scaling
analysis of the quasi-stationary density of active sites and for the lifetime are the same obtained for the CP on scale-free networks, both in the heterogeneous mean-field theory, and in the QS simulations. / Transições de fase para estados absorventes, configurações das quais o sistema não pode escapar, são atualmente um tópico na fronteira da física estatística fora do equilíbrio. Concomitantemente com um crescente interesse em tais transições de fase em topologias complexas, ainda há muitos problemas em aberto sendo investigados em redes regulares, tais como os efeitos de desordem congelada, difusão, etc. Nas últimas décadas, redes complexas tem sido alvo de crescente interesse da comunidade científica devido ao fato de estas descreverem uma grande
variedade de sistemas que possuem relevância tanto tecnológica quanto intelectual. Levando em conta a natureza dinâmica e o enorme tamanho das redes complexas reais, a abordagem da Física Estatística mostra-se muito conveniente devido a sua ligação com a teoria de grafos e a possibilidade de caracterizar fenômenos macroscópicos emergentes em termos da evolução dinâmica de elementos básicos que compoem o sistema. Na primeira parte desta dissertação, realizamos simulações pelo método quase-estacionário (QE) proposto por Oliveira e Dickman
para o processo de contato (PC), para o modelo suscetível-infectado-suscetível (SIS) e para o processo de replicação por contato (PRC), em três dimensões, além de reproduzir alguns resultados já conhecidos pelo método QE. Utilizando este método, foi possível determinar as razões
entre momentos dos parâmetros de ordem para a classe da percolação direcionada em três dimensões. Também mostramos que os expoentes de campo médio para o PRC tridimensional relatados na literatura são um transiente observado na análise de espalhamento. Na segunda parte, investigamos a transição de fase em um novo modelo, proposto nesta dissertação: o processo de contato por limiar (PCL). Análises foram realizadas em redes regulares e sem escala. Mostramos que o PCL pertence à classe da percolação direcionada em redes regulares. Em
redes sem escala, mostramos que os expoentes críticos da análise de escalonamento de tamanho finito da densidade quase-estacionária de sítios ativos e do tempo de vida são os mesmos que foram obtidos para o PC em redes sem escala, tanto na teoria de campo médio heterogênea,
quanto nas simulações QE.
|
139 |
Efeito de uma barreira cinética em modelos de crescimento de interfaces com mobilidade limitada / Effect of a kinetic barrier in limited mobility interface growth modelsPereira, Anderson de Jesus 19 July 2012 (has links)
Made available in DSpace on 2015-03-26T13:35:21Z (GMT). No. of bitstreams: 1
texto completo.pdf: 8816159 bytes, checksum: bb41a864a72a2d75cf9257b3e80090ca (MD5)
Previous issue date: 2012-07-19 / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior / In thin film growth, morphology is one of the most important characteristics. In particular, the appearance of self-assembled three-dimensional structures, characterized by mounds, with origin attributed to barriers that cause an imbalance between up- and downhill currents in stepped surfaces. In this dissertation we study the effects of the introdution of a kinetic barrier that appears when we include the normal diffusion to the substrate in the migration between different planes in the models ofWolf-Villain and Das Sarma-Tamborenea. The aim is to investigate the morphological changes and growth dynamics of interfaces due to this barrier in one and two-dimensional substrates. In our simulations simulations, we observed interfaces with structures characterized by the presence of mounds, with typical morphological patterns observed in films with self-assembled three-dimensional structures, not observed for the WV and DT models without the kinetic barrier. In the WV and DT models with kinetic barrier in d = 1 + 1 and d = 2 + 1 dimensions, we find that the growth exponent goes to 1=2 in the asymptotic limit. We calculate the ascendent and descendent currents between terraces and determine the average flow of particles in steps per site. We observe a descendent current in the steps for both models, approaching an zero value after a long time, where we would expect a balance between upward and downward particle flow and also saturating the width interface. / No crescimento de filmes finos, a morfologia é uma das mais importantes características. Em particular, o aparecimento de estruturas tridimensionais auto-arranjadas, caracterizada por morros, com origem atribuída a barreiras que causam um desequilíbrio entre o fluxo de partículas ascendente e descendente em superfícies com degraus. Nessa dissertação estudamos os efeitos da introdução de uma barreira cinética que aparece quando incluímos a difusão normal ao substrato na migração entre planos diferentes nos modelos de Wolf-Villain (WV) e Das Sarma-Tamborenea (DT). O objetivo é investigar as alterações morfológicas e a dinâmica de crescimento de interfaces devido a essa barreira em substratos unidimensionais e bidimensionais. Em nossas simulações observamos inferfaces com estruturas caracterizadas pela presença de morros, com padrões morfológicos típicos observados em filmes com estruturas tridimensionais auto-arranjadas o que não é observado para os modelos WV e DT, sem a barreira cinética. Nos modelos WV e DT com barreira cinética em d = 1 + 1 e d = 2 + 1 dimensões, encontramos que o expoente de crescimento vai para 1=2 no limite assintótico. Calculamos a corrente ascendente e descendente entre terraços e determinamos o fluxo médio de partículas nos degraus por sítio. Observamos uma corrente descendente nos degraus para ambos os modelos, que se aproxima de um valor nulo após um tempo longo, onde esperamos um equilíbrio entre o fluxo de partículas ascendentes e descendentes e além disso, a saturação da largura da interface.
|
140 |
Estudo da interação DNA-HOESCHT (33258) por pinçamento ótico / Study of ̧the Interaction DNA-Hoechst (33258) by optical tweezersSilva, Eduardo Ferreira da 25 July 2013 (has links)
Made available in DSpace on 2015-03-26T13:35:22Z (GMT). No. of bitstreams: 1
texto completo.pdf: 1403023 bytes, checksum: a018f8a9517a70e3f44eed507700561d (MD5)
Previous issue date: 2013-07-25 / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior / By performing single molecule stretching experiments with optical tweezers, we have stu- died the DNA interaction with the ligand Hoechst(33258). The mechanical properties of the complexes as a function of ligand concentration were directly determined from these measure- ments by fitting the force versus extension curve to the WormLike Chain model of semiflexible polymers. In addition, the physico-chemical parameters of the interaction were extracted from the persistence length data by using a previously developed two-sites quenched disorder sta- tistical model, allowing the determination of the binding isotherm. This model has allowed us to decouple the two different binding modes present in this system. In particular, it was found that the binding isotherm consists of two Hill-type processes, one non-cooperative and the other strongly cooperative. Finally, DNA condensation due to the interaction with the ligand was also verified and characterized here by analyzing the apparent contour length of the complexes. / Neste trabalho, fizemos experimentos de estiramentos em moléculas únicas com pinça ótica e estudamos a interação do DNA com o ligante Hoechst(33258). As propriedades mecânicas dos complexos formados como uma função da concentracao do ligante, foram diretamente determinadas a partir destas medidas, por ajuste das curvas de forca por extensão pelo modelo da cadeia vermiforme (WLC), de polímeros semiflexíveis. Além disso, os parâmetros físico-químicos da interação foram extraídos dos dados do comprimento de persistência usando um modelo estatístico de desordem de dois sítios previamente desenvolvido, permitindo a obtenção da isoterma de ligação. A aplicação do modelo nos permitiu decompor os dois modos de ligação presentes neste sistema. Em particular, encontramos que a isoterma de ligação consiste de dois processos tipo Hill, um não cooperativo e o outro fortemente cooperativo. Finalmente a condensação do DNA devido a interação com o ligante foi também verificada e caracterizada aqui por análise do comprimento de contorno aparente do complexo.
|
Page generated in 0.1398 seconds