Orientador: Feliz Guillermo Reys Reys / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Alimentos / Made available in DSpace on 2018-07-22T14:30:56Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Freire_MariaTeresadeAlvarenga_D.pdf: 28215486 bytes, checksum: 4d4f45b90930ed4a2b80cb15d221981a (MD5) Previous issue date: 1997 / Resumo: A estabilidade térmica de embalagens para alimentos de polietileno tereftalato (PET) foi avaliada sob diferentes condições de temperatura e tempos de exposição, através da determinação de oligômeros do PET e das substânciasvoláteis liberadas durante o aquecimento. A primeira etapa da determinação da estabilidade térmica do polímero, foi realizada aquecendo-se filmes puros de PET a 150°e por 30 e 60 minutos,260 °e, por 5 minutose 260 °e e 270 °e por 30 e 60 minutos. As principais alterações ocorreram a 260 °e e 270 °e, onde verificou-se um aumento na concentração de oligômeros alicíclicos da segunda série, em relação à concentração inicialmente presente determinada antes do processo de aquecimento. Substâncias voláteis identificadas, a 260 e 2700e, incluíram o tolueno, benzaldeído, p-xileno, derivados do ácido benzóico e ésteres do ácido tereftálico. A segunda etapa da determinação da estabilidade térmica do PET teve como objetivo verificara adequação do polímerotanto à utilização em fomos convencionaise de microondas, como a adequação do polímero a posteriores processos de reciclagem, visto que em tais processos, o material é submetido a condições severas de aquecimento.Para tanto, as substâncias voláteis liberadas por diversos materiais (garrafas, filmes multi-camadas e "roasting bags"),' foram determinadas sob condições de aquecimento de 120, 150 e 230 °e, durante 50 minutos. Embora o PET tenha se mantido estável sob condições severas de aquecimento, em relação à composição de oligômeros e substâncias voláteis, verificou-se a presença de substâncias de degradação de embalagens de materiais multicamadas,como componentes de tintas de impressão e adesivos, bem como substâncias provenientes da degradação do papel e antioxidantes. Os resultados obtidos sugerem que o PET é estável quando aquecido a temperaturas de até 230 °e durante 50 minutos, o que indica que embalagens de PET são adequadas para aquecimento de alimentos em fomos convencionais e de microondas. A estabilidade apresentada pelo PET, em relação à composição de oligômeros, quando aquecido a altas temperaturas sugere ainda, que o polímero é adequado para reutilização em processos de reciclagem secundária. / Abstract: The thermal stability of PET food packaging materiais was evaluated under severe heating conditions at several exposure times, by means of the determination of PET oligomers and volatile substances released under heating. The first step for determination of thermal stability of the polymer was carried out heating PET films at 150°C for 30 and 60 minutes, 260°C, for 5 minutes and 260 °C and 270°C for 30 and 60 minutes. The main changes occurred at 260°C and 270°C, with an increase in concentration for second seires opened chain oligomers identified, in relation to their concentration determined prior to heating. Volatile substances identified at 260 and 270°C, included toluene, benzaldehyde, p-xylene, derivatives of benzoic acid and esters of terephthalic acid, and were released at 260°C and 270°C. The second step of the present study was to verify the suitability of PET as a food packaging material intended to conventional and microwave ovens, as well as the suitability of the polymerfor future recycling procedures, where PET is exposed to high temperature. For the experiments, different samples were (bottles, multi-layer films and roasting bags) were exposed at temperatures of 120, 150 and 230°C, for 50 minutes. PET showed good stability at tempertures below 150°C, with few volatile substances released in very low concentrations. Although PET had shown good stability under heating in relation to oligomer and volatiles composition, degradation compounds of other materiais in PET laminates, like printing ink and adhesive components, as well as degradation products of antioxidantsand paper were identified. The results suggest that PET is stable at temperatures up to 230°C for 50 minutes, indicating that PET is suitableas food packaging materials intended to conventional and microwave ovens. In addition, the good stability of PET, in realtion to oligomer composition, when heated to high temperatures, suggest that the polymeris also suitable for further recycling procedures. / Doutorado / Doutor em Ciência de Alimentos

Orientadores: Attilio Jose Giarola, David Anthony Rogers / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-14T20:32:42Z (GMT). No. of bitstreams: 1 D'Assuncao_AdaildoGomes_D.pdf: 4216698 bytes, checksum: 20dacd7eb0b62a868818810ebad9e409 (MD5) Previous issue date: 1981 / Resumo: Não informado / Abstract: Not informed. / Doutorado / Doutor em Engenharia Elétrica

Orientador : Ahmed A. El Dash / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Alimentos e Agricola / Made available in DSpace on 2018-07-15T05:28:47Z (GMT). No. of bitstreams: 1 MancillaDiaz_Norma_D.pdf: 5904675 bytes, checksum: cc749e16ff252f6ab1a91089af4462a6 (MD5) Previous issue date: 1982 / Resumo: A presente pesquisa teve por objetivo estudar efeito dos diferentes processos de fabricação de pão no teor dos nutrientes mais importantes deste alimento. A relação entre os processos e o teor de nutrientes foi avaliado através das etapas parciais, de cada processo, a fim de estabelecer em quais destas ocorrem as perdas mais importantes. Foram examinados os seguintes processos de panificação nas suas condições padronizadas: massa direta, massa esponja e Chorleywood. Adicionalmente foi aplicado um método que emprega o cozimento por microondas, cujas condições foram desenvolvidas também na presente pesquisa. As amostras para a avaliação dos nutrientes foram retiradas da farinha, da massa recém misturada, da massa após fermentação e do produto assado.As amostras foram submetidas às seguintes determinações químicas: composição centesimal, composição de aminoácidos, teor de açucares redutores e totais, composição em ácidos graxos e teor de tiamina e riboflavina. As determinações de ácido ascórbico e tocoferóis totais foram incluídos devido à adição do primeiro como agente oxidante e do segundo como componente natural da gordura vegetal hidrogenada usada na formulação das massas. De um modo geral, a composição centesima1 não foi afetada pelos diferentes processamentos de produção de pão, fermentação aumentou os teores de vários aminoácidos indispensáveis, porém a etapa de cozimento, reduziu os dos aminoácidos básicos, principalmente a lisina, a teores qual diminuiu de 14 a 17%. O processo Chor1eywood, apresentou as maiores perdas de lisina. Os teores de açúcares totais e redutores foram diminuídos de 22 a 60%, dependendo dos métodos pesquisados. A menor diminuição foi observada no processo de massa esponja. A composição em ácidos graxos foi somente modificada no processo Chor1eywood, onde foram encontrado aumentos de 841 e 271.% dos ácidos miristico e palmitoléico, respectivamente, e diminuições de cerca de 22% de ácido linoléico. Os teores de vitaminas foram diminui dos em todos os métodos pesquisados, sendo que a etapa de cozimento foi a que contribuiu com as maiores perdas. Nesta etapa, a tiamina foi reduzida de 23 a 35%, e a vitamina C de 25 a 65%. A riboflavina e o tocoferol total foram pouco afetados, sendo destruídos somente de 10 a 20%. O emprego de microondas no cozimento do pão não provocou perdas importantes nos principais nutrientes, porém o aroma, o sabor e a crosta foram inferiores aos padrões de qualidade do pão convencional. A aplicação posterior ao tratamento por microondas, de um tratamento térmico convencional a 300°C durante 5 minutos, corrigiu, pelo menos em parte, os problemas acima mencionados, porém também aumentou as perdas de alguns dos nutrientes. Entretanto, as perdas totais foram ainda inferiores àquelas apresentadas nos outros três métodos estudados. O cozimento do pão pelo processo de microondas seguido de aquecimento a 300°C foi completado em 8 minutos enquanto que o cozimento convencional empregou 20 minutos / Abstract: The purpose of the present work was to study the effect of various bread making processes on the principal nutrients of bread and also to identify the processing steps responsible for the major nutritional losses in the bread. The straight dough, sponge dough and Chorleywood processes were studied, as well as a microwave heat treatment process. The effect of formulation, fermentation and heat treatment on bread nutrients were analyzed. The fermentation of dough caused a substantial increase in the content of various amino acids, while heat treatment caused a reduction in most of the amino acids, especially lysine (14-17%). Total and reducing sugars were decreased from 22 to 60% during bread processing, with the largest decrease observed in the sponge dough method. The fatty acid content was affected only by the Chorleywood process; in this process myristic and palmitic acids increased 841 and 271.%, while the linoleic acids reduced 22%. The vitamin content decreased in alI methods under study, with the heat treatment step responsible for the major loss. It was concluded that the conventional heat treatment of bread is the major cause of nutritional loss. On the other hand, heat treatment with microwaves caused only a negligible loss of nutrients. However, bread flavor and crust quality were inferior to conventionally baked bread. A combination of microwaves and high-temperature, short-time conventional cooking (300°C for 5 min.) improved the color and flavor of bread, while the total loss of bread nutrients using this approach was much lower than that with conventional methods / Doutorado / Doutor em Tecnologia de Alimentos

Orientador: Attilio Jose Giarola / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas / Made available in DSpace on 2018-07-15T06:47:19Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Regueira_Marcos_M.pdf: 2664026 bytes, checksum: c18a33d103cd85bacd130e2c13cf7306 (MD5) Previous issue date: 1981 / Resumo: Neste trabalho foram apresentadas duas tecnologias possíveis de serem utilizadas na fabricação de microlinhas de transmissão, para integração de circuitos de microondas. A primeira, de uso mais diversificado, é a de evaporação de Cromo e Ouro, e a segunda é a de deposição química de Cobre, de realização mais fácil e barata. Foram construídos circuitos nas duas tecnologias e comparados os resultados, observando-se valores de atenuação ligeiramente menores para os circuitos de Cobre. Por outro lado os circuitos de Cromo-Ouro apresentaram melhor aderência ao substrato de alumina. Este trabalho permitiu a verificação de que a deposição química de Cobre abre novos horizontes para a construção de microlinhas de transmissão como alternativa à evaporação de Cromo-Ouro até agora utilizada mas que se caracteriza como sendo de alto custo. / Abstract: Not informed. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

[pt] Este trabalho tem por objetivo estudar o (MES) FET de dupla porta de Arseneto de Gálio e algumas de suas propriedades como dispositivo de microondas. Inicialmente é desenvolvido um modelo para o FET de porta simples baseado na Aproximação do Canal Gradual, que inclue as variações com a polarização da capacitância entre a porta e o dreno e do tempo de trânsito. A partir desse modelo é obtido um outro para o FET de dupla porta. Então, as propriedades do FET de dupla porta relativas a sua aplicação como amplificador de ganho controlado e misturador são estudadas. A seguir suas propriedades que o fazem indicado para amplificador de ganho controlado são determinados. Também, a região de polarização que otimiza a isolação entre OL e RF quando ele é usado em misturadores é obtida. Usando fórmulas empíricas de forma relativamente simples e uma estratégia de aquisição de dados rápida e eficiente, obtém-se um modelo DC a partir de dados experimentais. Como exemplo de aplicação, esse modelo é usado para determinar o ponto de polarização ótimo com respeito, a ganho para um dispositivo medido. Dois amplificadores são construídos usando uma nova técnica de projeto. Essa técnica utiliza uma linha em aberto na porta 2 para manter o ganho plano sem necessidade de descassamento nas freqüências mais baixas. Em cada um dos amplificadores é usada uma técnica diferente para casamento do dreno. Esse trabalho apresenta-se como uma etapa na direção de aproveitar ao máximo o potencial desse versátil dispositivo de microondas, o FET de dupla porta. / [en] This work aims at studying the Gallium Arsenide dual gate (MÊS) FET and some of its properties as a microwave device. Initially, a model for the single gate FET is developed based upon the Gradual Approximation. It includes the gate to drain capacitance and transit time bias dependences. From this model, a model for the dual gate FET is obtained. Then, properties of the dual gate FET related to its use as gain controlled amplifier and mixer are studied. The properties that make it suitable for gain controlled amplifiers are pointed out. Also, the bias region that optmizes OL-RF rejection when it is used as a mixer, is obtained. Using a relatively simple empirical expression and a fast and efficient data acquisition strategy, a DC model is obtained from experimental data. As an example, this model is used to determine the optimum bias point with respect to gain for a measured device. Two amplifiers were built a new design technique. This technique makes use of an open line on the second gate to keep the gain flat without the need of mismatching at the lower frequencies. In each one of the amplifiers, a different technique is used to match the drain. This work is a step towards the use of the full capabilities of this versatile microwave device, the dual gate FET.

El proyecto ALMA (Atacama Large Millimeter Array) será el más grande arreglo de antenas para interferometría en el mundo. Los receptores para este proyecto están siendo diseñados y fabricados en diferentes laboratorios alrededor del mundo. Los Departamentos de Ingeniería Eléctrica (DIE) y Astronomía (DAS) de la Universidad de Chile están trabajando en un prototipo para el receptor de la llamada Banda1, la cual se encuentra en el rango de 31-45GHz. El objetivo de esta memoria es el desarrollo de la etapa de amplificación de este receptor. Primero se realizó un diseño basado en estudios previos y simulaciones que permitieron obtener una antena capaz de adaptar una guía de onda rectangular y una línea microstrip de 50 Ω. Esta última permite la conexión a un circuito amplificador de bajo ruido basado en transistores HEMT (High Electron Mobility Transistor). Luego se diseñó la tarjeta de polarización necesaria para energizar el amplificador. Para terminar, se ideó un bloque conductor en donde posteriormente se empaquetarán los componentes antes mencionados. Una vez terminado el diseño se fabricaron el bloque completo, las antenas y el circuito de polarización utilizando la fresadora con control numérico por computador (CNC) adquirida por el DAS. Después se montaron los componentes fabricados en el bloque y se realizó la conexión eléctrica a un circuito amplificador adquirido comercialmente utilizando una Máquina Soldadora de Precisión (Bonding Machine) adquirida por el DIE. Finalmente, para estudiar el comportamiento del amplificador ya empaquetado se midió la ganancia en un Analizador Vectorial de Redes, obteniéndose un promedio de 15dB en todo el ancho de banda. La respuesta del amplificador es concordante con las especificaciones comerciales del circuito HEMT (que son tomadas sin empaquetamiento del mismo). Se incluyen además modificaciones al diseño preliminar que pueden facilitar la fabricación de futuras versiones.

Ingeniero Civil Electricista / El Departamento de Ingeniería Eléctrica (DIE) y el Departamento de Astronomía (DAS) de la Universidad de Chile se encuentran desarrollando un prototipo de receptor superheterodino para la denominada Banda 1, que abarca el rango de frecuencias desde 31 a 45 GHZ. Este trabajo se enmarca dentro del proyecto ALMA (Atacama Large Millimiter Array), que consistirá en el mayor arreglo de antenas para interferometría del mundo, y en el que trabajan diferentes organismos alrededor del mismo. El principal objetivo del presente trabajo de título consiste en el diseño y construcción de un amplificador de microondas de bajo ruido utilizando componentes discretos, que será utilizado como preamplificador en el receptor superheterodino mencionado anteriormente. Otros objetivos de esta memoria son el diseño y construcción de la empaquetadura para el amplificador, así como también sus circuitos de polarización y fuente de poder. La primera etapa consistió en el diseño de los distintos componentes. El amplificador se basó en estudios y simulaciones previas, logrando un diseño que permite la adecuada conexión de sus elementos. Para mantener un estándar, la empaquetadura mantuvo las dimensiones exteriores de los diseños que la precedían, sin embargo sus dimensiones interiores fueron diseñadas según las características de los elementos a montar en ella. Los circuitos de polarización fueron diseñados de acuerdo a los requerimientos de las distintas etapas del amplificador. La fuente de poder se basó en un diseño anterior que permite el ajuste de diferentes voltajes y corrientes de polarización, proyectándola además, para trabajos futuros. La segunda etapa corresponde a la fabricación de todos los elementos, mientras que la tercera etapa consiste en sus respectivos montajes en la empaquetadura y las uniones de todos ellos. Estos procesos fueron realizados mayoritariamente en el laboratorio del DAS, mediante la utilización de distintas técnicas. Finalmente, se analiza el desempeño de cada etapa de amplificación de manera independiente, comprobando su correcto funcionamiento en cada una de ellas y logrando resultados cercanos a las simulaciones. Además, fue posible obtener variadas consideraciones, las que podrán ser utilizadas para mejorar el desempeño en trabajos futuros.

Orientador : Rui Fragassi Souza / Tese (doutorado) Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-13T21:56:39Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Cesar_AmilcarCareli_D.pdf: 10302523 bytes, checksum: ca323a1c2a18eaf403cd42f12c02caf9 (MD5) Previous issue date: 1990 / Resumo: O guia dielétrico não-radiativo (NRD) é uma alternativa viável de construção de circuitos integrados na faixa milimétrica. A estrutura NRD convencional consiste de uma lâmina de material dielétrico isotrópico disposta entre dois planos condutores paralelos, separados por uma distância menor que meio comprimento de onda. A redução da perda por radiação nas curvaturas e descontinuidades é uma de suas principais vantagens. Neste trabalho e, descrita a obtenção das expressões dos campos elétrico e magnético e da equação caracteristica dos modos hibridos que se propagam em uma estrutura NRD, onde a lâmina dielétrica convencional foi substitui da por outra de material ferrimagnético. A solução da equação caracteristica fornece a constante de propagação em função da geometria do guia, dos parâmetros da ferrita e das condições de operação. São apresentados vários resultados numéricos originais na forma de curvas de dispersão e de distribuição de campos. Discute-se a possibilidade de construção de dispositivos reciprocos e não-reciprocos / Abstract: Nonradiative Dielectric (NRD) waveguide is an attractive alternative in the implementation of mil lime ter integrated circuits. The conventional NRD structure consists of an isotropic dielectric slab inserted between two parallel conducting planes, separated by a distance less than half of a wavelength. The reduction of radiation loss by curvatures and discontinuities is one of its well known advantages. This work shows how to obtain the electric and magnetic field expressions and the characteristic equations of the hybrid modes that propagate in a NRD waveguide where the isotropic slab is substituted by a ferrimagnetic material. The solution of the characteristic equation gives the propagation constant as a function of the guide geometry, ferrite parameters and operating conditions. Unpublished numerical results are presented in the form of dispersion curves and field distributions. The possibility of implementing reciprocal and non-reciprocal devices is discussed. / Doutorado / Doutor em Engenharia Elétrica

Orientadores: Rui Fragassi Souza , David Anthony Rogers / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas / Made available in DSpace on 2018-07-15T15:44:46Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Hung_WangWen_M.pdf: 2960132 bytes, checksum: 8b124e7029511d12796d7f571aab5f47 (MD5) Previous issue date: 1978 / Resumo: A finalidade deste estudo e apresentar os conceitos básicos para o projeto de amplificadores de microondas utilizando transistores bipolares. O transistor, neste trabalho, e considerado como um quadripolo que é caracterizado pelos parâmetros de espalhamento. Os parâmetros de espelhamento (parâmetros S) são medidos no ponto quiescente escolhido em uma certa faixa da frequência desejada (1 a 2 GHz). A regra para projetar os amplificadores de faixa estreita pode ser resumida como segue: (1) Calcular um conjunto de círculos de ganho de potência utilizando os parâmetros S e desenhar os círculos na Carta de Smith; (2) Selecionar o ganho desejado e determinar os correspondentes coeficientes de reflexão de entrada e de saída do quadripolo; (3) Sintetizar os circuitos de casamento que transformam as impedâncias (50?) do gerador e da carga às impedâncias correspondentes aos coeficientes de reflexão de entrada e de saída, respectivamente. O projeto de amplificadores de faixa larga, pelo método clássico, é feito adicionando-se na entrada e na saída do transistor um circuito de casamento de impedância que compense a variação do ganho transdutivo unilateral do transistor com a frequência. A otimização desses circuitos de casamento na entrada e na saída é feita por um processo de tentativa neste trabalho. Um amplificador de máximo ganho e um amplificador com faixa de uma oitava, foram projetados e construídos com auxílio de um computador; o desempenho dos amplificadores foi medido e verificado estar próximo das previsões dos estudos teóricos. / Abstract: The purpose of this study is to present the basic concepts for designing microwave bipolar transistor amplifiers. In this work the transistor is considered to be a two-port device characterized by the scattering parameters. These scattering (S) parameters are measured for specific bias conditions over the desired frequency range (1 to 2 GHz). The rules for the design of narrow-band amplifiers can be summarized as fal1ows: (l) Calculate a set of power gain circles using the S parameters and draw these circles on the Smith chart; (2) Se1ect the desired gain and determine the input and output ref1ection coefficients of the device; (3) Synthesize matching networks which will transform the source and load impedances (50?) to the impedances corresponding to the input and output ref1ection coefficients, respectively. Designing a broadband amplifier with classical methods is a matter of surrounding a transistor with two matching networks in order to compensate for the variation of the unilateral transducer gain with frequency. The optimization of these input and output matching networks is done by a trial-and-error process in this work. A maximum power gain amplifier and an octave-band amplifier were designed and constructed with the aid of a computer, and the performance of the amplifiers was measured and found to follow closely the predictions of the theoretical studies. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador : David Anthony Rogers / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas / Made available in DSpace on 2018-07-16T06:22:52Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Yabu-Uti_JoaoBaptistaTadanobu_M.pdf: 1700831 bytes, checksum: 3edb549b36b4a6f851199b0756a0462b (MD5) Previous issue date: 1975 / Resumo: Este trabalho consiste de projeto e construção de filtros passabanda de faixa larga em frequências de microondas. Um filtro prototipo passa-baixa foi primeiramente estabelecido como padrão. Isto foi feito devido ao fato da característica de atenuação do filtro passa-baixa se manter quando se passa ao filtro passa-banda atraves de uma transformação de frequência. A seguir procurou-se estabelecer uma configuração em strip-line, de façil construção, que permitisse uma faixa de passagem larga. A configuração que se mostrou mais adequada foi a interdigital Nos projetos de filtros de faixa-larga, as equações de projeto tornam-se menos precisas devido às aproximações envolvidas no procedimento. Estas aproximações tornam-se, no entanto, necessarias para facilitar o seu estudo e para a obtenção de circuitos equivalentes. Os elementos de um filtro são forçados a concordarem com os elementos correspondentes a do protótipo passa-baixa nas frequências chaves. O primeiro filtro interdigital passa-banda projetado desta maneira apresentou a resposta característica de atenuação fora das especificações desejadas. Este filtro foi projetado para (1) uma faixa de passagem de 1,0 GHz centrada em 1,5 GHz e (2) atenuação máxima dentro da banda passante de 0,10 db. Outro filtro foi construido ja prevendo as discrepâncias observadas anteriormete. Foi projetada para (1) um faixa de passagem de 1,28 GHz centrada em 1,65 GHz e (2) atenuação máxima dentro da banda passante de 0,01 db. Medidas iniciais indicaram o deslocamento da banda passante para frequências superiores àquelas desejadas. Foram empregados parafusos de sintonia para a compensação das capacitâncias de franjas nas extremidades livres linhas ressonantes. A resposta final obtida e satisfatoria e coerente com as tolerâncias de projeto utilizadas. Embora se tenham projetado e construido filtros para operarem em uma faixa especifica de frequências, a extensão deste trabalho para a construção de fi1tros em outras frequências e com outras caracteristicas, deve ser possivel sem maiores dificuldades. Este trabalho tambem evidencia alguns detalhes de projeto que são de alta importância para a obtenção de resultados praticos os mais próximos possiveis dos desejados / Abstract: Not informed / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica