The PhD thesis focuses on the always-on low power SRAM memories (essentially low dynamic power) in thin CMOS technology node CMOS 32nm and beyond. It reviews the state of the art of the eSRAM and describes different techniques to reduce the static and dynamic power consumption with respect the variability issue. Main techniques of power reduction are reviewed with their contributions and their limitations. It presents also a discussion about a statistical variability modeling and the variability effects on the yield. An original low power architecture based on 5T-Portless bit-cell is presented, with current mode read/write operations, as an ideal candidate for the always-on SRAM memories. A test chip implementation in CMOS 32nm of the 5T-Porless is designed and a comparison with an existing 6T SRAM memory is presented based on simulation. Some test chip functionality results and power consumption are performed. Finally the conclusion highlights the major contributions of the study and discusses the various simplification assumptions to see possible limitations. It is concluded affirmatively about industrial interest of the 5T-Portless SRAM for always-on embedded applications. Perspectives concern the analytical modeling for statistical behavior of SRAM as the Monte-Carlo approach is no more practicable. The migration of the 5T-Portless SRAM may be already considered in advanced nodes.

De plus en plus d'applications spécifiques embarquées exigent de larges blocs de mémoires statiques SRAM. En particulier il y a un besoin de mémoires inconditionnellement actives pour lesquelles la consommation d'énergie est un paramètre clé. Par exemple les réseaux sans fil hétérogènes sont caractérisés par plusieurs interfaces tournées vers des réseaux différents, donc de multiples adresses IP simultanées. Une grande quantité de mémoire est mobilisée et pose un sérieux problème de consommation d'énergie vis-à-vis de l'autonomie de système mobile. La stratégie classique d'extinction des blocs mémoire momentanément non opérationnelle ne permet qu'une réduction faible en consommation et limite les performances dynamiques du système. Il y a donc un réel besoin pour une mémoire toujours opérationnelle avec un très faible bilan énergétique. Par ailleurs les technologies CMOS avancées posent le problème de la variabilité et la conception de mémoire SRAM doit aboutir à un niveau de fiabilité très grand. La thèse discute les verrous techniques et industriels concernant la mémoire embarquée SRAM très faible consommation. Le cas de la mémoire toujours opérationnelle représente un défi pertinent. Un état de l'art balaie les architectures SRAM avec plusieurs points de vue. Une discussion à propos de la modélisation analytique statistique comme moyen de simplification de la conception en 32nm a été développée. Une cellule alternative aux 6T, 7T et 8T, laquelle est appelée 5T-Portless présente des avantages et des performances qui repose sur son fonctionnement en mode courant à l'origine de la réduction significative de la consommation dynamique ajoutée à une cellule intrinsèquement peu fruiteuse. Un démonstrateur de 64kb (1024x64b) en CMOS32nm a été réalisé, les résultats de mesure confirment l'intérêt industriel de cette mémoire. / The PhD thesis focuses on the always-on low power SRAM memories (essentially low dynamic power) in thin CMOS technology node CMOS 32nm and beyond. It reviews the state of the art of the eSRAM and describes different techniques to reduce the static and dynamic power consumption with respect the variability issue. Main techniques of power reduction are reviewed with their contributions and their limitations. It presents also a discussion about a statistical variability modeling and the variability effects on the yield. An original low power architecture based on 5T-Portless bit-cell is presented, with current mode read/write operations, as an ideal candidate for the always-on SRAM memories. A test chip implementation in CMOS 32nm of the 5T-Porless is designed and a comparison with an existing 6T SRAM memory is presented based on simulation. Some test chip functionality results and power consumption are performed. Finally the conclusion highlights the major contributions of the study and discusses the various simplification assumptions to see possible limitations. It is concluded affirmatively about industrial interest of the 5T-Portless SRAM for always-on embedded applications. Perspectives concern the analytical modeling for statistical behavior of SRAM as the Monte-Carlo approach is no more practicable. The migration of the 5T-Portless SRAM may be already considered in advanced nodes.

Rail à rail entrée - sortie, classe AB, faible consommation sont autant de critères que le concepteur d'amplificateur opérationnel (AOP) intègre pour réaliser une cellule analogique performante. Pour un AOP standard, l'accent n'est pas porté sur une caractéristique particulière mais sur l’ensemble de celle-ci. Dans le but d'augmenter le nombre de fonction par circuit intégré, la tension d'alimentation des AOPs ainsi que leur consommation en courant tendent à diminuer. L'objectif des circuits réalisés est de doubler le facteur de mérite des circuits déjà présents dans le portefeuille de STMicroelectronics. Le facteur de mérite est un indice qui compare des circuits équivalents. Il est défini par le rapport entre le produit capacité de charge x produit gain bande-passante et le produit courant de consommation x tension d'alimentation. L'état de l'art des structures d'AOPs a orienté l'étude vers des structures analogiques possédant au moins trois étages de gain. Un niveau de gain statique supérieur à la centaine de décibel est nécessaire pour utiliser ces amplificateurs dans des systèmes contre-réactionnés. Puisque chaque étage de gain introduit un noeud haute impédance et que chaque noeud haute impédance est à l'origine d'un pôle, l'étude de la compensation fréquentielle s'est avérée indispensable pour obtenir des structures optimisées. Pour simplifier l'étude de ces AOPs, le développement d'outils d'aide à la conception analogique a contribué à l'automatisation de plusieurs tâches.. Ces différents travaux ont été ponctués par la réalisation et la caractérisation de six circuits. Les compensations fréquentielles utilisées dans ces circuits sont la compensation nested miller , la compensation reversed nested miller et la compensation multipath nested miller . Parmi les six circuits, une moitié a été réalisée uniquement dans le but de valider des concepts de compensation fréquentielle et l'autre moitié avec toutes les contraintes d'une documentation technique propre à la famille d'AOP standard. / To be in line with the standard of operational amplifier (opamp), designer integrates in his circuit several functionalities like a Rail to rail input and output, class AB output stage and low power consumption. For standard products, there is no outstanding performance but the average of all of them has to be good. In order to increase the number of functions on an integrated circuit, the power supply and current consumption are permanently decreasing. The aim of the designed circuits is to double the figure of merit (FOM) of the actual ST portfolio products. The FOM allows the comparison of similar opamps. It is defined by the ratio of the product of capacitive load x gain-bandwith product over the power consumption. The opamps’ state of the art has led this study to three stages analog cells. A DC gain higher than hundreds of decibel is required to use opamps in feedback configuration. As each stage of the structure introduces a high impedance node and as each high impedance node introduces a pole, the study of frequency compensation technics became essential for well optimized structures. To simplify the study of the opamps, three tools have been developed to help in the design of the frequency compensation network and to automate some tasks. This work has been followed by the realization of six cells. Three of them were designed to validate frequency compensation structure and the other three to satisfy a standard opamp datasheet. Nested Miller, Reversed Nested Miller and Multipath Nested Miller compensations were used in these circuits.